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電子發燒友網>電源/新能源>功率器件>IR推出 AUIRF8736M2 車用DirectFET2功率 MOSFET

IR推出 AUIRF8736M2 車用DirectFET2功率 MOSFET

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2014-12-11 11:48:093378

AW8736FCR_產品手冊

AW8736FCR_產品手冊。
2016-03-28 14:39:0717

感測器結合IR LED與CMOS攝影技術,提高駕駛安全性

為了提高駕駛的舒適度與安全性,現今各種高科技紛紛應用在車市場,導致晶片、感測器市場成長快速,歐司朗光電半導體市場經理Walter Rothmund表示,由于光探測器(photodetector )與IR LED的感測技術發展,讓駕駛與路上行人的安全更有保障。
2017-12-18 14:17:594773

大電流功率電感器CSBL0630-2R2M數據手冊

大電流功率電感器CSBL0630-2R2M數據手冊
2021-07-01 11:02:248

大電流功率電感器CSBL0640-2R2M數據手冊

大電流功率電感器CSBL0640-2R2M數據手冊
2021-07-05 10:55:3613

P溝道增強型功率MOSFET LT2P06SJ資料說明

P溝道增強型功率MOSFET LT2P06SJ資料說明
2022-01-23 09:40:113

英飛凌推出采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25V和30V功率MOSFET,樹立技術新標準

英飛凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產品系列,旨在為分立功率MOSFET技術樹立全新的行業標準。
2022-03-14 17:39:162199

LFPAK中的N溝道 30 V2mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R0-30YLE

LFPAK 中的 N 溝道 30 V 2 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R0-30YLE
2023-02-16 20:02:440

I2PAK中的N溝道 40V,2.1 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN2R2-40PS

I2PAK 中的 N 溝道 40 V、2.1 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN2R2-40PS
2023-02-23 18:38:430

英飛凌推出先進的OptiMOS?功率MOSFET,進一步擴大采用PQFN 2x2 mm2封裝的MOSFET器件的產品陣容

全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優化了用于高性能設計的成熟OptiMOS技術。新產品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝,具備先進的硅技術、穩定可靠的封裝與極低的熱阻(RthJC最大值為3.2 K/W)。
2023-10-13 16:25:121705

Littelfuse推出首款汽車級PolarP P通道功率MOSFET產品IXTY2P50PA

Littelfuse宣布推出首款汽車級PolarP P通道功率MOSFET產品 IXTY2P50PA。這個創新的產品設計能滿足汽車應用的嚴苛要求,提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:251341

規級功率模塊封裝的現狀,SiC MOSFET對器件封裝的技術需求

1、SiC MOSFET對器件封裝的技術需求 2規級功率模塊封裝的現狀 3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝 4、未來模塊封裝發展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:522610

英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSi MOSFET G2

在電力電子領域持續創新的英飛凌科技股份公司近日宣布,其已成功推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創新技術的推出,標志著功率系統和能量轉換領域迎來了新的里程碑,為行業的低碳化進程注入了強大動力。
2024-03-12 09:43:291432

TLC696x2/4/8-Q1掃描MOSFET控制器TLC696x0-Q1數據表

電子發燒友網站提供《TLC696x2/4/8-Q1掃描MOSFET控制器TLC696x0-Q1數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-26 10:13:530

CSD17318Q2 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET技術手冊

這款 30V、12.6mΩ、2mm × 2mm SON NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉換應用中的損耗,并針對 5V 柵極驅動應用進行了優化。2mm × 2mm SON 為封裝尺寸提供出色的熱性能。
2025-04-15 17:08:38701

?STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA SiC功率模塊技術解析

電源模塊集成了六個第二代碳化矽功率MOSFET。憑借其廣受業界認可的尖端芯片技術,STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA能夠最大限度地減少能量損失,并在高頻切換頻率模式下運行。該模塊使得用戶可以構建滿足超大功率密度于高效率要求的復雜拓撲結構。
2025-10-15 09:44:08496

解析 onsemi SiC 功率MOSFET模塊NVXK2PR80WXT2

作為一名電子工程師,在為電動汽車(xEV)應用設計 DC - DC 轉換器和車載充電器時,合適的功率 MOSFET 模塊至關重要。今天就為大家詳細解析 onsemi 的 SiC 功率 MOSFET 模塊 NVXK2PR80WXT2
2025-12-03 16:13:24633

探索IMYR140R008M2H CoolSiC? 1400 V SiC MOSFET G2:高性能與多功能的完美結合

探索IMYR140R008M2H CoolSiC? 1400 V SiC MOSFET G2:高性能與多功能的完美結合 在電子工程領域,功率半導體器件的性能直接影響著整個系統的效率和可靠性。今天
2025-12-18 13:50:02215

2ED1322S12M/2ED1321S12M:1200V半橋柵極驅動器的卓越之選

2ED1322S12M/2ED1321S12M:1200V半橋柵極驅動器的卓越之選 在電力電子領域,對于IGBT或SiC MOSFET功率器件的高效控制一直是工程師們關注的焦點。今天,我們就來
2025-12-20 11:30:021309

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