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      電子發燒友網>新品快訊>宜普電源推出EPC2001和EPC2015增強型氮化鎵FET

      宜普電源推出EPC2001和EPC2015增強型氮化鎵FET

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      威兆半導體推出的VS8402ATH是一款面向80V中壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-220AB封裝，憑借超低導通電阻與160A大電流承載能力，適用于中壓DC/DC轉換器、電源
      2025-11-28 12:10:55175

      選型手冊：VS3510AP P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

      威兆半導體推出的VS3510AP是一款面向-30V低壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，憑借低導通電阻與高電流承載能力，適用于低壓電源管理、負載開關、DC/DC轉換器等領域
      2025-11-28 11:22:59207

      “芯”品發布｜鎵未來推出“9mΩ”車規級 GaN FET，打破功率氮化鎵能效天花板！

      在追求高效能、高可靠性功率半導體技術的道路上邁出關鍵一步，打破車規級功率半導體性能邊界 近日，鎵未來正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9mΩ 車規級氮化鎵場效應晶體管（GaN FET
      2025-11-27 16:17:131736

      選型手冊：VSP004N10MSC-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

      威兆半導體推出的VSP004N10MSC-G是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術實現超低導通電阻與高效能，憑借1.00mΩ極致低阻、125A
      2025-11-27 14:48:33239

      選型手冊：VSP007P06MS P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

      威兆半導體推出的VSP007P06MS是一款面向-60V低壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，憑借超低導通電阻與高電流承載能力，適用于負載開關、DC/DC轉換器、電源管理系統
      2025-11-26 15:18:29293

      CG65140DAA增強型氮化鎵功率器件650V140mR封裝形式DFN8*8用于PD快充開關電源

      CG65140DAA增強型氮化鎵功率器件650V140mR封裝形式DFN8*8用于PD快充開關電源
      2025-11-26 09:32:50

      DK075G高性能 AC-DC 氮化鎵電源管理芯片技術手冊

      電子發燒友網站提供《DK075G高性能 AC-DC 氮化鎵電源管理芯片技術手冊.pdf》資料免費下載
      2025-11-24 16:47:181

      選型手冊：MOT3650J N+P 增強型 MOSFET 晶體管

      仁懋電子（MOT）推出的MOT3650J是一款N+P增強型MOSFET，集成N溝道與P溝道單元，憑借超低導通電阻、低柵極電荷特性，適用于計算設備電源管理、負載開關、快速無線充電、電機驅動等場景。一
      2025-11-14 16:12:52519

      請問芯源的MOS管也是用的氮化鎵技術嘛？

      現在氮化鎵材料技術比較成熟，芯源的MOS管也是用的氮化鎵材料技術嘛？
      2025-11-14 07:25:48

      氮化鎵（GaN）黑科技來襲！你的電源該“瘦身”了

      氮化鎵行業資訊
      電子發燒友網官方發布于 2025-10-11 16:57:30

      氮化鎵電源芯片U8727AHE的特性

      氮化鎵電源芯片U8727AHE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路，驅動電壓為VDRV (典型值6.4V)。
      2025-08-25 17:41:157434

      新潔能推出增強型N溝道MOSFET系列產品

      新潔能研發團隊溝槽型工藝平臺推出耐壓30V 1mΩ級別增強型N溝道MOSFET 系列產品。
      2025-08-22 18:02:351527

      氮化鎵電源IC U8726AHE的工作原理

      隨著芯片尺寸的逐漸縮小，電場強度卻隨距離的減小而線性增加。若電源電壓保持不變，產生的電場強度將足以擊穿芯片，這無疑對電子系統的電源電壓提出了更為嚴苛的要求。銀聯寶氮化鎵電源ic U8726AHE集成高壓E-GaN、集成高壓啟動電路，減少外圍元件，適配快速充電器和適配器等電源設備。
      2025-08-19 17:38:341597

      26 路觸控按鍵和 PWM 的增強型 8051SOC RM1221A數據手冊

      26 路觸控按鍵和 PWM 的增強型 8051SOC基于 8051 指令的高速 1T 增強型 MTP SOC
      2025-07-25 15:28:530

      26 路觸控按鍵和PWM的增強型 RM1273A用戶手冊

      26 路觸控按鍵和 PWM 的增強型 8051MCU ?基于 8051 指令的高速 1T 增強型 MTP SOC
      2025-07-24 15:10:123

      瑞薩電子推出全新GaN FET，增強高密度功率轉換能力， 適用于AI數據中心、工業及電源系統應用

      基于成熟的SuperGaN技術，650V第四代增強型產品 憑借卓越的熱效率和超低功率損耗帶來強勁性能 瑞薩電子今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS
      2025-07-09 13:07:44484

      瑞薩電子推出全新GaN FET，增強高密度功率轉換能力，適用于AI數據中心、工業及電源系統應用

      可信賴、易于驅動的高壓氮化鎵，提供更高效率 2025年7月1日，中國北京訊- 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET
      2025-07-08 17:30:10553

      氮化鎵電源芯片U8722BAS的特性

      炎熱的夏天，總是需要一些沖散酷暑的小電器，給生活制造驚喜?？蛻糇罱鼰豳u的制冷杯，被稱為夏日“行走的小冰箱”，受到了許多上班族和戶外一族的喜愛，充電部分采用的正是我們深圳銀聯寶科技研發生產的氮化鎵電源芯片。今天就帶你一起看看氮化鎵電源芯片U8722BAS上演的神奇魔法吧！
      2025-07-05 15:25:003435

      西門子推出用于EDA設計流程的AI增強型工具集

      西門子數字化工業軟件于 2025 年設計自動化大會 (DAC 2025) 上宣布推出用于 EDA 設計流程的 AI 增強型工具集，并在大會期間展示 AI 技術如何助力 EDA 行業提升生產力、加快產品上市速度，幫助客戶以市場所需的快節奏探索創新機遇。
      2025-06-30 13:50:232879

      增強型和耗盡型MOS管的應用特性和選型方案

      、可靠性強的增強型NMOS管，可應用在電源管理、電機控制等應用。選擇高效MOS管，幫助電子工程師設計更穩定高效的電路。
      2025-06-20 15:38:421228

      MPS新品 MPG44100 集成GaN FET的高效率、增強型 PFC 穩壓器，具有峰值功率總線升壓功能

      MPS新品 MPG44100 集成GaN FET的高效率、增強型 PFC 穩壓器，具有峰值功率總線升壓功能
      2025-06-18 18:09:331271

      25W氮化鎵電源芯片方案介紹

      同一套電源芯片方案，可直接應用于不同的電壓輸出上，這不僅有效節省成本，更是大大縮短了開發時間，使項目收益最大化。深圳銀聯寶科技最新推出的25W氮化鎵電源芯片方案U8723AH+U7612B，輸出可選5V、9V、12V，注重空間布局和兼容性問題，通過了認證測試，低耗高效，值得推薦！
      2025-06-16 15:40:171592

      氮化鎵電源芯片U8722CAS打嗝模式實現噪音和紋波最優化

      氮化鎵電源芯片U8722CAS打嗝模式實現噪音和紋波最優化打嗝模式本質為電源保護機制（如短路保護），優化需在保障可靠性的前提下進行。高頻噪聲問題需協同芯片設計、封裝工藝及PCB布局綜合解決。氮化鎵
      2025-06-12 15:46:16962

      Analog Devices Inc. EVAL-LTC7890-AZ 評估板數據手冊

      Analog Devices Inc. EVAL-LTC7890-AZ評估板是一款雙輸出同步降壓轉換器，可驅動所有N溝道氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET）。 該板采用EPC EPC
      2025-06-10 13:55:03740

      45W單壓單C氮化鎵電源方案概述

      45W單壓單C氮化鎵電源方案推薦的主控芯片是來自深圳銀聯寶科技的氮化鎵電源芯片U8722EE，同步也是采用銀聯寶的同步整流芯片U7116W。為大家介紹下芯片的主要性能！
      2025-06-04 16:56:201070

      全電壓！PD 20W氮化鎵電源方案認證款：U8722BAS+U7612B

      全電壓！PD20W氮化鎵電源方案認證款：U8722BAS+U7612B上次給大家介紹了20W氮化鎵單電壓的應用方案，立馬就有小伙伴發出了全電壓應用方案的需求。深圳銀聯寶科技有求必應，PD20W氮化鎵
      2025-05-22 15:41:26734

      注入增強型IGBT學習筆記

      加強IGBT導通時的電導調制效應，又可限制陽極空穴的注入，于是形成了注入增強型 IGBT（Injection Enhanced Insulated Gate Bipolar Transistor，IE-IGBT）。
      2025-05-21 14:15:171365

      專為電機驅動打造！納微全新GaNSense?氮化鎵功率芯片為家電及工業應用帶來行業領先的性能、效率與可靠性

      全集成保護型氮化鎵功率芯片搭配雙向無損耗電流檢測，效率提升4%、系統成本降低15%、PCB占位面積縮小40% 加利福尼亞州托倫斯2025年5月1日訊——納微半導體今日正式宣布推出 全新專為電機驅動
      2025-05-09 13:58:181258

      氮化鎵電源IC U8765產品概述

      氮化鎵憑借高頻高效特性，具備了體積小、功率高、發熱低等優勢，但小型化雖好，散熱才是硬道理，選氮化鎵電源ic得看準散熱設計。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性能優越、耐壓700V的氮化鎵電源ic U8765！
      2025-04-29 18:12:02942

      氮化鎵電源芯片U8726AHE產品介紹

      EMI性能為高頻交直流轉換器的設計難點，為此氮化鎵電源芯片U8726AHE通過DEM管腳集成了驅動電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅動電流，進而調節GaN FET的開通速度，系統設計者可以獲得最優的EMI性能和系統效率的平衡。
      2025-04-28 16:07:21719

      330W氮化鎵方案，可過EMC

      氮化鎵
      深圳市三佛科技發布于 2025-04-01 11:31:39

      CE65H110DNDI 能華330W 氮化鎵方案,可過EMC

      深圳市三佛科技有限公司供應CE65H110DNDI 能華330W 氮化鎵方案,可過EMC,原裝現貨 CE65H110DNDl系列650v、110mΩ氮化鎵（GaN）FET是常關器件
      2025-03-31 14:26:10

      EPC專利被判決無效，英諾賽科獲ITC案件終極勝利

      2025 年3月19日 - 英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（香港聯交所代碼：2577）是一家致力于高性能、低成本的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）芯片制造及電源解決方案企業。 今日，英諾賽科宣布其
      2025-03-19 13:57:341490

      ISOW7821 具有集成電源的雙通道、1/1、增強型數字隔離器數據手冊

      ISOW7821 器件是具有集成式高效電源轉換器的高性能、雙通道增強型數字隔離器。集成式直流/直流轉換器高效運行，提供高達 650mW 的隔離式電源，可配置為各種輸入和輸出電壓。因此，空間受限的隔離設計憑借該器件無需單獨使用隔離式電源。
      2025-03-04 10:25:261044

      氮化鎵（GaN）充電頭安規問題及解決方案

      什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導體材料制造的新型電源適配器。相比傳統硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
      2025-02-27 07:20:334528

      氮化硼散熱材料大幅度提升氮化鎵快充效能

      什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導體材料制造的新型電源適配器。相比傳統硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
      2025-02-26 04:26:491181

      40W ACDC系列氮化鎵電源模塊 HLK-40Mxx系列

      海凌科40WACDC系列氮化鎵電源模塊，具有全球輸入電壓范圍、低溫升、低功耗、高效率、高可靠性、高安全隔離等優點，轉換效率高達91%，應用廣泛，性價比高。一、產品介紹40WACDC系列氮化鎵電源
      2025-02-24 12:02:321020

      技術資料#LMG2100R026 100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵 （GaN） 功率級

      LMG2100R026 器件是一款 93V 連續、100V 脈沖、53A 半橋功率級，集成了柵極驅動器和增強型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個 GaN FET 組成，由一個采用半橋配置的高頻
      2025-02-21 17:17:561047

      TI LMG2100R044 具有集成驅動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET應用與設計

      LMG2100R044 器件是一款 90V 連續、100V 脈沖、35A 半橋功率級，集成了柵極驅動器和增強型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個 100V GaN FET 組成，由一個高頻 90V GaN FET 驅動器驅動，采用半橋配置。
      2025-02-21 09:28:211049

      TI LMG2100R044 具有集成驅動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET

      LMG2100R044 器件是一款 90V 連續、100V 脈沖、35A 半橋功率級，集成了柵極驅動器和增強型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個 100V GaN FET 組成，由一個高頻 90V GaN FET 驅動器驅動，采用半橋配置。
      2025-02-21 09:19:40907

      GAN039-650NBB氮化鎵(GaN)FET規格書

      電子發燒友網站提供《GAN039-650NBB氮化鎵(GaN)FET規格書.pdf》資料免費下載
      2025-02-13 16:10:220

      GAN041-650WSB氮化鎵(GaN)FET規格書

      電子發燒友網站提供《GAN041-650WSB氮化鎵(GaN)FET規格書.pdf》資料免費下載
      2025-02-13 14:24:192

      GANE3R9-150QBA氮化鎵(GaN)FET規格書

      電子發燒友網站提供《GANE3R9-150QBA氮化鎵(GaN)FET規格書.pdf》資料免費下載
      2025-02-12 08:30:510

      GANB4R8-040CBA雙向氮化鎵(GaN)FET規格書

      電子發燒友網站提供《GANB4R8-040CBA雙向氮化鎵(GaN)FET規格書.pdf》資料免費下載
      2025-02-10 16:22:371

      如何使用EPC9176評估板設計真空吸塵器電機驅動逆變器

      由于對高效和緊湊的電機驅動應用的需求不斷增長，EPC設計了EPC9176板，采用eGaN IC，可實現真空吸塵器逆變器的最大性能。EPC9176采用3個EPC23102 eganic。這種板是一種
      2025-01-22 14:43:383316

      氮化鎵充電器和普通充電器有啥區別？

      相信最近關心手機行業的朋友們都有注意到“氮化鎵（GaN）”，這個名詞在近期出現比較頻繁。特別是隨著小米發布旗下首款65W氮化鎵快充充電器之后，“氮化鎵”這一名詞就開始廣泛出現在了大眾的視野中。那么
      2025-01-15 16:41:14

      氮化鎵電源芯片和同步整流芯片介紹

      氮化鎵電源芯片和同步整流芯片在電源系統中猶如一對默契的搭檔，通過緊密配合，顯著提升電源效率。在開關電源的工作過程中，氮化鎵電源芯片憑借其快速的開關速度和高頻率的開關能力，能夠迅速地切換電路狀態，實現
      2025-01-15 16:08:501733

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