近日，半導體技術公司SemiQ宣布推出基于第三代碳化硅(SiC)技術的1200V SOT-227 MOSFET模塊系列。該系列產品采用先進的共封裝設計，具備更快的開關速度、更低的導通與開關損耗，適用于太陽能逆變器、儲能系統、電動汽車充電以及高效服務器電源等高性能電力電子應用。

SemiQ此次發布的SiC MOSFET模塊采用優化的芯片設計，相比前代產品，芯片尺寸更小，但性能顯著提升。新模塊的導通電阻(RDS(on))覆蓋8.4mΩ至80mΩ，其中GCMX040C120S1-E1模塊的開關時間僅為67納秒，大幅降低了開關損耗，提升了系統整體效率。

目前，該系列包含六款核心產品：GCMS008C120S1-E1、GCMX008C120S1-E1、GCMS016C120S1-E1、GCMX016C120S1-E1、GCMS040C120S1-E1和GCMX040C120S1-E1。此外，SemiQ還推出了兩款80mΩ導通電阻的模塊(GCMS080C120S1-E1和GCMX080C120S1-E1)，進一步擴展了產品組合，以滿足不同功率等級的應用需求。

該系列模塊集成了肖特基勢壘二極管(SBD)，即使在高溫環境下也能保持優異的開關損耗性能。通過優化設計，模塊的導通能量損耗極低，適用于高功率密度應用。

為確保產品在嚴苛環境下的可靠性，SemiQ對所有模塊進行了嚴格的晶圓級柵極氧化物老化篩選，并進行了超過1400V的電壓測試。此外，模塊的雪崩魯棒性表現優異，部分型號的雪崩能量耐受能力高達800mJ(RDS(on)=8.4mΩ或16.5mΩ時)。

新模塊采用高熱性能封裝設計，結殼熱阻低至0.23°C/W(RDS(on)=8.4mΩ)，并配備隔離背板，可直接安裝散熱器，確保高效散熱。模塊還通過了4kVAC電氣隔離測試，滿足工業級應用的安全要求。

QSiC 1200V MOSFET系列支持-55°C至175°C的寬溫度范圍，柵源工作電壓為-4.5V至+18V(最大±22V)，功耗能力根據型號不同可達183W至536W。在電氣性能方面，模塊的零柵壓漏電流僅100nA，柵源漏電流低至10nA，開關速度最快的型號可實現13ns的開啟延遲和7ns的上升時間，非常適合高頻高效應用。

憑借超快開關速度、低損耗和高熱管理能力，SemiQ的新一代SiC MOSFET模塊有望在新能源、電動汽車充電、數據中心電源等領域發揮重要作用，助力電力電子系統實現更高能效和更緊湊的設計。