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電子發燒友網>新品快訊>用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK

用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK

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2025-10-22 15:20:45

??源探頭與高壓探頭的技術比較與應用選擇??

文章對比了無源探頭與高壓探頭在設計原理、性能參數及應用場景上的差異,指出源探頭適用于低電壓測量,高壓探頭適合高電壓環境,兩者各有優劣。
2025-10-09 16:18:37245

合科泰高壓與中低壓MOSFET技術解析

功率半導體器件一直以來都在朝著高頻化、低功耗的方向演進,MOSFET 已經形成了高壓與中低壓兩大技術的分支。錯誤選型對電路拓撲的系統影響,很可能會導致設備發熱嚴重、待機功耗超標,嚴重的話甚至會縮短
2025-09-15 16:02:551003

專為高壓高頻應用設計:SiLM2026 半橋門極驅動器支持200V/600mA輸出

高效驅動功率MOSFET和IGBT,廣泛應用于工業自動化、醫療設備、機器人控制等領域。 產品特性 寬電壓支持:母線電壓最高200V,VCC工作電壓范圍10V~20V,適應多種工況。 高兼容性輸入:輸入
2025-09-15 09:12:42

SLM2184SCA-13GTR 600V耐壓、3.3V邏輯兼容的高壓半橋驅動芯片

各位在做高壓電源或電機驅動的朋友,這款高壓半橋驅動芯片 SLM2184SCA-13GTR 值得了解一下,采用緊湊的 SOP8 封裝,集成了獨立的高邊和低邊驅動通道,能直接驅動MOSFET或IGBT
2025-08-26 09:15:40

SiLM228x系列SiLM2285 600V/4A半橋驅動,直擊高壓功率應用痛點

噪聲能力,有效抑制高壓環境下的電磁干擾,避免誤觸發,保障系統在工業電機啟動、逆變并網等瞬態工況下的穩定運行。 高效驅動性能: 提供強大的4A拉電流/灌電流輸出,可驅動多MOSFET并聯。結合9ns超快上
2025-08-08 08:46:25

Bourns 發布全新功率金屬片電流檢測電阻, 采用 SMD 2010 緊湊型封裝

及機器人電流控制等應用中,對小尺寸、高精度阻值及電阻公差的需求。 此外,Bourns 也推出 2512 封裝尺寸的 CRF2512 型號大功率
2025-07-17 11:25:4816914

高壓源探頭能測整流橋電壓嗎?

高壓源探頭是用于測量高電壓電路中信號的一種工具,它不需要外部電源供電。然而,對于測量整流橋電壓,需要考慮幾個因素以確定是否可以使用高壓源探頭。 首先,讓我們了解一下整流橋的基本原理。整流橋是一種
2025-07-11 09:21:49

圣邦微電子推出單N溝道功率MOSFET SGMNL12330

圣邦微電子推出 SGMNL12330,一款 30V、TDFN 封裝、單 N 溝道功率 MOSFET。該器件可應用于 PWM 應用、電源負載開關、電池管理和無線充電器。
2025-07-10 17:21:522287

密封光隔離高速功率 MOSFET 驅動器 skyworksinc

電子發燒友網為你提供()密封光隔離高速功率 MOSFET 驅動器相關產品參數、數據手冊,更有密封光隔離高速功率 MOSFET 驅動器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,密封光隔離高速功率
2025-07-09 18:30:34

OB2365TCPA-H 昂寶電流模式PWM控制器和高壓功率MOSFET

OB2365x結合了專用電流模式PWM控制器和高壓功率MOSFET。它針對高性能、低待機功率和低成本的離線反激變換器應用進行了優化。OB2365x提供全面的自動恢復保護,包括逐周期限流(OCP
2025-07-09 11:36:511

MOSFET與IGBT的選擇對比:中低壓功率系統的權衡

功率電子系統中,MOSFET和IGBT是兩種常見的開關器件,廣泛應用于中低壓功率系統。它們各有優缺點,適用于不同的應用場景。作為FAE,幫助客戶理解這些器件的特性、差異和應用場景,能夠有效提高系統
2025-07-07 10:23:192435

用于混合組裝的光隔離高速功率 MOSFET 驅動器 skyworksinc

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2025-07-03 18:34:35

初級元器件知識之功率MOSFET

氧化物半導體 FET)主要被用于線性或開關電源應用。 他們為什么要發明功率MOSFET? 當把雙極型三極管按照比例提高到功率應用的時候,它顯露出一些惱人的局限性。確實,你仍然可以在洗衣機、空調機
2025-06-03 15:39:43

英飛凌推出全新緊湊型CoolSET封裝系統(SiP),可在寬輸入電壓范圍內提供最高60 W高效功率輸出

)。這款緊湊的全集成式系統功率控制器可在85 - 305 VAC通用輸入電壓范圍內提供最高60 W高效功率輸出。系統中的高壓 MOSFET采用小型SMD封裝,擁有低RDS(ON)且無需外部散熱器,從而縮小
2025-05-30 16:55:05489

破局時刻:大陸首款55A/-200V/50mΩ高壓MOSFET問世-VBP2205N

-200V/50mΩ 高壓MOSFET。這款采用TO-247封裝的P溝道功率器件,以55A連續電流承載能力和超低導通電阻,填補了國產高壓MOSFET在工業電源、新能源及汽車電子領域的空白,標志著中國功率
2025-05-29 17:44:06806

使用 N-MOSFET 作為功率吸收路徑有哪些優點?

CCG8 使用 GPIO 來控制 FET 柵極驅動器的功率吸收路徑, 我可以使用 P-MOSFET 作為電源接收路徑嗎? 使用 N-MOSFET 作為功率吸收路徑有哪些優點?
2025-05-28 06:51:33

高壓功率放大器使用技巧介紹

在現代電子系統中, 高壓功率放大器 扮演著至關重要的角色,用于放大和控制高壓電信號,例如用于醫療成像設備、工業機器人、通信系統和能源轉換器等領域。以下是一些使用高壓功率放大器時的技巧和注意事項
2025-05-12 14:08:42514

CSD17581Q3A 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET技術手冊

NexFET? 功率 MOSFET 數據表.pdf 特性 低 Q g 和 Q GD 低 R DS(開) 低熱阻 雪崩評級 鉛 符合 RoHS 標準 鹵素 SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封裝 參數
2025-04-16 11:25:34775

CSD18513Q5A 40V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET數據手冊

mm 塑料封裝 參數 方框圖 1. 產品概述 ? 型號 ?:CSD18513Q5A ? 類型 ?:40V N溝道 NexFET 功率MOSFET ? 封裝 ?:SON 5mm × 6mm 塑料封裝 ? 特點 ?:低導通電阻(R_DS(ON))、低熱阻、雪崩額定、邏輯電平、鉛端
2025-04-16 10:54:00755

CSD18512Q5B 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET數據手冊

? 功率 MOSFET 數據表 .pdf 特性 低 R DS(開啟) 低熱阻 雪崩評級 邏輯電平 鉛端子電鍍 符合 RoHS 規范 鹵素 SON 5 mm × 6 mm 塑料封裝 參數 方框圖 1.
2025-04-16 10:20:33782

CSD18511KCS 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET技術手冊

CSD18511KCS 是一款40V、2.1mΩ的N溝道NexFET?功率MOSFET,設計用于最小化功率轉換應用中的損耗。它采用TO-220塑料封裝,具有低柵極電荷(Qg)和低導通電阻(RDS(ON)),適用于次級側同步整流和電機控
2025-04-15 16:23:11772

MOSFET與IGBT的區別

做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點頻率不是太高,目前英飛凌的新一代IGBT硬開關速度可以到100KHZ,那已經是不錯了.不過相對于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛,MOSFET可以工作到幾百
2025-03-25 13:43:17

合科泰高壓MOSFET管產品特性

高壓MOSFET管通過柵極與源極之間的電場控制漏極與源極之間的電流,實現高效功率開關功能。
2025-03-24 14:12:44920

Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC MOSFET,采用創新X.PAK封裝技術

近日,Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,專為滿足工業應用中的高效能和耐用性需求而設計。這些新產品不僅具備卓越的溫度穩定性,還采用了先進的表面貼裝(SMD
2025-03-20 11:18:11963

新品 | 兩款先進的MOSFET封裝方案,助力大電流應用

Alpha and Omega Semiconductor Limited(AOS, 納斯達克代碼:AOSL)推出兩款先進的表面貼片封裝選項,擴展其行業領先的高功率MOSFET產品組合。全新的 GTPAK
2025-03-13 13:51:461305

500V高壓MOSFET集成與低功耗PWM控制

WD5208,500V高壓MOSFET集成與低功耗PWM控制
2025-02-21 15:42:24861

SOD1002-1用于SMD的卷軸包

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2025-02-17 16:46:580

降壓恒壓芯片:150V/1.5A寬輸入,內置MOSFET,高效降壓,適用于電動工具、備用電源

。 功能描述 SL3160H 是一款用于開關電源的內置 150V 高壓 MOSFET 的 DC-DC 控制器。內置高壓啟動和自供 電功能,可滿足快 速啟動和低待機功耗要求。具有自適應降頻功能,可進一步優化輕
2025-02-13 17:00:58

SOD962H引線超小型封裝,用于SMD的卷盤包裝

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2025-02-13 14:42:220

PMCM440XXXX用于SMD的卷盤包裝

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2025-02-13 08:30:310

用于功率MOSFET的SPICE和VHDL-AMS精密電熱模型

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2025-02-12 15:15:332

SOD972-S1用于SMD的卷軸干燥包裝

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2025-02-12 14:49:060

DFN2020M-6;用于SMD的卷盤包

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2025-02-09 15:45:490

用于系統功率循環的高壓MOSFET 輸入開關選擇

活動或系統掛起而失去響應的系統。一種有效且廣泛使用的功率循環方法是利用監控電路的低電平有效輸出來驅動高壓MOSFET 輸入開關。 電壓監視器或監控電路可為其邏輯電平輸出提供兩種選擇:低電平有效和高電平有效輸出信號。這適用于推挽輸出拓撲或帶有上
2025-01-25 17:26:001120

為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET高壓GaN氮化鎵器件?

650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780

瑞薩電子推出全新100V大功率MOSFET

全球領先的半導體解決方案提供商瑞薩電子,近日宣布了一項重要技術創新——基于其全新MOSFET晶圓制造工藝REXFET-1,成功推出了兩款100V大功率N溝道MOSFET:RBA300N10EANS
2025-01-22 17:04:06991

SMD貼片元件的封裝尺寸

SMD貼片元件的封裝尺寸
2025-01-08 13:43:197

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