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電子發燒友網>新品快訊>IR針對汽車應用推出1200V絕緣IGBT AUIRG7CH

IR針對汽車應用推出1200V絕緣IGBT AUIRG7CH

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2025-05-22 13:49:381271

格平科技推出1200W可編程開關電源

格平科技推出1200W可編程開關電源 輸出電壓12V83.3A;15V80A;24V50A;30V40A;36V33.3A;48V25A;60V20A;400V3A
2025-05-20 09:51:12

新品 | 儲能用1200V 500A NPC2 三電平IGBT EasyPACK? 3B模塊

新品儲能用1200V500ANPC2三電平IGBTEasyPACK3B模塊1200V500ANPC2三電平模塊,采用EasyPACK3B封裝和最新開發的1200VTRENCHSTOPIGBTH7
2025-05-16 17:08:47822

CH32V303/305/307/317工業級通用微控制器數據手冊

CH32V 系列是基于青稞 RISC-V 內核設計的工業級通用微控制器,包括 CH32V305 連接型 MCU、CH32V307/CH32V317 互聯型 MCU、CH32V208 無線型 MCU
2025-05-15 17:37:232424

聞泰科技推出車規級1200V SiC MOSFET

,聞泰科技半導體業務近期推出領先行業的D2PAK-7封裝車規級1200V SiC MOSFET,為電動汽車行業注入強勁新動能。
2025-05-14 17:55:021060

納微半導體推出采用HV-T2Pak封裝的全新碳化硅MOSFET

納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標準,以滿足最嚴苛汽車及工業應用的系統壽命要求。納微最新一代650V1200V“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET,搭配優化的HV-T2Pak頂部散熱封裝,實現行業最高6.45mm爬電距離,可滿足1200V以下應用的IEC合規性。
2025-05-14 15:39:301341

新品 | EasyDUAL? 1B和2B,1200V共發射極IGBT模塊

新品EasyDUAL1B和2B,1200V共發射極IGBT模塊EasyDUAL1B,2B1200V共發射極模塊采用成熟的TRENCHSTOPIGBTT7和Emcon7芯片技術,電流等級涵蓋75A
2025-05-13 17:04:461312

Nexperia推出行業領先的D2PAK-7封裝車規級1200 V碳化硅MOSFET

(NSF030120D7A0-Q/NSF040120D7A1-Q/NSF060120D7A0-Q)擁有行業領先的品質因數(FoM),此前已推出工業級版本,現正式獲得AEC-Q101認證。這使該系列器件適用于諸多
2025-05-09 19:42:5351529

基本半導體推出新一代碳化硅MOSFET

近日,基本半導體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品,產品性能進一步提升,封裝形式更加豐富。首發規格包括面向車用主驅等領域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列,面向光伏、儲能等
2025-05-09 11:45:401018

AOS推出第三代1200V aSiC MOSFET,專為高功率應用能效優化而生

(Gen3)1200V aSiC MOSFET系列產品,旨在為蓬勃發展的工業電源應用市場提供更高能效解決方案。與AOS上一代產品相比,該系列產品在高負載條件下能夠保持較低導通損耗的同時,其開關品質因數
2025-05-07 10:56:10728

新型IGBT和SiC功率模塊用于高電壓應用的新功率模塊

。英飛凌發布了新一代的IGBT和RC-IGBT裸芯片,特別針對400V和800V電動汽車架構的電驅動系統。其EDT3系列模塊適用于750V1200V的電力系統,相
2025-05-06 14:08:48714

龍騰半導體推出1200V 50A IGBT

在功率器件快速發展的當下,如何實現更低的損耗、更強的可靠性與更寬的應用覆蓋,成為行業關注焦點。龍騰半導體推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品,專為高頻應用場景設計。依托先進工藝平臺與系統化設計能力,為工業逆變、UPS、新能源等場景注入高效驅動力。
2025-04-29 14:43:471042

SemiQ新一代1200V SiC MOSFET模塊:高效能、超快開關與卓越熱管理

近日,半導體技術公司SemiQ宣布推出基于第三代碳化硅(SiC)技術的1200VSOT-227MOSFET模塊系列。該系列產品采用先進的共封裝設計,具備更快的開關速度、更低的導通與開關損耗,適用于
2025-04-25 11:39:28987

新品 | 半橋1200V CoolSiC? MOSFET EconoDUAL? 3模塊

新品半橋1200VCoolSiCMOSFETEconoDUAL3模塊采用EconoDUAL3封裝的1200V/1.4mΩ半橋模塊。芯片為SiCMOSFETM1H增強型1代、集成NTC溫度傳感器
2025-04-17 17:05:15804

SemiQ高效1200 V SiC MOSFET六合一模塊,助力緊湊型高性能電源系統

在高電壓和高效率應用領域,SemiQ作為一家領先的設計和開發企業,近日宣布推出新一系列的1200V碳化硅(SiC)MOSFET六合一模塊。這些創新模塊旨在支持更為緊湊且具有成本效益的系統設計,以滿足
2025-04-17 11:23:54722

Littelfuse新型1300V A5A溝槽分立式IGBT在電動汽車中的應用

Littelfuse推出新型1300V A5A溝槽分立式IGBT,專為800V電動汽車(BEV)應用而設計。這些IGBT具有優化的集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat))、強大的短路能力和更大
2025-04-09 10:15:141819

驅動電路設計(七)——自舉電源在5kW交錯調制圖騰柱PFC應用

隨著功率半導體IGBT,SiCMOSFET技術的發展和系統設計的優化,電平位移驅動電路應用場景越來越廣,電壓從600V拓展到了1200V。英飛凌1200V電平位移型頸驅動芯片電流可達+/-2.3A
2025-03-24 17:43:4010957

派恩杰半導體1200V 400A系列半橋62mm封裝模塊 內置二極管提升高頻應用可靠性

派恩杰半導體上新 ;1200V 400A系列半橋62mm封裝模塊,內置二極管提升高頻應用可靠性!
2025-03-24 10:11:323811

Nexperia推出采用X.PAK封裝的1200V SiC MOSFET

Nexperia(安世半導體)正式推出一系列性能高效、穩定可靠的工業級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
2025-03-21 10:11:001232

Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC MOSFET,采用創新X.PAK封裝技術

近日,Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,專為滿足工業應用中的高效能和耐用性需求而設計。這些新產品不僅具備卓越的溫度穩定性,還采用了先進的表面貼裝(SMD
2025-03-20 11:18:11963

?安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊

安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON)推出其第一代基于1200V碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的SPM31智能功率模塊(IPM)系列。
2025-03-19 14:31:281103

沁恒微藍牙轉接芯片系列解析:CH9140/CH9141/CH9142/CH9143

沁恒微電子(WCH)推出的藍牙轉接芯片系列(CH9140、CH9141、CH9142、CH9143)憑借其高度集成化、低功耗和靈活的功能特性,為物聯網、工業控制、智能家居等領域的無線通信提供了高效
2025-03-18 16:56:292530

onsemi推出新一代SiC智能電力模塊,助力降低能耗與系統成本

近日,半導體技術公司onsemi宣布推出其首代1200V硅碳化物(SiC)智能電力模塊(IPM),型號為SPM31。這款以金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)為基礎的模塊,憑借卓越的能效
2025-03-18 11:34:56857

英飛凌第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

英飛凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬電距離 采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC MOSFET G2 1200V 12m
2025-03-15 18:56:321135

功耗對IGBT性能的影響,如何降低IGBT功耗

在電力電子的廣闊領域中,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為核心器件,其性能優劣直接關乎整個系統的運行效率與穩定性。而功耗問題,始終是IGBT應用中不可忽視的關鍵環節。今天,就讓我們一同深入探究IGBT功耗背后的奧秘。
2025-03-14 09:17:5232459

陸芯科技推出1200V40A GEN3 IGBT單管

陸芯科技正式推出1200V40A GEN3的IGBT單管,產品型號為YGK40N120TMA1。
2025-03-11 16:17:25901

瞻芯電子推出全新碳化硅半橋功率模塊IV1B12009HA2L

近日,瞻芯電子推出1B封裝的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半橋功率模塊(IV1B12009HA2L)為光伏、儲能和充電樁等應用場景,提供了高效、低成本的解決方案。該產品已通過工業級可靠性測試。
2025-03-11 15:22:521249

瞻芯電子推出1200V sic半橋1B封裝模塊

行業芯事行業資訊
電子發燒友網官方發布于 2025-03-11 13:36:22

CLA80E1200HF TO-247-3 80A 1200V 單向可控硅晶閘管

重復峰值電壓\(T_{vj}=25^{\circ}C\)1200--V(伏)\(I_{RRM}\)反向電流、漏電流\(V_{RM}=1200\ V\),\(T_{v
2025-03-07 14:28:34

ONNX模型無法轉換為IR v10,為什么?

使用以下命令將 ONNX* 模型轉換為 IR:mo --input_model model.onnx 該模型無法轉換為 IR v10,而是轉換為 IR v11。
2025-03-06 06:32:59

英飛凌FS03MR12A6MA1LB功率模塊產品概述

英飛凌FS03MR12A6MA1LB HybridPACK? Drive 是一款非常緊湊的六單元功率模塊 (1200V/400A),針對混合動力和電動汽車進行了優化。
2025-02-20 18:07:182813

升壓器功率800kva 適用于掘進機現場電壓欠壓380V1200V或1140V 可切換

380V,這與掘進機正常運轉所需的 1140V1200V 電壓相差甚遠。此時,一款功率達 800kva,能夠將 380V 欠壓升至 1140V1200V 且可靈活切換的升壓器,成為解決掘進機電力難題的核心裝備。 一、隧道掘進現場電力困境剖析 在偏遠的隧道施工現場
2025-02-19 09:46:50891

隧道/掘進機低電壓380V升為1140V1200V變壓器 輸出2組電壓 IP54機箱

1200V 工作電壓存在巨大差距。此時,一款能夠將 380V 低電壓升壓至 1140V1200V,并可輸出 2 組電壓,配備 IP54 機箱的變壓器,成為解決隧道掘進機電力難題的關鍵設備。 一、隧道施工中的電力困境 在偏遠的隧道施工現場,電力從變電站傳輸至作業區域,距
2025-02-19 09:43:12704

380V1200V 1250V 1500V升壓變壓器 掘進機遠距離電力適配專家

在大型隧道掘進工程中,掘進機的高效運轉是保障工程進度與質量的關鍵。然而,遠距離輸電致使施工現場電壓常降至 380V,與掘進機所需的 1200V、1250V 甚至 1500V 工作電壓相差甚遠。此時
2025-02-19 09:39:47892

IGBT導熱材料的作用和特性

絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為現代電力電子系統中的核心元件,廣泛應用于電機驅動、新能源發電、變頻器和電動汽車等領域。IGBT在工作過程中會產生大量的熱量,如果不能有效地散熱,將會導致器件溫度升高
2025-02-03 14:27:001298

耐高溫絕緣陶瓷涂層IGBT/MOSFET應用 | 全球領先技術工藝材料

IGBT絕緣柵雙極型晶體管)和MOSFET(金屬-氧化物半導體場效應晶體管)都是重要的半導體功率器件,它們在電子電路中發揮著關鍵作用。以下是IGBT和MOSFET的特性及用途的介紹:IGBT的特性
2025-01-23 08:20:361161

英飛凌IGBT7系列芯片大解析

,英飛凌IGBT芯片的“當家掌門”已由IGBT7接任。IGBT7采用微溝槽(micropatterntrench)技術,溝道密度更高,元胞間距也經過精心設計,并且
2025-01-15 18:05:212260

電動汽車動力系統中IGBT全面解析

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),作為MOSFET和雙極晶體管的復合器件,是電動汽車動力系統的核心部件,以其高工作頻率、高電流性能和低開關損耗等特點,確保了電動汽車的穩定性和安全性。它不僅是電力電子
2025-01-10 16:54:142454

PCB嵌入式功率芯片封裝,從48V1200V

我們也發現Schweizer在更早前其實就已經推出了名為P2的封裝方案,這個方案同樣是將功率半導體嵌入PCB中。他們在2023年開始與英飛凌合作開發,將英飛凌1200V CoolSiC芯片嵌入到PCB中的技術,并應用到電動汽車上。 ? P 2封裝的優勢和應用 ? 根據
2025-01-07 09:06:134389

XD040Q120AM1S3國產IBGT管40A 1200V

深圳市三佛科技有限公司供應XD040Q120AM1S3國產IBGT管40A 1200V,原裝現貨 XD040Q120AM1S3 芯達茂XDM   40A 1200V
2025-01-06 11:46:25

XD040H120BM1S3國產IBGT芯達茂40A 1200V

深圳市三佛科技有限公司供應XD040H120BM1S3國產IBGT芯達茂40A 1200V,原裝現貨 晶體管的置換原則可概括為三條:即類型相同、特性相近、外形相似。一、類型相同1.材料相同
2025-01-06 10:40:31

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