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電子發燒友網>存儲技術>DRAM價格持續下跌 三星電子和SK海力士運營慘淡

DRAM價格持續下跌 三星電子和SK海力士運營慘淡

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2021-01-29 17:52:55

移動DRAM芯片供應緊俏 三星考慮購入SK存儲芯片

19日,據外媒報,三星移動業務部表示,三星將考慮從競爭對手SK海力士購入移動存儲芯片,以確保Galaxy S系列重要機型芯片供應。而從移動芯片穩步增長趨勢,反映DRAM供應市場緊俏前景。
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由于三星SK海力士的控制,內存降價幅度不會太大

內存價格已經連續上漲兩年多,業內普遍預測到今年第四季度將逐步回歸正常,但還沒來得及興奮,壞消息就來了。據臺灣媒體援引業內消息稱,三星電子SK海力士都計劃推遲工廠擴建、產能擴充計劃,原因是客戶需求正在變緩,會導致DRAM內存、NAND閃存的價格在2019年上半年明顯下滑,這自然是他們不想看到的。
2018-09-07 15:45:181689

三星海力士推遲或致內存價格下降緩慢

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2018-09-09 09:24:404522

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就在臺積電與三星在邏輯芯片制程技術逐漸導入EUV技術之后,存儲器產業也將追隨。也就是全球存儲器龍頭三星在未來1Y納米制程的DRAM存儲器芯片生產上,也在研究導入EUV技術。而除了三星之外,韓國另一家
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10納米DRAM制程競爭升溫,SK海力士、美光加速追趕三星

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淺析三星SK海力士的半導體之戰

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內存價格仍在爆降,影響著三星SK海力士等出貨量

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在半導體芯片短缺的情況下,兩家韓國半導體巨頭(三星電子SK海力士)正在積極尋求發展,他們正在擴大招聘以應對芯片的需求不斷增加。在負責監督半導體業務的設備解決方案部門中,三星正在招聘經驗豐富的工程師
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三星電子SK海力士四季度全球DRAM銷售額同比增長1.1%

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全球DRAM大廠涉嫌聯合操縱DRAM內存價格被起訴

據韓國媒體報導,全球DRAM大廠韓國三星SK海力士及美國美光(Micron)因涉嫌聯合操縱DRAM內存價格,于當地時間5月3日遭美國律師事務所以損害消費者權益為由起訴。 NEWS1等韓媒報導稱
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三星SK海力士重組 存儲芯片寒冬何時休

三星電子SK 海力士已經重組,以應對半導體行業的低迷。他們正在尋求突破復雜的全球危機,其中包括銷售因經濟低迷而下降。
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HBM需求高漲 三星SK海力士投資超2萬億韓元積極擴產

據業界透露,三星電子sk海力士等存儲半導體企業正在推進hbm生產線的擴張。兩家公司計劃到明年年底為止投資2萬億韓元以上,將目前hbm生產線的生產能力增加兩倍以上。sk海力士計劃在利川現有的hbm生產基地后,利用清州工廠的閑置空間。
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三星SK海力士存儲器庫存破表 牽動南亞科、華邦、群聯等后市

dram領域的調查企業trend force稱,去年第四季度在dram領域,三星以45.1%的世界市場占有率居首位,sk海力士以27.7%位居第二。在nand閃存領域,三星以世界第1位占據了第4季度的世界市場占有率33.8%,sk海力士(包括solidm)以17.1%占據了第3位。
2023-08-17 09:38:581100

SK海力士三星電子上半年半導體庫存接近50萬億韓元

8月18日消息,據外媒報道,在消費電子產品需求下滑,對存儲芯片的需求減少之后,SK海力士三星電子這兩大存儲芯片制造商,就相繼削減了產量,其中SK海力士在去年10月份就已決定削減今年的投資,并逐步
2023-08-21 17:22:171256

DRAM ,終于迎來了春天

在芯片供應過剩、需求低迷的情況下,DRAM芯片現貨價格自2022年2月以來一直處于下跌狀態。三星SK海力士自去年底開始大幅削減芯片產量,導致芯片庫存資產觸底反彈,芯片價格持續走低。價格依次回升。
2023-10-09 16:35:591336

三星/SK海力士獲美出口管制無限期豁免 南亞科、旺宏等首當其沖

美國將三星電子sk海力士指定為veu(認證終端)用戶,無限期開放了美國企業對中國國內三星sk海力士工廠的半導體制造設備出口。同樣,受到美方禁令的臺積電也于10月9日表示,對市場傳聞不予評論。
2023-10-10 11:40:181552

三星SK海力士加碼半導體設備投資與產量,以緩解行業壓力

12月18日,傳聞三星SK海力士正籌劃于來年加大芯片制造設備的投入,如三星電子預計投注27萬億韓元,SK海力士則計劃注入5.3萬億韓元,增幅分別達25%與100%。
2023-12-19 09:20:35974

三星與美光第一季DRAM價格漲幅15%~20%

近期,全球DRAM市場風云再起。兩大巨頭三星SK海力士紛紛宣布增加設備投資和產能,這一舉動無疑將對整個市場帶來深遠的影響。而現在,最新消息表明,DRAM價格有望在2024年第一季度迎來新一輪的上漲,漲幅預計達到15%至20%。
2024-01-03 14:35:201372

三星/SK海力士已開始訂購DRAM機群工藝和HBM相關設備

數據顯示,首爾半導體操作 DRAM晶圓及HBM相關設備的定單數量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產能力,并啟動大規模HBM設備采購;此外,三星SK海力士計劃加強DRAM技術轉移,進一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:221580

SK海力士2024年第一季度將調整DRAM減產計劃

盡管在2023年面臨存儲芯片市場下滑和價格下跌SK海力士因應人工智能芯片需求的增長,尤其是高帶寬內存(HBM)的激增,于去年12月成功超越競爭對手三星電子,躍居韓國第二大市值的位置。
2024-01-12 15:37:251221

三星電子SK海力士去年市值飆升200萬億韓元

三星電子的市值從去年的331.32兆韓元飆升至現今的475.19兆韓元,漲幅高達143萬億韓元;SK海力士緊隨其后,市值由55.11兆韓元攀升至103.67兆韓元,漲幅近48.56萬億韓元,兩者合計增長192.43萬億韓元。
2024-01-15 09:39:091214

三星SK海力士尋求存儲芯片零部件供應商降價

據報道,業內人士透露,由于DRAM、NAND等存儲半導體市場嚴重低迷,三星電子SK海力士這兩家全球主要的存儲芯片制造商已向韓國的一些存儲半導體零部件供應商提出降價要求。
2024-01-19 14:52:051659

三星電子SK海力士將聯合投資622萬億韓元 推進“超級集群”計劃

三星電子SK海力士將聯合投資622萬億韓元,推進“超級集群”計劃。
2024-01-23 11:35:481199

SK海力士持續投資無錫的原因

無錫工廠是SK海力士的核心生產基地,其產量約占公司DRAM總產量的40%。目前,無錫工廠正在生產兩款較舊的10nm制程DRAM
2024-01-31 11:23:051539

AI需求激增,三星SK海力士計劃增產高價值DRAM

趨勢,半導體巨頭三星電子SK海力士正考慮增加工廠的半導體晶圓投入量,以加速向更先進的10納米第四代(1a)和第五代(1b)版本的過渡。
2024-03-06 10:49:491263

三星追趕AI芯片競賽,計劃采用海力士制造技術

三星必須采取一些措施來提高其HBM產量......采用MUF技術對三星來說有點不得已而為之,因為它最終遵循了SK海力士首次使用的技術。
2024-03-14 11:00:141518

剛剛!SK海力士出局!

在基礎晶圓上通過硅通孔(TSV)連接多層DRAM,首批HBM3E產品均采用8層堆疊,容量為24GB。SK海力士三星分別在去年8月和10月向英偉達發送了樣品。此前有消息稱,英偉達已經向SK海力士支付了約合5.4億至7.7億美元的預付款,供應下一代HBM3E。 SK海力士三星都在推進12層
2024-03-27 09:12:081225

SK海力士三星電子年內啟動1c納米DRAM內存量產

三星近期在Memcon 2024行業會議中聲稱,計劃于今年底以前實現1c nm工藝的量產。另據行業消息人士透露,SK海力士已確定在第季度實現1c納米DRAM內存的商業化生產。
2024-04-09 16:53:051425

美光、SK海力士三星擬上調存儲芯片價格,數據中心需求強勁成為主因

臺灣東部花蓮地區4月3日發生強烈地震之后,美光、SK海力士三星紛紛暫停存儲芯片報價,三星雖未受直接影響,卻暫時停止出貨以待上級指示。據了解,盡管家主要DRAM供應商尚未宣布后續漲價安排,不過業界預期地震后存儲器產品價格或將大幅度攀升。
2024-04-10 09:30:411085

漲價20%!三星SK 海力士將停止供貨這類芯片

業界傳出,全球前二大DRAM供貨商三星SK海力士全力沖刺高帶寬內存(HBM)與主流DDR5規格內存,下半年起將停止供應DDR3利基型DRAM,引起市場搶貨潮,導致近期DDR3價格飆漲,最高漲幅達二成,且下半年報價還會再上揚。
2024-05-14 10:31:58877

三星電子SK海力士預測存儲芯片市場需求強烈,HBM產能售罄

全球知名存儲芯片制造巨頭三星SK海力士預判,今年DRAM和高帶寬存儲器(HBM)價格持續攀升,受益于市場對于高端芯片,尤其是人工智能相關芯片的強大需求。
2024-05-15 09:23:52983

三星SK海力士未恢復增產并計劃限制DRAM產量

 根據行業預估,三星SK海力士有望在今年擴展產量以應對逐步好轉的半導體市場環境。然而,他們在今年一季度財政報告會上均表示,DRAM產量可能會受到制約。
2024-05-22 14:49:59971

三星SK海力士DRAM和NAND產量持保守態度

DRAM和NAND芯片的生產上,三星SK海力士兩大巨頭依然保持謹慎態度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內存的合約價環比上漲,這一上漲主要歸因于地震影響美光內存產能,進而推動了通用內存需求的短暫上升。
2024-05-22 14:54:491035

TLB成功開發出CXL內存模塊PCB,并向三星SK海力士提供首批樣品

近日,韓國上市PCB制造商TLB (KOSDAQ:356860)成功開發出CXL內存模塊PCB,并已獨家向三星電子SK海力士提供了6款以上的首批樣品。
2024-05-30 11:30:342156

三星SK海力士通用DRAM產線開工率維持80%~90%

在半導體存儲行業,三星電子SK海力士兩大韓國巨頭一直以其卓越的技術和產能占據市場的重要地位。然而,近期韓媒援引業內人士的消息稱,這兩大巨頭的通用DRAM(動態隨機存取存儲器)產線開工率目前維持在80%~90%的水平,顯示出市場供需之間的微妙平衡。
2024-06-24 11:26:301244

三星海力士引領DRAM革新:新一代HBM采用混合鍵合技術

在科技日新月異的今天,DRAM(動態隨機存取存儲器)作為計算機系統中的關鍵組件,其技術革新一直備受矚目。近日,據業界權威消息源透露,韓國兩大DRAM芯片巨頭——三星SK海力士,都將在新一代高帶寬
2024-06-25 10:01:361486

三星SK海力士啟動芯片浸沒式液冷測試

近日,科技界迎來了一則重要消息:三星電子SK海力士已攜手啟動芯片產品對浸沒式液冷的兼容測試。這一舉措旨在響應服務器運營方對于建立浸沒式液冷解決方案保修政策的需求,進一步推動數據中心冷卻技術的革新。
2024-07-02 10:24:081062

三星電子SK海力士加大DRAM與HBM產能,應對AI熱潮下的存儲需求

在全球人工智能(AI)技術持續升溫的背景下,韓國兩大存儲芯片巨頭——三星電子SK海力士正積極調整生產策略,以應對日益增長且多樣化的存儲需求。據韓國媒體最新報道,這兩家公司正分別在其位于平澤和無錫
2024-07-08 12:54:091248

SK海力士轉向4F2 DRAM以降低成本

SK海力士近日宣布了一項重要計劃,即開發采用4F2結構(垂直柵)的DRAM。這一決策緊跟其競爭對手三星的步伐,標志著SK海力士DRAM制造領域的新探索。SK海力士研究員表示,隨著極紫外(EUV
2024-08-14 17:06:431670

SK海力士Q3利潤有望趕超三星半導體

隨著三星電子定于10月8日發布第季度初步財務報告,市場焦點轉向了其與SK海力士之間營業利潤的預期差距如何進一步拉大。   SK海力士因在高帶寬內存(HBM)領域的強勁表現,預計將迎來歷史最佳
2024-10-08 15:58:351552

三星SK海力士市值份額差距縮至13年最小

韓國交易所近日發布的數據顯示,三星電子SK海力士的市值份額差距已經縮小至近13年來的最低水平。
2024-10-28 15:44:591992

三星SK海力士攜手推進LPDDR6-PIM產品標準化

據外媒最新報道,韓國兩大存儲芯片巨頭三星電子SK海力士已正式結盟,共同致力于推動LPDDR6的存內計算(Processing In Memory,簡稱PIM)產品的標準化進程。此舉旨在加速人工智能
2024-12-03 10:42:501350

SK海力士三星或停用中國EDA軟件

列入貿易限制名單,也對SK海力士的決策產生了影響。業內普遍預測,SK海力士將全面停止使用中國的EDA軟件,而三星電子也可能緊隨其后,做出類似決定。 若SK海力士三星電子真的停用中國EDA軟件,它們對美國EDA軟件的依賴程度將顯著增強,這將
2025-02-18 10:51:541081

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