近日，瞻芯電子推出1B封裝的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半橋功率模塊(IV1B12009HA2L)為光伏、儲能和充電樁等應用場景，提供了高效、低成本的解決方案。該產品已通過工業級可靠性測試。

這款模塊產品(IV1B12009HA2L) 尺寸與標準的Easy1B封裝相同，其殼體緊湊，高度僅12mm。該模塊內部芯片布置于陶瓷覆銅基板（DCB）上，具有內絕緣功能，可直接緊貼散熱器，無需外加陶瓷絕緣墊片，安全可靠，散熱更好；同時，模塊采用彈簧安裝座，組裝方便，集成的安裝夾使安裝牢固。

圖1，模塊外觀

模塊電路拓撲

該模塊產品內置1200V 9mΩ SiC MOSFET組成半橋電路，具有較低的雜散電感，簡化了應用電路的設計，相對于分立器件方案，提升了功率密度。同時集成熱敏電阻(NTC)以監測溫度。

該產品具有開爾文源極引腳，能在SiC MOSFET高速開關時，抑制驅動電壓尖峰，保障高頻開關應用安全和可靠。

圖2，模塊拓撲

SiC MOSFET芯片

這款模塊采用瞻芯電子第二代平面柵1200V SiC MOSFET芯片，兼有良好性能和可靠性表現，支持+15V至+18V開通電壓和-3.5V至-2V關斷電壓，額定電流100A。

應用場景

該產品適用于高頻、高效率功率變換系統，具有安全可靠、尺寸緊湊、安裝方便等特點，典型應用場景如下：

高頻開關應用

高壓直流變換器（DC-DC）

直流充電樁

不間斷電源（UPS）

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關于瞻芯電子

上海瞻芯電子科技股份有限公司（簡稱“瞻芯電子”）是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導體領域的高科技芯片公司，2017年成立于上海臨港。公司致力于開發碳化硅功率半導體和芯片產品，圍繞碳化硅(SiC)應用，為客戶提供一站式芯片解決方案。

瞻芯電子是中國第一家自主開發并掌握6英寸碳化硅(SiC)MOSFET產品以及工藝平臺的公司，擁有一座車規級碳化硅(SiC)晶圓廠，標志著瞻芯電子進入中國領先的碳化硅(SiC)功率半導體IDM公司行列。 瞻芯電子將持續創新，放眼世界，致力于打造中國領先、國際一流的碳化硅(SiC)功率半導體和芯片解決方案提供商。