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電子發燒友網>新品快訊>IR推出600V車用柵極驅動芯片AUIRS2332J

IR推出600V車用柵極驅動芯片AUIRS2332J

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2025-06-04 14:44:581135

BM6GD11BFJ-LB羅姆首款面向高耐壓GaN器件驅動的隔離型柵極驅動器IC開始量產

? 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)推出一款適用于600V級高耐壓GaN HEMT驅動的隔離型柵極驅動器IC“ BM6GD11BFJ-LB ”。通過與本產品組合使用,可使GaN器件
2025-06-04 14:11:4646770

矽塔柵極驅動IC原廠代理供應

柵極驅動IC 矽塔的柵極驅動解決方案具有全系統化、性能高效穩定的產品特點,同時可為客戶有效降低方案成本, 可用于60-900V 雙NMOS柵極驅動,P+N MOS驅動和單NMOS驅動。我矽塔的柵極
2025-05-30 15:20:34

BDR6300三相柵極驅動芯片中文手冊

? ? ? ? BDR6300 是一款三相柵極驅動芯片。可直接驅動三路NIOS+PMOS 半橋。電路內部集成了穩定的 5V 輸出電源。? ? ? ?BDR6300 驅動級 MOS 選型更方便。該電路
2025-05-27 17:37:010

BDR6307B 600V高壓半橋驅動芯片中文手冊

? ? ? ?BDR6307B是一款耐壓600V的半橋柵極驅動芯片,內部集成了邏輯信號輸入處理電路、死區控制電路、電平位移電路及輸出驅動電路,用來驅動雙 N型 MOS 半橋
2025-05-27 17:21:031

HPD2606X 600V半橋柵極驅動器技術手冊:高壓高速MOSFET和IGBT驅動設計

內容概要:HPD2606X是一款600V半橋柵極驅動器,采用專有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技術,能夠穩定驅動高壓MOSFET和IGBT。其主要特性包括懸浮通道設計、抗dV/dt瞬態負電壓能力、寬門
2025-05-19 11:33:300

新品 | 驅動無刷直流 (BLDC) 電機三相柵極驅動器評估板

新品驅動無刷直流(BLDC)電機三相柵極驅動器評估板評估板EVAL-6EDL04I065PR采用英飛凌最新的采SOI技術的EiceDRVIER柵極驅動器6EDL04I065PR
2025-04-25 17:05:074661

川土微電子推出CA-IS3223EHS-Q1半橋柵極驅動

川土微電子全新推出全國產化CA-IS3223EHS-Q1半橋柵極驅動器,支持±800V高壓隔離與20V寬電源供電,兼具驅動能力(+1.9A/?2.2A)與低延時(70ns)特性,為中小功率場景提供高性價比解決方案。
2025-04-09 15:01:231129

新品 | CIPOS? Mini IPM 600V 15A 20A 30A TRENCHSTOP? IGBT 7

新品CIPOSMiniIPM600V15A20A30ATRENCHSTOPIGBT7CIPOSMiniIPMIM06BxxAC1系列在600V等級中提供15A、20A和30A三個型號,額定功率高達
2025-04-01 17:34:231257

新品上市,華普微推出600V半橋驅動器HPD2606X

HPD2606X擁有配合自舉電路操作的浮動通道設計,可穩定驅動高壓側的功率器件。HPD2606X能耐受負向瞬態電壓,抗dV/dt干擾。HPD2606X支持10V~20V柵極驅動電壓,具備欠壓鎖定功能,可兼容3.3V、5V、15V邏輯電平。
2025-03-26 11:33:37828

驅動電路設計(七)——自舉電源在5kW交錯調制圖騰柱PFC應用

隨著功率半導體IGBT,SiCMOSFET技術的發展和系統設計的優化,電平位移驅動電路應用場景越來越廣,電壓從600V拓展到了1200V。英飛凌1200V電平位移型頸驅動芯片電流可達+/-2.3A
2025-03-24 17:43:4010957

芯朋微代理商高低側柵極電機驅動芯片-PN7114

芯朋微代理商高低側柵極電機驅動芯片-PN7114 一、概述PN7114是一款高壓、高速的功率MOSFET和IGBT驅動芯片,其具有獨立的高低側輸出通道。PN7114浮地通道能在600V
2025-03-18 14:28:16

芯朋微代理高低側柵極驅動IC--PN7113

芯朋微代理高低側柵極驅動IC--PN7113 一 概述PN7113是一款基于P_SUBP_EPI工藝的高壓、高速功率MOSFET和IGBT高低側驅動芯片。其浮地通道能工作在600V的高壓
2025-03-18 10:43:17

芯朋微高壓高低側柵極電機驅動芯片-ID5S609

地通道能工作在600V的高壓下。可用于驅動2個N溝道功率MOSFET或IGBT構成的半橋拓撲結構。輸入信號可以兼容CMOS和LSTTL信號,邏輯輸入電平低至3.3V
2025-03-17 11:09:55

柵極驅動芯片LM5112失效問題

請大佬看一下我這個LM5112驅動碳化硅MOS GC3M0065090D電路。負載電壓60V,電路4A以下時開關沒有問題,電流升至5A時芯片失效,驅動輸出電壓為0。 有點無法理解,如果電流過大為什么會影響驅動芯片的性能呢? 請多指教,謝謝!
2025-03-17 09:33:06

EG2125帶過流保護功能全橋驅動芯片數據手冊

的工作電壓可達 600V,低端 VCC 的電源電壓范圍寬 10V~25V,靜態功耗低。該芯片具有閉鎖功能防止輸出功率管同時導通,輸入通道 HIN 和 LIN 內建
2025-03-10 09:30:330

微源半導體推出650V半橋柵極驅動芯片LPD2106

LPD2106是一款高耐壓的半橋柵極驅動芯片,具有0.3A拉電流和1.0A灌電流能力,專用于驅動N溝道MOSFET或IGBT組成的半橋。LPD2106集成了輸入邏輯信號處理電路,支持3.3V~15V
2025-03-08 10:11:281248

純凈電力,穩定運行——600V變380V隔離變壓器,半導體設備的最佳選擇!

在工業生產和半導體設備運行中,電網中的雜質和諧波問題常常導致設備運行不穩定,甚至引發安全隱患。為了解決這一問題,卓爾凡電力科技有限公司推出600V變380V加拿大三相隔離變壓器,為您的設備提供高效
2025-03-05 08:58:06577

加拿大設備電壓不匹配?600V變380V隔離變壓器來助力!

卓爾凡電力科技變壓器,當進口的加拿大380V半導體設備在國內600V電網環境下運行時,電壓不匹配問題常常導致設備無法正常工作,甚至可能損壞設備。為解決這一難題,卓爾凡電力科技有限公司推出600V
2025-03-05 08:50:52547

柵極驅動芯片,如何高效驅動工業自動化?

柵極驅動芯片是電子設備核心元件,用于放大控制信號,保障穩定運行。在多個領域有廣泛應用,市場前景好。華普微將推出高性能非隔離式半橋驅動芯片HPD2606X。
2025-03-04 14:34:15146

600V變380V變壓器:CSA認證,卓爾凡開啟工業設備出口新時代!

。加拿大作為重要的工業市場,對電氣設備的安全性和可靠性有著嚴格要求。卓爾凡電力科技有限公司推出600V變380V CSA認證變壓器,憑借其卓越的性能和權威認證,為工業設備出口加拿大提供了有力支持。 ### 一、CSA認證:開啟加拿大市場大門 CSA(加拿大標
2025-03-03 15:30:41698

外貿熱銷!卓爾凡 600V變380V變壓器:無零線設計,開啟安全電力新時代!

在工業電力系統中,變壓器的安全性和可靠性一直是核心關注點。隨著工業設備的國際化需求增加,電壓轉換設備的性能和安全性顯得尤為重要。卓爾凡電源推出600V變380V無零線變壓器,憑借其創新的無零線
2025-03-03 15:25:48674

600V變380V變壓器:如何助力工業設備走向全球市場?

在全球化背景下,工業設備的國際化適配成為企業拓展海外市場的重要挑戰之一。尤其是在電力系統標準差異顯著的地區,如北美、歐洲和亞洲,電壓不匹配問題常常阻礙設備的順利出口。600V變380V變壓器憑借其
2025-03-03 15:23:03628

產品概述#UCC27714 4A、600V 半橋柵極驅動

UCC27714 是一款 600V 高側、低側柵極驅動器,具有 4A 拉電流和 4A 灌電流能力,旨在驅動功率 MOSFET 或 IGBT。該器件由一個以地為參考的通道 (LO) 和一個浮動通道
2025-02-26 10:52:531307

技術資料#LMG3422R030 具有集成驅動器、保護和溫度報告的 600V 30mΩ GaN FET

150V/ns 的開關速度。與分立硅柵極驅動器相比,TI 的集成精密柵極偏置可實現更高的開關 SOA。這種集成與 TI 的低電感封裝相結合,可在硬開關電源拓撲中提供干凈的開關和最小的振鈴。可調
2025-02-25 14:07:161148

技術資料#LMG3425R050 具有集成驅動器、保護、溫度報告和理想二極管模式的 600V 50mΩ GaN FET

該LMG3425R050集成了硅驅動器,可實現高達 150V/ns 的開關速度。與分立硅柵極驅動器相比,TI 的集成精密柵極偏置可實現更高的開關 SOA。這種集成與 TI 的低電感封裝相結合,可在硬
2025-02-25 13:38:011017

技術文檔#LMG3426R030 600V 30mΩ GaN FET,帶集成驅動器、保護和零電壓檢測

LMG342xR030 集成了一個硅驅動器,可實現高達 150V/ns 的開關速度。與分立硅柵極驅動器相比,TI 的集成精密柵極偏置可實現更高的開關 SOA。這種集成與 TI 的低電感封裝
2025-02-24 10:12:19969

技術資料#LMG3426R050 600V 50mΩ GaN FET,集成驅動器、保護和零電壓檢測

LMG342xR050 集成了一個硅驅動器,可實現高達 150V/ns 的開關速度。與分立硅柵極驅動器相比,TI 的集成精密柵極偏置可實現更高的開關 SOA。這種集成與 TI 的低電感封裝
2025-02-24 09:55:24940

基于e-Compressor SiC 方案 onsemi NCV57100 柵極驅動器簡介

世平集團基于onsemi的柵極驅動器和SiC技術,開發了一款適用于800V用電空調壓縮機的解決方案。本文將以世平集團的800Ve-CompressorSiC方案為例,深入解析其中采用的安森美(onsemi)柵極驅動器NCV57100的核心特性及其應用。
2025-02-21 16:34:51627

CSA材料認證標準600V變380V 600V變480V變壓器 卓爾凡

600V 變 380V 以及 600V 變 480V 的變壓器,憑借卓越性能與可靠品質,成為眾多行業的理想選擇。 CSA 認證:品質與安全的堅實背書 CSA,即加拿大標準協會認證,在加拿大電氣設備市場擁有至高權威性。對于變壓器而言,獲得 CSA 認證絕非易事。從設計
2025-02-21 14:56:40797

LMG3422EVM-043評估模塊LMG3422R030 600V 30mΩ 半橋子卡概述

LMG342XEVM-04X具有兩個LMG342XR0X0 600-V GaN FET,采用半橋配置,具有集成驅動器和保護功能,并具有所有所需的偏置電路和邏輯/功率電平轉換。基本的功率級和柵極驅動
2025-02-21 11:10:42822

600V高壓半橋驅動芯片BDR6307B

BDR6307B 是一款耐壓 600V 的半橋柵極驅動芯片,內部集成了邏輯信號輸入處理電路、死區控制電路、電平位移電路及輸出驅動電路,用來驅動雙 N 型 MOS 半橋。 BDR6307B 的邏輯
2025-02-20 10:22:03

EG2126屹晶微600V兩路半橋驅動無刷電機驅動芯片

濾波電路及輸出驅動電路,更適合用于全橋拓撲電路。EG2126 高端的工作電壓可達 600V,低端 VDD 的電源電壓范圍寬 3V~20V。該芯片具有閉鎖功能防止輸
2025-02-19 08:54:50

新品 | 2EP1xxR - 頻率和占空比可調的驅動電源20V全橋變壓器驅動

新品2EP1xxR-頻率和占空比可調的驅動電源20V全橋變壓器驅動器2EP1xxR是IGBT,GaN和SiC驅動電源全橋變壓器驅動器IC系列,采用緊湊型TSSOP8引腳封裝,具有功率集成和優化
2025-01-24 17:04:39944

柵極驅動芯片最大開關頻率的估算方法

最大開關頻率是柵極驅動芯片的重要性能指標,其表現會受到驅動芯片的封裝、負載條件、散熱等多方面因素的制約。此外,如果半橋驅動集成了自舉二極管,功耗的計算方式也會有所不同。本應用手冊以NSD1026V為例,詳細說明了柵極驅動芯片在不同條件下最大開關頻率的估算方法及相關注意事項。
2025-01-24 09:12:233987

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