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      新品 | 第二代CoolSiC? MOSFET 1200V Q-DPAK封裝分立器件產品擴展

      英飛凌工業半導體 ? 2025-08-11 17:04 ? 次閱讀
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      新品

      第二代CoolSiC MOSFET 1200V

      Q-DPAK封裝分立器件產品擴展

      306b0ba4-7692-11f0-9080-92fbcf53809c.jpg


      CoolSiC 1200V MOSFET（頂部散熱Q-DPAK單管封裝）專為工業應用設計，適用于電動汽車充電、光伏、不間斷電源（UPS）、固態斷路器（SSCB）、工業驅動、人工智能（AI）及網聯自動駕駛汽車（CAV）等領域。


      Q-DPAK封裝通過簡化組裝流程并保持卓越的散熱性能，幫助客戶降低系統成本。與底部散熱方案相比，頂部散熱器件可實現更優化的PCB布局，從而降低寄生元件和雜散電感的影響，同時提供增強的熱管理性能。


      產品型號：

      ■IMCQ120R007M2H

      ■IMCQ120R010M2H

      ■IMCQ120R017M2H


      產品特點


      SMD頂部散熱封裝

      低雜散電感設計

      采用CoolSiC MOSFET 1200V第二代技術，具備增強的開關性能和FOM系數

      .XT擴散焊

      模塑化合物（CTI＞600）及模塑槽（CD＞4.8mm）

      優異的耐濕性能

      具備雪崩魯棒性、短路耐受能力及功率循環可靠性


      應用價值


      更高功率密度

      支持自動化組裝

      簡化設計復雜度

      卓越的熱性能表現

      降低系統功率損耗

      支持950V RMS工作電壓

      高可靠性設計

      降低總體成本


      競爭優勢


      更高的功率密度

      相比BSC封裝顯著提升熱性能

      簡化電氣設計流程


      應用領域


      光伏

      電動汽車充電

      不間斷電源UPS

      固態斷路器

      AI

      工業驅動

      CAV

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