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電子發(fā)燒友網>可編程邏輯>關于FPGA上HBM 425GB/s內存帶寬的實測

關于FPGA上HBM 425GB/s內存帶寬的實測

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SK海力士推全球最高性能HBM3E內存

HBM3E內存(也可以說是顯存)主要面向AI應用,是HBM3規(guī)范的擴展,它有著當前最好的性能,而且在容量、散熱及用戶友好性全面針對AI優(yōu)化。
2023-08-22 16:28:071669

HBM芯片市場前景可期,三星2023年訂單同比增長一倍以上

sk海力士負責市場營銷的管理人員表示:“一臺ai服務器至少需要500gbhbm帶寬內存和2tb的ddr5內存。人工智能是拉動內存需求的強大力量。”sk海力士預測,到2027年,隨著人工智能的發(fā)達,hbm市場將綜合年均增長82%。
2023-09-12 11:32:591493

1.1TB HBM3e內存!NVIDIA奉上全球第一GPU:可惜無緣中國

NVIDIA H200的一大特點就是首發(fā)新一代HBM3e高帶寬內存(疑似來自SK海力士),單顆容量就多達141GB(原始容量144GB但為提高良率屏蔽了一點點),同時帶寬多達4.8TB/s
2023-11-15 16:28:132329

Rambus通過9.6 Gbps HBM3內存控制器IP大幅提升AI性能

為增強AI/ML及其他高級數(shù)據(jù)中心工作負載打造的 Rambus 高性能內存 IP產品組合 高達9.6 Gbps的數(shù)據(jù)速率,支持HBM3內存標準的未來演進 實現(xiàn)業(yè)界領先的1.2 TB/s以上內存吞吐量
2023-12-07 11:01:13579

Rambus通過9.6 Gbps HBM3內存控制器IP大幅提升AI性能

Gbps 的性能,可支持 HBM3 標準的持續(xù)演進。相比 HBM3 Gen1 6.4 Gbps 的數(shù)據(jù)速率,Rambus HBM3 內存控制器的數(shù)據(jù)速率提高了 50%,總內存吞吐量超過 1.2 TB/s,適用于推薦系統(tǒng)的訓練、生成式 AI 以及其他要求苛刻的數(shù)據(jù)中心工作負載。
2023-12-07 14:16:061362

AI大模型不斷拉高上限,內存控制器IP提早部署,力拱HBM3E的到來

數(shù)據(jù)量、復雜度在增加,HBM內存被徹底帶火。這種高帶寬高速的內存十分適合于AI訓練場景。最近,內存芯片廠商已經不約而同地切入HBM3E競爭當中。內存控制器IP廠商Rambus也率先發(fā)布HBM3內存
2023-12-13 15:33:482458

英偉達斥資預購HBM3內存,為H200及超級芯片儲備產能

據(jù)最新傳聞,英偉達正在籌劃發(fā)布兩款搭載HBM3E內存的新品——包括141GB HBM3E的H200 GPU及GH200超級芯片,這也進一步說明了對于HBM內存的大量需求。
2024-01-02 09:27:041445

AMD發(fā)布HBM3e AI加速器升級版,2025年推新款Instinct MI

目前,只有英偉達的Hopper GH200芯片配備了HBM3e內存。與現(xiàn)有的HBM3相比,HBM3e的速度提升了50%,單個平臺可以達到10TB/s帶寬,單顆芯片能夠實現(xiàn)5TB/s的傳輸速率,內存容量高達141GB
2024-02-25 11:22:421391

三星發(fā)布首款12層堆疊HBM3E DRAM,帶寬高達1280GB/s,容量達36G

“隨著AI行業(yè)對大容量HBM的需求日益增大,我們的新產品HBM3E 12H應運而生,”三星電子內存規(guī)劃部門Yongcheol Bae解釋道,“這個存儲方案是我們在人人工智能時代所推崇的HBM核心技術、以及創(chuàng)新堆疊技術的成果展示。”
2024-02-27 10:36:251877

美光科技開始量產HBM3E高帶寬內存解決方案

美光科技股份有限公司(Micron Technology, Inc.)是全球內存與存儲解決方案的領先供應商,近日宣布已經開始量產其HBM3E高帶寬內存解決方案。這一重要的里程碑式進展再次證明了美光在內存技術領域的行業(yè)領先地位。
2024-03-05 09:16:281608

英偉達H200帶寬狂飆

英偉達H200帶寬的顯著提升主要得益于其強大的硬件配置和先進的技術創(chuàng)新。H200配備了高達141GBHBM3e顯存,與前代產品H100相比,內存容量提升了76%。更重要的是,H200的顯存帶寬從H100的3.35TB/s增加到了4.8TB/s,提升幅度達到了43%。
2024-03-07 16:44:492265

什么是HBM3E內存?Rambus HBM3E/3內存控制器內核

Rambus HBM3E/3 內存控制器內核針對高帶寬和低延遲進行了優(yōu)化,以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓練提供了最大的性能和靈活性。
2024-03-20 14:12:374674

NVIDIA預定購三星獨家供應的大量12層HBM3E內存

據(jù)悉,HBM3E 12H內存具備高達1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲容量,較8層堆疊的HBM3 8H,分別提升了50%以上的帶寬及容量。
2024-03-25 15:36:11989

三星重磅發(fā)布全新12層36GB HBM3e DRAM

12層HBM3e將每個堆棧可用的總帶寬提高到驚人的1,280GB/s,這比單個堆棧RTX 4090可用的全部帶寬還要高。
2024-03-29 10:47:091351

HBM3E起飛,沖鋒戰(zhàn)鼓已然擂響

HBM3自2022年1月誕生,便憑借其獨特的2.5D/3D內存架構,迅速成為高性能計算領域的翹楚。HBM3不僅繼承了前代產品的優(yōu)秀特性,更在技術取得了顯著的突破。它采用了高達1024位的數(shù)據(jù)路徑,并以驚人的6.4 Gb/s的速率運行,實現(xiàn)了高達819 Gb/s帶寬,為高性能計算提供了強大的支持。
2024-03-30 14:34:103377

聊聊GPU背后的大贏家-HBM

HBM全稱為High Bandwidth Memory,直接翻譯即是高帶寬內存,是一款新型的CPU/GPU內存芯片。
2024-04-20 15:27:153212

三星與AMD達成HBM3E采購大單,總金額達4萬億韓元

三星方面表示,預計今年上半年將正式生產出HBM3E 12H內存,而AMD則計劃于下半年開始生產相應的AI加速卡。值得注意的是,三星HBM3E 12H內存的全天候最大帶寬可達到驚人的1280GB/s,產品容量更是高達36GB
2024-04-24 14:44:381196

三星Galaxy S25 Ultra 內存將升級至16GB

據(jù)報道,三星Galaxy S24 Ultra已現(xiàn)身市場,其存儲版本分別有256GB、512GB及1TB三款,但內存皆為12GB。然而,最新傳聞稱三星將于明年推出的Galaxy S25 Ultra或將內存提升至16GB
2024-05-10 14:25:371353

SK海力士加速HBM4E內存研發(fā),預計2026年面市

HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市場需求,SK海力士將提速研發(fā)進程,預計最快在 2026 年推出 HBM4E 內存在內存帶寬HBM4 提升 1.4 倍。
2024-05-14 10:23:09977

英偉達否認三星HBM未通過測試

英偉達公司CEO黃仁勛近日就有關三星HBM(高帶寬內存)的傳聞進行了澄清。他明確表示,英偉達仍在認證三星提供的HBM內存,并否認了三星HBM未通過英偉達任何測試的傳聞。
2024-06-06 10:06:531101

成都匯陽投資關于跨越帶寬增長極限,HBM 賦能AI新紀元

? ? ?【AI 時代新需求,HBM 應運而生】 隨著人工智能技術的快速發(fā)展,傳統(tǒng)的 GDDR 內存逐漸達到其技術發(fā)展的瓶頸: 1)GDDR5 無法跟上 GPU 性能發(fā)展:AI 訓練的參數(shù)量每兩年
2024-07-04 10:55:001586

美光12層堆疊HBM3E 36GB內存啟動交付

美光科技近期宣布,其“生產可用”的12層堆疊HBM3E 36GB內存已成功啟動交付,標志著AI計算領域的一大飛躍。這款先進內存正陸續(xù)送達主要行業(yè)合作伙伴手中,以全面融入并驗證其在整個AI生態(tài)系統(tǒng)中的效能。
2024-09-09 17:42:371550

三星預測HBM需求至2025年翻倍增長

三星電子近期發(fā)布預測,指出全球HBM(高帶寬內存)需求正迎來爆發(fā)式增長。據(jù)三星估算,到2025年,全球HBM需求量將躍升至250億GB,較今年預測的120億GB實現(xiàn)翻番,這主要得益于人工智能技術的迅猛發(fā)展對高性能內存的迫切需求。
2024-09-27 14:44:291023

SK海力士HBM生產效率驚人,或引領存儲器市場格局轉變

在9月25日(當?shù)貢r間)于美國加利福尼亞州圣克拉拉會議中心舉行的一場半導體行業(yè)盛會上,SK海力士發(fā)布的一項關于其高帶寬內存HBM)的驚人數(shù)據(jù)——“TAT 8.8:1”引起了廣泛關注。這一數(shù)據(jù)揭示了SK海力士在HBM生產效率的巨大優(yōu)勢。
2024-10-08 16:19:321678

SK海力士第三季度業(yè)績創(chuàng)歷史新高,高帶寬內存HBM需求旺盛

受高帶寬內存HBM市場的強勁需求推動,SK海力士在今年第三季度的銷售額、營業(yè)利潤和凈利潤均達到了歷史新高。這一業(yè)績表現(xiàn)有望消除市場對半導體行業(yè)可能再次陷入衰退的擔憂,特別是針對一些人近期提出的“半導體冬天論”。
2024-10-25 11:38:441364

HBM4需求激增,英偉達與SK海力士攜手加速高帶寬內存技術革新

隨著生成式AI技術的迅猛發(fā)展和大模型參數(shù)量的急劇增加,對高帶寬、高容量存儲的需求日益迫切,這直接推動了高帶寬內存HBM)市場的快速增長,并對HBM的性能提出了更為嚴苛的要求。近日,韓國SK集團
2024-11-05 14:13:031481

三星擴建半導體封裝工廠,專注HBM內存生產

近日,三星電子計劃在韓國忠清南道天安市的現(xiàn)有封裝設施基礎,再建一座半導體封裝工廠,專注于HBM(High Bandwidth Memory,高帶寬存儲器)等內存產品的生產。據(jù)悉,三星電子將以租賃
2024-11-13 11:36:161756

HBM與GDDR內存技術全解析

在高性能圖形處理領域,內存技術起著至關重要的作用。本文介紹兩種主要的圖形內存技術:高帶寬內存HBM)和圖形雙倍數(shù)據(jù)速率(GDDR),它們在架構、性能特性和應用場景各有千秋。通過對比分析,本文旨在為讀者提供對這兩種技術的深入理解,幫助在不同的應用需求中做出更明智的選擇。
2024-11-15 10:47:596056

HBM新技術,橫空出世:引領內存芯片創(chuàng)新的新篇章

在這樣的背景下,高帶寬存儲器(HBM)技術應運而生,以其獨特的3D堆疊架構和TSV(硅通孔)技術,為內存芯片行業(yè)帶來了前所未有的創(chuàng)新。
2025-03-22 10:14:143660

HBM技術的優(yōu)勢和應用場景

近年來隨著人工智能浪潮的興起,數(shù)據(jù)中心和服務器市場對于內存性能的要求達到了前所未有的高度。HBM(高帶寬內存)憑借其卓越的性能優(yōu)勢,如高帶寬、低功耗、高集成度和靈活的架構,成為了這一領域的“香餑餑”,炙手可熱。
2025-03-25 17:26:275227

Cadence推出HBM4 12.8Gbps IP內存系統(tǒng)解決方案

近日,Cadence(NASDAQ:CDNS)近日宣布推出業(yè)界速度最快的 HBM4 12.8Gbps 內存 IP 解決方案,以滿足新一代 AI 訓練和 HPC 硬件系統(tǒng)對 SoC 日益增長的內存帶寬
2025-05-26 10:45:261307

美光12層堆疊36GB HBM4內存已向主要客戶出貨

隨著數(shù)據(jù)中心對AI訓練與推理工作負載需求的持續(xù)增長,高性能內存的重要性達到歷史新高。Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)宣布已向多家主要客戶送樣其12層堆疊36GB HBM4內存
2025-06-18 09:41:531323

RAA2S425x KIT快速上手指南

RAA2S425x KIT快速上手指南 一、引言 在電子工程師的日常工作中,評估和測試芯片性能是至關重要的環(huán)節(jié)。RAA2S425x KIT作為一款用于評估RAA2S425x系列芯片的工具,能幫助
2025-12-29 16:10:03115

HBM迎頭趕上!國產AI芯片飛躍

A800和H20之間。 ? 根據(jù)報道,平頭哥PPU采用HBM2e顯存,單卡顯存容量96GB,片間帶寬為700GB/s,采用PCIe5.0×16通道接口,單卡功耗為400W。英偉達A800顯存同樣采用
2025-09-22 07:02:0011608

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