解決這些問題來的。這款600V、4A輸出的驅動器,用更強的抗干擾、更高的效率以及更簡潔的高邊驅動設計,能讓高壓驅動設計變得更省心、更可靠。它主要有哪些特點?
扛得住干擾,穩得住高壓:能承受600V
2026-01-04 08:59:29
WD6208A是一款專為安防攝像頭設計的IR-CUT驅動芯片,集成雙向馬達驅動功能。支持TTL邏輯控制電機正反轉、強制制動及待機模式,提供200mA持續/500mA峰值驅動電流,適配2V-18V寬
2025-12-31 16:18:39
214 
邊驅動設計,以更少的元件實現穩定高效的高壓驅動。核心特性
高集成度設計:芯片內部集成了自舉二極管,省去了外部添加該分立器件的需要,簡化了電路布局并提升了可靠性。
高壓耐受與強抗擾:支持最高600V
2025-12-31 08:22:18
IR21592和IR21593是集調光鎮流器控制和600V半橋驅動功能于一體的集成電路。其獨特的架構采用了無變壓器的燈功率傳感和調節相位控制
2025-12-30 17:25:19
422 自適應鎮流器控制IC,深入了解它的特性、參數、工作模式以及保護功能。 文件下載: IR2520DSTRPBF.pdf 一、產品特性概述 IR2520D(S)是將完整的自適應鎮流器控制器和600V半橋驅動
2025-12-28 15:50:12
404 全方位保護功能的600V鎮流器控制芯片,專為驅動各類熒光燈而設計。其最大的亮點在于將PFC(功率因數校正)、
2025-12-24 17:25:09
474 主流產品。如今,國產替代趨勢加速,深圳爭妍微電子推出的600V快恢復二極管TO-220封裝型號,憑借精準的參數匹配與穩定的供貨能力,成為BYV26C的優質替代選擇
2025-12-23 14:43:34
948 
在工業電機、新能源逆變器或大功率電源中,驅動電路的可靠性直接決定整體性能。面對高壓環境下的噪聲干擾、開關損耗以及高邊驅動設計復雜等實際挑戰,SiLM22868提供了一種扎實的解決方案。這款600V
2025-12-23 08:36:15
。
主流芯片選型與關鍵參數
芯片型號
類型
耐壓/供電
輸出能力
核心特性
適用場景
IR2130(英飛凌)
三相柵極驅動器
母線≤600V;VCC 10–20V
源0.25A/灌0.5A
自舉浮動通道
2025-12-08 03:54:37
高壓濾波車規電容在600V耐壓條件下的應用與換電站接口電壓穩定性保障 隨著新能源汽車產業的快速發展,換電模式作為重要的能源補給方式正獲得廣泛應用。在換電站系統中,高壓濾波電容作為關鍵電子元件,其性能
2025-12-05 15:11:03
269 這些挑戰的核心。概述:專為高壓高效應用優化的驅動核心SiLM22868是一款面向工業與新能源領域的單芯片半橋門極驅動器。其核心價值在于,在標準的SOP8封裝內,集成了600V耐壓、4A對稱驅動電流
2025-12-03 08:25:35
ES1J SMA/DO-214AC特快恢復二極管,電流:1A 600V
2025-11-26 17:02:47
0 英集芯IP2332N是一款應用于TWS耳機充電倉、智能穿戴設備、無人機、電動工具的單節鋰電池DC-DC充電芯片。支持標準鋰電池(4.20V)及磷酸鐵鋰電池(3.5V~4.4V定制電壓),輸入耐壓高達30V,最大充電電流2.4A。
2025-11-25 11:42:09
353 
鈞敏科技主推之一的PT5606/PT5607 600V 高壓柵極驅動 IC,憑借高耐壓、強驅動、全保護的核心優勢,成為高壓功率系統設計的優選方案。
2025-11-24 15:55:20
1808 ,配合290ns死區時間從硬件層面防止橋臂直通。2.高可靠性設計600V耐壓為380V工業系統提供充足余量,瞬態負壓耐受能力抑制電機反電動勢引起的電壓尖峰。低di/dt柵極驅動增強抗干擾能力,適應嘈雜
2025-11-24 08:31:44
一、概述:高性能半橋驅動SLM2181CA-DG是一款高壓、高速的功率MOSFET和IGBT驅動器,具備獨立的高邊和低邊參考輸出通道。核心優勢在于600V的高耐壓能力、450mA/950mA的非對稱
2025-11-21 08:35:25
的可靠性600V耐壓為380V工業母線系統提供充足余量,其負壓耐受能力可抑制寄生電感引起的電壓尖峰。2.集成化與成本優化相比分立方案,單芯片集成高低邊驅動可減少光耦或隔離電源數量,降低BOM復雜度和布板
2025-11-20 08:47:23
柵極驅動器是連接控制芯片和功率開關、實現高低壓隔離的安全橋梁。在電子電力系統中,無論是新能源汽車的電驅電控、光伏逆變器、工業變頻器,其核心都離不開柵極驅動器的精準控制。
2025-11-18 14:30:16
998 
的CMTI確保了在極高的dV/dt噪聲環境下,驅動信號依然干凈、無毛刺,從根本上避免誤觸發。10A的峰值電流則能應對SiC/GaN器件更高的開關頻率和柵極電容需求,確保其快速、高效開關。
“車規級”可靠性
2025-11-15 10:00:15
Vishay Semiconductors Gen 5 600V超快和極快整流器將低導通和低開關損耗完美結合在一起。該整流器設計用于提高高頻轉換器和軟開關或諧振設計的效率。Gen 5 600V超快和極快整流器與采用SOT-227封裝的銅基板隔離,有助于構建常見散熱片和緊湊型組件。
2025-11-14 17:12:22
1224 
US2J SMA/DO-214AC超快恢復二極管,電流:2A 600V
2025-11-12 17:18:25
0 US1J SMA/DO-214AC超快恢復二極管,電流:1A 600V
2025-11-12 16:44:05
0 Vishay VLMB2332和VLMTG2332標準SMD MiniLED采用預成型 封裝,引線框架封裝在明亮的白色熱塑性塑料中。Vishay VLMB2332和VLMTG2332具有2.2mmx1.3mmx1.4mm的緊湊尺寸。迷你LED非常適用于設計用于苛刻環境的小型大功率產品,可靠性高。
2025-11-12 16:32:16
516 RS1J SMA/DO-214AC快恢復二極管,電流:1A 600V
2025-11-10 17:10:45
0 RS2J SMA/DO-214AC快恢復二極管電流:2A 600V
2025-11-07 17:23:12
0 ES2J SMA/DO-214AC特快恢復二極管,電流:2A 600V
2025-11-06 17:22:52
0 STMicroelectronics STEVAL-CTM011V1主流壓縮機解決方案是一款基于STSPIN32F0601Q控制器的三相逆變器。該解決方案內置一個三相600V柵極驅動器和一個Arm
2025-10-31 11:45:59
429 
? Cortex?-M0 + CPU的STM32G031x8x3 MCU。該器件還包括一個600V三半橋柵極驅動器和一個smartSD比較器,用于快速過載和過流保護。該控制器集成了高壓自舉二極管、防交叉
2025-10-22 11:29:19
4442 
柵極驅動器是連接控制芯片和功率開關、實現高低壓隔離的安全橋梁。在電子電力系統中,無論是新能源汽車的電驅電控、光伏逆變器,,還是工業變頻器,其核心都離不開柵極驅動器的精準控制。
2025-10-21 11:50:04
1972 
600V、4A/4A 半橋門極驅動SiLM2285,超強抗干擾、高效驅動、高邊直驅設計三大核心優勢,解決工業開關電源、電機拖動、新能源逆變及儲能設備中的驅動難題,實現對高壓、高功率MOSFET
2025-10-21 09:09:18
STDRIVEG610具有 單輸入控制 和 引導操作,只需極少的外部組件即可實現高效的高側和低側切換。該設備支持高達600V 的高側驅動器,并在低端和高端均包含欠壓鎖定 (UVLO) 保護,以確保安全運行
2025-10-17 14:12:56
390 
STMicroelectronics STDRIVEG611半橋柵極驅動器是用于N溝道增強模式GaN的高壓半橋柵極驅動器。高側驅動器部分設計能夠承受高達600V的電壓軌,并且可以輕松由集成自舉二極管
2025-10-16 17:42:30
655 
DRV8300是100V三半橋柵極驅動器,能夠驅動高側和低側N溝道功率MOSFET。該DRV8300D使用集成自舉二極管和用于高側 MOSFET 的外部電容器產生正確的柵極驅動電壓。該
2025-10-14 15:30:54
798 
DRV8770器件提供兩個半橋柵極驅動器,每個驅動器能夠驅動高側和低側N溝道功率MOSFET。集成自舉二極管和外部電容器為高側 MOSFET 產生正確的柵極驅動電壓,而 GVDD 驅動低側 MOSFET 的柵極。柵極驅動架構支持高達 750mA 的柵極驅動電流和 1.5A 的灌電流。
2025-10-14 11:42:20
524 
DRV3233-Q1 是一款集成式智能柵極驅動器,適用于 12V 和 24V 汽車三相 BLDC 應用。該器件提供三個半橋柵極驅動器,每個驅動器能夠驅動高側和低側 N 溝道功率 MOSFET
2025-10-11 13:53:05
1209 
DRV8363-Q1 是一款集成式智能柵極驅動器,適用于 48V 汽車三相 BLDC 應用。該器件提供三個半橋柵極驅動器,每個驅動器能夠驅動高側和低側 N 溝道功率 MOSFET
2025-10-11 09:40:32
656 
BM64378S-VA是將柵極驅動器、自舉二極管、IGBT、再生用快速反向恢復二極管一體化封裝的智能電源模塊(IPM),集成 600V/35AIGBT、柵極驅動器(HVIC/LVIC)、自舉二極管
2025-10-05 16:14:00
1253 
BM63377S-VA是將柵極驅動器、自舉二極管、IGBT、再生用快速反向恢復二極管一體化封裝的智能電源模塊(IPM)。集成 600V/30AIGBT、柵極驅動器(HVIC/LVIC)、自舉二極管
2025-10-05 15:47:00
1267 
英集芯IP2332是一個應用于無人機、電動工具、TWS耳機、智能穿戴設備的單節鋰電池同步降壓充電管理SOC芯片。最大充電電流2.4A,5V輸入、3.7V/2A條件下轉換效率達92%。支持標準鋰電池及磷酸鐵鋰電池。
2025-09-29 12:33:50
754 
限制柵極驅動電流:防止驅動芯片輸出過大電流損壞MOSFET柵極氧化層(通常柵極電壓不超過±20V)2.控制開關數度:通過調節Rg阻值改變柵極充電/放電速度,影響MO
2025-09-27 10:17:54
794 
柵極驅動器是連接控制芯片和功率開關、實現高低壓隔離的安全橋梁。在電子電力系統中,無論是新能源汽車的電驅電控、光伏逆變器、工業變頻器,其核心都離不開柵極驅動器的精準控制。
2025-09-26 11:45:20
2365 
如何在柵極驅動板中,將隔離側的-15v電源轉為可調的-15至-4v輸出呢?
2025-09-22 17:20:01
Texas Instruments DRV832860V三相柵極驅動器是一款集成柵極驅動器,用于三相應用。該器件提供三個半橋柵極驅動器,每個驅動器可驅動高側和低側N溝道功率MOSFET。該器件
2025-09-22 13:58:18
729 
SiLM2234 600V半橋門極驅動器,支持290mA拉電流和600mA灌電流輸出能力,專為高壓、高功率MOSFET和IGBT驅動設計,內部集成自舉二極管,顯著簡化外部電路設計,具備優異的抗負向
2025-09-11 08:34:41
在工業電機控制、新能源逆變器及大功率開關電源等高壓應用領域,系統設計長期面臨著高壓干擾、驅動效率低下以及高邊驅動設計復雜的核心痛點。為應對這些挑戰,600V半橋門極驅動芯片SiLM2285
2025-09-05 08:31:35
國硅集成NSG2153D 600V自振蕩半橋MOSFET/IGBT電機驅動芯片一、概述NSG2153D是一款高壓、高速功率MOSFET自振蕩半橋驅動芯片。NSG2153D其浮動通道可用于驅動高低側N
2025-09-04 10:10:41
在工業高壓電源系統中,電解電容作為關鍵元器件,其性能直接關系到整個系統的穩定性和可靠性。冠坤電解電容600V高耐壓系列憑借其卓越的性能和穩定的表現,成為高壓電路中的"扛把子",為工業高壓電源系統提供
2025-09-02 15:44:42
630 數明半導體即將推出 SiLM2234、SiLM2206 和 SiLM2207 三款 600V、290mA/600mA 半橋門極驅動換新系列產品。
2025-08-28 11:20:59
1932 
在跨國工業供電、數據中心及精密設備場景中,電壓不匹配與電網干擾是核心痛點——美國本土常見的600V級電網(480V線電壓)與全球通用的380V工業電機、208V服務器、220V精密儀器存在電壓壁壘
2025-08-27 10:42:19
800 
,是各種高壓半橋和全橋拓撲的簡潔解決方案。核心優勢解析:
高壓與強驅動力: 芯片的浮動通道設計支持高達600V的工作電壓,并能耐受負壓瞬變,抗dV/dt性能好。提供450mA拉電流和950mA灌電流
2025-08-26 09:15:40
代替IR2186,為600V以下的MOSFET和IGBT應用提供高性價比的單芯片驅動方案。核心優勢:高壓驅動與可靠保護的完美結合SiLM2186CA-DG的核心價值在于其卓越的電氣性能和強大的系統保護
2025-08-23 09:36:06
AiP44273L是一款低側單通道的柵極驅動電路。該電路主要用于驅動低壓功率MODFET和IGBT。輸入兼容CMOS和TTL電平,輸入電壓范圍能兼容-5V~15V。
2025-08-13 11:36:20
1847 
600V/4A/4A半橋門極驅動器(SOP8封裝),正是為解決這些難題而生,為工業與新能源應用提供高效、可靠的驅動解決方案。核心技術突破,直擊行業痛點:
超強抗干擾能力: 卓越的抗負向瞬態電壓與dV/dt
2025-08-08 08:46:25
IR600 CLI 如何保存配置?
2025-08-06 07:51:09
:SLM21867CA-DG是一款高壓(600V)、高速的功率MOSFET和IGBT驅動器,專為驅動半橋或類似拓撲中的高邊和低邊開關而設計。其最大亮點在于直接兼容替代IRS21867S,且封裝同為緊湊的SOP8
2025-07-29 08:46:54
2153X系列是高壓、高速功率自振蕩半橋驅動產品線。 2153X浮動通道可用于驅動高低側N溝道功率MOSFET/IGBT,浮地通道最高工作電壓可達600V。內置死區保護電路,可以有效防止高低側功率管直通。2153X全系列內置自舉電路,可以簡化芯片外圍電路。
2025-07-28 14:02:55
1912 
IP2332V采用同步降壓架構,相較于傳統線性充電方案,其轉換效率最高可達95%,顯著降低充電過程中的能量損耗。芯片支持4.5V至18V寬電壓輸入范圍,兼容多種電源適配器,包括QC3.0/PD快充
2025-07-26 16:31:34
1091 、接觸器、電機控制器等多種場景,為電路提供可靠的保護。該產品具備快速響應特性,能在電路出現過載或短路情況時迅速切斷電路,有效保障用電安全。其額定電壓為 600V A
2025-07-16 08:48:52
運行。
堅固耐用可靠: “模擬二極管”無老化、寬溫工作、高隔離等級(SMP8封裝,CTI>600V)及關鍵安規認證。
#SLMi350DB-DG #SLMi350 #隔離驅動器 #門極驅動器
2025-07-11 09:51:26
600V/0.5A快恢復二極管
省去外部器件,BOM成本降低15%
負壓導致柵極擊穿
VS端耐受-7V瞬態電壓
電機堵轉時保護柵氧層完整性
地彈引起誤觸發
施密特觸發+ -5V邏輯容限
在焊接設備等強EMI
2025-06-25 08:34:07
設計,工作電壓范圍6V 至 50V,設計人員可以通過兩個模擬引腳輕松配置驅動器,用一個簡單的電阻分壓器設置柵極驅動器的驅動電流,
2025-06-24 15:04:35
1931 圣邦微電子推出 36V 車規級電源電壓監測芯片 SGM880xQ,憑借其高精度、低功耗及車規級可靠性,成為汽車電子和工業電源監控的理想選擇。
2025-06-12 12:50:19
1688 
一、?概述: ? ? ? ?D2104M是一款高壓、大電流的PWM半橋柵極驅動芯片,只需要8~20V的低測供電,HO/LO端即可輸出0.4的源電流/0.6A的灌電流,驅動功率MOSFET或IGBT
2025-06-11 10:16:11
908 
柵極驅動IC
矽塔的柵極驅動解決方案具有全系統化、性能高效穩定的產品特點,同時可為客戶有效降低方案成本, 可用于60-900V 雙NMOS柵極驅動,P+N MOS驅動和單NMOS驅動。我矽塔的柵極
2025-06-07 11:26:34
意法半導體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅動器,為開發者帶來更高的設計靈活性和更多的功能,提高目標應用的能效和魯棒性。
2025-06-04 14:44:58
1135 ? 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)推出一款適用于600V級高耐壓GaN HEMT驅動的隔離型柵極驅動器IC“ BM6GD11BFJ-LB ”。通過與本產品組合使用,可使GaN器件
2025-06-04 14:11:46
46770 
柵極驅動IC
矽塔的柵極驅動解決方案具有全系統化、性能高效穩定的產品特點,同時可為客戶有效降低方案成本, 可用于60-900V 雙NMOS柵極驅動,P+N MOS驅動和單NMOS驅動。我矽塔的柵極
2025-05-30 15:20:34
? ? ? ? BDR6300 是一款三相柵極驅動芯片。可直接驅動三路NIOS+PMOS 半橋。電路內部集成了穩定的 5V 輸出電源。? ? ? ?BDR6300 驅動級 MOS 選型更方便。該電路
2025-05-27 17:37:01
0 ? ? ? ?BDR6307B是一款耐壓600V的半橋柵極驅動芯片,內部集成了邏輯信號輸入處理電路、死區控制電路、電平位移電路及輸出驅動電路,用來驅動雙 N型 MOS 半橋
2025-05-27 17:21:03
1 內容概要:HPD2606X是一款600V半橋柵極驅動器,采用專有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技術,能夠穩定驅動高壓MOSFET和IGBT。其主要特性包括懸浮通道設計、抗dV/dt瞬態負電壓能力、寬門
2025-05-19 11:33:30
0 新品驅動無刷直流(BLDC)電機用三相柵極驅動器評估板評估板EVAL-6EDL04I065PR采用英飛凌最新的采SOI技術的EiceDRVIER柵極驅動器6EDL04I065PR
2025-04-25 17:05:07
4661 
川土微電子全新推出全國產化CA-IS3223EHS-Q1半橋柵極驅動器,支持±800V高壓隔離與20V寬電源供電,兼具驅動能力(+1.9A/?2.2A)與低延時(70ns)特性,為中小功率場景提供高性價比解決方案。
2025-04-09 15:01:23
1129 
新品CIPOSMiniIPM600V15A20A30ATRENCHSTOPIGBT7CIPOSMiniIPMIM06BxxAC1系列在600V等級中提供15A、20A和30A三個型號,額定功率高達
2025-04-01 17:34:23
1257 
HPD2606X擁有配合自舉電路操作的浮動通道設計,可穩定驅動高壓側的功率器件。HPD2606X能耐受負向瞬態電壓,抗dV/dt干擾。HPD2606X支持10V~20V的柵極驅動電壓,具備欠壓鎖定功能,可兼容3.3V、5V、15V邏輯電平。
2025-03-26 11:33:37
828 
隨著功率半導體IGBT,SiCMOSFET技術的發展和系統設計的優化,電平位移驅動電路應用場景越來越廣,電壓從600V拓展到了1200V。英飛凌1200V電平位移型頸驅動芯片電流可達+/-2.3A
2025-03-24 17:43:40
10957 
芯朋微代理商高低側柵極電機驅動芯片-PN7114 一、概述PN7114是一款高壓、高速的功率MOSFET和IGBT驅動芯片,其具有獨立的高低側輸出通道。PN7114浮地通道能在600V
2025-03-18 14:28:16
芯朋微代理高低側柵極驅動IC--PN7113 一 概述PN7113是一款基于P_SUBP_EPI工藝的高壓、高速功率MOSFET和IGBT高低側驅動芯片。其浮地通道能工作在600V的高壓
2025-03-18 10:43:17
地通道能工作在600V的高壓下。可用于驅動2個N溝道功率MOSFET或IGBT構成的半橋拓撲結構。輸入信號可以兼容CMOS和LSTTL信號,邏輯輸入電平低至3.3V
2025-03-17 11:09:55
請大佬看一下我這個LM5112驅動碳化硅MOS GC3M0065090D電路。負載電壓60V,電路4A以下時開關沒有問題,電流升至5A時芯片失效,驅動輸出電壓為0。
有點無法理解,如果電流過大為什么會影響驅動芯片的性能呢?
請多指教,謝謝!
2025-03-17 09:33:06
的工作電壓可達 600V,低端 VCC 的電源電壓范圍寬 10V~25V,靜態功耗低。該芯片具有閉鎖功能防止輸出功率管同時導通,輸入通道 HIN 和 LIN 內建
2025-03-10 09:30:33
0 LPD2106是一款高耐壓的半橋柵極驅動芯片,具有0.3A拉電流和1.0A灌電流能力,專用于驅動N溝道MOSFET或IGBT組成的半橋。LPD2106集成了輸入邏輯信號處理電路,支持3.3V~15V
2025-03-08 10:11:28
1248 
在工業生產和半導體設備運行中,電網中的雜質和諧波問題常常導致設備運行不穩定,甚至引發安全隱患。為了解決這一問題,卓爾凡電力科技有限公司推出600V變380V加拿大三相隔離變壓器,為您的設備提供高效
2025-03-05 08:58:06
577 
卓爾凡電力科技變壓器,當進口的加拿大380V半導體設備在國內600V電網環境下運行時,電壓不匹配問題常常導致設備無法正常工作,甚至可能損壞設備。為解決這一難題,卓爾凡電力科技有限公司推出了600V變
2025-03-05 08:50:52
547 
柵極驅動芯片是電子設備核心元件,用于放大控制信號,保障穩定運行。在多個領域有廣泛應用,市場前景好。華普微將推出高性能非隔離式半橋驅動芯片HPD2606X。
2025-03-04 14:34:15
146 
。加拿大作為重要的工業市場,對電氣設備的安全性和可靠性有著嚴格要求。卓爾凡電力科技有限公司推出的600V變380V CSA認證變壓器,憑借其卓越的性能和權威認證,為工業設備出口加拿大提供了有力支持。 ### 一、CSA認證:開啟加拿大市場大門 CSA(加拿大標
2025-03-03 15:30:41
698 
在工業電力系統中,變壓器的安全性和可靠性一直是核心關注點。隨著工業設備的國際化需求增加,電壓轉換設備的性能和安全性顯得尤為重要。卓爾凡電源推出的600V變380V無零線變壓器,憑借其創新的無零線
2025-03-03 15:25:48
674 
在全球化背景下,工業設備的國際化適配成為企業拓展海外市場的重要挑戰之一。尤其是在電力系統標準差異顯著的地區,如北美、歐洲和亞洲,電壓不匹配問題常常阻礙設備的順利出口。600V變380V變壓器憑借其
2025-03-03 15:23:03
628 
UCC27714 是一款 600V 高側、低側柵極驅動器,具有 4A 拉電流和 4A 灌電流能力,旨在驅動功率 MOSFET 或 IGBT。該器件由一個以地為參考的通道 (LO) 和一個浮動通道
2025-02-26 10:52:53
1307 
150V/ns 的開關速度。與分立硅柵極驅動器相比,TI 的集成精密柵極偏置可實現更高的開關 SOA。這種集成與 TI 的低電感封裝相結合,可在硬開關電源拓撲中提供干凈的開關和最小的振鈴。可調
2025-02-25 14:07:16
1148 
該LMG3425R050集成了硅驅動器,可實現高達 150V/ns 的開關速度。與分立硅柵極驅動器相比,TI 的集成精密柵極偏置可實現更高的開關 SOA。這種集成與 TI 的低電感封裝相結合,可在硬
2025-02-25 13:38:01
1017 
LMG342xR030 集成了一個硅驅動器,可實現高達 150V/ns 的開關速度。與分立硅柵極驅動器相比,TI 的集成精密柵極偏置可實現更高的開關 SOA。這種集成與 TI 的低電感封裝
2025-02-24 10:12:19
969 
LMG342xR050 集成了一個硅驅動器,可實現高達 150V/ns 的開關速度。與分立硅柵極驅動器相比,TI 的集成精密柵極偏置可實現更高的開關 SOA。這種集成與 TI 的低電感封裝
2025-02-24 09:55:24
940 
世平集團基于onsemi的柵極驅動器和SiC技術,開發了一款適用于800V車用電空調壓縮機的解決方案。本文將以世平集團的800Ve-CompressorSiC方案為例,深入解析其中采用的安森美(onsemi)柵極驅動器NCV57100的核心特性及其應用。
2025-02-21 16:34:51
627 
600V 變 380V 以及 600V 變 480V 的變壓器,憑借卓越性能與可靠品質,成為眾多行業的理想選擇。 CSA 認證:品質與安全的堅實背書 CSA,即加拿大標準協會認證,在加拿大電氣設備市場擁有至高權威性。對于變壓器而言,獲得 CSA 認證絕非易事。從設計
2025-02-21 14:56:40
797 
LMG342XEVM-04X具有兩個LMG342XR0X0 600-V GaN FET,采用半橋配置,具有集成驅動器和保護功能,并具有所有所需的偏置電路和邏輯/功率電平轉換。基本的功率級和柵極驅動
2025-02-21 11:10:42
822 
BDR6307B 是一款耐壓 600V 的半橋柵極驅動芯片,內部集成了邏輯信號輸入處理電路、死區控制電路、電平位移電路及輸出驅動電路,用來驅動雙 N 型 MOS 半橋。
BDR6307B 的邏輯
2025-02-20 10:22:03
濾波電路及輸出驅動電路,更適合用于全橋拓撲電路。EG2126 高端的工作電壓可達 600V,低端 VDD 的電源電壓范圍寬 3V~20V。該芯片具有閉鎖功能防止輸
2025-02-19 08:54:50
新品2EP1xxR-頻率和占空比可調的驅動電源用20V全橋變壓器驅動器2EP1xxR是IGBT,GaN和SiC驅動電源用全橋變壓器驅動器IC系列,采用緊湊型TSSOP8引腳封裝,具有功率集成和優化
2025-01-24 17:04:39
944 
最大開關頻率是柵極驅動芯片的重要性能指標,其表現會受到驅動芯片的封裝、負載條件、散熱等多方面因素的制約。此外,如果半橋驅動集成了自舉二極管,功耗的計算方式也會有所不同。本應用手冊以NSD1026V為例,詳細說明了柵極驅動芯片在不同條件下最大開關頻率的估算方法及相關注意事項。
2025-01-24 09:12:23
3987 
評論