英飛凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬電距離

采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC MOSFET G2 1200V 12mΩ至78mΩ系列以第一代技術的優勢為基礎，加快了系統設計的成本優化，實現高效率、緊湊設計和可靠性。

第二代產品在硬開關工況和軟開關拓撲的關鍵性能指標上都有顯著改進，適用于所有常見的交流-直流、直流-直流和直流-交流各種功率變換。

產品型號：

■IMZC120R012M2H

■IMZC120R017M2H

■IMZC120R022M2H

■IMZC120R026M2H

■IMZC120R034M2H

■IMZC120R040M2H

■IMZC120R053M2H

■IMZC120R078M2H

產品特點

RDS(on)=12-78mΩ，VGS=18V，Tvj=25°C

開關損耗極低

更大的最大VGS范圍，-10V至+25V

過載運行溫度最高可達Tvj=200°C

最大短路耐受時間2μs

基準柵極閾值電壓4.2V

應用價值

更高的能源效率

優化散熱

更高的功率密度

新的穩健性性能

高可靠性

容易并聯

競爭優勢

性能增強：開關損耗更低，效率更高

.XT互連技術：熱阻更低，MOSFET溫度更低

市場上同類最佳的最低RDS(on）

數據手冊上保證的短路最大承受時間

獨特的堅固性

應用領域

電動汽車充電

工業電機驅動和控制

不間斷電源(UPS)

三相組串逆變器