隨著芯片尺寸的逐漸縮小，電場強度卻隨距離的減小而線性增加。若電源電壓保持不變，產生的電場強度將足以擊穿芯片，這無疑對電子系統的電源電壓提出了更為嚴苛的要求。銀聯寶氮化鎵電源ic U8726AHE集成高壓E-GaN、集成高壓啟動電路，減少外圍元件，適配快速充電器和適配器等電源設備。

集成Boost供電電路

針對寬輸出電壓應用場合，為了滿足VDD的寬電壓應用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導致系統功耗和電路成本的增加。氮化鎵電源ic U8726AHE集成了Boost供電技術，僅在SW管腳添加一顆貼片電感即可，在輸出電壓較低時，Boost電路啟動工作，維持VDD電壓在VBOOST_REG (典型值10.1V)，當輸出電壓升高，輔助繞組電壓高于VBOOST_REG時，Boost電路停止工作，VDD由輔助繞組供電。

管腳定義

氮化鎵電源ic U8726AHE封裝形式ESOP-7，腳位如下：

1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

2 FB I 系統反饋輸入管腳

3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅動能力分檔判定管腳

4 VDD P 芯片供電管腳

5 SW P Boost 電路內置 MOS 的漏極管腳

6 GND P 芯片參考地

7 DRAIN P 內置高壓 GaN FET 漏極、高壓啟動供電管腳

最高工作頻率設定

氮化鎵電源ic U8726AHE復用CS管腳以設定系統最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。芯片啟動時，U8726AHE通過檢測RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統工作頻率上限。選檔判定結束后系統鎖定，每一次啟動都伴隨一次判定。推薦的RSEL電阻值與最大工作頻率的關系見表。

銀聯寶氮化鎵電源ic U8726AHE可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現小于30mW的超低待機功耗，負責電能的轉換、分配、監控以及整體電能管理，確保設備的穩定運行和高效電能利用，非常適用于寬輸出電壓的應用場景！