日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現(xiàn)在4.5V柵極驅(qū)動下4.8mΩ最大導(dǎo)通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:40
3486 Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN，業(yè)內(nèi)首款適用于標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動電路的器件，10 V條件下最大導(dǎo)通電阻降至4 m?，采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝。
2019-10-05 07:04:006418 OptiMOS SD 40 V低電壓功率 MOSFET 提供兩種版本：標(biāo)準(zhǔn)版和中央柵極版。中央柵極版針對多部裝置并聯(lián)作業(yè)進行了優(yōu)化。
2020-11-04 11:20:371997 【 2023 年 5 月 12 日，德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌
2023-06-06 11:01:361578 
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:432171 
。 ? OptiMOS 7 功率MOSFET ? 該半導(dǎo)體產(chǎn)品組合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置（Source-Down）封裝，標(biāo)準(zhǔn)門級和門級居中
2023-12-12 18:04:371464 
80 V的首款產(chǎn)品IAUCN08S7N013。該產(chǎn)品的特點包括功率密度顯著提高，和采用通用且穩(wěn)健的高電流SSO8 5 x 6 mm2 SMD封裝。這款OptiMOS? 7 80 V產(chǎn)品非常適合即將推出
2024-04-16 09:58:445848 
，在40 V 產(chǎn)品組合中新增了采用穩(wěn)健且無鉛封裝的器件，并且推出了80 V和100 V型號的OptiMOS? 7 MOSFET。這些MOSFET針對各項標(biāo)準(zhǔn)和未來的48 V汽車應(yīng)用進行了優(yōu)化，包括電動
2024-06-18 17:51:281177 
看英飛凌的OptiMOS 7系列產(chǎn)品。 ? 官網(wǎng)產(chǎn)品列表 來源：英飛凌 OptiMOS系列是英飛凌面向中低壓領(lǐng)域的產(chǎn)品，產(chǎn)品覆蓋10V到300V區(qū)間，主打一個高性能和高性價比。OptiMOS系列的特點包括極低的RDS(on)以及高效率和高功率密度，適合于較高開關(guān)頻率的應(yīng)用，像通信應(yīng)
2025-02-27 00:58:002676 
缺乏兼容多種封裝的貨源。為了解決這個問題，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出采用RQFN 5x6 封裝
2025-03-03 15:50:564328 
、攝像連接及其他的對 ESD 敏感的電路所需的靜電放電保護。ESD3.3V88D-LA特性：0402 小封裝 1.0mm x 0.6mm x 0.5mm單向單路防護低的容值、低漏流及低箝位電壓IEC
2017-07-25 16:15:41
24V轉(zhuǎn)3.3V穩(wěn)壓芯片24V轉(zhuǎn)3.3V穩(wěn)壓芯片24V轉(zhuǎn)3.3V穩(wěn)壓芯片24V轉(zhuǎn)3.3V穩(wěn)壓芯片PW2312是一個高頻，同步，整流，降壓，開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器內(nèi)部功率MOSFET。它提供了一個非常緊湊
2021-01-22 09:35:12
3.9*3.3mm Elliptical Wide Angle LED封裝尺寸及參數(shù)說明產(chǎn)品說明：ChipMaterial:GaNEmitted Color:Whiteλσ（nm）:Lens
2008-09-28 17:53:44
的MOSFET設(shè)計，就無法做到這一點。2006年，英飛凌為了滿足客戶的要求，推出了OptiMOS? 2 100 V MOSFET[1]。它是該電壓等級里采用電荷補償技術(shù)的第一個功率MOSFE器件。相對于傳統(tǒng)
2018-12-07 10:21:41
時，從結(jié)點到PCB的熱阻僅為1.8°C/W。圖1 PQFN底側(cè)裸熱焊盤改善電氣和熱性能 在封裝內(nèi)，兩種可能的技術(shù)都可以被用來創(chuàng)建從裸片到封裝端子之間的MOSFET源連接。利用標(biāo)準(zhǔn)后端冷卻方式來連接
2018-09-12 15:14:20
功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點為什么要在柵極和源極之間并聯(lián)一個電阻呢？
2021-03-10 06:19:21
`功率Mosfet參數(shù)介紹V(BR)DSS（有時候叫做BVDSS）是指在特定的溫度和柵源短接情況下，流過漏極電流達到一個特定值時的漏源電壓。這種情況下的漏源電壓為雪崩擊穿電壓。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12:20
。 特別是，封裝源極寄生電感是是器件控制的關(guān)鍵因素。在本文中，英飛凌提出了一種用于快速開關(guān)超結(jié)MOSFET的最新推出的TO247 4引腳器件封裝解決方案。這個解決方案將源極連接分為兩個電流路徑；一個用于
2018-10-08 15:19:33
，從而在不改變封裝體積的情況下提高輸出功率。另一個普遍的希望是，能夠最終避免采用插件封裝的器件（比如TO220、TO247）。阻斷電壓為40V和60V的最新一代英飛凌MOSFET，如今可滿足設(shè)計工
2018-12-06 09:46:29
DN331 - 25μV 微功率雙路運算放大器安裝在 3mm x 3mm 的封裝中
2019-07-08 09:49:29
員所需要的。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor簡稱FAI)推出的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET（尺寸3.3mm x 3.3mm 外形PQFN）此款
2012-04-28 10:21:32
技術(shù),是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優(yōu)化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF20V器件可實現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on),在4.5V Vgs下,最高僅為<br/&
2010-05-06 08:55:20
擊穿電壓范圍：20V~30V；Id-連續(xù)漏極電流范圍：3A~30A；功率耗散：1W~20W封裝形式：DFN1006-3，HSMT8（3.3x3.3），DFN2020-8S，DFN2020-8D，SOT-346T，SOT-363T，SOT-457T和TSMT8應(yīng)用：電機應(yīng)用；電動牙刷；電動剃須刀`
2021-02-02 09:55:16
`優(yōu)恩半導(dǎo)體目前推出低電壓、小封裝、超低容值的ESD靜電二極管ESD3.3V88D-LA。該款器件主要用來保護敏感的電子產(chǎn)品（汽車電子、消費類電子），使其免于受到ESD 高達 IEC
2017-03-30 15:05:15
系列 3.3 V 500 mW 表面貼裝 硅 齊納 二極管 - SOD-123規(guī)格電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）(Vz)3.3V容差±5%功率 - 最大值500mW不同 Vr 時電流 - 反向泄漏7.5
2020-12-16 14:54:38
，TO-247-4這種帶輔助源極管腳的封裝形式對碳化硅MOSFET這種高速功率開關(guān)帶來的優(yōu)勢。 02 從數(shù)據(jù)的角度去分析共源雜散電感對開關(guān)損耗的影響 （1）雙脈沖測試時的重要注意事項---電流探頭的相位
2023-02-27 16:14:19
/DC開關(guān)電源的設(shè)計開發(fā)。2009年加入英飛凌科技（中國）有限公司。任系統(tǒng)應(yīng)用工程師，負責(zé)英飛凌功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用和方案推廣。演講內(nèi)容介紹：英飛凌新的OptiMOS產(chǎn)品為MOSFET分離器件設(shè)立了一個
2012-07-13 10:50:22
的封裝內(nèi)采用更高性能的MOSFET，業(yè)內(nèi)的一個趨勢是從SO-8等標(biāo)準(zhǔn)引線封裝向帶有底面漏極焊盤的功率封裝轉(zhuǎn)變。對于大電流應(yīng)用，常用的是功率6mmx 5mm封裝，例如PowerPAK? SO-8。但對
2013-12-23 11:55:35
的能力。對于 3.3V 應(yīng)用，所選 MOSFET 的額定導(dǎo)通電阻應(yīng)針對 3V 或更小的柵極驅(qū)動電壓。例如，對于具有 3.3V 驅(qū)動的100 mA負載，額定漏極電流為250 μA的FET在柵極 - 源極施加
2021-05-09 06:30:00
如何用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
：3.3V →5V直接連接技巧六：3.3V→5V使用MOSFET轉(zhuǎn)換器技巧七：3.3V→5V使用二極管補償技巧八：3.3V→5V使用電壓比較器技巧九：5V→3.3V直接連接技巧十：5V→3.3V使用二極
2019-09-03 10:47:49
，就可以將效率提高0.4%。這種消耗的降低，來源于更低的封裝電阻和低至約1nH的極低封裝電感。對應(yīng)于40V、60V和80V的電壓等級，OptiMOS 3的漏極-源極通態(tài)電阻RDS(on)分別為1.8m
2018-12-07 10:23:12
英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進一步擴大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統(tǒng)
2010-01-26 09:22:571239 英飛凌推出25V OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS系列
為提高計算和電信產(chǎn)品的能效，英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應(yīng)用電力電子會議和產(chǎn)品展示
2010-03-01 11:20:471055 采用PQFN封裝的MOSFET 適用于ORing和電機驅(qū)動應(yīng)用
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET功率MOSFET，其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻 (R
2010-03-12 11:10:071571 用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8
英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間
2010-05-12 18:17:181196 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3x3封裝，為電信、網(wǎng)絡(luò)通信和高端臺式機及筆記本電
2010-11-24 09:14:351748 用改進的PQFN器件一對一替換標(biāo)準(zhǔn)SO-8 MOSFET可提升總體工作效率。電流處理能力也能夠得以增強，并實現(xiàn)更高的功率密度。在以并聯(lián)方式使用的傳統(tǒng)MOSFET應(yīng)用中，采用增強型封裝(如PQFN和DirectFET)的最新一代器件可用單個組件代替一個并聯(lián)的組件對。
2011-03-09 09:13:026854 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)
2011-06-16 09:35:044803 IR擴展其封裝系列，推出PQFN 4mm x 4mm封裝。IR最新的高壓柵級驅(qū)動IC采用該封裝，為家用電器、工業(yè)自動化、電動工具和替代能源等一系列應(yīng)用提供了超緊湊、高密度和高效率的解決方案
2011-06-29 09:07:191423 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進、碳減排和成本節(jié)約樹立了行業(yè)新標(biāo)桿，從而進一步
2011-09-13 08:33:16897 英飛凌科技推出采用先進溝槽技術(shù)制程的最新單一P通道40V汽車電源MOSFET系列產(chǎn)品。新型40V OptiMOS P2產(chǎn)品為提升能源效率、減少CO2排放及節(jié)省成本設(shè)立新的基準(zhǔn)
2011-09-28 19:35:41898 英飛凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451485 飛兆半導(dǎo)體公司和英飛凌科技宣布進一步擴展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴展協(xié)議將包括5x6mm非對稱結(jié)構(gòu)功率級雙MOSFET封裝。
2012-02-09 09:18:221087 e絡(luò)盟日前宣布新增來自全球半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案領(lǐng)先提供商英飛凌的CoolMOS?與OptiMOS?系列產(chǎn)品，進一步擴充其功率MOSFET產(chǎn)品組合。
2015-03-02 17:37:381775 2015年3月24日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今日推出了OptiMOS? 5 25V和30V產(chǎn)品家族，它們是采用標(biāo)準(zhǔn)分立式封裝的新一代功率MOSFET。
2015-04-01 14:06:081666 3.3V—5V連接技巧與訣竅3.3V—5V連接技巧與訣竅3.3V—5V連接技巧與訣竅3.3V—5V連接技巧與訣竅3.3V—5V連接技巧與訣竅3.3V—5V連接技巧與訣竅3.3V—5V連接技巧與訣竅
2015-12-14 14:11:20
0 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的100V全H橋DMHC10H170SFJ，把雙N通道及P通道 MOSFET集成到微型DFN5045封裝 （5mm x 4.5mm）。
2016-02-16 10:56:361840 Vishay宣布，推出業(yè)內(nèi)首批通過AEC-Q101認證的采用雙片不對稱功率封裝的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP，可在汽車應(yīng)用的高效同步降壓
2016-07-11 14:33:171295 WSD20L75DN P DFN3.3X3.3EP -20V -50A
2017-07-28 15:21:5957 WSD3070DN N DFN3.3X3.3-80-EP 30V 70A
2017-07-28 10:33:029 MCP87130 是采用常見的 PDFN 5 mm x 6 mm 封裝和
PDFN 3.3 mm x 3.3 mm 封裝的 N 溝道功率 MOSFET。
MCP87130 利用先進的封裝和硅片
2018-06-29 11:23:002 MCP87090 是采用常見的 PDFN 5 mm x 6 mm 封裝和
PDFN 3.3 mm x 3.3 mm 封裝的 N 溝道功率 MOSFET。
MCP87090 利用先進的封裝和硅片
2018-07-02 10:23:0010 MCP87055 器件是采用常見的 PDFN 3.3 mm x 3.3 mm
封裝的 N 溝道功率 MOSFET。先進的封裝和硅片加工技
術(shù)使 MCP87055 可以在給定 RDS(on) 值
2018-06-29 10:24:005 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 擴展其封裝系列，推出PQFN 4mm x 4mm封裝。IR最新的高壓柵級驅(qū)動IC采用該
2018-11-13 16:26:192266 最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFETreg
2019-01-01 16:29:011015 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ti)LTC1517-3.3相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有LTC1517-3.3的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，LTC1517-3.3真值表，LTC1517-3.3管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2019-02-22 13:42:34
SuperSO8封裝：OptiMOS 5 150V功率MOSFET此次提供了尺寸更小的SuperSO8封裝，堪稱封裝界的best-in-class級別，相比于TO-220封裝，SuperSO8將在減少封裝電感的基礎(chǔ)上進一步增大功率密度、減少漏源電壓V DS的尖峰。
2019-09-25 10:28:176007 
威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉(zhuǎn)換拓撲中的功率密度和效率而設(shè)計。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級別中的最低輸出電容(Coss)。儒卓力在電子商務(wù)網(wǎng)站上供應(yīng)這款MOSFET器件。
2020-02-20 10:27:383580 DN331 - 25μV 微功率雙路運算放大器安裝在 3mm x 3mm 的封裝中
2021-03-21 15:12:336 新型 30 V n 溝道 TrenchFET?第五代功率 MOSFET，提升隔離和非隔離拓撲結(jié)構(gòu)功率密度和能效。 Vishay Siliconix?SiSS52DN?采用熱增強型 3.3 mm x
2021-05-28 17:25:573908 LTC3442演示電路-鋰離子至3.3V功率降壓-升壓轉(zhuǎn)換器(2.5-4.2V至3.3V@1.2A)
2021-06-10 19:33:414 05代表的是工作電壓5V。ESD二極管的工作電壓都比較低，一般都是根據(jù)通信芯片的工作電壓來設(shè)計，有：2.8V、3V、3.3V、5V、8V、12V、15V、24V、36V等等。經(jīng)常有客戶向東沃電子
2021-08-24 14:46:073215 道：“SOD-123 單向 200瓦 工作電壓3.3V 擊穿電壓5.2-6V，有符合這個條件的TVS二極管嗎？具體型號是哪個？” 根據(jù)東沃電子TVS瞬態(tài)電壓抑制二極管產(chǎn)品選型手冊查詢可知，TVS二極管SMF3.3A完全能夠符合客戶的需求。SMF3.3A，小功率TVS二極管，具體參數(shù)詳情如下： 峰值脈沖功率：
2021-09-20 10:19:005310 
英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡稱SD）功率MOSFET，為解決終端應(yīng)用中的設(shè)計挑戰(zhàn)提供切實可行的解決方案。
2022-02-15 13:51:382670 
英飛凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列，旨在為分立功率MOSFET技術(shù)樹立全新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
2022-03-14 17:39:162199 
OptiMOS 已經(jīng)成為采用英飛凌獨特技術(shù)的中低耐壓 MOSFET 的商標(biāo)，有多種耐壓、RDS(on)、封裝，適用于汽車和消費類應(yīng)用。英飛凌在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的市場占有率位居全球第一，特別是在汽車
2022-08-19 15:05:056086 兩款新型 30 V 對稱雙通道 n 溝道功率 MOSFET，將高邊和低邊 TrenchFET Gen V MOSFET 組合在 3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR 3x3FS 單體封裝
2023-02-04 06:10:041602 
采用 LFPAK88 封裝的 NextPower 100 V、3.3 mOhm、180 A、N 溝道 MOSFET-PSMN3R3-100SSF
2023-02-08 19:25:250 未來電力電子系統(tǒng)的設(shè)計將持續(xù)推進，以實現(xiàn)最高水平的性能和功率密度。為順應(yīng)這一發(fā)展趨勢，英飛凌科技有限公司推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET，電壓范圍涵蓋
2023-02-16 16:27:221708 TO-220 封裝的 N 溝道 80 V、3.3 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN3R3-80PS
2023-02-22 19:00:520 本電路采用電壓調(diào)整器TL431A，首先生成2.495V的基準(zhǔn)電壓，再經(jīng)過同相放大生成3.3V電壓，為保證3.3V電源的帶載能力，后增加一功率三極管，這樣3.3V電源電流是從5V處取得，從而提高了3.3V電源的輸出能力，整個電路的功耗也很小。
2023-03-27 11:50:329610 
理由相信潮流正在轉(zhuǎn)變。正如TechInsights在不久前發(fā)布的PCIM Europe 2023 -產(chǎn)品公告和亮點博客[4]文章中所討論的那樣，英飛凌宣布推出采用3.3 kV SiC MOSFET芯片的CoolSiCTM XHPTM 2大功率模塊[5]。
2023-06-03 12:30:581556 
雷卯推薦TVS低漏流100uA，低電壓3.3v,功率400W瞬態(tài)電壓抑制二極管，簡稱TVS。當(dāng)TVS兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時，它能以10-12s的速度，將其兩極間的高阻抗變?yōu)榈妥杩梗崭哌_數(shù)千
2022-08-15 09:22:201540 
低電壓TVS瞬變抑制二極管在實際應(yīng)用中，很常用，比如3.3V、5V、6V、6.5V、7V、7.5V、8V、8.5V、9V等等。關(guān)于3.3V的TVS二極管，之前TVS廠家東沃電子（DOWOSEMI）向
2022-09-29 17:40:505641 
DFN82x3x0.4mm封裝的3.3V64MbitSPINORFlash產(chǎn)品XT25F64FDTIGT，滿足物聯(lián)網(wǎng)、智能穿戴、小型便攜設(shè)備等應(yīng)用對產(chǎn)品高度集成化、小型化
2022-11-22 14:40:342347 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:121705 SMBJ3.3A二極管參數(shù)工作電壓：3.3V擊穿電壓：5.2V-6V鉗位電壓：8V峰值脈沖電流：75A峰值脈沖功率：600W漏電流：800uA封裝形式：SMB/DO-214AA絲印標(biāo)識：KC
2021-10-29 09:25:449 MOS場效應(yīng)管DFN3.3X3.3-8L30V25A
2022-09-23 17:59:370 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用新推出的增強型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:011647 
英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:491820 
2024年1月4日，致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布其旗下品佳推出基于英飛凌（Infineon）XMC4200微控制器和CFD7 CoolMOS MOSFET的3.3KW高功率密度雙向相移全橋方案。
2024-01-05 09:45:011489 
MOSFET集成在緊湊的3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3 x 3FS單體封裝中，為工業(yè)和通信應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換帶來了顯著的性能提升。
2024-03-12 10:32:021362 英飛凌科技股份公司，作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設(shè)計人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:291466 全球半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司宣布推出一款新型封裝——SSO10T TSC，該封裝基于其先進的OptiMOS? MOSFET技術(shù)，專為滿足汽車電子產(chǎn)品中對熱效率和空間利用有嚴(yán)苛要求的場合設(shè)計。
2024-04-15 15:49:331566 
英飛凌科技近日推出了其最新的OptiMOS? 7 80 V系列首款產(chǎn)品——IAUCN08S7N013。這款MOSFET技術(shù)不僅顯著提升了功率密度，還采用了通用且堅固的SSO8 5x6mm2 SMD封裝。
2024-05-07 15:08:071440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《低功率，1.8/2.5/3.3-V輸入，3.3-V CMOS輸出，2輸入異或門數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-05-09 10:36:180 近日，英飛凌正式發(fā)布了采用OptiMOS? 6功率MOSFET的模塊化半橋功率板。這款功率板模塊采用了OptiMOS? 6功率MOSFET 135V，并配備了D2PAK 7引腳封裝，是LVD可擴展功率演示板平臺的功率部分。
2024-10-23 17:27:101206 新品采用OptiMOS6功率MOSFET的模塊化半橋功率板該套件功率板模塊采用OptiMOS6功率MOSFET135V，D2PAK7引腳封裝，是LVD可擴展功率演示板平臺的功率部分。它是一個帶功率
2024-10-24 08:03:521298 CSD87503Q3E 是一款 30V、13.5mΩ、共源、雙 N 通道器件，專為 USB Type-C/PD 和電池保護而設(shè)計。這款 SON 3.3 × 3.3 mm 器件具有低漏極到漏極導(dǎo)通電阻，可最大限度地減少損耗，并為空間受限的應(yīng)用提供較少的元件數(shù)量。
2025-04-15 17:02:16829 
CSD87313DMS 是一款 30V 共漏極、雙 N 通道器件，專為 USB Type-C/PD 和電池保護而設(shè)計。這款 SON 3.3mm × 3.3mm 器件具有低源極到源導(dǎo)通電阻，可最大限度地減少損耗，并為空間受限的應(yīng)用提供低元件數(shù)量。
2025-04-16 09:55:06835 
這款 60V、8.1mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換中的損耗 應(yīng)用。 *附件：CSD18543Q3A 60V N 溝道
2025-04-16 10:35:32787 
方框圖 1. 產(chǎn)品概述 ? 型號 ?：CSD17581Q3A ? 類型 ?：30V N溝道 NexFET? 功率MOSFET ? 封裝 ?：SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封裝 ? 特點 ?：低柵極電荷（Q_g）、低導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）、低熱阻、雪崩額定、無鉛、
2025-04-16 11:25:34775 
的 AONK40202 ?25V MOSFET。該產(chǎn)品專為高功率密度DC-DC應(yīng)用設(shè)計，可完美滿足AI服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)的嚴(yán)苛需求。 AONK40202 的創(chuàng)新源極朝下封裝技術(shù)，使源極
2025-06-18 15:18:491438 
電流以及2.45m漏極-源極電阻（10V時）。安森美NVTFWS002N04XM MOSFET采用3.3mmx3.3mm小尺寸封裝，非常適用于電機驅(qū)動、電池保護和同步整流應(yīng)用。
2025-11-24 09:56:46274 
安森美NTTFD1D8N02P1E N溝道MOSFET是一款雙通道25V電源夾非對稱器件。該N溝道MOSFET具有4.2mΩ HS、1.4mΩ LS和25V~DSS~~ 漏~極-源極電壓
2025-11-24 13:40:06394 
探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET：電機驅(qū)動的新突破 在電子工程師的日常工作中，為電機驅(qū)動系統(tǒng)挑選合適的MOSFET至關(guān)重要。英飛凌最新推出的OptiMOS? 7 40V N
2025-12-18 14:30:06188 探索 OptiMOS? 5 汽車功率 MOSFET IAUTN08S5N012L 的卓越性能 在汽車電子領(lǐng)域，功率 MOSFET 扮演著至關(guān)重要的角色。今天，我們將深入探討英飛凌（Infineon
2025-12-19 10:20:16207 ，近期推出了全新的OptiMOS? 6 120 V功率MOSFET技術(shù)，為我們帶來了諸多驚喜。今天，我們就來深入探討這一技術(shù)及其在三相功率逆變器板上的應(yīng)用。 文件下載： Infineon
2025-12-20 10:35:06518
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論