RAA211320：30V 2A 集成式開關(guān)穩(wěn)壓器的設(shè)計(jì)指南 作為電子工程師，在電源管理設(shè)計(jì)中，選擇合適的穩(wěn)壓器至關(guān)重要。RAA211320 是一款集成式 30V、2A 同步降壓穩(wěn)壓器，采用電流模式
2025-12-29 11:55:12
176 NXP S32M2xx系列MCU：汽車電機(jī)控制的理想之選 在汽車電子領(lǐng)域，電機(jī)控制是一個(gè)至關(guān)重要的應(yīng)用場(chǎng)景。NXP推出的S32M2xx系列MCU，憑借其高性能、高集成度和豐富的功能特性，成為
2025-12-24 15:55:09150 2ED1322S12M/2ED1321S12M：1200V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選 在電力電子領(lǐng)域，對(duì)于IGBT或SiC MOSFET功率器件的高效控制一直是工程師們關(guān)注的焦點(diǎn)。今天，我們就來
2025-12-20 11:30:021308 IRF150DM115 OptiMOS? 5 150V MOSFET.pdf 一、產(chǎn)品概述 IRF150DM115 屬于 OptiMOS? 5 系列，耐壓為 150V，采用 DirectFET? 封裝技術(shù)。這種 MOSFET 具備多種出色的特性，使其在
2025-12-20 10:15:02589 長(zhǎng)晶科技重磅推出新一代 SGT Gen2.0工藝。在30V電壓平臺(tái)，與Gen1.0相比，F(xiàn)om值可降低50%，超同期歐美系水平12.5%；相比上一代，Rsp值可降低41.6%，超同期歐美系水平
2025-12-18 10:08:23271 
一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí)，微碧半導(dǎo)體（VBsemi）推出的VBM1201M脫穎而出，它
2025-12-01 16:18:33270 
SMDJ30CA雙向 TVS瞬態(tài)抑制二極管：30V雙向電壓000W 浪涌中壓電路防護(hù)核心
2025-11-20 16:42:401145 
ZK30G011G作為一款專為低壓大電流場(chǎng)景設(shè)計(jì)的N溝道MOSFET，以30V額定電壓、160A額定電流的硬核性能為基礎(chǔ)，融合成熟可靠的溝槽型（Trench）工藝與PDFN5*6小型化封裝，既突破了傳統(tǒng)低壓器件的電流承載上限，又實(shí)現(xiàn)了小體積與高穩(wěn)定性的平衡，成為低壓功率控制領(lǐng)域的優(yōu)選方案。
2025-10-31 14:28:12214 
在低壓大電流功率電子領(lǐng)域，MOS管的導(dǎo)通損耗、電流承載能力與封裝適配性，直接決定了終端設(shè)備的能效、可靠性與設(shè)計(jì)靈活性。中科微電推出的ZK30N140TN溝道MOS管，憑借30V額定電壓、140A超大
2025-10-22 09:42:38381 
STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG汽車級(jí)IGBT設(shè)計(jì)采用獲得專利的先進(jìn)溝槽式柵極場(chǎng)終止型結(jié)構(gòu)。STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG為
2025-10-17 17:49:102478 
650V 的最大漏源電壓（VDS），非常適合處理高電壓操作。其柵源電壓（VGS）能夠承受高達(dá) ±30V，確?？煽康拈_關(guān)控制。其閾值電壓（Vth）為 3.5V，保證了在
2025-09-09 16:13:38
設(shè)計(jì)用于高電壓應(yīng)用，具有 **650V** 的 **漏源電壓（VDS）** 和 ±30V 的 **柵源電壓（VGS）**。其 **閾值電壓（Vth）** 為 **3
2025-09-09 16:11:26
SM4073L作為30V工業(yè)級(jí)耐壓鋰電池充電芯片，通過1A可編程快充、30V耐壓、多重安全保護(hù)機(jī)制及簡(jiǎn)化高壓場(chǎng)景設(shè)計(jì)，解決工業(yè)24V系統(tǒng)浪涌、車載12V拋負(fù)載及快充高壓輸入三大痛點(diǎn)，成為高壓電源管理市場(chǎng)的高可靠性解決方案。
2025-09-06 15:28:46513 
### IRF8721TR-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介IRF8721TR-VB 是一款高效N溝道MOSFET，采用SOP8封裝，適合用于低電壓、高電流的應(yīng)用場(chǎng)合。該MOSFET具有30V的漏源電壓（VDS
2025-09-04 14:45:03
### IRF8714TRPBF-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介IRF8714TRPBF-VB 是一款采用 SOP8 封裝的單 N 溝道 MOSFET，專為低電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。它具有 30V 的漏源擊穿電壓 (VDS
2025-09-04 14:30:58
SOP8 封裝，適合空間緊湊的電子電路。其最大漏源電壓（VDS）為 30V，適用于低至中等電壓的開關(guān)和放大應(yīng)用。IRF8714GTRPBF-VB 具有 ±20V 的柵源
2025-09-04 14:28:27
### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介：**IRF7823TRPBF-VB** 是一款高效的單N溝道MOSFET，采用SOP8封裝，基于先進(jìn)的Trench技術(shù)。該MOSFET 的最大漏源電壓（VDS）為30V，最大柵
2025-09-04 14:24:26
電流和高效能開關(guān)應(yīng)用而優(yōu)化，具有30V的最大漏源電壓（VDS）和±20V的柵源電壓（VGS）。其閾值電壓（Vth）為1.7V，適用于在較低柵電壓下進(jìn)行可靠的開關(guān)操作
2025-09-04 14:20:42
**漏極-源極電壓（VDS）**為**30V**，能夠承受高達(dá)±20V的**柵極-源極電壓（VGS）**。該器件的**閾值電壓（Vth）**為**1.7V**，表現(xiàn)出
2025-09-04 14:18:32
MOSFET 具有出色的導(dǎo)通性能和低功耗特性，適合需要高開關(guān)速度和低導(dǎo)通損耗的場(chǎng)合。其最大漏源電壓（VDS）為 30V，柵源電壓（VGS）范圍為 ±20V，支持多種柵
2025-09-04 14:13:19
用于需要緊湊設(shè)計(jì)和高性能的電子應(yīng)用。該MOSFET 具有 **30V** 的 **漏源電壓（VDS）** 和 ±20V 的 **柵源電壓（VGS）**，在這一電壓范圍
2025-09-04 14:11:27
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介IRF7811AVTR-VB 是一款高性能的N溝道功率MOSFET，封裝為SOP8。這款MOSFET的漏源電壓（VDS）為30V，柵源電壓（VGS）為±20V，具有較低的閾值電壓
2025-09-04 14:09:19
### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介：**IRF7811ATRPBF-VB** 是一款高效能的單N溝道MOSFET，采用SOP8封裝，基于Trench技術(shù)設(shè)計(jì)。它具有30V的最大漏源電壓（VDS）和±20V的柵源
2025-09-04 14:05:14
應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓（VDS）為30V，柵源電壓（VGS）為±20V，適用于需要高效電流控制和低導(dǎo)通電阻的電路設(shè)計(jì)。該MOSFET 采用溝槽技術(shù)（Trench），
2025-09-04 13:56:59
的最大漏源電壓（VDS）為30V，能夠承受較高的負(fù)載電壓，同時(shí)具有良好的導(dǎo)通性能。柵源電壓（VGS）為±20V，使其能夠在較寬的電壓范圍內(nèi)操作。導(dǎo)通電阻（RDS(O
2025-09-04 13:54:31
的開關(guān)性能。該器件的最大**漏極-源極電壓（VDS）**為**30V**，支持±20V的**柵極-源極電壓（VGS）**，適合多種電壓調(diào)控的應(yīng)用場(chǎng)合。其**閾值電
2025-09-04 13:52:31
了出色的導(dǎo)通電阻和電流處理能力，適用于需要高效開關(guān)和低功耗的系統(tǒng)。其最大漏源電壓（VDS）為 30V，柵源電壓（VGS）范圍為 ±20V，支持多種驅(qū)動(dòng)電壓。其閾值
2025-09-04 13:50:11
電路設(shè)計(jì)提供高效能解決方案。該MOSFET 具有 **30V** 的 **漏源電壓（VDS）** 和 ±20V 的 **柵源電壓（VGS）**，能夠在廣泛的工作電壓范圍
2025-09-04 13:48:13
阻的應(yīng)用設(shè)計(jì)。該MOSFET 具有30V的漏源電壓（VDS），并配備了±20V的柵源電壓（VGS）。其閾值電壓（Vth）為1.7V，確保在較低的柵電壓下也能夠有效
2025-09-04 13:42:43
MOSFET具有30V的漏源電壓（VDS）和低導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），在4.5V和10V的柵源電壓下表現(xiàn)優(yōu)異。IRF7475TRPBF-VB 采用溝槽技術(shù)（Tre
2025-09-04 13:37:20
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介IRF7467TRPBF-VB 是一款高效的單N溝道功率MOSFET，封裝為SOP8。這款MOSFET的漏源電壓（VDS）為30V，柵源電壓（VGS）為±20V，導(dǎo)通電阻（RDS
2025-09-04 12:02:26
### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介：**IRF7463TR-VB** 是一款由國(guó)際整流器公司（IR）推出的高性能N溝道MOSFET，封裝形式為SOP8，適用于低壓開關(guān)應(yīng)用。這款MOSFET 支持30V的最大漏源
2025-09-04 11:55:56
應(yīng)用。該MOSFET具有30V的漏源電壓（VDS）和低導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），在4.5V和10V柵電壓下均表現(xiàn)出色。這使得IRF7460TRPBF-VB 在各種
2025-09-04 11:46:47
**30V**的**漏極-源極電壓（VDS）**，適用于中等電壓的應(yīng)用。MOSFET的**柵極-源極電壓（VGS）**范圍為±20V，確保在各種操作條件下的穩(wěn)定性。它的
2025-09-04 11:44:39
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介IRF7455TR-VB 是一種高效的單N溝道功率MOSFET，封裝為SOP8。這款MOSFET的漏源電壓（VDS）為30V，柵源電壓（VGS）為±20V，具有非常低的導(dǎo)通電
2025-09-04 11:42:10
需要小型化和高效率的應(yīng)用場(chǎng)合。它能夠承受 **30V** 的 **漏源電壓（VDS）** 和 ±20V 的 **柵源電壓（VGS）**。該MOSFET 具有 **1
2025-09-04 11:39:58
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介IRF7413ZTRPBF-VB 是一種高性能單N溝道功率MOSFET，封裝為SOP8。這款MOSFET的漏源電壓（VDS）為30V，柵源電壓（VGS）為±20V。其閾值電壓（Vth
2025-09-04 11:37:42
30V的漏源電壓（VDS）和±20V的柵源電壓（VGS）。它采用Trench技術(shù)，具有極低的導(dǎo)通電阻和高電流處理能力，適合需要高效開關(guān)和低功率損耗的電子設(shè)備。其低閾
2025-09-04 11:17:16
### 一、IRF7402UTRPBF-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 IRF7402UTRPBF-VB 是一款低壓N溝道MOSFET，采用SOP8封裝，適合在空間有限的設(shè)計(jì)中使用。該產(chǎn)品具備30V的漏
2025-09-04 11:13:32
通性能和開關(guān)特性。其最大漏極源極電壓為30V，最大漏極電流為70A。IRF3704SPBF-VB 的導(dǎo)通電阻在VGS=10V時(shí)為6mΩ，確保在高電流條件下的低功耗操
2025-09-04 10:57:09
電壓（VDS）為 20V，適用于低電壓電源管理和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。IRF3704PBF-VB 采用 Trench 技術(shù)，具有極低的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），能夠提供高
2025-09-04 10:55:02
現(xiàn)出色。IRF3703-VB的最大漏源電壓為30V，最大漏極電流為260A，適合用于要求高電流處理和高效能的應(yīng)用場(chǎng)景。其低導(dǎo)通電阻（1mΩ@VGS=10V）能顯著減
2025-09-04 10:53:05
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介**IRF3703PBF-VB** 是一款高性能的 N-Channel MOSFET，封裝為 TO220，專為需要高電流和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用設(shè)計(jì)。它可以承受高達(dá) 30V 的漏極到源極
2025-09-04 10:47:07
電壓（VDS）為 100V，適合在較高電壓下穩(wěn)定工作。IRF3410-VB 采用 Trench 技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），能夠有效減少功率損耗和提高系
2025-09-04 10:18:25
應(yīng)用。IRF3315S-VB具有150V的漏源電壓能力和45A的漏極電流能力，能夠在高壓環(huán)境下穩(wěn)定工作。其低導(dǎo)通電阻（35mΩ@VGS=10V）有助于降低功率損耗
2025-09-04 10:16:13
能和高效開關(guān)能力。其最大漏極源極電壓為60V，最大漏極電流為210A。IRF3205ZLPBF-VB 的導(dǎo)通電阻極低，在VGS=10V時(shí)為3mΩ，確保其在高電流情況下的
2025-09-04 09:42:05
設(shè)計(jì)用于處理高電壓和高電流應(yīng)用。其漏源電壓 (VDS) 為 60V，最大漏極電流 (ID) 達(dá)到 210A，適用于高功率開關(guān)和電源管理系統(tǒng)。IRF3205LPBF
2025-09-03 17:51:01
### IRF3007S-VB MOSFET 詳細(xì)產(chǎn)品信息#### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介IRF3007S-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET，采用 TO263 封裝，專為需要高電流和低導(dǎo)通電
2025-09-03 17:49:07
極低的導(dǎo)通電阻。它能夠在高電流和高效率要求的應(yīng)用中提供出色的性能。IRF2903ZS-VB 的漏源電壓為 30V，支持最大 260A 的漏電流，使其非常適合高功率和
2025-09-03 17:02:03
用于高功率和高效率的應(yīng)用場(chǎng)合。其最大漏極源極電壓為30V，最大漏極電流可達(dá)260A。IRF2903ZSTRLP-VB 的低導(dǎo)通電阻（RDS(ON) = 1.6mΩ
2025-09-03 16:57:07
極低的導(dǎo)通電阻和極高的電流處理能力。這款 MOSFET 能夠在最大 30V 的漏極到源極電壓（VDS）下穩(wěn)定工作，其超低的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）確保了最小的功
2025-09-03 16:54:59
MOSFET具有最大漏源電壓為30V，能夠支持高達(dá)260A的漏極電流，能夠在要求高效能和低功耗的系統(tǒng)中穩(wěn)定工作。IRF2903ZPBF-VB在設(shè)計(jì)上注重提升開關(guān)效率
2025-09-03 16:52:06
的電流處理能力。該 MOSFET 能夠承受高達(dá) 30V 的漏極到源極電壓，其在 10V 柵極電壓下的導(dǎo)通電阻低至 2mΩ，適合用于要求高電流和高效率的各種應(yīng)用場(chǎng)景
2025-09-03 16:49:51
，設(shè)計(jì)用于處理高電壓和高電流應(yīng)用。IRF2807ZSTRR-VB 的 80V 漏源電壓和 120A 最大漏極電流，使其適合用于要求高功率和高效率的電源管理、電機(jī)控
2025-09-03 16:35:01
用于高電壓和高電流的應(yīng)用場(chǎng)合。它具有低導(dǎo)通電阻（R_DS(ON)），在V_GS = 4.5V時(shí)為10mΩ，在V_GS = 10V時(shí)為6mΩ。這使得IRF2807ZSP
2025-09-03 16:27:46
### IRF2807ZL-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介IRF2807ZL-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET，采用 TO262 封裝。這款 MOSFET 采用了先進(jìn)的 Trench 技術(shù)
2025-09-03 16:21:11
大電流應(yīng)用。其導(dǎo)通電阻（R_DS(ON)）非常低，為1.68mΩ（在V_GS = 4.5V時(shí)）和1.4mΩ（在V_GS = 10V時(shí)），從而提供卓越的開關(guān)性能。IRF
2025-09-03 16:00:47
的開關(guān)特性。其最大漏極源極電壓為40V，最大漏極電流可達(dá)100A。IRF2804L-VB 的低導(dǎo)通電阻（RDS(ON) = 5mΩ @ VGS=10V）和適中的閾值電
2025-09-03 15:52:31
MOSFET 具有高電流處理能力和極低的導(dǎo)通電阻，使其適用于各種要求高效能和高開關(guān)頻率的應(yīng)用。IRF2204S-VB 在最大 40V 的漏極到源極電壓（VDS）下表現(xiàn)穩(wěn)定，
2025-09-03 15:50:13
電壓為40V，適合中等電壓環(huán)境下的高電流應(yīng)用。該MOSFET在VGS=10V時(shí)的導(dǎo)通電阻低至2mΩ，在VGS=4.5V時(shí)為2.5mΩ，確保在高電流條件下具有極低的
2025-09-03 15:41:31
處理高電壓和高電流應(yīng)用。IRF20N20PBF-VB 在需要高開關(guān)效率和較低導(dǎo)通電阻的場(chǎng)合表現(xiàn)出色。其 200V 的漏源電壓和 30A 的最大漏極電流使其非常適合
2025-09-03 15:37:05
高效率和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用設(shè)計(jì)。它利用 Trench 技術(shù)制造，提供卓越的導(dǎo)通性能和熱穩(wěn)定性。該 MOSFET 的最大漏極源極電壓（V_DS）為 30V，適合中等電
2025-09-03 15:34:08
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介**IRF1902TRPBF-VB** 是一款高性能N溝道MOSFET，封裝為SOP8。該MOSFET支持最大30V的漏源電壓（V_DS）和13A的漏電流（I_D）。它采用
2025-09-03 15:30:58
管理和高功率應(yīng)用。IRF1503S-VB 的最大漏極源極電壓為30V，最大漏極電流達(dá)到150A。它的低導(dǎo)通電阻確保在高電流工作情況下的低功耗和高效率。此MOSFET
2025-09-03 15:10:36
，具有非常低的導(dǎo)通電阻和高電流處理能力。此 MOSFET 適用于需要高開關(guān)頻率和高電流的應(yīng)用，能夠在最大 30V 的漏極到源極電壓（VDS）下穩(wěn)定工作。IRF1503
2025-09-03 15:07:34
電流承載能力，適合需要高功率傳輸和低能量損耗的系統(tǒng)。IRF1503PBF-VB的最大漏源電壓為30V，漏極電流可達(dá)260A，非常適合在電源管理、高功率開關(guān)和電動(dòng)汽
2025-09-03 15:03:57
大功率應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻（R_DS(ON)）為3mΩ，在V_GS = 10V時(shí)提供高效能。IRF1405ZLTRPBF-VB采用Trench技術(shù)設(shè)計(jì)，旨在提供優(yōu)異
2025-09-03 14:46:29
### IRF1405S-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介**IRF1405S-VB** 是一款高性能的 N-Channel MOSFET，采用 TO263 封裝。它基于 Trench 技術(shù)制造，具有出色的電導(dǎo)性能
2025-09-03 14:37:57
### IRF1404S-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介IRF1404S-VB是一款高性能N溝道MOSFET，采用TO263封裝，設(shè)計(jì)用于高電流和高效能應(yīng)用。該MOSFET具有40V的漏源電壓（VDS）和±20V
2025-09-03 13:55:28
### IRF1324SPBF-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介IRF1324SPBF-VB 是一款高性能N溝道MOSFET，采用 TO263 封裝，專為高電流、高效率應(yīng)用設(shè)計(jì)。其額定擊穿電壓為30V，適合用于中等
2025-09-03 13:46:22
的漏極電流，并且具有高達(dá) 30V 的漏極-源極電壓耐受能力。該 MOSFET 具有極低的導(dǎo)通電阻和較低的閾值電壓，適用于高效的功率開關(guān)和電源管理應(yīng)用，特別是在需要
2025-09-03 13:43:55
### 一、IRF1310NS-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介IRF1310NS-VB 是一款高性能 N-通道 MOSFET，采用 TO263 封裝。該器件設(shè)計(jì)用于處理高電壓和大電流應(yīng)用，能夠承受最高 100V
2025-09-03 13:37:16
### IRF1310NPBF-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介IRF1310NPBF-VB是一款高性能N溝道MOSFET，封裝為TO220，專為高電壓和中等電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。這款MOSFET具有100V的漏源電壓
2025-09-03 11:47:22
### 一、IRF1302-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介IRF1302-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET，采用 TO220 封裝，專為高電流和高效率應(yīng)用設(shè)計(jì)。其漏源電壓 (VDS) 為 30V，柵源電壓
2025-09-03 11:37:31
(VDS) 為 30V，能夠處理適中的電壓需求。其柵源電壓 (VGS) 可承受 ±20V，確?？煽康拈_關(guān)操作。開啟電壓 (Vth) 低至 1.7V，提供快速開關(guān)能力，
2025-09-03 11:11:37
### IRF1302L-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介IRF1302L-VB 是一款采用 TO262 封裝的單N溝道MOSFET，專為高電流、高效率應(yīng)用設(shè)計(jì)。它的擊穿電壓為30V，適合中等電壓的電源管理和開關(guān)
2025-09-03 11:05:50
### IRF1104S-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介**IRF1104S-VB** 是一款高電流、高導(dǎo)通能力的 N 通道 MOSFET，采用 TO263 封裝。它使用 Trench 技術(shù)，在 40V 的漏極-源
2025-09-03 10:58:54
### 一、IRF1104L-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介IRF1104L-VB 是一款高性能 N-通道 MOSFET，采用 TO262 封裝。該 MOSFET 能夠承受最高 40V 的漏源電壓（VDS
2025-09-02 17:56:24
### IRF1018ESLPBF-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介IRF1018ESLPBF-VB是一款高性能單N溝道MOSFET，封裝為TO262，專為高電流和高功率應(yīng)用設(shè)計(jì)。它具有60V的漏源電壓（VDS
2025-09-02 17:50:55
### 一、IRF1010ZPBF-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介IRF1010ZPBF-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET，采用 TO220 封裝，專為高電流和高效率應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有 60V 的漏源
2025-09-02 17:40:08
和開關(guān)應(yīng)用。IRF1010PBF-VB 的導(dǎo)通電阻非常低，在VGS=10V時(shí)僅為5mΩ，能夠提供高達(dá)120A的連續(xù)電流。采用Trench技術(shù)的設(shè)計(jì)，確保了優(yōu)異的開
2025-09-02 17:32:47
### 一、IRF1010NSPBF-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介IRF1010NSPBF-VB 是一款高性能 N-通道 MOSFET，采用 TO263 封裝。該器件能夠承受高達(dá) 60V 的漏源電壓（VDS
2025-09-02 17:18:40
### IRF1010NL-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介IRF1010NL-VB是一款采用TO262封裝的單N溝道MOSFET，專為高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。這款MOSFET具有60V的漏源電壓（VDS）和±20V的柵源
2025-09-02 17:11:23
### 一、IRF1010EZS-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介IRF1010EZS-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET，采用 TO263 封裝，專為高電流和高效能應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有 60V 的漏源電壓
2025-09-02 17:03:57
通電阻，適用于高功率應(yīng)用。其最大漏源電壓 (VDS) 達(dá)到 60V，柵源電壓 (VGS) 可承受 ±20V 的范圍，確保了良好的開關(guān)性能和穩(wěn)定性。IRF1010E
2025-09-02 17:00:59
，適合用于中高電壓電源管理和開關(guān)應(yīng)用。此MOSFET的導(dǎo)通電阻非常低，僅為5mΩ（在VGS=10V時(shí)），能夠提供高達(dá)120A的連續(xù)電流。使用Trench技術(shù)，IRF1
2025-09-02 16:58:41
### 一、IRF1010EL-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介IRF1010EL-VB 是一款高性能 N-通道 MOSFET，采用 TO262 封裝。該器件專為高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)，具有 60V 的漏源電壓（VDS
2025-09-02 16:46:02
新潔能研發(fā)團(tuán)隊(duì)溝槽型工藝平臺(tái)推出耐壓30V 1mΩ級(jí)別增強(qiáng)型N溝道MOSFET 系列產(chǎn)品。
2025-08-22 18:02:351527 
MOS管在DC-AC逆變器中承擔(dān)高頻開關(guān)與功率轉(zhuǎn)換核心功能，其開關(guān)速度、導(dǎo)通損耗、耐壓能力及熱穩(wěn)定性直接決定逆變效率。IRF3710雖為經(jīng)典型號(hào)，但國(guó)產(chǎn)化方案FHP70N11V憑借更優(yōu)參數(shù)與工藝，可顯著提升車載逆變性能并保障供應(yīng)鏈安全。
2025-05-21 09:14:361694 
圣邦微電子推出 SGMNQ36430，一款 30V 單 N 溝道功率 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。該器件可應(yīng)用于 CPU 電源傳輸、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、功率負(fù)載開關(guān)以及筆記本電池管理等領(lǐng)域。
2025-05-09 16:57:26971 
AW2K21是一款同時(shí)實(shí)現(xiàn)了超小型封裝和超低導(dǎo)通電阻的30V耐壓Nch MOSFET。利用可共享2枚MOSFET電路源極的共源電路，不僅能以一體化封裝實(shí)現(xiàn)雙向電路保護(hù)，還可以通過改變引腳連接來作為單MOSFET使用。
2025-04-17 14:55:11615 
這款 30V、3.2mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換損耗 應(yīng)用。 *附件：CSD17581Q3A 30V N 溝道
2025-04-16 11:25:34775 
這種 30V、22mΩ、N 溝道 FemtoFET? MOSFET 技術(shù)經(jīng)過設(shè)計(jì)和優(yōu)化，可在許多手持式和移動(dòng)應(yīng)用中最大限度地減少占用空間。該技術(shù)能夠取代標(biāo)準(zhǔn)小信號(hào) MOSFET，同時(shí)顯著減小基底面尺寸。
2025-04-16 11:15:15668 
這款 30V、12.6mΩ、2mm × 2mm SON NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗，并針對(duì) 5V 柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。2mm × 2mm SON 為封裝尺寸提供出色的熱性能。
2025-04-15 17:08:38699 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)FA30-220S24H2D4相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有FA30-220S24H2D4的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，F(xiàn)A30-220S24H2D4真值表，F(xiàn)A30-220S24H2D4管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-25 18:31:46
WD5030 DC/DC15A30V 高效同步降壓轉(zhuǎn)換器技術(shù)手冊(cè)：30V輸入15A輸出，85-300KHz開關(guān)頻率
2025-02-24 14:57:201357 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PMH550UNEA 30V N溝道溝槽MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-20 16:29:23
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN1RO-30YLC N溝道30V 1.15 mΩ邏輯電平MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 14:16:450
SN7406反相器數(shù)據(jù)手冊(cè)上顯示輸出電壓最大能達(dá)到30V
問題1、SN7406輸出端需要接上拉嗎？
問題2、根據(jù)上面對(duì)于數(shù)據(jù)手冊(cè)的截圖是指反相器輸出端接上拉的電源可以最大達(dá)到30V么？
2025-01-24 08:05:58
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN2RO-30YLE n溝道30V 2 mQ邏輯電平MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-23 16:33:410
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