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電子發燒友網>電源/新能源>功率器件>Diodes 100V MOSFET H橋采用5mm x 4.5mm封裝有效節省占位面積

Diodes 100V MOSFET H橋采用5mm x 4.5mm封裝有效節省占位面積

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采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V,11.7mOhmN溝道 MOSFET-PSMN012-100YSF

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2023-02-09 21:55:001

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V、10.9mΩN溝道 MOSFET-PSMN011-100YSF

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V、10.9mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN011-100YSF
2023-02-20 19:50:190

N 溝道 100V,5 mΩ 標準電平 MOSFET采用 TO-220-PSMN5R0-100PS

N 溝道 100 V5 mΩ 標準電平 MOSFET采用 TO-220-PSMN5R0-100PS
2023-02-22 18:46:360

N 溝道 100V,5 mΩ 標準電平 MOSFET,具有改進的 SOA,采用 TO220 封裝-PSMN4R8-100PSE

N 溝道 100 V5 mΩ 標準電平 MOSFET,具有改進的 SOA,采用 TO220 封裝-PSMN4R8-100PSE
2023-02-22 18:54:230

采用 TO220 封裝的 NextPower 100V,8.7 mΩN溝道 MOSFET-PSMN8R5-100PSF

采用 TO220 封裝的 NextPower 100 V、8.7 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN8R5-100PSF
2023-02-23 18:42:140

采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100V,8.8 mΩN溝道 MOSFET-PSMN8R5-100ESF

采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100 V、8.8 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN8R5-100ESF
2023-02-23 18:44:520

采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100V,18 mΩN溝道 MOSFET-PSMN018-100ESF

采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100 V、18 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN018-100ESF
2023-02-23 18:45:040

采用 TO220 封裝的 NextPower 100V,18 mΩN溝道 MOSFET-PSMN018-100PSF

采用 TO220 封裝的 NextPower 100 V、18 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN018-100PSF
2023-02-23 18:45:230

N 溝道 100V 8.5 mΩ 標準電平 MOSFET采用 TO220F(SOT186A)-PSMN8R5-100XS

N 溝道 100V 8.5 mΩ 標準電平 MOSFET采用 TO220F (SOT186A)-PSMN8R5-100XS
2023-03-03 20:12:570

5 V、15 A 同步降壓 Silent Switcher 采用 3 mm x 3 mm LQFN 封裝

LTC3313 降壓型 Silent Switcher? Analog Devices 的 5 V、15 A 同步降壓 Silent Switcher 采用 3 mm x 3 mm LQFN 封裝
2023-07-03 14:32:2110035

英飛凌推出先進的OptiMOS?功率MOSFET,進一步擴大采用PQFN 2x2 mm2封裝MOSFET器件的產品陣容

全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優化了用于高性能設計的成熟OptiMOS技術。新產品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝,具備先進的硅技術、穩定可靠的封裝與極低的熱阻(RthJC最大值為3.2 K/W)。
2023-10-13 16:25:121705

AOS推出新款100V MOSFET AONA66916

Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) 推出了一款 100V MOSFET——AONA66916,采用了創新的雙面散熱 DFN 5 x 6 封裝。這一創新型封裝為 AOS 產品賦予了卓越的散熱性能,使其在長期惡劣的運行條件下仍能保持穩定的性能。
2024-01-26 18:25:153071

160VSOI半驅動器驅動100V MOSFET評估套件

帶有額定電壓為160V的2ED2748S01G(3x310引腳DFN封裝)半柵極驅動器,可驅動12個額定電壓為100V的OptiMOSMOSFETIPTC015N
2024-03-13 08:13:071575

5mm LED燈珠 基礎知識

5mm LED 非常有用,因為它們可以輕松地由小型電池供電并持續很長時間。這使得將它們集成到許多電子產品中或將燈放置在它們通常無法到達的地方變得很容易。 5mm LED 的名稱是根據其尺寸而得名
2024-05-22 16:06:442155

新品 | 采用 2000V SiC M1H芯片的62mm模塊系列產品擴展

新品采用2000VSiCM1H芯片的62mm模塊系列產品擴展2000V的62mmCoolSiCMOSFET半模塊系列新增5.2mΩ新規格。其采用了M1H芯片技術,模塊還提供預涂導熱界面材料
2024-07-05 08:14:38968

視覺插件是選擇3mm還是5mm直插燈珠

、選擇3mm視覺插件燈珠和5mm視覺插件燈珠時,需要考慮多個因素,亮度,光色,應用場景都是優先要考慮的。如果你不清楚3mm還是5mm適合你,可以分別測試下樣品。沒有對比就沒有發言權嘛
2024-11-23 17:18:141312

技術資料#LMG2100R026 100V 2.6mΩ 半氮化鎵 (GaN) 功率級

LMG2100R026 器件是一款 93V 連續、100V 脈沖、53A 半功率級,集成了柵極驅動器和增強型氮化鎵 (GaN) FET。該器件由兩個 GaN FET 組成,由一個采用配置的高頻
2025-02-21 17:17:561047

CSD18511Q5A 40V、N通道 NexFET? 功率 MOSFET,單 SON 5mm x 6mm,2.3mOhm技術手冊

這款 40 V、1.9 mΩ、SON 5 × 6 mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉換應用中的損耗。 *附件:csd18511q5a.pdf 特性 低 R DS(開啟
2025-04-16 10:45:52677

TPSM53604 36V、4A 降壓電源模塊,采用小型 5.5 x 5 x 4mm 增強型 HotRod? QFN 封裝數據手冊

TPSM53604 電源模塊是一種高度集成的 4A 電源解決方案,它將 36V 輸入降壓直流/直流轉換器與功率 MOSFET、屏蔽電感器和無源器件組合在一個熱增強型 QFN 封裝中。5mm x
2025-04-21 09:22:48754

【KUU重磅發布】2款100V耐壓雙MOSFET5mm×6mm和3mm×3mm尺寸及超低導通電阻,助力通信基站高效節能

隨著通信基站和工業設備電源系統向48V升級,高效、節能的元器件需求日益迫切。KUU憑借先進工藝與封裝技術,全新推出2款100V耐壓雙MOSFET,以超低導通電阻和緊湊尺寸,為風扇電機驅動提供高性能
2025-04-30 18:33:29877

基本半導體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET模塊

基本半導體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET模塊,該系列產品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術,在比導通電阻、開關損耗、可靠性等方面表現更出色。
2025-08-01 10:25:141293

ROHM推出適用于AI服務器的寬SOA范圍5 mm×6 mm小尺寸MOSFET

ROHM(羅姆半導體)宣布,開發出實現業界超寬SOA*1范圍的100V耐壓功率MOSFET“RS7P200BM”。該款產品采用5060尺寸(5.0mm×6.0mm封裝,非常適用于采用48V電源AI
2025-11-17 13:56:19200

探索PEC05系列5mm增量式微型編碼器:設計與應用全解析

特點、性能參數、應用場景以及設計要點。 文件下載: Bourns PEC05 5mm增量微型編碼器.pdf 一、產品特點 1. 緊湊設計 PEC05系列編碼器采用了緊湊的設計,這對于空間有限的應用場景來說至關重要。在如今追求小型化和集成化的電子設備中,緊湊的編碼器能夠節省寶貴的
2025-12-22 14:40:02188

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