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英特爾將進軍Arm芯片領域并不斷追趕臺積電的代工市場份額!

中國半導體論壇 ? 來源:中國半導體論壇 ? 2024-02-28 10:07 ? 次閱讀
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2月27日消息,近日在接受 Tom's Hardware 采訪時,英特爾代工負責人斯圖爾特?潘(Stu Pann)表示將會進軍 Arm 芯片,并不斷追趕臺積電的代工市場份額。

英特爾希望在 2030 年成為全球第二代代工廠,并希望能成為一家有彈性的代工廠,能夠緩解地緣政治、戰爭沖突等各種問題導致的供應鏈中斷問題。

英特爾會重新平衡其半導體業務,計劃產業鏈的 50% 布局放在美洲 / 歐洲、50% 放在亞洲。

Arm 首席執行官雷內?哈斯(Rene Hass)通過遠程連接的方式出席 IFS 活動,表示世界似乎正在擺脫獨占硬件的想法,轉而希望為微軟或 Faraday 這樣的大公司打造最高效的芯片,為人工智能數據中心提供動力。

此前報道,Neoverse V 系列處理器定位性能優化平臺,最新的 V3 是本系列中首個支持 Neoverse CSS 方案的處理器設計。

Neoverse V3 單芯片最大 64 核,雙計算芯片設計下共可提供 128 個內核,其支持 HBM3 和 CXL 3.0 以及 2 組 Die-to-Die 互連,常規性能相較之前 V2 提升 9-16%。

Arm 宣稱,相較常規性能提升,Neoverse V3 / N3 在 AI 數據分析方面的性能提升更為明顯,分別達到了 84% 和 196%。

Rene Hass 表示:“當你考慮到這些人工智能數據中心需要數百兆瓦甚至更多的電力時,效率就顯得尤為重要”。

英特爾的 18A 工藝節點令人印象深刻,看來英特爾和 Arm 都希望確保兩家公司都能從對方的進步中獲益。




審核編輯:劉清

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原文標題:英特爾進軍Arm芯片領域!

文章出處:【微信號:CSF211ic,微信公眾號:中國半導體論壇】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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