威兆半導體推出的VS4604AP是一款面向40V低壓超大功率場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉換器等領域。一、產品基本信息器件類型：N
2025-12-31 17:14:45
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Technologies EiceDRIVER? 1200V半橋柵極驅動器.pdf 產品概述 這兩款器件屬于2ED132x系列，能夠在半橋配置中控制最大阻斷電壓為+1200V的IGBT或SiC MOSFET功率器件。其獨
2025-12-20 11:30:021308 ，近期推出了全新的OptiMOS? 6 120 V功率MOSFET技術，為我們帶來了諸多驚喜。今天，我們就來深入探討這一技術及其在三相功率逆變器板上的應用。 文件下載： Infineon
2025-12-20 10:35:06517 EVAL-COOLSIC-2kVHCC評估板：2000V CoolSiC? MOSFET的理想測試平臺 在電力電子領域，工程師們一直在尋找性能更優、可靠性更高的功率器件及測試方案。今天，我們就來深入
2025-12-19 17:00:15445 OptiMOS? 5 Linear FET 2, 100 V IPT017N10NM5LF2 MOSFET深度解析 作為電子工程師，我們在設計中常常需要挑選合適的MOSFET來滿足特定的應用需求
2025-12-19 09:35:06504 威兆半導體推出的VS2622AE是一款面向20V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，支持2.5V邏輯電平控制，采用PDFN3x3封裝，適配低壓中功率電源管理、負載開關等領域。一、產品
2025-12-18 17:42:57173 
CoolSiC? 1400 V SiC MOSFET G2：高性能碳化硅MOSFET的卓越之選 在當今電子技術飛速發展的時代，功率半導體器件的性能對于各類電子系統的效率、可靠性和性能表現起著至關重要
2025-12-18 13:50:06202 探索IMYR140R008M2H CoolSiC? 1400 V SiC MOSFET G2：高性能與多功能的完美結合 在電子工程領域，功率半導體器件的性能直接影響著整個系統的效率和可靠性。今天
2025-12-18 13:50:02214 威兆半導體推出的VS3622DP2是一款面向30V低壓場景的雙通道N溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用PDFN5x6封裝，適配雙路低壓大電流電源管理、DC/DC轉換器等領域。一
2025-12-15 09:51:07218 
威兆半導體推出的VS2N7002K是一款面向60V低壓小信號場景的N溝道增強型MOSFET，采用SOT23小型封裝，適配低功率信號開關、電源管理等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型小信號
2025-12-12 15:43:13301 
：LFUS）是一家多元化的工業技術制造公司，致力于為可持續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司今日宣布推出 MMIX1T500N20X4 X4級超級結功率MOSFET。這款200 V、480 A
2025-12-12 11:40:40376 
安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)宣布推出采用行業標準T2PAK頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET，為汽車和工業應用的電源封裝技術帶來突破。這款新品為電動汽車、太陽能基礎設施及儲能系統等市場的高功率、高電壓應用提供增強的散熱性能、可靠性和設計靈活性。
2025-12-11 17:48:49736 威兆半導體推出的VS3640AA是一款面向30V低壓小電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用DFN2x2封裝，適配小型化低壓電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率
2025-12-10 11:48:31227 在電子設計領域，MOSFET是不可或缺的關鍵元件。今天，我們來詳細探討Onsemi公司的NTMFS3D2N10MD這款N溝道功率MOSFET，看看它在實際應用中能為我們帶來哪些優勢。
2025-12-08 16:38:38548 
威兆半導體推出的VS6604GP是一款面向60V中低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配中低壓大電流DC/DC轉換器、同步整流、中功率負載開關等領域。一、產品基本信息
2025-12-08 10:59:34252 
在電子工程領域，功率模塊的性能直接影響著整個系統的效率和可靠性。今天，我們就來深入了解一下 onsemi 推出的 NXH80T120L2Q0S2G/S2TG, NXH80T120L2Q0P2G 功率模塊，看看它有哪些獨特之處。
2025-12-04 10:35:53413 
作為一名電子工程師，在為電動汽車（xEV）應用設計 DC - DC 轉換器和車載充電器時，合適的功率 MOSFET 模塊至關重要。今天就為大家詳細解析 onsemi 的 SiC 功率 MOSFET 模塊 NVXK2PR80WXT2。
2025-12-03 16:13:24632 
在電子工程師的日常工作中，為特定應用選擇合適的功率模塊至關重要。今天，我們就來深入探討onsemi的NVXK2VR40WXT2這款1200V、40mΩ、55A的三相橋功率模塊，看看它在xEV車載充電器（OBC）應用中能帶來怎樣的優勢。
2025-12-03 15:52:29550 
在電動汽車（xEV）應用領域，車載充電器（OBC）的性能至關重要，而功率 MOSFET 模塊作為其中的核心組件，其性能直接影響著整個系統的效率和可靠性。今天，我們就來深入了解一下 onsemi 的 NVXK2VR80WXT2，一款專為 xEV 應用的 OBC 設計的碳化硅（SiC）3 - 相橋功率模塊。
2025-12-03 15:41:55371 
在電子工程領域，MOSFET作為關鍵的功率器件，其性能和特性對電路設計起著至關重要的作用。今天我們來深入了解一下onsemi推出的NTBLS0D8N08X，這是一款80V、0.79mΩ、457A的單N溝道功率MOSFET，它在多個方面展現出了卓越的性能。
2025-12-03 11:42:19455 
近日，國民技術正式推出新款安全芯片N32S035，該產品是一款即用型的物聯網安全元件解決方案，主打硬件級高安全能力與緊湊型設計，在芯片級提供可信根，能夠為物聯網系統開箱即用地提供先進的端到云安全能力。面向物聯網設備、身份認證、數據加密等應用場景，提供從芯片到系統的全方位安全保護。
2025-12-01 15:17:29291 ）連續波功率：50 W（典型）線性度：IIP3 ≥ 65 dBm（@ 2 GHz）工作溫度：-40 °C ~ +85 °C供電：5 V，驅動電流約 50 mA封裝：16-PQFN (4 × 4 mm
2025-12-01 09:02:41
納芯微正式推出新一代線性位置傳感器 MT911x與MT912x系列。新品面向無人機、3D打印機、手持穩定器、工業自動化設備等對位置檢測精度與響應速度要求嚴苛的應用場景，兼具高精度、高帶寬、低功耗與小型封裝優勢，為多種位置感知需求提供更可靠、更靈活的解決方案。
2025-11-27 16:04:44320 。NTTFD1D8N02P1E MOSFET還具有低 ~RDS (on)~ ，可最大限度地降低導通損耗，另外還具有低~QG~ 和電容，可最大限度地降低驅動器損耗。該MOSFET采用PQFN12小尺寸 (3.3mm x 3.3mm)，設計緊湊。NTTFD1D8N02P1E器件適用于直流/直流轉換器和系統電壓軌。
2025-11-24 13:40:06394 
應用。該器件的漏極-源極電壓為80V，連續漏極電流為299A。安森美NVBLS1D2N08X MOSFET采用H-PSOF8L封裝。
2025-11-24 09:29:21317 
) 2mm x 2mm封裝，在-4.5V時提供僅45mΩ的R ~DS(on)~ ，從而降低了導通損耗，并提高了熱性能。NxJS3151P設備的最大漏極電流為-3.3A，漏源電壓額定值為-12V，非常適合
2025-11-22 10:27:55880 
，PCB布局，特別是貼片封裝功率MOSFET管，要在源極、漏極管腳充分敷設銅皮進行散熱。功率MOSFET管數據表的熱阻測量通常有一定限制條件，如元件裝在1平方英2OZ銅皮電路板上進行測量，實際應用中，源
2025-11-19 06:35:56
仁懋電子（MOT）推出的MOT2N65F是一款面向650V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借快速開關特性、穩定雪崩能力及TO-220F封裝適配性，適用于高效開關電源、半橋式電子鎮流器
2025-11-17 14:37:39200 
Vishay/SiliconSense SiHR080N60E N通道功率MOSFET是 第四代600V E系列功率MOSFET，采用PowerPAK ? 8 x 8LR封裝。該MOSFET可為
2025-11-14 10:32:18365 
仁懋電子（MOT）推出的MOT2N65D是一款面向650V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借快速開關特性、穩定雪崩能力及650V耐壓，廣泛適用于高效開關電源、半橋式電子鎮流器、LED電源等
2025-11-11 09:23:54216 中科微電推出的N溝道MOSFET ZK150G05T，以150V耐壓、51A連續電流、TO-252-2L薄型封裝為核心標簽，精準匹配3-8kW級中壓場景的功率控制需求，其參數設計與應用表現，為理解中壓小功率器件的適配性發展邏輯提供了典型樣本。
2025-11-04 16:27:15481 
及TO-247-3和TO-247-4封裝擴展其CoolSiC??400V G2 MOSFET產品組合。此外，英飛凌還推出了三款額定電壓為440V（連續）和455V（瞬態）的TOLL封裝新產品
2025-10-31 11:00:59297 有超低柵極電荷、±30V柵極-源極電壓、83W總功耗、全球R~DS(ON) x 面積以及全球品質因數（~ FOM）。該MOSFET的工作結溫范圍為-55°C至150°C，采用DPAK（TO-252）A2型封裝。典型應用包括反激式轉換器、LED照明以及平板電腦和筆記本電腦。
2025-10-27 14:24:41381 
DRV83x2 是高性能、集成的三相電機驅動器，具有先進的保護系統。
由于 R 較低 ~DS（開）~ 功率MOSFET和智能柵極驅動設計，這些電機驅動器的效率可達97%。這種高效率使用更小的電源和散熱器，并且這些器件非常適合節能應用。
2025-10-21 10:41:48575 
PSMN1R9-80SSJ與100 V PSMN2R3-100SSJ兩款開關器件能夠提供增強的動態均流功能，專為需要并聯多個匹配MOSFET的高功率48 V應用設計。此類應用涵蓋叉車、電動滑板車、代步設備等電動交通工具的電機驅動系統，或高功率工業電機。
2025-10-10 11:22:27700 Nexperia(安世半導體)近日宣布推出符合AEC-Q101標準的新款100 V MOSFET，采用緊湊型CCPAK1212(12 x 12毫米)銅夾封裝。此款器件具有超低導通損耗，導通電
2025-09-18 18:19:141109 ### 一、IR9351-VB 產品簡介IR9351-VB 是一款采用 DFN6(2X2)-B 封裝的雙 P-通道 MOSFET，具有低導通電阻和高效的開關性能。該器件的最大漏源電壓 (VDS) 為
2025-09-02 15:57:19
### IR8342-VB 產品簡介IR8342-VB是一款采用DFN6(2x2)封裝的單N溝道MOSFET，具有30V的漏源電壓（VDS）和±20V的柵源電壓（VGS）。其低導通電阻和高速開關能力
2025-09-02 15:50:43
### 一、產品簡介IR6276-VB 是一款采用 DFN6 (2x2)-B 封裝的雙 N-溝道 MOSFET，具有高效能、低導通電阻的特性，適用于要求緊湊設計和高性能的應用。其VDS 最大值為
2025-09-02 15:47:38
### 一、IR6242-VB 產品簡介IR6242-VB 是一款采用 DFN6 (2x2) 封裝的單一 N 溝道 MOSFET，專為高效率和低功耗應用設計。其主要特性包括 30V 的漏源電壓
2025-09-02 15:45:18
DRV84xx、DRV89x2和DRV82x2寬電壓、大功率驅動器非常適合用于各種工業應用。該器件采用控制EVM所需的圖形用戶界面 (GUI)。
2025-08-20 09:54:341051 
在功率半導體領域，英飛凌最新推出的CoolSiCMOSFETGen2系列產品，單管有D2PAK-7L表貼式和TO-247-4HC高爬電距離通孔式兩種封裝形式。與上一代產品相比，英飛凌全新
2025-08-19 14:45:005067 
碳化硅（SiC）功率半導體技術引領者森國科，推出了采用SOT227封裝的SiC MOSFET及JBS功率模塊系列。這一突破性封裝方案結合了高功率密度與系統級可靠性，為新能源發電、工業電源及電動汽車等領域提供高效能解決方案。
2025-08-16 13:50:093154 
合科泰HKT系列產品推出新品N溝道增強型MOSFET，采用SGT屏蔽柵技術，其中HKTS80N06采用新款TOLL4封裝優化散熱，產品均符合RoHS環保標準，以低導通電阻和高電流承載，可適配封閉環境應用，如儲能電池包BMS和車載OBC應用。
2025-08-12 16:54:001608 
AB3M040065C SiC MOSFET采用T2PAK-7兼容 HU3PAK封裝 的優勢和應用領域的深度分析： 一、T2PAK-7兼容HU3PAK封裝的核心優勢 頂面散熱設計 熱管理優化
2025-08-10 15:11:061220 
【2025年8月1日，德國慕尼黑訊】全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日推出了采用頂部散熱（TSC）Q-DPAK封裝
2025-08-01 17:05:091506 
電子發燒友網為你提供()用于白光 LED 應用的高效 1x/1.5x/2x 模式電荷泵相關產品參數、數據手冊，更有用于白光 LED 應用的高效 1x/1.5x/2x 模式電荷泵的引腳圖、接線圖、封裝
2025-07-29 18:30:00
電子發燒友網為你提供()用于白光 LED 應用的高效 1X/1.5X/2X 電荷泵相關產品參數、數據手冊，更有用于白光 LED 應用的高效 1X/1.5X/2X 電荷泵的引腳圖、接線圖、封裝手冊
2025-07-25 18:34:31
致力于高性能電力電子芯片與數字能源解決方案創新的——廣芯微電子（廣州）股份有限公司今日宣布，基于自主研發的 UM3242F高性能工業實時微處理器芯片 ，成功開發出新一代 2x520W并網型微型逆變器參考開發平臺 。
2025-07-21 10:07:533938 
圣邦微電子推出 SGMNL12330，一款 30V、TDFN 封裝、單 N 溝道功率 MOSFET。該器件可應用于 PWM 應用、電源負載開關、電池管理和無線充電器。
2025-07-10 17:21:522287 
Wolfspeed 推出新型頂部散熱（TSC） 碳化硅 MOSFET 和肖特基二極管 優化熱管理并節約能耗 Wolfspeed 正在擴展其行業領先的碳化硅（SiC）MOSFET 和肖特基二極管分立
2025-07-09 10:50:321361 
新品采用ThinTOLL8x8封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET新增26mΩ，33mΩ產品第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件產品線現擴充ThinTOLL8x8封裝
2025-07-08 17:08:311019 的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，5.9 GHz C-V2X 和 802.11p DSRC 高功率前端模塊真值表，5.9 GHz C-V2X 和 802.11p DSRC 高功率前端模塊管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-02 18:34:12
【 2025 年 7 月 1 日 , 德國慕尼黑訊】 全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出新型CoolSiC
2025-07-02 15:00:301604 
新品采用D2PAK-7封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件系列推出D2PAK-7引腳封裝（TO-263-7），該系列導通電阻（RDS
2025-07-01 17:03:111321 Semiconductor推出的 BMS065MR12EP2CA2 碳化硅(SiC)MOSFET模塊，憑借其低損耗、高耐溫及高功率密度等特性，為商空熱泵的能效升級提供了創新解決方案。
2025-06-19 16:44:44676 
專為高功率密度應用而設計的 DFN3.3x3.3 源極朝下封裝，采用創新的柵極中置布局技術，可大幅簡化 PCB 走線設計。 日前，集設計研發、生產和全球銷售為一體的著名功率半導體及芯片解決方案供應商
2025-06-18 15:18:491438 
問題。今天的文章將會主要聚集在G2的導通特性上。在MOSFET設計選型過程中，工程師往往會以MOSFET常溫下漏源極導通電阻RDS(on)作為第一評價要素。RDS(o
2025-06-16 17:34:51710 的CoolSiCMOSFET650V和1200VGen2技術在確保質量和可靠性的前提下，進一步提升了MOSFET的主要性能指標，擁有更高的效率和功率密度。Gen2SiC性價比提高了15%，是各種
2025-06-09 17:45:191086 ”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開關電源、光伏發電機功率調節器等工業設備。四款器件于今日開始支持批量出貨。
2025-05-22 14:51:22901 
納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標準，以滿足最嚴苛汽車及工業應用的系統壽命要求。納微最新一代650V與1200V“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET，搭配優化的HV-T2Pak頂部散熱封裝，實現行業最高6.45mm爬電距離，可滿足1200V以下應用的IEC合規性。
2025-05-14 15:39:301341 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia（安世半導體）近日宣布推出一系列高效耐用的車規級碳化硅(SiC) MOSFET，其RDS(on)值分別為30、40和60 mΩ。這些器件
2025-05-09 19:42:5351531 近日，基本半導體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，產品性能進一步提升，封裝形式更加豐富。首發規格包括面向車用主驅等領域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，面向光伏、儲能等
2025-05-09 11:45:401018 
2CD0210T12x0 SiC MOSFET驅動板：解鎖SiC碳化硅功率模塊的極限性能 2CD0210T12x0驅動板不僅是SiC MOSFET的“智慧大腦”，更是電力電子系統邁向高效與可靠的核心
2025-05-06 10:54:02729 
2N7002KDW 是一款采用 SOT363封裝 的雙N溝道MOSFET，集成了ESD保護功能，兼具低導通電阻（RDS(ON)）與高耐壓（60V）特性。其超小封裝和低閾值電壓（VTH=1.6V）使其成為便攜式設備、信號開關和ESD敏感電路的理想選擇。
2025-04-29 18:14:34
0 2N7002KDW 是一款采用 SOT363封裝 的雙N溝道MOSFET，集成了ESD保護功能，兼具低導通電阻（RDS(ON)）與高耐壓（60V）特性。其超小封裝和低閾值電壓（VTH=1.6V）使其
2025-04-27 16:59:26
這款 30V、12.6mΩ、2mm × 2mm SON NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉換應用中的損耗，并針對 5V 柵極驅動應用進行了優化。2mm × 2mm SON 為封裝尺寸提供出色的熱性能。
2025-04-15 17:08:38699 
的晶體管外形無引線 (TOLL) 封裝，將 德州儀器的 GaN 和高性能柵極驅動器與先進的保護功能相結合。 中國上海（2025 年4 月 9 日）— 德州儀器 (TI)（納斯達克股票代碼：TXN）于今日推出新款電源管理芯片，以滿足現代數據中心快速增長的電源需求。隨著高性能計算和人工
2025-04-09 14:38:46516 
飛兆半導體的IGBT器件FGP20N6S2 （屬于SMPS2系列）和MOSFET器件 FCP11N60（屬于SuperFET 產品族）。這些產品具有相近的芯片尺寸和相同的熱阻抗RθJC，代表了功率
2025-03-25 13:43:17
Nexperia（安世半導體）正式推出一系列性能高效、穩定可靠的工業級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
2025-03-21 10:11:001232 )封裝技術，稱為X.PAK。這種封裝技術的創新之處在于其頂面冷卻設計，使得設備在高功率應用中能夠有效散熱，極大地提升了整體性能。新推出的X.PAK封裝尺寸緊湊，只有1
2025-03-20 11:18:11963 
Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 納斯達克代碼:AOSL）推出兩款先進的表面貼片封裝選項，擴展其行業領先的高功率MOSFET產品組合。全新的 GTPAK
2025-03-13 13:51:461305 
電子發燒友網站提供《LTS1010FL-X N溝道增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-12 17:31:020 電子發燒友網站提供《LTS1010SQ-X N溝道增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-12 17:28:140 電子發燒友網站提供《LTS1010SR-X N溝道增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-12 17:15:121 英飛凌(Infineon)近日宣布，擴大其輻射耐受功率MOSFET系列，新增P溝道功率MOSFET，以滿足日益增長的低地球軌道(LEO)空間應用需求。這一新產品的推出，標志著英飛凌在為新一代“新空間
2025-03-11 11:39:53736 
HMC596LP4(E)是一款低成本4x2開關矩陣產品，采用無引腳QFN 4x4 mm表貼封裝，可用于衛星/DBS、LNB和200 MHz至3000 MHz的多路開關。 開關上集成由正電壓控制的4位解碼器。 該開關可用于75 Ω或50 Ω系統。
2025-03-07 16:50:271511 
電子發燒友網站提供《LTS4480FL-X N溝道增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-07 13:54:367 電子發燒友網站提供《LT7904FJ-X N溝道增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-07 11:51:111 電子發燒友網站提供《LT7904FL-X N溝道增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-07 11:10:182 電子發燒友網站提供《LT8810ESL-X N溝道增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-07 10:59:240 電子發燒友網站提供《LT2209FM-X P溝道增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-07 10:55:500 Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日推出新款HiperLCS?-2芯片組，可實現輸出功率翻倍。新器件采用更高級的半橋開關技術和創新封裝，可提供高達1650W的連續輸出功率，效率超過98%。該產品系列的這一新品主要面向工業電源以及電動踏板車和戶外電動工具的充電器，其高效率和
2025-03-06 15:32:11729 
美國加利福尼亞州圣何塞，2025年3月5日訊 – 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日推出新款HiperLCS-2
2025-03-06 10:59:531176 電子發燒友網站提供《LT1754SI-X N溝道增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-05 17:31:020 電子發燒友網站提供《LTD1534MFJ-X N溝道增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
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2025-03-04 16:43:250 電子發燒友網站提供《LTH004SQ-X 40V互補增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
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2025-02-28 17:44:401 電子發燒友網站提供《LTS1534FJ-X N溝道增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-02-28 17:38:391 德州儀器（TI）提供的一種新的驅動器集成氮化鎵（GaN）功率級產品系列已在一個低成本、緊湊的四扁平無引腳（QFN）封裝中實現，該封裝尺寸為12mm x 12mm。這種擴大的QFN封裝可以從GaN
2025-02-25 10:36:391037 
公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴展其CoolSiC MOSFET 650 V單管產品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產品系列。 CoolSiC MOSFET
2025-02-21 16:38:52758 
2025年2月18日，鼎陽科技推出新一代任意波形發生器SDG3000X系列，此系列產品具有16-bit垂直分辨率，最高200MHz輸出頻率，1.2GSa/s采樣率，每通道最大存儲深度40Mpts，并采用了創新的EasyPulse和TrueArb技術，顯著降低波形抖動。
2025-02-19 09:11:411206 
近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產品專為電機控制、電池管理系統、電源管理及充電應用而設計，以其卓越的高電流開關性能和行業領先的技術表現成為市場焦點。新型
2025-01-13 11:41:38957 
圣邦微電子推出 SGMNQ32430，一款 30V，功率型，3.1mΩ 超低導通電阻，單通道 N 型，采用 TDFN-2×2-6BL 及 PDFN-3.3×3.3-8L 超小封裝的 MOSFET 器件。該器件可應用于 VBUS 過電壓保護開關，電池充放電開關和直流-直流轉換器。
2025-01-08 16:34:241182 隨著現代工業技術的快速發展，功率電子器件在能源轉換與控制領域發揮著越來越重要的作用。Toshiba 推出的MG400Q2YMS3 碳化硅 (SiC) N 溝道 MOSFET 模塊，憑借其卓越的性能
2025-01-06 14:57:13985 
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