揚杰科技推出新一代To-247PLUS封裝1200V IGBT單管
揚杰科技近日推出了新一代 To-247PLUS 封裝1200V IGBT單管，產品采用新一代微溝槽工藝平臺，極大的優化了器件的導通損耗，產品參數一致性好，可靠性優良，適用于伺服、變頻器等各類中低頻應用領域。
01產品特點
G3 1.6um微溝槽工藝平臺，極具性價比的芯片方案
電壓等級為1200V，電流等級為100A@Tc=100℃
低導通損耗，適用于中低頻應用領域
較強的短路能力
02電性參數
03典型應用
伺服控制器：
變頻器：
關于揚杰
揚州揚杰電子科技股份有限公司是國內少數集半導體分立器件芯片設計制造、器件封裝測試、終端銷售與服務等產業鏈垂直一體化(IDM)的杰出廠商。產品線含蓋分立器件芯片、MOSFET、IGBT&功率模塊、SiC、整流器件、保護器件、小信號等，為客戶提供一攬子產品解決方案。
公司產品廣泛應用于汽車電子、清潔能源、工控、5G通訊、安防、AI、消費電子等諸多領域。
公司于2014年1月23日在深交所上市，證券代碼300373，相信在您的關懷支持下，我們一定能夠成為世界信賴的功率半導體伙伴。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
封裝
+關注
關注
128文章
9248瀏覽量
148614 -
IGBT
+關注
關注
1288文章
4331瀏覽量
262983 -
揚杰科技
+關注
關注
1文章
157瀏覽量
12266
原文標題：新品發布|工業低頻應用的“能效密碼”？大電流微溝槽IGBT帶來答案
文章出處：【微信號：yangjie-300373，微信公眾號：揚杰科技】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
6ED2231S12T：1200V三相IGBT/SiC柵極驅動器解析
的6ED2231S12T，一款具備集成自舉二極管和過流保護（OCP）功能的1200V三相柵極驅動器。 文件下載： 6ED2231S12T.pdf 產品概述 6ED2231S12T采用英飛凌的薄膜SOI
陸芯科技正式推出YGJ75N65FSA1內絕緣IGBT單管
陸芯科技正式推出內絕緣IGBT單管，產品型號為YGJ75N65FSA1。產品采用LUXIN FS-Trench平臺，TO247-3內絕緣
陸芯科技推出IGBT單管YGW15N120TMA1
陸芯科技正式推出1200V15A GEN3 IGBT單管，產品型號為YGW15N120TMA1。產品采用LUXIN FS-Trench GE
新品 | CoolSiC? MOSFET 1200V分立器件TO247-4引腳IMZA封裝
新品CoolSiCMOSFET1200V分立器件TO247-4引腳IMZA封裝第二代CoolSiCMOSFETG21200V/53mΩ，TO
派恩杰第三代1200V SiC MOSFET產品優勢
1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件，具有卓越的柵氧層可靠性和優異的高溫特性，專為高壓、高頻、高溫應用設計。相比傳統硅基MOSFET，SiC MOS
陸芯科技推出IGBT單管YGW50N120TMA1
陸芯科技正式推出1200V50A GEN3 IGBT單管，產品型號為YGW50N120TMA1。產品采用LUXIN FS-Trench GE
如何選擇 1200V SiC（碳化硅）TO-247 單管的耐高溫絕緣導熱墊片？
近期，華為旗下海思技術有限公司正式進軍碳化硅功率器件領域，推出了兩款1200V工規SiC單管產品——ASO1K2H035M1T4和ASO1K2H020M1T4，專門面向工業高溫、高壓場
揚杰科技DGW40N120CTLQ IGBT模塊：高性能與可靠性的完美結合
的設計，成為工業逆變器、伺服驅動和不間斷電源等應用的理想選擇。本文將為您詳細介紹這款產品的關鍵特性和應用優勢。 產品概述 DGW40N120CTLQ是一款1200V/40A的IGBT分立器件，采用標準的TO-
揚杰電子MG35P12E1A IGBT模塊：高效能電力電子解決方案
極型晶體管（IGBT）和快速恢復二極管（FWD），適用于多種高功率應用場景，展現了揚杰電子在功率半導體領域的技術實力。 產品概述 MG35P
陸芯科技推出IGBT單管AU40N120T3A5
陸芯科技正式推出1200V40A Gen3的IGBT單管，產品型號為AU40N120T3A5。產品采用LUXIN FS-Trench Gen
基本半導體推出新一代碳化硅MOSFET
近日，基本半導體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，產品性能進一步提升，封裝形式更加豐富。首發規格包括面向車用主驅等領域的1200V/13.5mΩ、750
龍騰半導體推出1200V 50A IGBT
在功率器件快速發展的當下，如何實現更低的損耗、更強的可靠性與更寬的應用覆蓋，成為行業關注焦點。龍騰半導體推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品，專為高頻應用場景設計。依托先進工藝平臺與系
派恩杰半導體1200V 400A系列半橋62mm封裝模塊 內置二極管提升高頻應用可靠性
派恩杰半導體上新 ；1200V 400A系列半橋62mm封裝模塊，內置二極管提升高頻應用可靠性！
onsemi推出新一代SiC智能電力模塊，助力降低能耗與系統成本
近日，半導體技術公司onsemi宣布推出其首代1200V硅碳化物(SiC)智能電力模塊(IPM)，型號為SPM31。這款以金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)為基礎的模塊，憑借
陸芯科技推出1200V40A GEN3 IGBT單管
陸芯科技正式推出1200V40A GEN3的IGBT單管，產品型號為YGK40N120TMA1。
工商網監
評論