伦伦影院久久影视,天天操天天干天天射,ririsao久久精品一区 ,一本大道香蕉大久在红桃,999久久久免费精品国产色夜,色悠悠久久综合88,亚洲国产精品久久无套麻豆,亚洲香蕉毛片久久网站,一本一道久久综合狠狠老

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

派恩杰半導體1200V 400A系列半橋62mm封裝模塊 內置二極管提升高頻應用可靠性

派恩杰半導體 ? 來源:派恩杰半導體 ? 作者:派恩杰半導體 ? 2025-03-24 10:11 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

派恩杰半導體推出了1200V 400A系列的半橋62mm封裝模塊。62mm封裝外形已在多個領域得到廣泛應用,包括工業自動化中的電動機驅動和變頻器電源管理系統、光伏儲能、鐵路牽引系統以及感應加熱等。

隨著市場對更高功率密度和更快開關頻率的需求增加,派恩杰推出了該系列的碳化硅(SiC)半橋功率模塊,具體型號包括PAAA12400BM和PAAA12400BM2,為高超功率應用場景提供了高效、可靠、低成本的解決方案。

wKgZO2fgy5CAFTbUAAPfqjmWOgE217.png

此外,派恩杰還提供了其他型號的SiC模塊,如PAAC12350BM(1200V 350A)、PAAC12400BM2(1200V 400A,含SBD)以及PAAC12560BM(1200V 560A)等。這些模塊基于62mm的傳統封裝,優化了內部布局,降低了寄生電感,并預留了足夠的空間實現內部并聯SBD的設計方案,以解決高頻工況下因SiC MOSFET二極管所限制的實際開關頻率和壽命衰減的問題。

反向并聯二極管在這些模塊中得到了廣泛應用,特別是在高壓、高頻、高溫等惡劣環境下的電路中。MOS管反并聯二極管具有獨特優點,可以應用于高速開關、低電壓電流傳輸、去耦合電路以及抑制寄生導通等場景。

派恩杰的SiC模塊內部使用了SI3N4基板(AMB),散熱性能更好。在60℃的環境溫度下,這些模塊仍然可以保持400A的出流能力。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 二極管
    +關注

    關注

    149

    文章

    10432

    瀏覽量

    178924
  • SiC
    SiC
    +關注

    關注

    32

    文章

    3782

    瀏覽量

    69664
  • 功率模塊
    +關注

    關注

    11

    文章

    670

    瀏覽量

    46982
  • 半橋模塊
    +關注

    關注

    1

    文章

    13

    瀏覽量

    1614
  • 派恩杰
    +關注

    關注

    0

    文章

    40

    瀏覽量

    3597

原文標題:上新 | 1200V 400A系列半橋62mm封裝模塊,內置二極管提升高頻應用可靠性!

文章出處:【微信號:派恩杰半導體,微信公眾號:派恩杰半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    SiLM2206CA 600V驅動器,集成自舉二極管賦能高壓工業控制

    電子系統。 SiLM2206CA驅動器,通過集成自舉二極管和強化抗干擾設計,在600V高壓平臺上實現了高集成度與高
    發表于 03-13 08:37

    新品 | CoolSiC? MOSFET M1H共源配置62mm模塊

    新品CoolSiCMOSFETM1H共源配置62mm模塊英飛凌推出1200V和2000VCoolSiCMOSFET62mm
    的頭像 發表于 03-02 17:01 ?1188次閱讀
    新品 | CoolSiC? MOSFET M1H共源配置<b class='flag-5'>62mm</b><b class='flag-5'>模塊</b>

    62mmSiC模塊設計固態變壓器 (SST) DAB的工程落地

    傾佳楊茜-固變方案:62mmSiC模塊設計固態變壓器 (SST) DAB的工程落地 基本半導體 12
    的頭像 發表于 02-27 22:03 ?511次閱讀
    <b class='flag-5'>62mm</b><b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b>SiC<b class='flag-5'>模塊</b>設計固態變壓器 (SST) DAB的工程落地

    基于62mm封裝SiC模塊及驅動的固變SST PEBB的硬件配置

    傾佳楊茜-死磕固變:基于62mm封裝SiC模塊及驅動的固變SST PEBB的硬件配置 采用 基本半導體 1200V/540
    的頭像 發表于 02-25 06:21 ?205次閱讀
    基于<b class='flag-5'>62mm</b><b class='flag-5'>封裝</b>SiC<b class='flag-5'>模塊</b>及驅動的固變SST PEBB的硬件配置

    62mm SiC模塊與雙通道SiC驅動板設計固態變壓器(SST)功率單元

    62mm SiC模塊與雙通道SiC驅動板設計固態變壓器(SST)功率單元
    的頭像 發表于 02-20 16:31 ?4288次閱讀
    <b class='flag-5'>62mm</b> SiC<b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>模塊</b>與雙通道SiC驅動板設計固態變壓器(SST)功率單元

    可靠驅動方案:SLM27211CA-DG的欠壓保護與快速開關性能

    的性能。內置的自舉二極管不僅節省了一個外部器件和相應的PCB面積,更消除了選擇外置二極管帶來的寄生參數和可靠性顧慮。2ns的極致延時匹配對于
    發表于 01-27 08:39

    基本半導體1200V工業級碳化硅MOSFET模塊Pcore2 ED3系列介紹

    基本半導體推出1200V工業級碳化硅MOSFET模塊Pcore2 ED3系列,采用新一代碳化
    的頭像 發表于 01-23 14:54 ?1788次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>1200V</b>工業級碳化硅MOSFET<b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>模塊</b>Pcore2 ED3<b class='flag-5'>系列</b>介紹

    森國科發布SOD123封裝1200V/1A碳化硅二極管

    深圳市森國科科技股份有限公司將原本用于硅基器件的小型封裝SOD123成功應用于1200V/1A碳化硅二極管,這一突破彰顯了其在碳化硅器件設計領域的領先實力。
    的頭像 發表于 01-20 16:55 ?730次閱讀
    森國科發布SOD123<b class='flag-5'>封裝</b><b class='flag-5'>1200V</b>/1<b class='flag-5'>A</b>碳化硅<b class='flag-5'>二極管</b>

    SiLM2206CJ 集成自舉二極管的600V驅動器

    。 SiLM2206CJ通過集成自舉二極管等關鍵功能,在保證600V高壓驅動可靠性的同時,有效簡化了外圍電路,提供了一個高性價比且易于實施的
    發表于 12-31 08:22

    基本半導體1200V工業級碳化硅MOSFET模塊Pcore 2系列介紹

    基本半導體推出62mm封裝1200V工業級碳化硅MOSFET
    的頭像 發表于 09-15 16:53 ?1312次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>1200V</b>工業級碳化硅MOSFET<b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>模塊</b>Pcore 2<b class='flag-5'>系列</b>介紹

    XM3電源模塊系列CREE

    CAB320M17XM3XM1700 V320 A3.5 mΩGen 3175 °C80 x 53 x 19 mm工業 CAB
    發表于 09-11 09:48

    SiLM2234 600V驅動器,集成自舉二極管助力高可靠性電機驅動

    內置自舉二極管和UVLO保護則進一步增強了系統的可靠性和安全。SOP8封裝形式兼顧性能與布板空間,適用于從家電到工業驅動的多種高壓、高噪
    發表于 09-11 08:34

    第三代1200V SiC MOSFET產品優勢

    1200V SiC MOSFET是推出的一系列高性能碳化硅功率器件,具有卓越的柵氧層可靠性
    的頭像 發表于 09-03 11:29 ?1291次閱讀

    新品 | EconoDUAL? 3 IGBT 7 1700V 900A模塊帶EC8二極管

    新品EconoDUAL3IGBT71700V900A模塊帶EC8二極管通過EconoDUAL3TRENCHSTOPIGBT71700
    的頭像 發表于 08-04 18:10 ?2071次閱讀
    新品 | EconoDUAL? 3 IGBT 7 1700<b class='flag-5'>V</b> 900<b class='flag-5'>A</b><b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>模塊</b>帶EC8<b class='flag-5'>二極管</b>

    傾佳電子力薦:BASiC 62mm封裝BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊

    傾佳電子力薦:BASiC 62mm封裝BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊界 關鍵詞:
    的頭像 發表于 06-24 07:58 ?703次閱讀
    傾佳電子力薦:BASiC <b class='flag-5'>62mm</b><b class='flag-5'>封裝</b>BMF540R12KA3 SiC MOSFET<b class='flag-5'>模塊</b> —— 重新定義高功率密度與效率的邊