近日，瞻芯電子推出1B封裝的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半橋功率模塊(IV1B12009HA2L)為光伏、儲(chǔ)能和充電樁等應(yīng)用場(chǎng)景，提供了高效、低成本的解決方案。該產(chǎn)品已通過(guò)工業(yè)級(jí)可靠性測(cè)試。

這款模塊產(chǎn)品(IV1B12009HA2L) 尺寸與標(biāo)準(zhǔn)的Easy1B封裝相同，其殼體緊湊，高度僅12mm。該模塊內(nèi)部芯片布置于陶瓷覆銅基板（DCB）上，具有內(nèi)絕緣功能，可直接緊貼散熱器，無(wú)需外加陶瓷絕緣墊片，安全可靠，散熱更好；同時(shí)，模塊采用彈簧安裝座，組裝方便，集成的安裝夾使安裝牢固。

圖1，模塊外觀

模塊電路拓?fù)?/p>

該模塊產(chǎn)品內(nèi)置1200V 9mΩ SiC MOSFET組成半橋電路，具有較低的雜散電感，簡(jiǎn)化了應(yīng)用電路的設(shè)計(jì)，相對(duì)于分立器件方案，提升了功率密度。同時(shí)集成熱敏電阻(NTC)以監(jiān)測(cè)溫度。

該產(chǎn)品具有開爾文源極引腳，能在SiC MOSFET高速開關(guān)時(shí)，抑制驅(qū)動(dòng)電壓尖峰，保障高頻開關(guān)應(yīng)用安全和可靠。

圖2，模塊拓?fù)?/p>

SiC MOSFET芯片

這款模塊采用瞻芯電子第二代平面柵1200V SiC MOSFET芯片，兼有良好性能和可靠性表現(xiàn)，支持+15V至+18V開通電壓和-3.5V至-2V關(guān)斷電壓，額定電流100A。

應(yīng)用場(chǎng)景

該產(chǎn)品適用于高頻、高效率功率變換系統(tǒng)，具有安全可靠、尺寸緊湊、安裝方便等特點(diǎn)，典型應(yīng)用場(chǎng)景如下：

高頻開關(guān)應(yīng)用

高壓直流變換器（DC-DC）

直流充電樁

不間斷電源（UPS）

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關(guān)于瞻芯電子

上海瞻芯電子科技股份有限公司（簡(jiǎn)稱“瞻芯電子”）是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體領(lǐng)域的高科技芯片公司，2017年成立于上海臨港。公司致力于開發(fā)碳化硅功率半導(dǎo)體和芯片產(chǎn)品，圍繞碳化硅(SiC)應(yīng)用，為客戶提供一站式芯片解決方案。

瞻芯電子是中國(guó)第一家自主開發(fā)并掌握6英寸碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品以及工藝平臺(tái)的公司，擁有一座車規(guī)級(jí)碳化硅(SiC)晶圓廠，標(biāo)志著瞻芯電子進(jìn)入中國(guó)領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體IDM公司行列。 瞻芯電子將持續(xù)創(chuàng)新，放眼世界，致力于打造中國(guó)領(lǐng)先、國(guó)際一流的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體和芯片解決方案提供商。