“中國集成電路產業目前還非常脆弱，預計再過5年才能站穩腳跟，屆時將在全球有一席之地，屆時三分天下或四分天下能有其一。”紫光集團董事長趙偉國稱。為了在全球集成電路產業中占據一席之地，紫光集團頻頻動作，持續加碼存儲業務，近日在南京與成都的項目新基地紛紛動工，全部建成月產能各達30萬片，與武漢長江存儲已形成“三箭齊發”態勢。

紫光存儲新調整 國微轉讓DRAM業務

基于紫光集團在存儲領域的整體戰略布局考量，紫光國微開始資產調整。紫光國微 10 月 11 日晚間公告，擬將從事 DRAM 芯片設計的全資子公司西安紫光國芯 100% 股權以 2.20 億元轉讓給同集團、從事存儲模組業務的北京紫光存儲，這象征著紫光集團旗下資產持續進行整合，試圖集中存儲事業戰力。

剝離紫光國芯后的紫光國微，主要產品將集中在智能安全芯片的研發領域上。

成立于 2017 年 8 月的北京紫光存儲，角色偏向于存儲模組廠產品的生產、研發和自有品牌銷售，2018年8月攜旗下8個系列的存儲產品首次亮相位于美國的2018年閃存峰會。未來加入西安紫光國芯的 DRAM 設計業務，可能會朝 DRAM 產品領域著力，讓整個存儲產品線的布局更為完整。

而紫光國微剝離DRAM，也能夠更加專注于安全芯片領域。這樣對雙方都比較有利，能夠避免未來可能存在的競爭，戰略上能統一到一起。

國內存儲芯片才起步 萬事起頭難

然而，和NAND Flash一樣，國內的DRAM之前也近乎一片空白。據集邦科技旗下的DRAMeXchange公布的2018年第二季度全球DRAM內存芯片市場的報告顯示，三星以43.6%的市占率奪得第一；海力士排名第二，市占率達29.9%；美光則以21.6%的市占率排為第三。

由此可看出，三星、美光和海力士已經占據了全球95%的DRAM市場份額，國內的DRAM發展前景嚴峻。

日前美光科技CEO Sanjay Mehrotra接受媒體訪問時直言，想晉身全球主要內存芯片供貨商的門坎很高，中國內存芯片制造商日前仍對美光、 三星及SK海力士等主要廠商不構成威脅。他指出，中國廠商在開發NAND及DRAM上，仍處在“非常早期”階段。

隨著福建晉華和合肥長鑫兩大陣營投入研發 DRAM 技術，若兩大廠研發成功且量產，西安紫光國芯的DRAM設計實力恐與這兩家再度拉大，合并紫光國芯后的紫光存儲要如何進行大整合，以發揮集團的存儲戰力，還待時間觀察。

紫光國產芯又一步 南京、成都存儲器基地開工

2018年9月30日，紫光南京半導體產業基地項目項目開工，總投資300億美元。項目一期投資約105億美元，月產芯片10萬片，主要產品為國內長期依賴進口的3D NAND FLASH(閃存)、DRAM(動態隨機存儲器)存儲芯片等。預估項目全部建成將可形成月產芯片30萬片。

緊接著，2018年10月12日，紫光成都存儲器制造基地在成都開工。據官方介紹，紫光成都存儲器制造基地項目占地面積約1200畝，總投資達240億美元，將建設12吋3D NAND存儲器晶圓生產線，并開展存儲器芯片及模塊、解決方案等關聯產品的研發、制造和銷售。據悉，項目全部建成將可形成月產芯片30萬片。

而此前，紫光集團董事長趙偉國曾表示，紫光計劃在10年內在芯片制造領域投資超過1000億美元，目前已籌集1800億元人民幣，其中800億人民幣投資武漢的存儲工廠，并計劃用另外1000億人民幣在成都、南京再建兩個存儲工廠。力爭讓中國企業進入世界內存企業的第一梯隊，到2020年，計劃把中國芯片制造自產率從 8%提升到40%。

隨著南京、成都項目的相繼開工，預示著紫光集團在芯片制造產業十年1000億美元的投資布局計劃又邁進了一步。

至此，加上2016年12月30日在武漢開工的長江存儲，紫光3D存儲計劃三地“三箭齊發”，其存儲器國產夢又進了一步。

縱觀紫光集團在存儲領域上的布局，紫光在存儲領域正在研發128層堆棧256Gb的3D NAND，今年年底可以量產32層堆棧64Gb的3D NAND，明年將會量產64層堆棧128Gb的3D NAND，同時導入創新的 Xtacking 技術。此外，官方表示，DDR4芯片正在研發中，預計2018年底將會推向市場。