国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

電子發燒友App

硬聲App

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

電子發燒友網>電源/新能源>功率器件>IR針對工業應用推出具有超低導通電阻的表面貼裝75V MOSFET

IR針對工業應用推出具有超低導通電阻的表面貼裝75V MOSFET

收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴

評論

查看更多

相關推薦
熱點推薦

MOSFET通電阻參數解讀

通電阻(RDSON)指的是在規定的測試條件下,使MOSFET處于完全通狀態時(工作在線性區),漏極(D)與源極(S)之間的直流電阻,反映了MOSFET通狀態下對電流通過的阻礙程度。
2025-05-26 15:09:343811

瑞薩600V耐壓超結MOSFET 通電阻僅為150mΩ

瑞薩電子宣布開發出了通電阻僅為150mΩ(柵源間電壓為10V時的標稱值)的600V耐壓超結(SJ:Super Junction)型功率MOSFET“RJL60S5系列”,將從2012年9月開始樣品供貨。超結是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:021660

IR推出通電阻的車用功率MOSFET AUIRFR4292和AUIRFS6535

國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出具備低通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車用功率MOSFET,適用于汽油和柴油發動機壓電噴射系統。
2012-08-15 11:25:083396

Vishay為L-NS系列低阻值表面薄膜片式電阻擴充外形尺寸

Vishay Intertechnology, Inc推出采用0508、0612和1225外形尺寸的新款器件,擴充其L-NS系列低阻值表面薄膜片式電阻
2012-09-20 11:41:231483

Vishay推出最大通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出業界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現在4.5V柵極驅動下4.8mΩ最大通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:403486

IR推出StrongIRFET功率MOSFET系列

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日推出具有超低通電阻 (RDS(on)) 的 StrongIRFET功率MOSFET系列,適合各種工業應用,包括電
2012-12-04 22:17:341675

IR推出具有基準通電阻的全新300V功率MOSFET

IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列,可為各種高效工業應用提供基準通電阻 (Rds(on)) ,全新功率MOSFET系列具有極低的通電阻,有助于提升系統效率,還可讓設計人員在多個MOSFET并聯使用時減少產品的組件數量。
2013-01-22 13:27:211630

IR公司推出汽車級COOLiRFET MOSFET系列

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 宣布推出汽車級COOLiRFET ? MOSFET系列,為重載應用提供基準通電阻
2013-05-20 15:13:302300

高壓功率MOSFET外延層對通電阻的作用

? 1、超級結構 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結構,采用厚低摻雜的N-外延層epi,保證器件具有足夠擊穿電壓,低摻雜N-外延層epi尺寸越厚,耐壓額定值越大,但是,通電阻隨電壓以
2023-10-07 09:57:368691

Vishay推出高性能CMOS模擬開關 通電阻只有1.5?

Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出具有1.5?低通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開關
2019-03-08 15:06:392742

IR推出系列新型HEXFET功率MOSFET

`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業界最低通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關鍵詞】:功率損耗,通電阻
2010-05-06 08:55:20

IR新型DirectFET MOSFET

國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET-IRF6648。該器件的最大通電阻為7.0 mΩ(VGS
2018-11-26 16:09:23

MOSFET通電阻Rds

(1)Rds(on)和通損耗直接相關,RDSON越小,功率MOSFET通損耗越小、效率越高、工作溫升越低。 (2)Rds(on)時正溫度系數,會隨著MOSFET溫度升高而變大,也就是Rds
2025-12-23 06:15:35

具有超低通電阻的NCP45521可控負載電源開關

NCP45521的典型(熱插拔)電路是一種負載開關,可通過軟啟動為浪涌電流限制提供高效電源域切換的元件和面積減少解決方案。除了具有超低通電阻的集成控制功能外,這些器件還通過故障保護和電源良好信號提供系統保護和監控
2020-04-17 10:09:17

表面元件相關資料下載

又適應編帶包裝; 具有電性能以及機械性能的互換性; 耐焊接熱應符合相應的規定。 表面元件的種類: 無源元件SMC泛指無源表面安裝元件總稱、單片陶瓷電容、鉭電容、厚膜電阻器、薄膜電阻器、軸式電阻
2021-05-28 08:01:42

表面印制板的設計技巧有哪些?

表面印制板的設計技巧有哪些?
2021-04-25 06:13:10

表面式4方向光學傳感器RPI-1035

光學傳感器實物圖值得一提的是,RPI-1035具有超低的體積,封裝體積均為3.9mm*3.9mm*2.4mm,可用于對體積有嚴格要求的緊湊型應用場合。RPI-1035表面式4方向檢測光學傳感器
2019-04-09 06:20:22

表面的GDT

`表面的GDT有范圍很寬的各種尺寸和浪涌電壓額定值的產品,用于保護高速xDSL調制解調器、分路器、DSLAM設備、AIO打印機、基站以及安防系統,防止過電壓造成損壞。新型表面GDT產品不僅
2013-10-12 16:43:05

OK-xA3系列超低相位噪聲表面TCXO

OK-xA3系列超低相位噪聲表面TCXO(溫度補償晶體振蕩器)是一款針對高精度時鐘需求設計的元器件,OK-xA3系列超低相位噪聲表面TCXO憑借其卓越的頻譜純度、溫度穩定性和小型化設計,成為
2025-05-26 09:54:32

PQFN封裝技術提高性能

地提升小封裝尺寸內的電流處理能力,同時有助于器件冷卻,并提高器件可靠性。  當今的功率MOSFET封裝  采用Power SO8封MOSFET通常用在電信行業輸入電壓范圍從36V75V工業標準1
2018-09-12 15:14:20

ROHM新品 | 適用于工業設備和基站電機的新一代雙極MOSFET

,ROHM還會面向要求更高耐壓的工業設備開發100V和150V耐壓產品,以擴大本系列產品的陣容,通過降低各種應用的功耗和實現其小型化來助力解決環境保護等社會問題。新產品特點1、實現業界超低通電阻
2021-07-14 15:17:34

SMD表面型氣體放電管B3D230L-C

浪拓電子表面的GDT有范圍很寬的各種尺寸和浪涌電壓額定值的產品,用于保護高速xDSL調制解調器、分路器、DSLAM設備、AIO打印機、基站以及安防系統,防止過電壓造成損壞。 表面GDT產品
2014-04-17 09:05:38

Vishay推出VSMP0603新型Z箔卷型表面電阻

 Vishay推出新型VSMP0603超高精度Bulk Metal Z箔 (BMZF) 卷型表面電阻。該器件是率先采用 0603 芯片尺寸的產品,當溫度范圍在 -55℃至
2008-09-26 13:42:57

三類表面方法

第一類   只有表面的單面裝配   工序: 絲印錫膏=>元件=>回流焊接   TYPE IB 只有表面的雙面裝配   工序: 絲印錫膏=>元件=>回流焊
2018-11-26 17:04:00

從36V75V電信輸入生成5V/15A輸出的有源鉗位正向轉換器

描述此參考設計可從 36V75V 電信輸入生成 5V/15A 輸出。UCC2897A 可控制有源鉗位正向轉換器功率級。CSD17501Q5A 和 CSD18502Q5B 的低柵極和低通電阻
2018-11-21 14:57:50

實現工業設備的輔助電源應用要求的高耐壓與低損耗

電源中廣泛使用耐壓1000V以上的Si-MOSFET。然而,超過1000V的高耐壓Si-MOSFET通電阻大,必須處理通損耗帶來的發熱問題。SCT2H12NZ就是為解決這類工業設備輔助電源的課題而
2018-12-05 10:01:25

淺析降低高壓MOS管通電阻的原理與方法

`  (1)不同耐壓的MOS管的通電阻分布。不同耐壓的MOS管,其通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管,其外延層電阻僅為總通電阻的29%,耐壓600V的MOS管的外延層電阻
2018-11-01 15:01:12

這種高密度工藝特別適合于 最小化通電阻

`AP15N10 N溝道100V(D-S)MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產的溝槽技術。這種高密度工藝特別適合于最小化通電阻。這些
2021-07-08 09:35:56

銳駿新款超低通MOSRUH4040M、80M更適用于新產品研發

銳駿半導體本周正式發布兩款全新超低 通電阻MOSFET產品,型號分別為RUH4040M-B(40V/40A)和RUH4080M-B(40V/80A)。這兩款產品均采用DFN5060封,憑借先進
2024-10-14 09:40:16

降低高壓MOSFET通電阻的原理與方法

使用COOLMOS技術的MOSFET。  IR公司也推出了SUPPER220,SUPPER247封的超級MOSFET,額定電流分別為35A,59A,通電阻分別為 0.082Ω,0.045Ω,150
2023-02-27 11:52:38

表面穩壓二極管BZX84C2V7-75V

表面穩壓二極管BZX84C2V7-75V
2009-11-12 14:51:1446

表面固定電感器

表面固定電感器
2009-11-17 10:47:4019

表面印制板設計要求

表面印制板設計要求  摘要:表面印制板設計直接影響焊接質量,將專門針對表面印制板的焊盤設計、布線設計、定位設計、過孔處理等實用
2010-05-28 14:34:4037

表面技術SMT基本介紹

表面技術SMT基本介紹
2010-11-12 00:05:1379

表面技術的發展趨勢

摘  要  表面技術自80年代以來以在電子工業中得到了廣泛應
2006-04-16 22:05:531185

smt表面技術

smt表面技術 表面安裝技術,英文稱之為“Surface Mount Technology”,簡稱SMT,它是將表面元器件、焊到印
2007-12-22 11:26:004574

IR推出150V和200V MOSFET 具有極低的閘電荷

IR推出150V和200V MOSFET 具有極低的閘電荷 國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET,為開
2009-08-18 12:00:511624

IR推出75V低側智能功率開關,適用于嚴苛的24V汽車環境

IR推出75V低側智能功率開關,適用于嚴苛的24V汽車環境 國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)推出AUIPS2051L和AUIPS2052G 75V低側智能功率開關(IPS) ,適用于嚴苛的24V
2009-11-04 08:50:54990

Vishay發布QFN方形表面薄膜電阻網絡

Vishay發布QFN方形表面薄膜電阻網絡 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出業界首款方形精密薄膜表面電阻網絡QFN系列器件。器件采用20腳的5mm×5mm方形扁平無
2009-11-10 08:37:091060

表面型PGA

表面型PGA   陳列引腳封裝PGA(pin grid array)為插型封裝,其底面的垂直引腳呈陳列狀排列,引腳長約3.4mm。表面型PGA在封裝的
2009-11-19 09:20:29852

Vishay推出業界最薄的表面瞬間電壓抑制器

Vishay推出業界最薄的表面瞬間電壓抑制器  日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出具有業內1.1mm最薄厚度的新系列1500W表面TransZorb®
2009-11-19 09:57:35532

Vishay Siliconix推出業內最低通電阻功率MO

Vishay Siliconix推出業內最低通電阻功率MOSFET  Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011361

TI具有最低通電阻的全面集成型負載開關

TI具有最低通電阻的全面集成型負載開關 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負載開關,其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 m 標準通電阻 (rON) 比同類競爭
2009-12-18 09:26:061007

TI推出具備最低通電阻的完全整合型負載開關--TI TPS

TI 推出具備最低通電阻的完全整合型負載開關 TI 宣布推出
2010-01-08 17:36:281185

表面型PGA是什么意思

表面型PGA是什么意思 陳列引腳封裝PGA(pin grid array)為插型封裝,其底面的垂直引腳呈陳列狀排列,引腳長約3.4mm。表面型PGA在封裝的底面
2010-03-04 14:16:132821

IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET

IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET  國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET,其中包括能夠提供業界最低通電阻 (RDS(on)) 的IRFH620
2010-03-12 10:28:391734

IR智能電源開關為24V汽車應用提供超低通電阻

IR智能電源開關為24V汽車應用提供超低通電阻 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR)推出 AUIPS7111S 高側智能電源開關。該產品具有超低
2010-03-19 09:14:551514

IR推出智能電源開關AUIPS7111S

IR推出智能電源開關AUIPS7111S IR推出AUIPS7111S 高側智能電源開關。該產品具有超低通電阻(RDS(on)),適用于卡車引擎罩接線盒等嚴苛的 24V 汽車環
2010-03-22 12:16:321532

通電阻,通電阻的結構和作用是什么?

通電阻,通電阻的結構和作用是什么? 傳統模擬開關的結構如圖1所示,它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯構成,可使正負信號傳輸,如果將不同VI
2010-03-23 09:27:475716

IR推出汽車專用MOSFET系列低通電阻

IR推出汽車專用MOSFET系列低通電阻 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET
2010-04-09 11:50:321055

IR推出全新HEXFET功率 SOT-23 MOSFET

全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (InternaTIonal Rectifier) 推出全新HEXFET功率MOSFET系列。該器件采用業界標準SOT-23封具有超低通電阻 (RDS(on)) ,適用于電池充電
2010-07-22 09:29:411473

IR最新的SO-8封 P 溝道 MOSFET硅組件

IR)推出新系列-30 V器件,采用 IR最新的SO-8封 P 溝道 MOSFET硅組件,適用于電池充電和放電開關,以及直流應用的系統/負載開關。新款 P 溝道器件的通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 mΩ至59
2010-09-15 18:11:341902

IR推出新系列-30V器件 P溝道MOSFET無需使用電平轉

國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR) 推出新系列-30 V器件,采用IR最新的SO-8封,P溝道MOSFET硅組件,適用于電池充電和放電開關,以及直流應用的系統/負載開
2010-09-20 08:59:091458

Vishay推出高紋波電流的表面鋁電容器 --- 146

  日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出業界首款具有0.035的超低阻抗和1.75A的高紋波電流的表面鋁電容器 --
2010-09-28 09:24:12866

表面Power Metal Strip電阻 --- WS

  日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款表面Power Metal Strip電阻 --- WSLP0603,該電阻是業界首款采用緊湊0603封尺寸的0.4W檢流電阻。WSLP0603電阻的阻值范圍非常低,只有
2010-10-26 08:55:101073

表面方法分類

第一類 TYPE IA 只有表面的單面裝配工序: 絲印錫膏=> 元件 =>回流焊接 TYPE IB 只有表面的雙面裝配工序: 絲印錫膏=> 
2010-10-30 11:52:051152

Vishay推出新型表面電阻-WSLP3921和WSLP

  日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出兩款新的采用3921和5931外形尺寸的表面Power Metal Strip電阻 --- WSLP3921和WSLP59
2010-11-23 09:17:511323

飛兆半導體推出通電阻MOSFET

  飛兆半導體推出通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET,這款全新飛兆半導體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N溝道器件,它是業界采用5×6mm POWER56封且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391887

IR推出新型WideLead TO-262封的車用MOSFET

IR推出采用新型WideLead TO-262封的車用MOSFET系列,與傳統的TO-262封裝相比,可減少 50%引線電阻,并提高30%電流
2011-05-24 08:54:351919

IR推出堅固的新型平面MOSFET系列

國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR)近日推出新的車用MOSFET系列,適合要求低通電阻的一系列應用,包括傳統內燃機 (ICE) 平臺以及微型和混合動力汽車平臺上的重載應用。
2011-07-12 08:40:541219

Vishay推出新款表面Power Metal Strip電阻WSLP2726和WSLP4026

Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用2726和4026外形尺寸的新款表面Power Metal Strip電阻——WSLP2726和WSLP4026
2011-08-30 08:43:171684

Vishay推出新款表面Power Metal Strip電阻WSK0612

Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款表面Power Metal Strip電阻--- WSK0612。該電阻是業內首個4接頭、1W的檢流電阻,采用小尺寸的0612封具有0.5 mΩ~5mΩ的低阻值。
2011-09-06 09:43:072548

IR推出車用MOSFET系列

國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日推出車用 MOSFET 系列,可為一系列應用提供基準通電阻 (Rds(on)) ,包括電動助力轉向系統 (EPS) 、集成式起動發電機 (ISA) 泵和電機控制
2011-09-15 09:27:391642

Vishay推出表面環繞式厚膜片式電阻CHPHT

Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出一款新型耐高溫、表面的環繞式厚膜片式電阻---CHPHT。
2011-12-05 09:05:272608

表面對貼片元器件的要求

表面技術所用元器件包括表面元件(Surface Mounted Component,簡稱SMC)與表面器件(Surface Mounted Device,簡稱SMD)。
2011-12-23 11:58:362555

Vishay推出具有耐高溫特性的表面鋁電容器

Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新系列表面鋁電容器---160 CLA,兼具耐高溫、低阻抗、高紋波電流和長壽命等特性。
2013-02-21 13:48:271002

瑞薩電子推出新款低通電阻MOSFET產品

瑞薩電子宣布推出新款低通電阻MOSFET產品,包括經過最佳化的μPA2766T1A,做為網路伺服器與儲存系統之電源供應器內的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:101310

Vishay推出具有業內最低RDS(on)的P溝道MOSFET

日前,Vishay宣布,推出具有業內最低通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP,擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221740

Vishay推出應用在便攜電子中的最低通電阻的新款MOSFET

TrenchFET?功率MOSFET---SiA453EDJ。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件,在-4.5V和-2.5V柵極驅動下具有業內最低的通電阻,在便攜電子產品里能夠節省空間,并提高能源效率。
2014-04-29 16:30:441122

Vishay推出針對高功率表面射頻應用的高性能RCP系列厚膜電阻

Vishay宣布采用0505、0603和2512外形尺寸,用于高功率表面射頻應用的RCP系列厚膜電阻對外供貨。Vishay Dale器件具有非常高的導熱率,使用主動溫度控制的情況下功率等級可達22W。
2015-07-13 16:40:211906

英飛凌推出具有超低通電阻的CoolSiCTM MOSFET 750 V G2

行業芯事行業資訊
電子發燒友網官方發布于 2025-07-04 11:25:31

MOSFET通電阻的概念及應用場合介紹

MOSFET通電阻
2018-08-14 00:12:0015153

TI 超小型 FemtoFET MOSFET 支持最低通電阻

關鍵詞:MOSFET , FemtoFET 小信號 MOSFET 晶體管為移動設備節省電源,延長電池使用壽命 德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機與平板電腦等空間有限手持應用推出業界最小型低通電阻
2018-10-13 11:03:01728

Vishay推出表面Power Metal Strip電阻WSK0612

關鍵詞:Vishay , WSK0612 , 表面 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款表面Power Metal
2019-01-07 12:17:01480

SiC MOSFET具有通電阻和緊湊的芯片

安森美半導體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術碳化硅 (SiC) MOSFET,它具有出色的開關性能和更高的可靠性。此外,該SiC MOSFET具有通電阻
2020-06-15 14:19:404976

Vishay 推出新vPolyTan 表面聚合物鉭模塑片式電容器

Vishay 推出新系列 vPolyTan 表面聚合物鉭模塑片式電容器,在高溫高濕條件下具有可靠性能。
2021-12-07 15:40:283569

降低高壓MOSFET通電阻的原理與方法

在功率半導體器件中,MOSFET以高速、低開關損耗、低驅動損耗在各種功率變換,特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領域,MOSFET沒有競 爭對手,但隨著MOS的耐壓提高,通電阻隨之以
2022-03-17 09:35:333704

貼片電阻常用的表面封裝的尺寸和規格

表面電阻器的形狀和尺寸是標準化的,大多數制造商使用JEDEC標準。貼片電阻的尺寸用數字代碼表示,比如0603。這個代碼包含了封裝的寬度和高度。因此,英制代碼0603表示長度為0.060",寬度為0.030"。
2022-03-27 09:01:4827038

Arduino Nanuno(表面版)

電子發燒友網站提供《Arduino Nanuno(表面版).zip》資料免費下載
2022-07-01 14:55:320

東芝推出具有通電阻的新款功率器件

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有通電阻,可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品,現已開始出貨。
2022-09-01 15:37:531079

ROHM開發出具有絕緣構造、小尺寸且超低功耗的MOSFET

ROHM開發出具有絕緣構造、小尺寸且超低功耗的MOSFET
2022-12-18 17:08:491397

超低電阻表面分流器

超低電阻表面電流檢測電阻器似乎是理想的封裝。物理設計,金屬表帶,似乎是理想的,提供盡可能低的電感。這些電阻通常需要某種電阻電容濾波器來限制開關噪聲尖峰。問題在于分流器的時間常數是封裝電感除以電路電阻。因此,分流電阻越低,衰減時間越長。
2023-03-10 09:25:511100

ROHM | 開發出具有業界超低通電阻的Nch MOSFET

ROHM | 開發出具有業界超低通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:441157

ROHM開發具有業界超低通電阻的Nch MOSFET

新產品不僅利用微細化工藝提高了器件性能,還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封和HSMT8封,實現了僅2.1mΩ的業界超低通電阻(Ron)*2,相比以往產品,通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06900

資料下載 | 低通電阻 Nch 功率MOSFET(銅夾片型)產品參考資料

列產品的參考資料,助力您快速了解產品各項信息。 點擊下載產品參考資料 與Pch MOSFET相比,由于Nch MOSFET具有更低的通電阻,并且在各種電路中具有更出色的易用性,因而目前在市場上更受歡迎
2023-05-17 13:35:021476

RF-Labs表面引腳電阻器和終端

RF-Labs表面引腳電阻器和終端選用Smiths Interconnect專利管腳電阻技術工藝,提供比傳統活動圖板電阻更高效的功率處理效率,而且不影響寬帶性能。從而使得CXH系列特別適合普遍
2023-05-24 08:57:45919

表面電阻器的功率降額

可靠性上也幾乎不會發生問題,但目前時代主流的表面電阻器如果使用相同的設計,則會發生電阻器故障,電路板冒煙等事故。為了防止這些事故的發生,同時為了替換小型產品和減少使用數量,有必要根據表面電阻器的條件進行降額。
2023-06-14 16:53:003918

平面柵和溝槽柵的MOSFET通電阻構成

兩者因為其柵極都是在外延表面生長出來的平面結構所以都統稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結構是把柵極構建在結構內部,挖出來的溝槽里面,叫做溝槽型MOSFET針對兩種不同的結構,對其通電阻的構成進行簡單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:026122

電子表面技術SMT解析

需要進行表面的電子產品一般由印制線路板和表面元器件組成。印制線路板PWB(Printed Wire Board)是含有線路和焊盤的單面或雙面多層材料。表面元器件包括表面元件和表面器件兩大類。
2023-11-01 15:02:472037

具有業界超低通電阻的Nch MOSFET

的工作效率。在這些應用中,中等耐壓的MOSFET被廣泛應用于各種電 路中,制造商要求進一步降低功耗。另一方面,“通電阻
2023-11-20 01:30:561060

昕感科技推出超低通電阻的SiC MOSFET器件

近日,昕感科技在新能源領域取得重大突破,推出了一款具有業界領先超低通電阻的SiC MOSFET器件新產品(N2M120007PP0)。該產品的通電阻達到了驚人的7mΩ,電壓規格為1200V,將為新能源領域提供更為高效、可靠的功率半導體開關解決方案。
2024-01-04 14:37:571617

具有80V集成功率MOSFET的LM5007 75V 0.5A直流/直流降壓轉換器數據表

電子發燒友網站提供《具有80V集成功率MOSFET的LM5007 75V 0.5A直流/直流降壓轉換器數據表.pdf》資料免費下載
2024-04-11 10:16:310

貼片電阻表面電阻有什么不同?

貼片電阻表面電阻在本質上并沒有明顯的區別,因為“貼片電阻”通常就是指采用表面技術(Surface Mount Technology,簡稱SMT)的電阻元件,也就是表面電阻。以下是關于
2024-08-05 14:14:341294

銳駿半導體發布全新超低通電阻MOSFET

近日,銳駿半導體正式推出了兩款全新的超低通電阻MOSFET產品,為市場帶來了更加高效的解決方案。
2024-10-08 15:15:391054

ROHM推出超低通電阻和超寬SOA范圍的Nch功率MOSFET

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向企業級高性能服務器和AI服務器電源,開發出實現了業界超低通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。
2025-03-13 15:08:041206

【KUU重磅發布】2款100V耐壓雙MOSFET以5mm×6mm和3mm×3mm尺寸及超低通電阻,助力通信基站高效節能

隨著通信基站和工業設備電源系統向48V升級,高效、節能的元器件需求日益迫切。KUU憑借先進工藝與封裝技術,全新推出2款100V耐壓雙MOSFET,以超低通電阻和緊湊尺寸,為風扇電機驅動提供高性能
2025-04-30 18:33:29877

MDD MOS通電阻對BMS系統效率與精度的影響

在電池管理系統(BMS)中,MDD辰達半導體MOSFET作為電池組充放電的開關與保護核心元件,其通電阻(RDS(on))參數對系統性能有著直接且深遠的影響。作為MDDFAE,在支持客戶調試或可
2025-11-12 11:02:47339

探索Littelfuse L4CL系列四端表面電阻:特性、應用與設計考量

探索Littelfuse L4CL系列四端表面電阻:特性、應用與設計考量 在電子設計領域,電流檢測電阻是一個關鍵組件,它對于精確測量電流、實現高效的電源管理至關重要。今天,我們將深入探討
2025-12-15 17:40:02390

關于0.42mΩ超低通電阻MOSFET的市場應用與挑戰

設計的優選。然而,在實際市場中,是否真的存在0.42mΩ的超低通電阻MOSFET?本文MDD將探討這種超低通電阻MOSFET的市場應用、優勢及其面臨的挑戰。一、0
2025-12-16 11:01:13198

探索 Bourns S & SL 系列——Riedon? 表面線繞電阻器的卓越性能

——Riedon? 表面線繞電阻器,了解其特點、規格和應用注意事項。 文件下載: Bourns S和SL表面繞線電阻器.pdf 產品特性亮點 強大的浪涌處理能力 該系列電阻器具有出色的浪涌處理能力,這意味著在面對瞬間的高能量沖擊時,它能夠穩定工作,保護電路免受損壞。對于那些容易受
2025-12-22 17:05:02354

已全部加載完成