車規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀，SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求

1、SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求；2、車規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀；3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝；4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢(shì)及看法

編輯：黃飛

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MOSFET(230975) MOSFET(230975)
封裝技術(shù)(69202) 封裝技術(shù)(69202)
SiC(68650) SiC(68650)
功率模塊(46728) 功率模塊(46728)

評(píng)論

三菱電機(jī)SiC MOSFET在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用（2）

隨著市場(chǎng)需求的不斷增長(zhǎng)，SiC MOSFET在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用日益廣泛，已經(jīng)成為推動(dòng)電動(dòng)汽車電氣化和高效能的重要技術(shù)之一。上一篇我們介紹了三菱電機(jī)SiC MOSFET模塊的芯片、封裝和短路保護(hù)技術(shù)，本章節(jié)主要介紹三菱電機(jī)車規(guī)級(jí)SiC MOSFET產(chǎn)品，包括模塊及芯片。

2025-08-08 16:14:21

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SiC功率模塊封裝技術(shù)及展望

SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求，對(duì)功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結(jié)了近年來封裝形式的結(jié)構(gòu)優(yōu)化和技術(shù)創(chuàng)新，包括鍵合式功率模塊的金屬鍵合線長(zhǎng)度、寬度和并聯(lián)

2023-01-07 10:24:37

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碳化硅功率器件封裝技術(shù)解析

碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些優(yōu)勢(shì)性能則給封裝技術(shù)帶來了新的挑戰(zhàn)：傳統(tǒng)封裝雜

2023-09-24 10:42:40

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意法半導(dǎo)體車規(guī)雙列直插碳化硅功率模塊提供多功能封裝配置

充電機(jī)(OBC)、 DC/DC直流變壓器、油液泵、空調(diào)等汽車系統(tǒng)，產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)包括高功率密度、設(shè)計(jì)高度緊湊和裝配簡(jiǎn)易等，提供四管全橋、三相六管全橋和圖騰柱三種封裝配置，增強(qiáng)了系統(tǒng)設(shè)計(jì)靈活性。 ? 新模塊內(nèi)置1200V SiC功率開關(guān)管，意法半導(dǎo)體第二代和第三代 SiC MOSFET先進(jìn)技術(shù)確保碳化硅開關(guān)管具有

2023-10-31 15:37:59

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AOS推出采用 TOLL 封裝技術(shù)的80V 和 100V 車規(guī)級(jí)MOSFET

應(yīng)用的80V 和 100V MOSFET，這兩款車規(guī)級(jí)器件是TO-Leadless (TOLL) 封裝。AOS TOLL 封裝旨在優(yōu)化功率半導(dǎo)體器件成為電動(dòng)汽車發(fā)展中的重要組件，尤其是在兩輪和三輪及其

2023-12-14 16:55:24

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多款產(chǎn)品通過車規(guī)認(rèn)證，國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET加速上車

潮，令800V平臺(tái)、SiC電驅(qū)開始打進(jìn)20萬內(nèi)的市場(chǎng)，SiC也進(jìn)一步能夠加速在市場(chǎng)上普及。 ? 最近兩家國(guó)內(nèi)廠商又有多款SiC MOSFET產(chǎn)品通過了車規(guī)級(jí)認(rèn)證，這將繼續(xù)推動(dòng)SiC功率器件量產(chǎn)上車。 ? 瞻芯電子 ? 瞻芯電子3月8日宣布，由公司開發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)

2024-03-13 01:17:00

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SiC-MOSFET功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較

SiC-DMOS的特性現(xiàn)狀是用橢圓圍起來的范圍。通過未來的發(fā)展，性能有望進(jìn)一步提升。從下一篇開始，將單獨(dú)介紹與SiC-MOSFET的比較。關(guān)鍵要點(diǎn):?功率晶體管的特征因材料和結(jié)構(gòu)而異。?在特性方面各有優(yōu)缺點(diǎn)，但SiC-MOSFET在整體上具有優(yōu)異的特性。＜相關(guān)產(chǎn)品信息＞MOSFETSiC-DMOS

2018-11-30 11:35:30

SiC-MOSFET器件結(jié)構(gòu)和特征

另一方面，按照現(xiàn)在的技術(shù)水平，SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高。　　因此，越高的門極電壓，可以得到越低的導(dǎo)通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）。　　如果

2023-02-07 16:40:49

SiC-MOSFET有什么優(yōu)點(diǎn)

，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積小（可實(shí)現(xiàn)小型封裝），而且體

2019-04-09 04:58:00

SiC MOSFET的器件演變與技術(shù)優(yōu)勢(shì)

一樣，商用SiC功率器件的發(fā)展走過了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發(fā)展置于背景中，并且 - 以及器件技術(shù)進(jìn)步的簡(jiǎn)要?dú)v史 - 展示其技術(shù)優(yōu)勢(shì)及其未來的商業(yè)前景。　　碳化硅或碳化硅的歷史

2023-02-27 13:48:12

SiC MOSFET：經(jīng)濟(jì)高效且可靠的高功率解決方案

家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關(guān);性能和可靠性

2019-07-30 15:15:17

SiC功率器件SiC-MOSFET的特點(diǎn)

2019-05-07 06:21:55

SiC功率器件概述

1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾

2019-05-06 09:15:52

SiC功率器件的封裝技術(shù)研究

不具備足夠的堅(jiān)固性。當(dāng)前對(duì)大功率、高溫器件封裝技術(shù)的大量需求引起了對(duì)這一領(lǐng)域的研發(fā)熱潮。　　SiC器件的封裝襯底必須便于處理固態(tài)銅厚膜導(dǎo)電層，且具有高熱導(dǎo)率和低熱膨脹系數(shù)，從而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到襯底上

2018-09-11 16:12:04

SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點(diǎn)

前面對(duì)SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對(duì)SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)

2018-11-29 14:35:23

車規(guī)級(jí)GPS模塊有哪些特征？

車規(guī)級(jí)GPS模塊有哪些特征？

2021-05-18 06:54:02

車規(guī)級(jí)的器件選型

`各位今天聊聊車規(guī)級(jí)的芯片選型。如果需要的芯片沒有車規(guī)級(jí)別的，但又工業(yè)級(jí)別的。從穩(wěn)定性，可靠性方面考慮，應(yīng)該要層元器件的那些特性為主要的考慮因素呢，是溫度？`

2015-10-15 14:22:18

車用SiC元件討論

個(gè)月的研發(fā)合作。本文將討論本專案中與車用電子的相關(guān)內(nèi)容，并聚焦在有關(guān)SiC技術(shù)和封裝的創(chuàng)新。WInSiC4AP聯(lián)盟由來自4個(gè)歐盟國(guó)家（意大利、法國(guó)、德國(guó)和捷克共和國(guó)）的20個(gè)合作伙伴組成，包括大型企業(yè)

2019-06-27 04:20:26

CAB450M12XM3工業(yè)級(jí)SiC半橋功率模塊CREE

CAB450M12XM3工業(yè)級(jí)SiC半橋功率模塊CREE CAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE）精心打造的一款工業(yè)級(jí)全碳化硅（SiC）半橋功率模塊，專為高功率密度、極端高溫環(huán)境

2025-03-17 09:59:21

CYNTEC車規(guī)級(jí)功率電感VCGA052T：高性能替代Eaton SDCHA1V50

在汽車電子領(lǐng)域?qū)Ω呖煽啃栽?b class="flag-6" style="color: red">需求日益增長(zhǎng)的背景下，CYNTEC推出的車規(guī)級(jí)功率電感VCGA052T憑借卓越性能成為Eaton SDCHA1V50的理想替代方案。VCGA052T電感采用創(chuàng)新磁芯材料

2025-11-05 13:59:25

GW1NZ系列車規(guī)級(jí)FPGA產(chǎn)品封裝與管腳手冊(cè)

GW1NZ系列車規(guī)級(jí)FPGA產(chǎn)品封裝與管腳手冊(cè)主要包括高云半導(dǎo)體GW1NZ系列FPGA產(chǎn)品（車規(guī)級(jí)）的封裝介紹、管腳定義說明、管腳數(shù)目列表、管腳分布示意圖以及封裝尺寸圖。

2022-09-28 11:05:08

MEMS器件的封裝級(jí)設(shè)計(jì)

MEMS器件有時(shí)也采用晶圓級(jí)封裝，并用保護(hù)帽把MEMS密封起來，實(shí)現(xiàn)與外部環(huán)境的隔離或在下次封裝前對(duì)MEMS器件提供移動(dòng)保護(hù)。這項(xiàng)技術(shù)常常用于慣性芯片的封裝，如陀螺儀和加速度計(jì)。這樣的封裝步驟是在MEMS

2010-12-29 15:44:12

Microsem美高森美用于SiC MOSFET技術(shù)的極低電感SP6LI封裝

) MOSFET功率模塊的極低電感封裝這款全新封裝專為用于公司SP6LI 產(chǎn)品系列而開發(fā)，經(jīng)設(shè)計(jì)提供適用于SiC MOSFET技術(shù)的2.9 nH雜散電感，同時(shí)實(shí)現(xiàn)高電流、高開關(guān)頻率以及高效率。美高森美將在德國(guó)

2018-10-23 16:22:24

PQFN封裝技術(shù)提高性能

標(biāo)準(zhǔn)(與線性電源相比具有更好的功率密度和效率)，組件設(shè)計(jì)人員設(shè)法通過芯片級(jí)創(chuàng)新和改進(jìn)封裝來不斷提升功率MOSFET的導(dǎo)通和開關(guān)性能。芯片的不斷更新?lián)Q代使得在導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和影響開關(guān)性能

2018-09-12 15:14:20

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

技術(shù)領(lǐng)域都擁有強(qiáng)大的優(yōu)勢(shì)，雙方保持著技術(shù)交流并建立了合作關(guān)系。今后，通過將ROHM的SiC功率元器件和控制技術(shù)與Apex Microtechnology的模塊技術(shù)完美結(jié)合，雙方將能夠提供滿足市場(chǎng)需求的出色的功率系統(tǒng)解決方案，從而持續(xù)為工業(yè)設(shè)備的效率提升做出貢獻(xiàn)。

2023-03-29 15:06:13

SiLM27531HAC-7G車規(guī)級(jí)單通道 30V, 5A/5A 高欠壓保護(hù)閾值的高速低邊門極驅(qū)動(dòng)解析

的 VDD 供電，輕松滿足20V+驅(qū)動(dòng)需求（如IGBT、SiC）。UVLO閾值13.5V~30V，適配高驅(qū)動(dòng)電壓應(yīng)用。卓越魯棒性與可靠性：車規(guī)級(jí)認(rèn)證：符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，滿足汽車電子

2025-08-09 09:18:36

SiLM27531H面向?qū)捊麕?b class="flag-6" style="color: red">器件的高性能車規(guī)級(jí)低邊驅(qū)動(dòng)器

在高效開關(guān)電源、車載充電機(jī)等應(yīng)用中，驅(qū)動(dòng)電路的性能直接影響著GaN、SiC等新一代功率器件的潛力發(fā)揮。為滿足高頻、高壓驅(qū)動(dòng)的嚴(yán)苛要求，SiLM27531H——一款通過車規(guī)認(rèn)證的單通道低邊門極驅(qū)動(dòng)器

2025-12-26 08:20:58

為何使用 SiC MOSFET

要充分認(rèn)識(shí) SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進(jìn)行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷

2017-12-18 13:58:36

了解一下SiC器件的未來需求

Tesla的SiC MOSFET只用在主驅(qū)逆變器電力模塊上，共24顆，拆開封裝每顆有2個(gè)SiC裸晶(Die)所以共48顆SiC MOSFET。除此之外，其他包括OBC、一輛車附2個(gè)一般充電器、快充電樁等，都可以放上SiC，只是SiC久缺而未快速導(dǎo)入。不過，市場(chǎng)估算，循續(xù)漸進(jìn)采用SiC后，平均2輛Te.

2021-09-15 07:42:00

什么是車規(guī)級(jí)芯片

`　　誰來闡述一下什么是車規(guī)級(jí)芯片？`

2019-10-18 10:55:55

全SiC功率模塊介紹

從本文開始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC

2018-11-27 16:38:04

全SiC功率模塊的開關(guān)損耗

SiC-MOSFET的量產(chǎn)。SiC功率模塊已經(jīng)采用了這種溝槽結(jié)構(gòu)的MOSFET，使開關(guān)損耗在以往SiC功率模塊的基礎(chǔ)上進(jìn)一步得以降低。右圖是基于技術(shù)規(guī)格書的規(guī)格值，對(duì)1200V/180A的IGBT模塊、采用第二代

2018-11-27 16:37:30

分立器件封裝技術(shù)及產(chǎn)品的主要發(fā)展?fàn)顩r

和雙極型功率晶體管的特點(diǎn)，現(xiàn)已開發(fā)出第5代技術(shù)的產(chǎn)品，在600V以上中等電壓范圍內(nèi)成為主流功率器件，從模塊化封裝轉(zhuǎn)向分立單管封裝，做成塑封器件，應(yīng)用于空調(diào)器、洗衣機(jī)、微波爐、電飯煲、電磁灶等白色家電中

2018-08-29 10:20:50

基于EDT2技術(shù)及EasyPACK? 2B半橋封裝的功率模塊

英飛凌科技股份公司于近日推出了一款車規(guī)級(jí)基于EDT2技術(shù)及EasyPACK? 2B半橋封裝的功率模塊，這款模塊具有更高的靈活性及可擴(kuò)展性。根據(jù)逆變器的具體條件，這款750V的模塊最大可以支撐50kW

2021-11-29 07:42:30

歸納碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)

摘要：碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些優(yōu)勢(shì)性能則給封裝技術(shù)帶來了新的挑戰(zhàn)

2023-02-22 16:06:08

搭載SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊

2019-03-12 03:43:18

有知道國(guó)內(nèi)生產(chǎn)車規(guī)級(jí)器件的嗎？求大神

求可靠的生產(chǎn)廠家，車規(guī)級(jí)器件。求推薦

2017-05-12 10:21:28

淺析SiC-MOSFET

，一直被視為“理想器件”而備受期待。然而，相對(duì)以往的Si材質(zhì)器件，SiC功率器件在性能與成本間的平衡以及其對(duì)高工藝的需求，將成為SiC功率器件能否真正普及的關(guān)鍵。近年來，隨著國(guó)內(nèi)多品牌的進(jìn)入，SiC技術(shù)

2019-09-17 09:05:05

深度解析車規(guī)級(jí)低邊單通道門極驅(qū)動(dòng)SiLM27531H

、變頻器中的隔離或非隔離驅(qū)動(dòng)電路。總結(jié)在功率半導(dǎo)體技術(shù)快速迭代向GaN、SiC演進(jìn)的時(shí)代，門極驅(qū)動(dòng)器的性能已成為決定系統(tǒng)天花板的關(guān)鍵一環(huán)。SiLM27531H以其車規(guī)級(jí)的可靠性、對(duì)標(biāo)先進(jìn)功率器件的超高速

2025-12-12 08:39:51

深愛半導(dǎo)體代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能單相IPM模塊

深愛半導(dǎo)體推出新品IPM模塊 IPM（Intelligent Power Module，智能功率模塊）是集成了功率器件、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)功能的“系統(tǒng)級(jí)”功率半導(dǎo)體方案。其高度集成方案可縮減 PCB

2025-07-23 14:36:03

滿足供電需求的新型封裝技術(shù)和MOSFET

` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 編輯在小尺寸器件中驅(qū)動(dòng)更高功率得益于半導(dǎo)體和封裝技術(shù)的進(jìn)步。一種采用頂部散熱標(biāo)準(zhǔn)封裝形式的新型功率MOSFET就使用了新一代

2012-12-06 14:32:55

羅姆成功實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝

方面的所有課題。而且，與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，單位面積的導(dǎo)通電阻降低了約30％，實(shí)現(xiàn)了芯片尺寸的小型化。另外，通過獨(dú)創(chuàng)的安裝技術(shù)，還成功將傳統(tǒng)上需要外置的SiC-SBD一體化封裝，使SiC-MOSFET的體

2019-03-18 23:16:12

采用第3代SiC-MOSFET，不斷擴(kuò)充產(chǎn)品陣容

%。這非常有望進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)應(yīng)用的高效化和小型化。全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容擴(kuò)充下表為全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容現(xiàn)狀。除BSM180D12P3C007外，采用第2代SiC-MOSFET的產(chǎn)品陣容中也增添了

2018-12-04 10:11:50

SiC功率器件的封裝技術(shù)要點(diǎn)

SiC功率器件的封裝技術(shù)要點(diǎn) 　　具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與S

2009-11-19 08:48:43

2711

晶片級(jí)封裝技術(shù)應(yīng)用手冊(cè)

國(guó)際整流器公司的晶片級(jí)封裝(Wafer Level Package)器件將最近的芯片設(shè)計(jì)與最新的封裝技術(shù)結(jié)合使具有最可能小的體積。首先使用WLP 技術(shù)的產(chǎn)品是HEXFET 功率MOSFET 器件的FlipFET 系列，F(xiàn)lipFET

2011-05-19 18:18:46

滿足供電需求的新型封裝技術(shù)和MOSFET

滿足供電需求的新型封裝技術(shù)和MOSFET

2012-08-29 14:52:06

1021

SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場(chǎng)前景

本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場(chǎng)前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。

2018-05-28 15:33:54

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中科同志獲2021年中國(guó)國(guó)際車規(guī)級(jí)功率器件封裝優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商獎(jiǎng)

2021年11月4日-5日舉辦的2021年中國(guó)國(guó)際車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體年會(huì)上,中科同志獲得2021年度中國(guó)國(guó)際車規(guī)級(jí)功率器件封裝服務(wù)類年度優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商獎(jiǎng)。由旺材新媒體和中國(guó)國(guó)際車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體組委會(huì)共同

2021-11-10 09:18:31

5184

派恩杰SiC MOSFET批量“上車”，擬建車用SiC模塊封裝產(chǎn)線

自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應(yīng)用落地。

2021-12-08 15:55:51

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安森美推出采用TOLL封裝的SiC MOSFET

晶體管滿足了對(duì)適合高功率密度設(shè)計(jì)的高性能開關(guān)器件迅速增長(zhǎng)的需求。直到最近，SiC器件一直采用明顯需要更大空間的D2PAK 7引腳封裝。

2022-05-11 11:29:33

3578

瞻芯電子1200V大電流MOSFET獲車規(guī)級(jí)認(rèn)證

值得一提的是，這款TO247-4封裝的產(chǎn)品通過AEC-Q101認(rèn)證，同時(shí)表明1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET裸芯片，也滿足車規(guī)級(jí)可靠性標(biāo)準(zhǔn)。該晶圓正面還可以采用鎳鈀金，如下圖，支持雙面散熱封裝，可進(jìn)一步突破傳統(tǒng)單面封裝的功率密度極限。

2022-11-08 14:45:16

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SIC功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀！

近年來，SiC功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造工藝日趨完善，已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續(xù)完善來提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場(chǎng)前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。

2022-11-24 10:05:10

2964

“合作共贏·智行天下”華潤(rùn)微電子重磅發(fā)布車規(guī)級(jí)系列產(chǎn)品

。會(huì)議主要圍繞華潤(rùn)微電子在車規(guī)功率器件與模塊、車規(guī)工藝等方面的布局展開，其中在車規(guī)級(jí)功率器件技術(shù)及市場(chǎng)方面，公司針對(duì)車規(guī)級(jí)中低壓MOS、高壓超結(jié)MOS、IGBT以及SiC MOS單管與模塊等器件芯片制造、模組封裝、可靠性提升等關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行分享；發(fā)

2022-12-14 17:22:28

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低雜感模塊封裝內(nèi)部是如何設(shè)計(jì)的

大家好，我們都知道無論是**功率半導(dǎo)體模塊封裝設(shè)計(jì)**還是**功率變換器的母線**設(shè)計(jì)，工程師們都在力求 **雜散電感最小化** ，因?yàn)檫@樣可以有效減小器件的 **開關(guān)振蕩及過壓風(fēng)險(xiǎn)** ，今天我們結(jié)合主流功率半導(dǎo)體廠商的SiC MOSFET模塊，聊一下低雜感模塊封裝內(nèi)部是如何設(shè)計(jì)的？

2023-01-21 15:45:00

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ST推出具超強(qiáng)散熱能力的車規(guī)級(jí)表貼功率器件封裝

? SMIT 封裝能夠簡(jiǎn)化組裝工序，提高模塊的功率密度。工程師有五款產(chǎn)品可選：兩個(gè) STPOWER 650V MOSFET半橋模塊、一個(gè) 600V超快二極管整流橋、一個(gè) 1200V 半橋全波整流模塊和一

2023-01-18 15:40:29

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搭載了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模塊介紹

ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。

2023-02-10 09:41:08

2522

SiC功率器件的封裝形式

SiC器件的封裝襯底必須便于處理固態(tài)銅厚膜導(dǎo)電層，且具有高熱導(dǎo)率和低熱膨脹系數(shù)，從而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到襯底上。SiN是一種極具吸引力的襯底，因?yàn)樗哂泻侠淼臒釋?dǎo)率（60W/m-K）和低熱膨脹系數(shù)（2.7ppm/℃），與SiC的熱膨脹系數(shù) （3.9ppm/℃）十分接近。

2023-02-16 14:05:57

4999

如何辨別車規(guī)級(jí)電子元器件

車用電子元器件，也稱為車規(guī)級(jí)電子元器件，它以國(guó)際汽車電子協(xié)會(huì)(Automotive Electronics Council，簡(jiǎn)稱AEC)作為車規(guī)驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)。其測(cè)試條件比消費(fèi)型類電子元器件更加

2023-02-23 11:24:49

4596

國(guó)產(chǎn)SIC MOSFET功率器件推出1200V大電流MOSFET獲得車規(guī)認(rèn)證

2022年11月，上海瞻芯電子開發(fā)的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通過了車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101)，該產(chǎn)品為TO247-4封裝，最大電流(Ids)可達(dá)111A。

2023-03-22 16:47:33

3850

全面詳解車規(guī)級(jí)芯片封裝技術(shù)

按功能種類劃分，車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體大致可分為主控/計(jì)算類芯片（MCU、CPU、FPGA、ASIC和AI芯片等）、功率半導(dǎo)體（IGBT和MOSFET）、傳感器（CIS、加速傳感器等）、無線通信及車載接口類芯片、車用存儲(chǔ)器等。

2023-04-08 11:24:22

4741

深度解析車規(guī)級(jí)芯片封裝技術(shù)

2023-04-18 11:52:03

1366

賽晶首款車規(guī)級(jí)SiC模塊進(jìn)入測(cè)試階段！

近日，賽晶首款車規(guī)級(jí)SiC模塊——HEEV封裝SiC模塊亮相德國(guó)紐倫堡電子展（PCIM Europe 2023)，引發(fā)國(guó)內(nèi)外與會(huì)專家、客戶的廣泛關(guān)注。HEEV封裝SiC模塊來自高效電動(dòng)汽車模塊平臺(tái)

2023-05-31 16:49:15

813

國(guó)產(chǎn)車規(guī)級(jí)功率電感廠家科普功率電感封裝不同能用嗎

國(guó)產(chǎn)車規(guī)級(jí)功率電感廠家科普功率電感封裝不同能用嗎編輯：谷景電子功率電感作為一款應(yīng)用非常廣泛的一種電感產(chǎn)品，大家在使用功率電感的時(shí)候會(huì)遇到很多問題。關(guān)于功率電感使用的問題我們已經(jīng)給大家分享了很多，本篇

2022-11-08 15:19:37

1184

淺談車規(guī)級(jí)功率模塊測(cè)試

，中車時(shí)代電氣，練就了多年各路英豪，在當(dāng)下車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域各顯其能，在一定程度上，我們想借用英飛凌Hybridpack模塊封裝形式，切入標(biāo)準(zhǔn)化電驅(qū)應(yīng)用領(lǐng)域

2023-01-17 09:28:02

2852

科普:車規(guī)級(jí)芯片封裝技術(shù)

貞光科技從車規(guī)微處理器MCU、功率器件、電源管理芯片、信號(hào)處理芯片、存儲(chǔ)芯片、二、三極管、光耦、晶振、阻容感等汽車電子元器件為客戶提供全產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)解決方案汽車芯片的基本概況車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體，又俗稱

2023-03-07 17:03:24

1748

車規(guī)級(jí)芯片封裝技術(shù)

2023-04-04 17:45:34

1623

SiC功率模塊封裝技術(shù)：探索高性能電子設(shè)備的核心競(jìng)爭(zhēng)力

隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，硅碳化物（SiC）功率模塊逐漸在各領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。SiC功率模塊具有優(yōu)越的電性能、熱性能和機(jī)械性能，為高性能電子設(shè)備提供了強(qiáng)大的支持。本文將重點(diǎn)介紹SiC功率模塊的封裝技術(shù)及其在實(shí)際應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。

2023-04-23 14:33:22

2623

瞻芯電子TO263-7封裝SiC MOSFET量產(chǎn)，助力高密高效功率變換

瞻芯電子正式量產(chǎn)了一款TO263-7封裝的1200V 160mΩ 碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品（IV1Q12160D7Z），該產(chǎn)品通過了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性測(cè)試認(rèn)證(AEC-Q101)。

2023-06-27 11:29:48

7870

TMC2023-車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體論壇劇透丨SiC在NEV中的創(chuàng)新型應(yīng)用

，電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)引入SiC模塊如何進(jìn)一步降低雜散電感，功率器件與模塊可靠性如何提升等。以上話題將在SiC在NEV中的創(chuàng)新型應(yīng)用版塊一一研討。 ? 第十五屆汽車動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)年會(huì)（TMC2023）暨第二屆車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體及應(yīng)用技術(shù)論壇將于7月13-14日在青島重磅推

2023-06-27 16:06:52

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車規(guī)級(jí)功率器件可靠性測(cè)試難點(diǎn)及應(yīng)用場(chǎng)景

車規(guī)級(jí)功率器件未來發(fā)展趨勢(shì) 材料方面: SiC和GaN是必然趨勢(shì)，GaAs在細(xì)分領(lǐng)域有可能 ●封裝方面:高功率密度、高可靠性和定制化 ●評(píng)測(cè)方面:多應(yīng)力綜合測(cè)試方法、新型結(jié)溫測(cè)試方法和技術(shù) ●進(jìn)展方面:國(guó)產(chǎn)在趕超進(jìn)口(參數(shù)和性能)，可靠性還需要時(shí)間沉淀

2023-07-04 10:48:05

1221

車規(guī)級(jí)IGBT功率模塊散熱基板技術(shù)

散熱基板是IGBT功率模塊的核心散熱功能結(jié)構(gòu)與通道，也是模塊中價(jià)值占比較高的重要部件，車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊散熱基板必須具備良好的熱傳導(dǎo)性能、與芯片和覆銅陶瓷基板等部件相匹配的熱膨脹系數(shù)、足夠的硬度和耐用性等特點(diǎn)。

2023-07-06 16:19:33

2261

SiC MOSFET器件技術(shù)現(xiàn)狀分析

對(duì)于SiC功率MOSFET技術(shù)，報(bào)告指出，650-1700V SiC MOSFET技術(shù)快速迭代，單芯片電流可達(dá)200A。提升電流密度同時(shí)，解決好特有可靠性問題是提高技術(shù)成熟度關(guān)鍵。

2023-08-08 11:05:57

1675

賽晶科技發(fā)布一種車規(guī)級(jí)HEEV封裝SiC模塊

賽晶科技表示，為電動(dòng)汽車應(yīng)用量身定做的HEEV封裝SiC模塊，導(dǎo)通阻抗低至1.8mΩ（@25℃），可用于高達(dá)250kW電驅(qū)系統(tǒng)，并滿足電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)對(duì)高功率、小型化和高可靠性功率的需求。

2023-09-02 09:42:41

1247

SiC功率器件的封裝技術(shù)

傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)是采用鉛或無鉛焊接合金把器件的一個(gè)端面貼合在熱沉襯底上，另外的端面與10-20mil鋁線楔或金線鍵合在一起。這種方法在大功率、高溫工作條件下缺乏可靠性，而且不具備足夠的堅(jiān)固性。

2023-10-09 15:20:58

1207

國(guó)產(chǎn)車規(guī)級(jí)芯片發(fā)展現(xiàn)狀、問題及建議

近年來，國(guó)產(chǎn)汽車產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，成為全球最大的汽車市場(chǎng)之一。然而，汽車電子系統(tǒng)在車輛中的應(yīng)用越來越廣泛，對(duì)高性能、可靠的車規(guī)級(jí)芯片需求也隨之增加。本文將探討國(guó)產(chǎn)車規(guī)級(jí)芯片發(fā)展的現(xiàn)狀，面臨的問題以及可能的解決方案和建議。

2023-10-21 15:43:14

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國(guó)星光電SiC-MOSFET器件獲得AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證

繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證后，近日，國(guó)星光電開發(fā)的1200V/80mΩ SiC-MOSFET（碳化硅-場(chǎng)效應(yīng)管）器件也成功獲得了

2023-10-24 15:52:32

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SiC MOSFET的封裝、系統(tǒng)性能和應(yīng)用

，能夠像IGBT一樣進(jìn)行高壓開關(guān)，同時(shí)開關(guān)頻率等于或高于低壓硅MOSFET的開關(guān)頻率。之前的文章中，我們介紹了 SiCMOSFET特有的器件特性和如何優(yōu)化SiC柵極驅(qū)動(dòng)電路。今天將帶來本系列文章的第三部分 SiC MOSFET的封裝、系統(tǒng)性能和應(yīng)用。封裝 WBG半導(dǎo)體使高壓轉(zhuǎn)換器能夠在更接近

2023-11-09 10:10:02

1859

芯塔電子SiC MOSFET通過車規(guī)級(jí)認(rèn)證，成功進(jìn)入新能源汽車供應(yīng)鏈！

近日，芯塔電子自主研發(fā)的1200V/80mΩTO-263-7封裝?SiC MOSFET器件成功獲得第三方權(quán)威檢測(cè)機(jī)構(gòu)（廣電計(jì)量）全套AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證。包括之前通過測(cè)試認(rèn)證的650V

2023-12-06 14:04:49

1019

AOS｜80V和100V車規(guī)級(jí)TOLL封裝MOSFET

應(yīng)用的80V 和 100V MOSFET，這兩款車規(guī)級(jí)器件是TO-Leadless (TOLL)?封裝。AOS TOLL 封裝旨在優(yōu)化功率半導(dǎo)體器件成為電動(dòng)汽車發(fā)展中的重要組件，尤其是在兩輪和三輪及其

2023-12-15 11:26:49

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瞻芯電子1200V/650V SiC塑封半橋模塊獲車規(guī)認(rèn)證

出首批2款基于第二代碳化硅（SiC）MOSFET芯片技術(shù)的SMPD塑封半橋模塊產(chǎn)品，并順利通過了車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AQG324）。

2024-03-07 09:37:27

2118

瞻芯電子推出一款車規(guī)級(jí)1200V SiC三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z

近日，瞻芯電子正式推出一款車規(guī)級(jí)1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z，該模塊產(chǎn)品及其采用的1200V 80mΩ SiC MOSFET分別獲得了AQG324與AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證。

2024-04-07 11:37:32

3562

基于NX封裝的低雜感SiC MOSFET模塊設(shè)計(jì)

功率模塊從硅IGBT技術(shù)過渡到基于SiC MOSFET技術(shù)是不可避免的。然而，從硅IGBT時(shí)代留下來的外形尺寸偏好仍然阻礙著SiC技術(shù)的商業(yè)化，因?yàn)樗鼈円呀?jīng)被認(rèn)為具有較高的寄生電感。

2024-05-08 17:43:58

1879

TMC2024丨車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體論壇劇透一丨SiC模塊特色封裝與半導(dǎo)體制造技術(shù)創(chuàng)新

聚焦車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體與應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新及發(fā)展趨勢(shì) 21+創(chuàng)新技術(shù)與戰(zhàn)略報(bào)告 15+車規(guī)級(jí)SiC相關(guān)企業(yè)產(chǎn)品展示 1場(chǎng)高層閉門會(huì) ? SiC在新能源汽車上的應(yīng)用進(jìn)展遠(yuǎn)超行業(yè)預(yù)估，降本增效，提升可靠性，突破

2024-06-18 15:26:46

4551

瞻芯電子SiC MOSFET技術(shù)新突破，車規(guī)級(jí)產(chǎn)品正式量產(chǎn)

Ω SiC MOSFET產(chǎn)品（IV3Q12013T4Z）成功通過了車規(guī)級(jí)可靠性（AEC-Q101）測(cè)試認(rèn)證，這一里程碑式的成果標(biāo)志著瞻芯電子在SiC MOSFET領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力達(dá)到了新的高度。

2024-06-24 10:05:43

1444

TMC2024丨車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體論壇劇透二丨全球技術(shù)趨勢(shì)與主驅(qū)功率半導(dǎo)體應(yīng)用創(chuàng)新

聚焦車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體與應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新及發(fā)展趨勢(shì) 21+創(chuàng)新技術(shù)與戰(zhàn)略報(bào)告 15+車規(guī)級(jí)SiC相關(guān)企業(yè)產(chǎn)品展示 1場(chǎng)高層閉門會(huì) ? 隨著新能源汽車快速發(fā)展，應(yīng)用于主驅(qū)逆變器的功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈，緊跟

2024-06-26 16:18:27

1321

SiC MOSFET模塊封裝技術(shù)及驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅SiC MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件，具有導(dǎo)通電阻低，開關(guān)損耗小的特點(diǎn)，可降低器件損耗，提升系統(tǒng)效率，更適合應(yīng)用于高頻電路。碳化硅SiC MOSFET這些優(yōu)良特性，需要通過模塊封裝以及驅(qū)動(dòng)電路系統(tǒng)，才能得到完美展現(xiàn)。

2024-10-16 13:52:05

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下一代主流SiC IGBT模塊封裝技術(shù)研發(fā)趨勢(shì)——環(huán)氧灌封技術(shù)

的影響引線框架氧化對(duì)模塊分層的影響去溢料的過程對(duì)模塊分層的影響在之前，國(guó)內(nèi)絕大多數(shù)功率器件IGBT SiC模塊廠家采用傳統(tǒng)硅膠灌封方式；隨著國(guó)內(nèi)客戶在新能源車用電網(wǎng)電力風(fēng)電方面（1200V以上領(lǐng)域）對(duì)模塊封裝的要求越來越高，硅膠灌封有不足之處，

2024-12-30 09:10:56

2286

SiC模塊封裝技術(shù)解析

較多的闡述，比如IGBT模塊可靠性設(shè)計(jì)與評(píng)估，功率器件IGBT模塊封裝工藝技術(shù)以及IGBT封裝技術(shù)探秘都比較詳細(xì)的闡述了功率模塊IGBT模塊從設(shè)計(jì)到制備的過程，那今天講解最近比較火的SiC模塊封裝給大家進(jìn)行學(xué)習(xí)。 SiC近年來在光伏，工業(yè)電

2025-01-02 10:20:24

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SiC MOSFET分立器件及工業(yè)模塊介紹

BASiC國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹

2025-01-16 14:32:04

碳化硅功率器件的封裝技術(shù)解析

碳化硅（SiC）功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性，在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。然而，要充分發(fā)揮SiC器件的性能，封裝技術(shù)至關(guān)重要。本文將詳細(xì)解析碳化硅功率器件的封裝技術(shù)，從封裝材料選擇、焊接技術(shù)、熱管理技術(shù)、電氣連接技術(shù)和封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)等多個(gè)方面展開探討。

2025-02-03 14:21:00

1294

三菱電機(jī)高壓SiC模塊封裝技術(shù)解析

SiC芯片可以高溫工作，與之對(duì)應(yīng)的連接材料和封裝材料都需要相應(yīng)的變更。三菱電機(jī)高壓SiC模塊支持175℃工作結(jié)溫，其封裝技術(shù)相對(duì)傳統(tǒng)IGBT模塊封裝技術(shù)做了很大改進(jìn)，本文帶你詳細(xì)了解內(nèi)部的封裝技術(shù)。

2025-02-12 11:26:41

1207

SiC器件封裝技術(shù)大揭秘：三大“絕技”讓你驚嘆不已！

半導(dǎo)體碳化硅（SiC）功率器件作為一種寬禁帶器件，以其耐高壓、高溫、導(dǎo)通電阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)異特性，在電力電子領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力。然而，要充分發(fā)揮SiC器件的這些優(yōu)勢(shì)性能，封裝技術(shù)起著

2025-02-21 13:18:36

1795

會(huì)展動(dòng)態(tài)｜TMC2025車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體論壇「初步日程+展覽」首發(fā)

將聚焦車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體前沿技術(shù)，匯聚全球頂尖企業(yè)與行業(yè)領(lǐng)袖。兩天議程覆蓋四大核心板塊： >第三、四代車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體全球發(fā)展趨勢(shì) >主驅(qū)功率半導(dǎo)體應(yīng)用需求 >SiC/GaN模塊封裝技術(shù)革命 >SiC器件創(chuàng)新設(shè)計(jì)與制造創(chuàng)新比亞迪、吉利、匯川、舍弗勒、采埃孚、

2025-04-17 13:50:46

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車規(guī)級(jí)封裝的優(yōu)勢(shì)有哪些

封裝技術(shù)不僅是芯片的保護(hù)殼，更是決定芯片工作穩(wěn)定性的核心要素，普通封裝芯片在汽車電子領(lǐng)域使用時(shí)，可能會(huì)因?yàn)橐淮晤嶔せ蚋邷亓T工，而車規(guī)級(jí)封裝卻能在15年壽命周期內(nèi)耐受極端環(huán)境。

2025-05-07 10:27:42

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揚(yáng)杰科技SiC車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊封裝項(xiàng)目盛大開工

2025 年5月9日上午，中共揚(yáng)州市委副書記、秘書長(zhǎng)焦慶標(biāo)，邗江區(qū)委書記張新鋼，揚(yáng)州市財(cái)政局局長(zhǎng)楊蓉、副局長(zhǎng)徐軍，揚(yáng)州市邗江區(qū)副區(qū)長(zhǎng)陳德康等領(lǐng)導(dǎo)齊聚揚(yáng)杰科技，出席揚(yáng)杰科技SiC車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊

2025-05-10 09:16:20

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聞泰科技推出車規(guī)級(jí)1200V SiC MOSFET

，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)近期推出領(lǐng)先行業(yè)的D2PAK-7封裝車規(guī)級(jí)1200V SiC MOSFET，為電動(dòng)汽車行業(yè)注入強(qiáng)勁新動(dòng)能。

2025-05-14 17:55:02

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森國(guó)科推出SOT227封裝碳化硅功率模塊

碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體技術(shù)引領(lǐng)者森國(guó)科，推出了采用SOT227封裝的SiC MOSFET及JBS功率模塊系列。這一突破性封裝方案結(jié)合了高功率密度與系統(tǒng)級(jí)可靠性，為新能源發(fā)電、工業(yè)電源及電動(dòng)汽車等領(lǐng)域提供高效能解決方案。

2025-08-16 13:50:09

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商用車電驅(qū)動(dòng)SiC模塊選型返璞歸真：從DCM/HPD封裝回歸ED3封裝碳化硅功率模塊的市場(chǎng)報(bào)告

工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，代理并力推BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET功率模塊，SiC模塊驅(qū)動(dòng)板等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)S

2026-01-03 17:30:48

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車規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀，SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求

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