深入探討一下國際整流器公司（International Rectifier）推出的IR21592和IR21593這兩款調光鎮流器控制IC。 文件下載： IR21592PBF.pdf 一、產品概述
2025-12-30 17:25:19
422 深入剖析IR2520D(S)：自適應鎮流器控制IC的卓越性能 作為一名電子工程師，在設計熒光燈照明電路時，一款合適的控制IC至關重要。今天，我將為大家詳細解讀IR2520D(S) (PbF)這款
2025-12-28 15:50:12404 （International IOR Rectifier）的IR2166系列芯片，看看它如何在PFC和鎮流器控制領域發揮獨特優勢。 文件下載： IR2166PBF.pdf 一、芯片概述 IR2166是一款全面集成且具備
2025-12-24 17:25:09474 WH3620是一款數字RGBW-IR顏色傳感器，集成了光電二極管、電流放大器、模擬電路和數字信號處理器，支持紅、綠、藍、白（RGBW）及紅外光（IR）的多通道并行傳感。
2025-12-24 10:04:11211 
IR2166：集成PFC與鎮流器控制的高性能IC深度解析 在電子工程師的日常設計工作中，高效且可靠的鎮流器控制和功率因數校正（PFC）電路設計至關重要。今天，我們就來深入探討一款功能強大的集成電路
2025-12-23 17:45:15506 （1）產品的額定電壓是固定的，MOSFET的耐壓選取也就比較容易，由于BVdss具有正溫度系數，在實際的應用中要結合這些因素綜合考慮。
（2）VDS中的最高尖峰電壓如果大于BVdss，即便這個尖峰
2025-12-23 08:37:26
（1）Id電流代表MOSFET能流過的最大電流，反映帶負載能力，超過這個值可能會因為超負荷導致MOSFET損壞。
（2）Id電流參數選擇時，需要考慮連續工作電流和電涌帶來的尖峰電流，確保
2025-12-23 08:22:48
（1）Rds（on）和導通損耗直接相關，RDSON越小，功率MOSFET的導通損耗越小、效率越高、工作溫升越低。
（2）Rds（on）時正溫度系數，會隨著MOSFET溫度升高而變大，也就是Rds
2025-12-23 06:15:35
探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET：電機驅動的新突破 在電子工程師的日常工作中，為電機驅動系統挑選合適的MOSFET至關重要。英飛凌最新推出的OptiMOS? 7 40V N
2025-12-18 14:30:06185 安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)宣布推出采用行業標準T2PAK頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET，為汽車和工業應用的電源封裝技術帶來突破。這款新品為電動汽車、太陽能基礎設施及儲能系統等市場的高功率、高電壓應用提供增強的散熱性能、可靠性和設計靈活性。
2025-12-11 17:48:49736 在電力電子領域，IGBT和MOSFET作為關鍵的功率開關器件，其驅動電路的性能對整個系統的效率和可靠性起著至關重要的作用。今天，我們就來詳細探討一下安森美（onsemi）推出的NCx57090y, NCx57091y系列高電流單通道IGBT/MOSFET門驅動器。
2025-12-09 09:37:551510 
在電力電子設計領域，IGBT和MOSFET作為關鍵的功率開關器件，其驅動電路的性能直接影響著整個系統的效率和可靠性。今天，我們就來深入探討一下安森美（onsemi）推出的NCx57080y和NCx57081y系列高電流單通道IGBT/MOSFET柵極驅動器。
2025-12-01 14:29:16466 
作為一名電子工程師，在設計電路時，選擇合適的 MOSFET 至關重要。今天我們就來詳細探討 ON Semiconductor 推出的 NVMFS024N06C 單通道 N 溝道 MOSFET，看看它有哪些特性和優勢。
2025-12-01 14:02:46261 
在電子工程師的日常設計工作中，MOSFET 是不可或缺的重要元件。今天，我們就來深入探討 onsemi 推出的 NVHL060N065SC1 N 溝道 MOSFET，看看它有哪些獨特的性能和應用特點。
2025-12-01 09:28:49379 
Wolfspeed 宣布推出最新的車規級 1200 V E4MS 系列分立式碳化硅 MOSFET，基于業界領先的第四代 (Gen 4) 技術平臺開發， 為汽車車載充電器、DC/DC 轉換器、電子壓縮機和加熱與冷卻系統等應用提供了優異的性能。
2025-11-30 16:14:51658 Wolfspeed 宣布推出最新的工業級 1200 V C4MS 系列分立式碳化硅 MOSFET，基于業界領先的第四代 (Gen 4) 技術平臺開發，為硬開關應用提供了優異的性能。
2025-11-30 16:13:27564 極、漏極管腳附近區域，可以布設更大面積銅皮，來保證散熱性能，如果是多層PCB板，源極、漏極對應銅皮位置的每個層都敷設銅皮，用多個過孔連接。
問題2：功率MOSFET管Qiss，Qg，Qrss
2025-11-19 06:35:56
納芯微今日宣布正式推出車規級8通道可配高低邊驅動系列芯片——NSD56080、NSD56602、NSD56620與NSD56242，工作電壓范圍覆蓋4.5V~28V(輸出內部鉗位39V)，每通道驅動電流330mA(所有通道ON)，適合驅動汽車電子的繼電器、LED、燈泡及電機等各類型感性容性負載。
2025-11-17 13:45:09509 
MOSFET的Drain（漏極）、Source（源極）、G（柵極）三個引腳，其兩兩之間都可以用TVS來做過壓保護。
2025-11-10 16:47:484948 
仁懋電子（MOT）推出的MOT15N50F是一款面向500V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借快速開關特性、穩定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高效開關電源、半橋式電子鎮流器、LED電源
2025-11-05 12:10:09283 
仁懋電子（MOT）推出的MOT4N65F是一款面向650V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借低導通電阻、高輸入阻抗及RoHS合規性，廣泛適用于電子鎮流器、電子變壓器、開關模式電源等領域
2025-11-04 15:59:03238 仁懋電子（MOT）推出的MOT50N02D是一款面向低壓大電流開關場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借20V耐壓、超低導通損耗及50A大電流承載能力，廣泛適用于各類開關應用（如DC-DC轉換器
2025-10-31 17:36:09228 中微愛芯推出AiP2004系列四路達林頓陣列，用一顆芯片解決多路驅動痛點！
2025-10-28 16:04:40669 
仁懋電子（MOT）推出的MOT7N70D是一款面向高壓開關場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借700V耐壓、低導通損耗及高速開關特性，廣泛適用于高效開關電源、電子鎮流器、LED電源等領域。以下從
2025-10-27 17:19:00190 圣邦微電子推出 SGMNQ12340，一款 40V 耐壓、低導通電阻、輸入電容低、切換速度快、高性能的 N 溝道 MOSFET。該器件可應用于 VBUS 過壓保護開關、AMOLED 顯示控制器、電池充放電開關及 DC/DC 轉換器。
2025-10-14 17:34:482209 
Nexperia（安世半導體）近日宣布，為旗下不斷擴充的應用專用MOSFET (ASFET)產品組合再添新產品。ASFET系列的產品特性經優化調校，可滿足特定終端應用的嚴苛需求。其中，80 V
2025-10-10 11:22:27700 Toshiba推出了“TPH2R70AR5”——一款采用Toshiba最新一代工藝U-MOS11-H[1]制造的100V N溝道功率MOSFET。該MOSFET的目標應用包括數據中心和通信基站所用
2025-09-28 15:17:14499 基本半導體推出62mm封裝的1200V工業級碳化硅MOSFET半橋模塊，產品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術，在保持傳統62mm封裝尺寸優勢的基礎上，通過創新的模塊設計顯著降低了模塊雜散電感，使碳化硅MOSFET的高頻性能得到更充分發揮。
2025-09-15 16:53:03976 
Nexperia（安世半導體）近日推出40-100 V汽車MOSFET產品組合，該系列采用行業標準微引腳封裝，專為車身控制、信息娛樂、電池防反保護及LED照明應用設計。
2025-09-12 09:38:45630 1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件，具有卓越的柵氧層可靠性和優異的高溫特性，專為高壓、高頻、高溫應用設計。相比傳統硅基MOSFET，SiC MOSFET提供更低
2025-09-03 11:29:401034 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產品配備其最新[1
2025-09-01 16:33:492081 
圣邦微電子推出 VCE275X 系列軸心磁編碼器芯片。器件基于各向異性磁阻（AMR）技術，結合優化的 CMOS 精細調理電路，可實現 14 位有效分辨率的 360° 磁場角度檢測。該系列提供多種輸出
2025-08-25 09:24:484149 
新潔能研發團隊溝槽型工藝平臺推出耐壓30V 1mΩ級別增強型N溝道MOSFET 系列產品。
2025-08-22 18:02:351527 
Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 車規級碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列，專為嚴苛的汽車環境設計。Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MOSFET，可在 185°C 下持續工作，助力動力總成系統實現最大性能。
2025-08-11 16:54:232327 請問IR600系列路由器、IR700系列路由器、IR900系列路由器的恢復出廠設置分別是如何操作的？
2025-08-06 08:02:08
IR600 CLI 如何保存配置？
2025-08-06 07:51:09
IR611S固件升級
2025-08-06 07:34:24
現有多臺IR615路由器，希望將其配置為vpn客戶端，連接云服務器的vpn服務端
工程師遠程連接云服務器對IR615進行管理
在IR615中可以選用哪種vpn協議？如何進行配置？
服務端搭建需要做哪些兼容配置？
2025-08-06 07:21:22
IR615使用VPN連到云平臺，最近發現4G流量使用激增，估計其它設備在蹭網，怎么設置一下防止其它設備通過路由器訪問外網，多謝
2025-08-06 06:31:10
近日，派恩杰半導體正式發布基于第四代平面柵工藝的SiC MOSFET系列產品。該系列在750V電壓平臺下，5mm × 5mm芯片尺寸產品的導通電阻RDS(on)最低可達7mΩ，達到國際領先水平。相比
2025-08-05 15:19:011208 
IR611如何恢復出廠設置，斷電按住RESET按鍵上電，也不行，還有別的方法恢復出廠設置嗎？謝謝
2025-08-05 07:12:28
基本半導體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，該系列產品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術，在比導通電阻、開關損耗、可靠性等方面表現更出色。
2025-08-01 10:25:141293 
電子發燒友網綜合報道 200V低壓MOSFET數據中心電源、BLDC電機驅動、新能源等領域應用廣泛，在低壓領域MOSFET，SGT MOSFET由于其性能優勢，正在獲得快速增長，逐步取代傳統
2025-07-12 00:15:003191 圣邦微電子推出 SGMNL12330，一款 30V、TDFN 封裝、單 N 溝道功率 MOSFET。該器件可應用于 PWM 應用、電源負載開關、電池管理和無線充電器。
2025-07-10 17:21:522287 
本文闡述了汽車電子架構從分布式向集中化演進的趨勢，黑芝麻智能分析了集中化帶來的安全隔離、實時性等關鍵挑戰，并指出車用虛擬化技術是實現域控融合的核心解決方案。該技術能夠優化資源分配、保障功能安全，從而有效推動汽車的智能化變革。
2025-07-05 16:14:251149 砹德曼半導體MOSFET代理
PC主板應用 重點推薦MOSFET 規格
◆DCDC用MOSFET
AD30N25D3: 30V/N/PDFN3*3/14.5mohm Typ.(VGS=10V
2025-07-04 11:37:54
羅德與施瓦茨（以下簡稱“R&S”）推出全新R&S UDS數字萬用表系列。該緊湊型儀器系列可同步顯示三項測量結果，配備多樣化測量功能及多種遠程控制接口。產品提供5?位和6?位兩種分辨率
2025-07-03 18:18:341406 面對工業電源、BLDC電機驅動、新能源轉換系統對功率密度的極致追求，我們正式推出200V MOSFET Gen2.0全系列解決方案。賦能設備向小型化、高頻化、高可靠進化!
2025-07-03 18:03:351094 
納芯微推出車規級雙向電流檢測放大器NSCSA240-Q1系列，針對汽車高壓PWM系統提供高可靠電流監測方案。該系列具備抗瞬態干擾、高精度和靈活適配性，滿足AEC-Q100標準，適用于EPS、電機驅動等場景，助力提升汽車電子系統的性能與安全性。
2025-06-27 16:40:34546 
揚杰科技最新推出了一系列用于清潔能源的N60V MOSFET產品，產品采用特殊優化的SGT技術，具有較低的導通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導通和開關損耗，同時提升了MOSFET抗沖擊電流能力，非常適合應用于高功率密度和高效率電力電子變換系統。
2025-06-27 09:43:531352 
今日，南芯科技（證券代碼：688484）宣布推出車規級升降壓轉換器 SC8748Q/SC8749Q，以及高邊開關 SC71420Q/SC71440Q，為 ADAS 系統提供從 ECU 到攝像頭模塊
2025-06-17 11:27:491429 
在數據中心、工業自動化及新能源領域，MOSFET的導通損耗與動態響應直接影響系統能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，結合屏蔽柵技術，突破傳統性能瓶頸。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低導通電阻與300A持續電流能力，在高功率應用領域持續輸出。
2025-06-11 09:37:31754 
作為國內MOSFET功率器件研發的先行者之一，新潔能始終致力于功率半導體核心技術的突破，其研發團隊持續創新，正式推出第三代SGT產品Gen.3 SGT MOSFET，電壓涵蓋25-150V系列
2025-06-11 08:59:592500 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C
2025-05-22 14:51:22901 
在服務器電源、工業驅動及新能源領域，MOSFET的性能直接決定系統的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求，MDD辰達半導體推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q(30V N溝道增強型MOS)憑借3.5mΩ低導通電阻與屏蔽柵優化技術，為同步整流、電機驅動等場景提供高效解決方案。
2025-05-21 14:04:381100 
，聞泰科技半導體業務近期推出領先行業的D2PAK-7封裝車規級1200V SiC MOSFET，為電動汽車行業注入強勁新動能。
2025-05-14 17:55:021060 領導制造供貨商，推出兩款符合 AEC-Q200 標準全新車規級 BVRA 多層壓敏電阻系列產品。Bourns 針對當今日益精密的汽車電路，專門設計全新的?BVRA1210 與 BVRA1812? 系列
2025-05-14 14:00:051618 
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia（安世半導體）近日宣布推出一系列高效耐用的車規級碳化硅(SiC) MOSFET，其RDS(on)值分別為30、40和60 mΩ。這些器件
2025-05-09 19:42:5351531 圣邦微電子推出 SGMNQ36430，一款 30V 單 N 溝道功率 MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。該器件可應用于 CPU 電源傳輸、DC/DC 轉換器、功率負載開關以及筆記本電池管理等領域。
2025-05-09 16:57:26971 
近日，基本半導體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，產品性能進一步提升，封裝形式更加豐富。首發規格包括面向車用主驅等領域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，面向光伏、儲能等
2025-05-09 11:45:401018 
近日，Nexperia宣布推出一系列高效且堅固的汽車級碳化硅(金屬氧化物半導體場效應晶體管，SiCMOSFET)，這些新產品在RDS(on)額定值方面分別為30、40和60mΩ。這些產品在性能指標
2025-05-08 11:09:50620 
（Gen3）1200V aSiC MOSFET系列產品，旨在為蓬勃發展的工業電源應用市場提供更高能效解決方案。與AOS上一代產品相比，該系列產品在高負載條件下能夠保持較低導通損耗的同時，其開關品質因數
2025-05-07 10:56:10728 
MOSFET是一種常見的電壓型控制器件，具有開關速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅動功率小、動態范圍大、安全工作區域(SOA)寬等一系列的優點，因此被廣泛的應用于開關電源、電機控制、電動工具等
2025-05-06 17:13:58
南芯科技（證券代碼：688484）宣布推出車規級高速 CAN/CAN FD 收發器 SC25042Q，適用于 12V 和 24V 汽車系統，可直接連接 3V-5V 的微控制器，支持高達 5Mbit
2025-04-30 14:10:342173 
電子發燒友網綜合報道 近日英飛凌推出全球首款集成SBD（肖特基二極管）的工業用GaN晶體管產品系列CoolGaN G5，該產品系列通過減少不必要的死區損耗提高功率系統的性能，進一步提升整體系統效率
2025-04-28 00:19:003055 
一、主要失效原因分類MOSFET 失效可分為外部應力損傷、電路設計缺陷、制造工藝缺陷三大類，具體表現如下：1. 外部應力損傷（1）靜電放電（ESD）擊穿· 成因· MOSFET 柵源極（G-S）間
2025-04-23 14:49:27
伍爾特電子（Würth Elektronik）推出“REDCUBE PRESS-FIT for Automotive”全新車用壓接連接器系列，專為汽車應用優化了螺紋連接技術。這些堅固耐用的元件可承載高達 250 A 的電流，并按照嚴格的質量標準制造。
2025-04-02 10:26:56863 揚杰科技于2024年推出了一系列用于汽車電子的N60V SGT MOSFET，產品采用特殊優化的SGT技術，具有較低的導通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導通和開關損耗，可以支持更高頻率與動態響應。
2025-04-01 10:39:531036 
VishayIntertechnology,Inc.近日宣布推出其最新的電源半導體技術創新——第4.5代650VE系列電源MOSFET，型號為SiHK050N65E。該產品的推出旨在提升電信、工業
2025-03-27 11:49:46945 
飛兆半導體的IGBT器件FGP20N6S2 （屬于SMPS2系列）和MOSFET器件 FCP11N60（屬于SuperFET 產品族）。這些產品具有相近的芯片尺寸和相同的熱阻抗RθJC，代表了功率
2025-03-25 13:43:17
)與電源轉換技術來提高電源轉換效率之外，新式功率器件在高效能轉換器中所扮演的重要角色，亦不容忽視。其中，Power MOSFET 目前已廣泛應用于各種電源轉換器中。本文將簡述Power MOSFET 的特性
2025-03-24 15:03:44
隨著交通運輸行業的快速發展，以及《車載事故緊急呼叫系統》國家標準的頒布，對車輛安全管理的規范性需求顯著提升。博實結依托北斗導航、物聯網與云計算技術，推出車載智能安全解決方案，通過實時定位+車況監測+緊急救援三位一體能力，為個人車主、企業車隊及行業管理者提供全鏈路安全管理服務。
2025-03-21 11:05:231085 Nexperia（安世半導體）正式推出一系列性能高效、穩定可靠的工業級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
2025-03-21 10:11:001232 近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET，專為滿足工業應用中的高效能和耐用性需求而設計。這些新產品不僅具備卓越的溫度穩定性，還采用了先進的表面貼裝(SMD
2025-03-20 11:18:11963 
隨著汽車電動化、智能化、網聯化趨勢的深化，車規級芯片需求呈現爆發式增長。作為全球汽車半導體龍頭，聞泰科技半導體業務近期推出了一系列符合 AEC-Q100 標準的車規級超低靜態電流通用低壓差（LDO
2025-03-18 14:15:501053 在智能汽車與新能源浪潮下，申矽凌推出車規級溫濕度傳感器芯片CHT8325-Q，以國產自主創新技術重新定義汽車環境感知標準，為座艙舒適、電池安全與智能駕駛提供可靠保障。
2025-03-11 16:43:392042 英飛凌(Infineon)近日宣布，擴大其輻射耐受功率MOSFET系列，新增P溝道功率MOSFET，以滿足日益增長的低地球軌道(LEO)空間應用需求。這一新產品的推出，標志著英飛凌在為新一代“新空間
2025-03-11 11:39:53736 
使用以下命令將 ONNX* 模型轉換為 IR：mo --input_model model.onnx
該模型無法轉換為 IR v10，而是轉換為 IR v11。
2025-03-06 06:32:59
執行 Raspberry Pi 4 OpenVINO?工具套件示例來自RPI4_NCS2并遇到以下錯誤：
DeprecationWarning：InferRequest 的“輸出”屬性被棄用。相反
2025-03-05 09:04:11
隨著市場對高性能功率半導體器件寬SOA MOSFET需求的日益增長，新潔能（NCE）產品研發部門推出HO系列MOSFET產品，優化了SOA工作區間，可滿足熱插拔、緩啟動、電子保險絲、電機驅動、BMS
2025-03-04 14:40:341237 
近日，卡特彼勒推出Cat（卡特）G3500K系列燃氣發電機組，以提供可靠、快速響應且高效的電力解決方案。該系列燃氣發電機組適用于高要求的工作環境，并為多種應用而設計，包括主用和持續功率。Cat
2025-03-03 16:09:041317 在科技飛速發展的當下，汽車行業的智能化與電氣化進程不斷加速，對半導體技術的需求也日益增長。聞泰科技半導體業務近日宣布了一項重大創新——推出了一系列采用微型車規級 MicroPak XSON5 無引腳
2025-02-27 18:10:361120 米勒平臺的時間t3為：
t3也可以用下面公式計算：
注意到了米勒平臺后，漏極電流達到系統最大電流ID，就保持在電路決定的恒定最大值ID，漏極電壓開始下降，MOSFET固有的轉移特性使柵極電壓和漏
2025-02-26 14:41:53
公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴展其CoolSiC MOSFET 650 V單管產品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產品系列。 CoolSiC MOSFET
2025-02-21 16:38:52758 
DIA58104/8是帝奧微最新推出的多通道半橋預驅系列，采用7mm x 7mm的QFN封裝，可控制多達8個半橋（最多16個n溝道MOSFET），為系統提供簡單、緊湊且具成本效益的驅動方案。其目標應用包括汽車直流電機，例如電動座椅模塊、尾門模塊和車身系統電動閉合模塊等。
2025-02-17 10:20:091492 
中微愛芯推出四款CBTLVD系列模擬開關。
2025-02-12 14:21:301117 
納芯微正式推出具有隔離模擬采樣功能的智能隔離驅動 NSI67X0 系列，該系列適用于驅動 SiC、IGBT 和 MOSFET 等功率器件，兼具車規等級（滿足 AEC-Q100 標準）和工規等級，可廣泛適用于新能源汽車、空調、電源、光伏等應用場景。
2025-01-24 15:44:06867 
近日，全球碳化硅（SiC）功率半導體領域的知名制造商SemiQ，正式推出了一款專為中壓大功率轉換應用而設計的1700V SiC MOSFET系列新品。此次發布的QSiC? 1700V高速平面
2025-01-23 15:46:58994 全球領先的半導體解決方案提供商瑞薩電子，近日宣布了一項重要技術創新——基于其全新的MOSFET晶圓制造工藝REXFET-1，成功推出了兩款100V大功率N溝道MOSFET：RBA300N10EANS
2025-01-22 17:04:06991 近日，全球知名碳化硅(SiC)功率半導體制造商SemiQ正式發布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品，專為中壓大功率轉換應用設計。
2025-01-22 11:03:221221 
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
意法半導體推出了標準閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產品兼備強化版溝槽柵技術的優勢和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應用場景。
2025-01-16 13:28:271021 近日，“中國卓越IR年度評選”結果在“2025上市公司投資者關系創新峰會暨第八屆中國卓越IR頒獎盛典”上隆重揭曉。成都華微電子科技股份有限公司（以下簡稱“成都華微”）在該評選中榮膺“最佳年度新銳公司”。
2025-01-15 14:41:28866 近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產品專為電機控制、電池管理系統、電源管理及充電應用而設計，以其卓越的高電流開關性能和行業領先的技術表現成為市場焦點。新型
2025-01-13 11:41:38957 
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