的LP0603系列低通無鉛薄膜RF/微波濾波器，分享這款濾波器的設計特點、應用場景以及測試方法等內容。 文件下載： LP0603N5200ANTR.pdf 1. LP0603系列濾波器概述 LP0603系列濾波器采用集成薄膜（ITF）無鉛焊球柵陣列（LGA）封裝，基于薄膜多層技術制造。這種技術使得
2025-12-31 16:05:22
64 合粵車規貼片鋁電解電容符合車載綠色制造標準，其環保特性、性能表現及認證體系均滿足汽車電子對可靠性與環保性的嚴苛要求 ，具體分析如下： 一、環保合規性：無鉛化與全球認證 無鉛化生產 合粵電容全面符合
2025-12-26 16:46:12412 汽車級高精度無芯電流傳感器 TLE4971 在電子工程師日常的硬件設計工作中，電流傳感器是至關重要的組件。今天要為大家介紹英飛凌（Infineon）推出的 TLE4971 高精度無芯電流傳感器，它
2025-12-20 15:40:14714 探索英飛凌最新120V溝槽功率MOSFET技術：從原理到應用 在電子工程領域，功率MOSFET技術的不斷創新推動著各類電力電子設備向更高效率、更高功率密度和更高系統可靠性邁進。英飛凌作為行業的領軍者
2025-12-20 10:35:06517 英飛凌雙柵極MOSFET 80V 48V開關板：技術解析與應用前景 在現代電力電子領域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導體場效應晶體管）是不可或缺的關鍵元件。英飛凌推出的雙柵極MOSFET
2025-12-19 15:20:03225 探索 OptiMOS? 5 汽車功率 MOSFET IAUTN08S5N012L 的卓越性能 在汽車電子領域，功率 MOSFET 扮演著至關重要的角色。今天，我們將深入探討英飛凌（Infineon
2025-12-19 10:20:16207 探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET：電機驅動的新突破 在電子工程師的日常工作中，為電機驅動系統挑選合適的MOSFET至關重要。英飛凌最新推出的OptiMOS? 7 40V N
2025-12-18 14:30:06185 安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)宣布推出采用行業標準T2PAK頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET，為汽車和工業應用的電源封裝技術帶來突破。這款新品為電動汽車、太陽能基礎設施及儲能系統等市場的高功率、高電壓應用提供增強的散熱性能、可靠性和設計靈活性。
2025-12-11 17:48:49736 威兆半導體推出的VS3540AC是一款面向-30V低壓小電流場景的P溝道增強型功率MOSFET，采用SOT23小型封裝，適配低壓負電源切換、小型負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型：P溝道增強型
2025-12-10 09:44:34249 
在汽車電子領域，功率MOSFET模塊的性能對于系統的效率和可靠性起著至關重要的作用。今天，我們就來深入了解一下安森美（onsemi）的汽車功率MOSFET模塊NXV08H300DT1，看看它有哪些獨特的特性和優勢。
2025-11-28 15:25:07259 
在汽車電子領域，功率 MOSFET 模塊扮演著至關重要的角色。今天，我們將深入探討 onsemi 的 NXV08H350XT1 汽車功率 MOSFET 模塊，了解其特性、應用、電氣參數等方面的內容，為電子工程師們在設計相關系統時提供參考。
2025-11-28 15:20:04237 
11月25日，英飛凌科技EconoDUAL3CoolSiCMOSFET1200V模塊榮獲2025年全球電子成就獎（WorldElectronicsAchievementAwards）年度功率半導體
2025-11-26 09:32:50568 
仁懋電子（MOT）推出的MOT4180G是一款面向40V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導通電阻、高雪崩穩定性及無鉛封裝特性，適用于DC/DC轉換器、高頻開關與同步整流等領域
2025-11-25 15:23:16209 
仁懋電子（MOT）推出的MOT4522J是一款面向40V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導通電阻、無鉛環保封裝特性，適用于DC/DC轉換器等低壓功率轉換場景。一、產品基本信息器件類型
2025-11-25 15:14:47190 mm封裝，具有下拉和中心柵極設計，可提高功率密度、效率和散熱性能。該N溝道MOSFET無鉛、無鹵/無BFR，符合RoHS指令。NTMFSS0D9N03P8 MOSFET非常適合用于ORing、電機驅動器、電源負載開關和直流/直流應用。
2025-11-24 15:35:18262 
的導通電阻、更高的功率密度以及出色的散熱性能。該屏蔽柵極溝槽設計具有超低柵極電荷和1.3mΩ R~DS(on)~ 。緊湊型3.3mmx3.3mm下源雙冷第二代封裝無鉛、無鹵、無BFR，符合RoHS指令
2025-11-22 17:40:472215 大電流能力。NVD5867NL N通道MOSFET符合雪崩能量規格要求，通過AEC-Q101認證，并支持PPAP。這款N通道MOSFET無鉛、無鹵/無BFR，符合RoHS指令。典型應用包括汽車電磁閥/繼電器驅動器、汽車燈驅動器、汽車電機驅動器、汽車DC-DC轉換器輸出驅動器以及汽車信息娛樂系統。
2025-11-21 11:45:25365 
仁懋電子（MOT）推出的MOT3180G是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導通電阻、高雪崩穩定性及無鉛封裝特性，適用于DC/DC轉換器、高頻開關與同步整流等領域
2025-11-20 15:31:06159 ，PCB布局，特別是貼片封裝功率MOSFET管，要在源極、漏極管腳充分敷設銅皮進行散熱。功率MOSFET管數據表的熱阻測量通常有一定限制條件，如元件裝在1平方英2OZ銅皮電路板上進行測量，實際應用中，源
2025-11-19 06:35:56
選型手冊：MOT3520JN溝道功率MOSFET晶體管仁懋電子（MOT）推出的MOT3520J是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導通電阻、高穩定性及無鉛封裝特性，適用于
2025-11-18 16:08:14326 仁懋電子（MOT）推出的MOT4529J是一款面向40V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導通電阻、無鉛環保封裝特性，適用于DC/DC轉換器等低壓功率轉換場景。一、產品基本信息器件類型
2025-11-17 11:27:39241 時）、487A連續源極-漏極二極管電流（+25°C時）以及單一配置。SiJK5100E通過UIS測試，無鉛和無鹵。Vishay/Siliconix SiJK5100E N溝道MOSFET的工作溫度范圍為-55°C至+175°C。典型應用包括同步整流、自動化、電源、電機驅動控制和電池管理。
2025-11-11 13:42:26335 
仁懋電子（MOT）推出的MOT6511J是一款面向60V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借低導通電阻、大電流承載能力及PDFN3X3-8L小型化封裝，適用于電機驅動（電動工具
2025-11-11 09:34:34187 仁懋電子（MOT）推出的MOT4111T是一款面向40V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導通電阻、300A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統逆變器
2025-11-05 15:28:39205 【2025年11月5日, 德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布推出其首款符合汽車電子委員會（AEC）汽車應用標準的氮化鎵（GaN）晶體管系列
2025-11-05 14:31:0559490 
RoHS無鉛工藝概述RoHS無鉛工藝是為符合歐盟環保指令，在電子制造中使用錫銀銅等無鉛焊料，替代傳統鉛錫焊料，以限制電子產品中有害物質的技術。RoHS指令的環保要求RoHS指令的核心目標在于減少電子
2025-11-03 11:55:13338 
TE Connectivity (TE)/Linx Technologies無鉛SMA連接器符合RoHS標準，無豁免，適用于電子設備行業。 此系列連接器提供穩健的解決方案、高可靠性、出色的性能和緊湊
2025-10-31 16:07:42633 
及TO-247-3和TO-247-4封裝擴展其CoolSiC??400V G2 MOSFET產品組合。此外，英飛凌還推出了三款額定電壓為440V（連續）和455V（瞬態）的TOLL封裝新產品
2025-10-31 11:00:59297 的功率循環能力以及較長的使用壽命有著極高的要求。為滿足這些需求，全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFN
2025-10-29 17:02:571075 隨著越來越多的無鉛電子產品上市，可靠性問題成為許多人關注的焦點問題。與其它無鉛相關問題(如合金選擇、工藝窗口等)不同，在可靠性方面，我們經常會聽到分歧很大的觀點。一開始，我們聽到許多“專家”說無鉛
2025-10-24 17:38:29783 
一、產品概述MOT3712J是仁懋電子（MOT）推出的P溝道增強型MOSFET，采用PDFN3X3-8L表面貼裝封裝，具備高功率與電流處理能力，聚焦PWM控制、負載開關、電源管理等場景，以低導通損耗
2025-10-24 15:59:53537 
STMicroelectronics SH63N65DM6AG功率MOSFET是一款汽車級N通道MDmesh DM6半橋拓撲功率MOSFET，提供650V阻斷電壓。該功率MOSFET符合AQG
2025-10-24 09:17:32684 
在新能源、工業自動化及電力電子設備日益追求高功率密度與長期可靠性的背景下，高壓電阻的環保性與性能表現成為設計關鍵。光頡科技推出的HVRG系列無鉛高壓厚膜電阻，憑借其全面環保特性和卓越的電氣性能，為
2025-10-17 16:27:07460 
CMD177C3是 Qorvo（原Custom MMIC）推出的一款6–14 GHz 雙平衡無源混頻器，采用 3×3 mm QFN 無鉛表貼封裝，該器件可配合外部 90° 混合器與功分器，快速搭出
2025-10-16 09:17:28
電子發燒友網綜合報道 頂部散熱（TSC）封裝在今年受到市場歡迎，在年中的上海慕尼黑展上我們注意到多家廠商推出了TSC封裝產品，并提到這些產品目前市場需求量較大，尤其是在汽車OBC等應用中。 ? 近期
2025-10-13 05:17:006242 PSMN1R9-80SSJ與100 V PSMN2R3-100SSJ兩款開關器件能夠提供增強的動態均流功能，專為需要并聯多個匹配MOSFET的高功率48 V應用設計。此類應用涵蓋叉車、電動滑板車、代步設備等電動交通工具的電機驅動系統，或高功率工業電機。
2025-10-10 11:22:27700 9 月 28 日消息，兩家重要功率半導體企業德國英飛凌 Infineon 和日本羅姆 ROHM 本月 25 宣布雙方就建立碳化硅 (SiC) 功率器件封裝合作機制簽署了備忘錄。 根據這份協議，雙方
2025-09-29 18:24:361709 
全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）宣布，與英飛凌科技股份公司（總部位于德國諾伊比貝格，以下簡稱“英飛凌”）就建立SiC功率器件封裝合作機制簽署了備忘錄。雙方旨在對應用于車載充電器、太陽能
2025-09-29 10:46:22303 一站式PCBA加工廠家今天為大家講講如何判斷PCBA板是否使用無鉛工藝?判斷PCBA板是否使用無鉛工藝的方法。在電子制造業，無鉛工藝已成為環保生產的硬性標準。對于采購人員、質檢工程師和產品開發者而言
2025-09-17 09:13:46489 Nexperia（安世半導體）近日推出40-100 V汽車MOSFET產品組合，該系列采用行業標準微引腳封裝，專為車身控制、信息娛樂、電池防反保護及LED照明應用設計。
2025-09-12 09:38:45630 晶映 LED 停車場燈響應 GB 26572—2025 新標，以全系無鉛技術破有鉛危害，降碳省耗，助力停車空間綠色升級。
2025-09-03 10:52:46450 
在功率半導體領域，英飛凌最新推出的CoolSiCMOSFETGen2系列產品，單管有D2PAK-7L表貼式和TO-247-4HC高爬電距離通孔式兩種封裝形式。與上一代產品相比，英飛凌全新
2025-08-19 14:45:005067 
碳化硅（SiC）功率半導體技術引領者森國科，推出了采用SOT227封裝的SiC MOSFET及JBS功率模塊系列。這一突破性封裝方案結合了高功率密度與系統級可靠性，為新能源發電、工業電源及電動汽車等領域提供高效能解決方案。
2025-08-16 13:50:093154 
在追求電子產品微型化與高可靠性的當下，激光無鉛焊接作為一種高精度、非接觸式的先進焊接技術，憑借其精準、清潔、高效的優勢，已成為高精密PCBA加工的主要工藝之一。
2025-08-11 09:49:39944 一站式PCBA加工廠家今天為大家講講PCBA加工有鉛工藝與無鉛工藝差異有哪些?PCBA加工有鉛工藝與無鉛工藝的六大差異。作為擁有20余年PCBA代工經驗的領卓電子，我們在長期服務全球客戶的實踐中
2025-08-08 09:25:45513 【2025年8月1日，德國慕尼黑訊】全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日推出了采用頂部散熱（TSC）Q-DPAK封裝
2025-08-01 17:05:091506 基本半導體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，該系列產品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術，在比導通電阻、開關損耗、可靠性等方面表現更出色。
2025-08-01 10:25:141293 
無鉛焊接工藝的核心步驟如下，每個步驟均包含關鍵控制要點以確保焊接質量：
2025-08-01 09:13:39774 圣邦微電子推出 SGMNL12330，一款 30V、TDFN 封裝、單 N 溝道功率 MOSFET。該器件可應用于 PWM 應用、電源負載開關、電池管理和無線充電器。
2025-07-10 17:21:522287 
高功率與電流承載能力?獲得無鉛產品認證?表面貼裝封裝
2025-07-10 14:13:02
0 電子發燒友網為你提供()密封光隔離高速功率 MOSFET 驅動器相關產品參數、數據手冊，更有密封光隔離高速功率 MOSFET 驅動器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，密封光隔離高速功率
2025-07-09 18:30:34
錫膏主要是由焊錫粉、助焊劑組合而成的膏狀混合物，主要用于SMT加工行業，將電阻、電容、IC等電子元器件焊接在PCB板上。錫膏又分為無鉛錫膏和有鉛錫膏，無鉛錫膏是電子元件焊接的重要材料，無鉛錫膏指的是鉛含量要求低于1000ppm(
2025-07-09 16:32:291294 
碳化硅MOSFET和肖特基二極管產品，通過頂部散熱（TSC）封裝，可以顯著提升系統功率密度和效率，同時優化熱管理性能并增強電路板布局靈活性。 ? 本次新推出的U2系列產品全系采用頂部散熱封裝，提供650 V 至 1200 V 多種電壓選項，面向電動汽車車載充電機及快速充電基礎設
2025-07-08 00:55:003493 
無鉛錫膏是一種環保型的焊接材料，在電子制造業中應用廣泛。無鉛錫膏規格型號根據應用領域和要求的焊接結果不同而不同。目前市面上常見的無鉛錫膏規格型號有以下幾種：
2025-07-03 14:50:36903 
【 2025 年 7 月 1 日 , 德國慕尼黑訊】 全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出新型CoolSiC
2025-07-02 15:00:301604 
。英飛凌預計將從2026年開始供貨。此外，英飛凌還將為該平臺提供其他產品，包括AURIX ?TC3x微控制器和電源管理IC。 ? HybridPACK Drive是英飛凌面向電動汽車的市場領先功率模塊
2025-06-22 00:02:002999 當工業電源、儲能設備、新能源交通等領域對功率密度的需求突破極限，傳統MOSFET封裝技術正面臨前所未有的挑戰。廣東仁懋電子推出的TOLT頂部散熱封裝MOS，以顛覆性的散熱設計與功率承載能力，成為
2025-06-18 13:27:371676 
AM206541TM-SN-R-TF功率放大器AMCOM原裝現貨AM206541TM-SN-R-TF是一款由AMCOM生產的寬帶氮化鎵（GaN）單片微波集成電路（MMIC）功率放大器，后綴TF指“無
2025-06-06 09:06:46
【2025年5月28日, 德國慕尼黑訊】 全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出新型CoolSET?封裝系統（SiP
2025-05-30 16:55:05489 
在消費電子、汽車電子等領域，柔性電路板（FPC）憑借柔性、輕薄、可彎曲折疊特性成為連接核心組件的“經脈絡”。傲牛科技推出了超低溫無鉛無鉍錫膏系列產品，從材料配方到工藝適配全方位突破，立志重新定義FPC焊接標準，打造成為熱敏元件、FPC及高可靠場景的首選方案。
2025-05-28 10:15:51890 
CCG8 使用 GPIO 來控制 FET 柵極驅動器的功率吸收路徑，
我可以使用 P-MOSFET 作為電源接收路徑嗎？
使用 N-MOSFET 作為功率吸收路徑有哪些優點？
2025-05-28 06:51:33
座艙電子產品領導者偉世通（NASDAQ代碼：VC）近日宣布，雙方已簽署諒解備忘錄（MOU），將共同推進下一代電動汽車動力總成的開發。 ? 英飛凌和偉世通將在此次合作中集成基于英飛凌半導體的功率轉換器件，并重點使用寬禁帶器件技術。與硅基半導體相比，該技術在功率轉換應用中擁有顯著優勢
2025-05-23 16:30:401325 英飛凌推出2.5kW功率因數校正（PFC）評估板，展示TO-247 4針CoolMOS? C7 MOSFET的高效能表現。該評估板集成PFC控制器、MOSFET驅動器和碳化硅二極管，專為電源電子工程師設計，用于評估4針封裝在效率和信號質量上的優勢。
2025-05-19 13:49:001208 
近年來，隨著環保法規的日益嚴格以及電子設備向小型化、精密化發展的趨勢，傳統的含鉛焊料逐漸被無鉛焊料取代。在這一背景下，激光焊錫技術憑借其高效、精準、環保的特點，成為電子制造領域的重要發展方向之一。本文將重點探討無鉛低溫錫膏激光焊接的研發進展及其市場趨勢。
2025-05-15 13:55:26975 
，聞泰科技半導體業務近期推出領先行業的D2PAK-7封裝車規級1200V SiC MOSFET，為電動汽車行業注入強勁新動能。
2025-05-14 17:55:021060 圣邦微電子推出 SGMNQ36430，一款 30V 單 N 溝道功率 MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。該器件可應用于 CPU 電源傳輸、DC/DC 轉換器、功率負載開關以及筆記本電池管理等領域。
2025-05-09 16:57:26971 
Tech）-專業汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅動芯片，SiC功率模塊驅動板，驅動IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動化、數字化轉型三大方向，致力于服務中國工業電源，電力電子裝備及新能源汽車產業鏈。
2025-05-05 12:01:57537 
。此外，該集成解決方案還簡化了功率級設計，降低了用料成本。 圖源：英飛凌 ? 在功率晶體管中集成SBD的做法，此前在SiC MOSFET中，業界有不少的研究。三菱在2013年提出了集成SBD的SiC MOSFET相關專利，并在2023年推出采用這種新型器件的SiC功率模塊。 ? 為什么
2025-04-28 00:19:003055 
近日，上汽英飛凌汽車功率半導體(上海)有限公司發布了關于其無錫擴建功率半導體模塊產線項目的環境影響評價(環評)公告。該項目的總投資額達到3.1億元人民幣，計劃選址于無錫分公司，旨在進一步提升其生
2025-04-21 11:57:13785 
NexFET? 功率 MOSFET 數據表.pdf 特性 低 Q g 和 Q GD 低 R DS（開） 低熱阻 雪崩評級 無鉛 符合 RoHS 標準 無鹵素 SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封裝 參數
2025-04-16 11:25:34775 
mm 塑料封裝 參數 方框圖 1. 產品概述 ? 型號 ?：CSD18513Q5A ? 類型 ?：40V N溝道 NexFET 功率MOSFET ? 封裝 ?：SON 5mm × 6mm 塑料封裝 ? 特點 ?：低導通電阻（R_DS(ON)）、低熱阻、雪崩額定、邏輯電平、無鉛端
2025-04-16 10:54:00755 
NexFET? 功率 MOSFET 數據表.pdf 特性 超低 Q g 和 Q GD 低 R DS（開） Low-Thermal Resistance 雪崩評級 無鉛 符合 RoHS 標準 無鹵素 SON
2025-04-16 10:35:32787 
?MOSFET器件以及EiceDRIVER?系列單通道磁隔離驅動器等全套功率半導體解決方案，助力科士達大功率高頻UPS系統實現技術突破。英飛凌與科士達已共同攜手三十余年，
2025-04-16 10:26:26826 
? 功率 MOSFET 數據表 .pdf 特性 低 R DS（開啟） 低熱阻 雪崩評級 邏輯電平 無鉛端子電鍍 符合 RoHS 規范 無鹵素 SON 5 mm × 6 mm 塑料封裝 參數 方框圖 1.
2025-04-16 10:20:33784 
MOSFET 數據表.pdf 特性 低 Qg 和 Qgd 低 RDS（ON） 低熱阻 雪崩評級 無鉛端子電鍍 符合 RoHS 規范 無鹵素 TO-220 塑料封裝 參數 方框圖 1. 產品特性 ? 低柵極
2025-04-16 10:13:57763 
MOSFET 數據表.pdf 特性 低 R DS（開啟） Low-Thermal Resistance 雪崩評級 邏輯電平 無鉛端子電鍍 符合 RoHS 標準 無鹵素 SON 5 mm × 6 mm
2025-04-16 10:05:07663 
MOSFET 數據表.pdf 特性 低 Qg 和 Qgd 低 RDS（ON） 低熱阻 雪崩評級 無鉛端子電鍍 符合 RoHS 規范 無鹵素 TO-220 塑料封裝 參數 方框圖 1. 產品概述
2025-04-15 16:23:11772 
無鉛錫膏是不含鉛的環保焊接材料，主要由 Sn-Ag-Cu 等合金、助焊劑及添加劑組成，憑借無毒性、高性能和合規性，成為電子焊接的主流選擇。與含鉛錫膏相比，它在成分上杜絕重金屬污染，性能上通過技術迭代
2025-04-15 10:27:552374 
在激光錫焊這一精密焊接技術領域，錫球作為關鍵的焊料，其特性直接關乎焊接質量與產品性能。在實際應用中，錫球主要分為有鉛錫球和無鉛錫球，二者在成分、熔點、環保性能、機械性能以及成本等方面存在顯著差異
2025-03-27 10:19:391614 做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點頻率不是太高,目前英飛凌的新一代IGBT硬開關速度可以到100KHZ,那已經是不錯了.不過相對于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛,MOSFET可以工作到幾百
2025-03-25 13:43:17
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講SMT無鉛工藝對電子元器件有什么要求？SMT無鉛工藝對電子元器件的要求。隨著環保意識的提高和電子制造行業的發展，SMT無鉛工藝逐漸成為行業趨勢。無鉛工藝不僅
2025-03-24 09:44:09738 )封裝技術，稱為X.PAK。這種封裝技術的創新之處在于其頂面冷卻設計，使得設備在高功率應用中能夠有效散熱，極大地提升了整體性能。新推出的X.PAK封裝尺寸緊湊，只有1
2025-03-20 11:18:11963 
【2025年3月12日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）宣布推出新一代高密度功率模塊，該模塊將在實現AI
2025-03-19 16:53:22735 
英飛凌iSSI系列固態隔離器通過電氣隔離屏障提供強大的能量傳輸能力，采用無磁芯變壓器技術，體積小巧，無需隔離電源就能驅動非高頻調制工況的MOS型功率晶體管，IGBT或MOSFET，適用于固態開關
2025-03-17 16:06:23605 Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 納斯達克代碼:AOSL）推出兩款先進的表面貼片封裝選項，擴展其行業領先的高功率MOSFET產品組合。全新的 GTPAK
2025-03-13 13:51:461305 
英飛凌(Infineon)近日宣布，擴大其輻射耐受功率MOSFET系列，新增P溝道功率MOSFET，以滿足日益增長的低地球軌道(LEO)空間應用需求。這一新產品的推出，標志著英飛凌在為新一代“新空間
2025-03-11 11:39:53736 
隨著市場對高性能功率半導體器件寬SOA MOSFET需求的日益增長，新潔能（NCE）產品研發部門推出HO系列MOSFET產品，優化了SOA工作區間，可滿足熱插拔、緩啟動、電子保險絲、電機驅動、BMS
2025-03-04 14:40:341237 
缺乏兼容多種封裝的貨源。為了解決這個問題，全球功率系統、汽車和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出采用RQFN 5x6 封裝
2025-03-03 15:50:564323 
看英飛凌的OptiMOS 7系列產品。 ? 官網產品列表 來源：英飛凌 OptiMOS系列是英飛凌面向中低壓領域的產品，產品覆蓋10V到300V區間，主打一個高性能和高性價比。OptiMOS系列的特點包括極低的RDS(on)以及高效率和高功率密度，適合于較高開關頻率的應用，像通信應
2025-02-27 00:58:002676 
【2025年2月20日, 德國慕尼黑訊】 電子行業正在向更加緊湊而強大的系統快速轉型。為了支持這一趨勢并進一步推動系統層面的創新，全球功率系統、汽車和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份
2025-02-21 16:38:52758 
英飛凌FS03MR12A6MA1LB HybridPACK? Drive 是一款非常緊湊的六單元功率模塊 （1200V/400A），針對混合動力和電動汽車進行了優化。
2025-02-20 18:07:182813 
TDK株式會社近期推出了兩款全新的無鉛NTC熱敏電阻，以滿足廣泛的汽車和工業應用需求。這兩款產品分別為帶可彎曲引線的L862(B57862L)系列和具有引線間距的L871(B57871L)系列。 這
2025-02-11 09:58:43839 電子發燒友網站提供《SOT1174-1塑料、無鉛極薄四邊形扁平封裝.pdf》資料免費下載
2025-02-10 14:50:050 英飛凌科技CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模塊(EasyPACK3B封裝以及62mm封裝)憑借其市場領先的產品設計以及卓越的性能，榮獲2024年全球電子成就獎
2025-02-08 11:24:57891 無鉛錫線是一種在現代工業和電子領域中廣泛使用的關鍵材料，其無鉛特性使其成為環保和可持續性焊接的優先選擇。以下由深圳佳金源錫線廠家來講一下無鉛錫線在各個應用領域中的廣泛使用情況的詳細介紹。1、電子制造
2025-01-17 17:59:071046 
的智能技術。針對這一趨勢，英飛凌科技(InfineonTechnologies)推出了全新的MOTIX?BTM90xx系列全橋/H橋集成電路(IC)，為有刷直流電
2025-01-16 10:57:091058 
近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產品專為電機控制、電池管理系統、電源管理及充電應用而設計，以其卓越的高電流開關性能和行業領先的技術表現成為市場焦點。新型
2025-01-13 11:41:38957 
圣邦微電子推出 SGMNQ32430，一款 30V，功率型，3.1mΩ 超低導通電阻，單通道 N 型，采用 TDFN-2×2-6BL 及 PDFN-3.3×3.3-8L 超小封裝的 MOSFET 器件。該器件可應用于 VBUS 過電壓保護開關，電池充放電開關和直流-直流轉換器。
2025-01-08 16:34:241182 我們也發現Schweizer在更早前其實就已經推出了名為P2的封裝方案，這個方案同樣是將功率半導體嵌入PCB中。他們在2023年開始與英飛凌合作開發，將英飛凌1200V CoolSiC芯片嵌入到PCB中的技術，并應用到電動汽車上。 ? P 2封裝的優勢和應用 ? 根據
2025-01-07 09:06:134389 
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