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      新品 | 采用頂部散熱 Q-DPAK封裝的 CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET

      英飛凌工業半導體 ? 2025-05-29 17:04 ? 次閱讀
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      新品

      采用頂部散熱Q-DPAK封裝的

      CoolSiC 1200V G2 SiC MOSFET

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      英飛凌采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC 1200V SiC MOSFET單管，專為各種工業應用開發，包括工業驅動、電動汽車充電、太陽能，SSCB，人工智能，不間斷電源和CAV等。


      頂部散熱Q-DPAK具有出色的散熱性能，更易于組裝，從而降低了客戶的系統成本。與底部散熱解決方案相比，頂部散熱器件可實現更優化的PCB布局，從而減少寄生元件和寄生電感的影響。同時還能增強散熱能力。


      產品型號：

      ■IMCQ120R026M2H

      ■IMCQ120R034M2H

      ■IMCQ120R040M2H

      ■IMCQ120R053M2H

      ■IMCQ120R078M2H


      產品特點

      SMD頂部散熱封裝

      雜散電感低

      CoolSiC MOSFET 1200V G2技術具有優化的開關性能和FOM因子

      .XT擴散焊

      最低RDS(on)

      封裝材料CTI>600

      爬電距離>4.8mm

      耐濕性

      雪崩保護、短路保護和寄生導通PTO保護

      應用價值


      更高的功率密度

      實現自動裝配

      不需要太復雜的設計

      與底部散熱封裝相比，具有出色的熱性能

      改善系統功率損耗

      電壓有效值950V，污染度為2

      可靠性高

      降低TCO成本或BOM成本


      應用領域


      電動汽車充電

      太陽能

      UPS

      SSCB

      工業驅動器

      人工智能

      CAV


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