關于英特爾憑借 18A 工藝從臺積電手中奪回領先地位的說法有很多。

從表面上看，臺積電擁有龐大的生態(tài)系統(tǒng)，在工藝技術和代工設計起步方面處于領先地位，但英特爾也不容忽視。英特爾首先提出了高金屬柵極、FinFET 和更多創(chuàng)新半導體技術，其中之一是背面供電。BPD 無疑可以使英特爾重新回到半導體制造的最前沿，但我們也需要在適當?shù)谋尘跋驴创?/p>

背面供電是指將電力傳送到芯片背面而不是正面的設計方法。這種方法在熱管理和整體性能方面具有優(yōu)勢。它可以實現(xiàn)更有效的散熱，并有助于更好地向芯片組件傳輸電力。這一切都是為了優(yōu)化布局和設計，以改進功能和熱量分布。

背面供電已在會議上討論過，但英特爾將是第一家將其付諸實踐的公司。我們應當向英特爾致敬，因為他們?yōu)閷崿F(xiàn)戈登·摩爾的愿景又邁出了令人難以置信的一步。

臺積電和三星可能會跟隨英特爾落后一兩年進入背面供電領域。臺積電的優(yōu)勢之一是其密切合作的客戶的巨大力量，確保了臺積電的成功，這與臺積電的封裝成功不同。

今天，英特爾和臺積電之間的任何比較就像將蘋果與菠蘿進行比較一樣，它們已經(jīng)是完全不同的兩個東西了。

目前，英特爾在內部生產(chǎn) CPU 小芯片，并將支持小芯片和 GPU 外包給臺積電 (N5-N3)。希望英特爾能夠在內部生產(chǎn) 18A 及以下的所有小芯片。

不幸的是，到目前為止，英特爾代工集團還沒有大量客戶。內部制造小芯片無法與臺積電為蘋果和高通等巨頭制造復雜的 SoC 相比。如果您想將 BPD 競爭分為兩部分：內部小芯片和復雜的 SoC，那沒問題。但我認為，如果說英特爾的工藝領先于任何人，而只做小芯片，那是不誠實的。

現(xiàn)在，如果您想進行小芯片比較，讓我們仔細看看英特爾與 AMD 或 Nvidia 的對比，因為他們正在臺積電 N3 和 N2 上開發(fā)小芯片。英特爾可能真的會贏得這一勝利，我們拭目以待。但對我來說，如果你想要代工工藝領先，你需要能夠大批量生產(chǎn)客戶芯片。

接下來，您必須考慮如果沒有客戶支持，支撐領先意味著什么。它將是墻上的絲帶之一、維基百科上的注釋之一，或者像 IBM 那樣的新聞稿。這不會是每個人都尋求的數(shù)十億美元的 HVM 收入。英特爾需要登陸一些無晶圓廠半導體巨頭才能站在臺積電旁邊，否則他們將站在三星或IBM旁邊。

“英特爾曾經(jīng)是保守派，”TechInsights 副主席丹·哈奇森 (Dan Hutcheson) 說。此前，臺積電的冒險精神更加激進，失敗的幾率也更高。哈奇森解釋說，現(xiàn)在情況發(fā)生了轉變。“試圖同時實施兩項重大技術變革是一個非常冒險的舉動，而在過去，這往往會導致災難，”他說。

他正在談論具有背面供電 (BPD) 功能的 Intel 20A。我從來不認為臺積電是一個冒險家。他們有客戶需要服務，他們的企業(yè)生存依賴于此（Trusted Foundry）。示例：臺積電 (TSMC) 在 20 納米工藝上分離雙圖案，在 16 納米工藝下使用 FinFET。臺積電在 HVM 后，將 EUV 層添加到 7nm（7nm+）。我認為，這并不是激進的冒險行為。

另一方面，英特爾則為自己提供內部開發(fā)的產(chǎn)品，這些產(chǎn)品可能而且已經(jīng)由于工藝問題而被推遲。英特爾冒著風險在 14 納米工藝上進行了雙圖案化和 FinFET，并且做得相當不錯。這是以秘密方式完成的，因此我們不知道延誤等情況，但這是一個非常具有破壞性的舉動。英特爾冒著在沒有 EUV 的情況下進行 10/7nm 的風險，結果慘遭失敗。對于英特爾來說，不同的是，現(xiàn)在他們在產(chǎn)品（AMD）和工藝（臺積電）層面面臨著以前沒有的競爭壓力。

我也不同意關于 20A 和 BPD 的說法是一個冒險的舉動。英特爾將 20A 引入 HVM，然后添加背面供電。與 18A 相同，您無需進行背面供電。英特爾 18A 作為一種創(chuàng)新工藝，與臺積電 N2 和三星 2nm 具有競爭力，甚至在市場上擊敗了它們。在背面供電方面，英特爾一躍領先，直到臺積電和三星在一兩年后提供 BPD。

就我個人而言，我認為英特爾在這方面確實有機會。如果客戶可以在合理的時間內完成他們的 BPD 版本，那么與我之前提到的非臺積電業(yè)務相比，這可能會成為新的代工收入來源的開始。一兩年后我們就會知道，但對我來說，這是我們一直在等待的激動人心的代工競賽，所以謝謝英特爾，歡迎回來！

2nm，競爭激烈

來自韓國、臺灣和美國的領先芯片制造商之間在先進 2 納米 (nm) 半導體工藝方面的競爭預計明年將加劇。

12月25日行業(yè)報告顯示，全球代工龍頭——臺灣臺積電（行業(yè)第一）、韓國三星電子（第二）以及重新進軍代工市場的美國英特爾——都在加速發(fā)展先進的2納米工藝。

目前，最先進的量產(chǎn)技術是3納米工藝，由三星電子和臺積電制造。三星于去年6月開始量產(chǎn)3納米工藝，而臺積電則于今年年初開始量產(chǎn)。

然而，據(jù)報道，由于對初始良率的擔憂以及半導體市場的低迷，3納米工藝的市場需求并未達到預期，導致客戶對這些高成本、先進工藝的需求減少。

除了臺積電獨家生產(chǎn)蘋果電腦用片上系統(tǒng) M3 芯片和移動應用處理器 A17 之外，全球主要無晶圓廠公司仍然主要使用 4 納米工藝而不是 3 納米代工廠。

與此同時，臺積電的主導地位只增不減。根據(jù)市場研究公司TrendForce的數(shù)據(jù)，臺積電在全球晶圓代工市場的份額從2021年第三季度的53.1%增長到2023年同期的57.9%。相比之下，三星代工的市場份額從2021年第三季度的17.1%下降到2023年同期的12.4%。同一時期。

盡管如此，英特爾和三星都更專注于先于臺積電開發(fā)先進工藝，而不是立即擴大訂單。他們的策略是搶占下一個市場，而不是與行業(yè)領導者進行價格競爭。

尤其是英特爾，正在采取積極舉措重新進入代工業(yè)務。計劃于明年上半年量產(chǎn)20埃(A)2納米級產(chǎn)品，下半年開發(fā)1.8納米產(chǎn)品18A。在去年 9 月舉行的年度開發(fā)者活動英特爾創(chuàng)新 2023 上，英特爾還推出了 18A 半導體晶圓的原型。

與此相關的是，荷蘭半導體設備公司ASML近日在其官方社交媒體上宣布，將向英特爾交付全球首款High NA極紫外（EUV）設備。該設備由 ASML 獨家生產(chǎn)，對于在半導體晶圓上創(chuàng)建電路至關重要，對于實現(xiàn) 7 nm 以上的精細電路至關重要。High-NA EUV 預計將成為 2nm 以下工藝的關鍵工具，實現(xiàn)比現(xiàn)有 EUV 設備更精細的工藝。去年年初，英特爾率先與 ASML 簽署了該設備的合同，領先于三星電子和臺積電。

三星代工廠去年開始量產(chǎn) 3 納米工藝，目標是明年開始量產(chǎn)改進的第二代 3 納米工藝，并計劃在 2025 年上半年量產(chǎn) 2 納米工藝。臺積電已將 2 納米量產(chǎn)時間表定于 2025 年下半年。

臺積電最近與蘋果、英偉達等大客戶分享了其2納米原型機的測試結果。同樣，三星也向主要客戶展示其2nm原型機，據(jù)報道正在采取降價策略。