電子發燒友網綜合報道 最近海思半導體在官網上架了兩款工規1200V SiC MOSFET單管產品，ASO1K2H020M1T4和ASO1K2H035M1T4，導通電阻分別為20mΩ和35mΩ。海思表示，兩款SiC單管器件憑借優良的導通特性，快速的開關特性，支持客戶實現更高的系統效率，同時多種系統解決方案支撐客戶快速導入SiC方案，更快上市。
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提供面向大功率設備的三管并聯解決方案和面向高效電能轉換的11KW CLLC解決方案，從功率和拓撲結構來看，這種方案常用于充電樁、儲能系統、工業電源DC-DC和OBC等場景。

海思官網顯示，兩款1200V SiC MOSFET單管均采用TO-247-4封裝，最大結溫均為175℃，其中在 25°C 環境溫度下的最大連續漏極電流額定值（I_D max），ASO1K2H020M1T4為100A、ASO1K2H020M1T4為61A；25℃和175℃下的導通電阻，ASO1K2H020M1T4分別為20mΩ和30mΩ，ASO1K2H020M1T4分別為35mΩ和57mΩ；R_θJC?max最大結到殼熱阻分別為0.37K/W
和0.57K/W。
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華為在2022發布的《數字能源2030》報告中提到，電力電子技術為能源系統變革安全性和可控性提供保障，在電力消費方面，最主要的變化是分布式電源和儲能裝置的接入，大量新型負荷需要直流電源以及需要主動支撐源荷互動，如數據中心、通信基站、電動汽車充電站、計算機設備、LED照明等，高效率，高功率密度，高可靠性，低成本的轉換電源和開關設備等正滿足用戶日益多樣的個性化需求和高標準的電能質量治理需求。新型功率半導體應用需求大幅提升。未來的能源系統以可再生能源最大限度地開發利用、能源效率最高為目標，對能源輸送和控制的安全、高效、智能等方面提出更高的要求，具體包括適應新能源電力的輸送和分配的網絡，與分布式電源、儲能等融合互動的高效終端系統，與信息系統結合的綜合服務體系等。這些都需要通過電力電子化設備進行運行、補償、控制。
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“目前這些設備中所使用的基本都還是硅基器件，而硅基器件的參數性能已接近其材料的物理極限，無法擔負起未來大規模清潔能源生產傳輸和消納吸收的重任，節能效果也接近極限。以碳化硅為代表的第三代半導體功率芯片和器件，以其高壓、高頻、高溫、高速的優良特性，能夠大幅提升各類電力電子設備的能量密度，降低成本造價，增強可靠性和適用性，提高電能轉換效率，降低損耗。光伏、風電等新能源發電、直流特高壓輸電、新能源汽車、軌道交通、工業電源、民用家電等領域具有極大的電能高效轉換需求，而新型功率半導體在則適應了這一需求趨勢，未來十年是第三代功率半導體的創新加速期，滲透率將全面提升。如碳化硅的瓶頸當前主要在于襯底成本高（是硅的4-5倍，預計未來2025年前年價格會逐漸降為硅持平），受新能源汽車、工業電源等應用的推動，碳化硅價格下降，性能和可靠性進一步提高。碳化硅產業鏈爆發的拐點臨近，市場潛力將被充分挖掘。”
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目前看來，2025年的今天，碳化硅的價格確實已經實現大幅度下滑，并在新能源汽車等領域實現廣泛應用。
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值得一提的是，華為旗下哈勃投資已經投資了眾多國內碳化硅企業，覆蓋上游襯底、外延片、設備、器件/模塊等企業，包括天科合達、天岳先進、天域半導體、瀚天天成、東微半導體、瀚薪科技、特思迪等。