據西安晚報消息，三星在2012年落戶西安，2013年投資108億美元，新建一期項目，并于2014年建成投產，滿載月產能12萬片。二期項目分為兩個階段，總投資150億美元，其中第一階段投資約70億美元，于2018年新建，將在2020年3月竣工投產；第二階段投資80億美元，2021年下半年竣工，項目建成后將新增產能每月13萬片，新增產值300億元。

三星新廠建成后，或投產100+層3D NAND

在3D NAND技術方面，三星2019年積極提高96層3D NAND生產比重，廣泛應用于SSD產品中，并在6月份宣布推出第六代V-NAND（128層256Gb 3D TLC NAND），8月份已基于該技術批量生產250GB SATA SSD，第四季度實現了第六代128層512Gb TLC 3D NAND的量產，計劃于2020年投入到SSD等市場應用，且正在針對5年內達到500層或更多層的堆棧進行研究。

三星V-NAND技術規劃

根據三星3D技術發展規劃和三星西安二期二階段的建廠進度，預計投資80億美元新建的工廠將用于生產128層或更高的3D NAND，用于滿足不斷增長的存儲需求。

與西安二期同步建設的還有韓國的平澤生產基地，與西安生產基地一樣，平澤工廠也分為兩期，一期工廠于2015年興建，已在2017年投產，分為NAND Flash和DRAM產線，正在新建的平澤2號工廠與一期工廠的規劃也大體一致，規劃了NAND Flash和DRAM生產線，計劃在2020上半年運營，大規模投產時間待定。

重要的市場地位，中國有華為，更是最大的5G市場

中國是全球重要的存儲應用市場，尤其是華為將沖刺全球手機霸主地位，以及5G手機的快速發展，中國市場每年至少要消耗三成以上的NAND Flash，需求量大。

目前，華為已完成了2019年全球出貨量2.3億部的目標，在中國的市場份額也接近50%，已然超過蘋果iPhone成為了全球第二大手機廠商，預計最快在2021年超三星，稱霸全球，對于存儲芯片的采購需求自然不少。

受美國“禁令”的影響，作為華為存儲芯片重要供應商的美光曾一度停止供貨，雖然美光在最新財報中表示已獲得了對華為所有的許可證，以及為移動設備和服務器提供新產品，但華為去美化已然是不可逆的事實。

據韓媒報道，華為2019年在韓采購額超過13兆韓元（約合111.9億美元），較去年的12兆韓元（約合103億美元）小幅增長，2020年還將加大在韓投資采購力度。華為與韓系增加采購合作，將可避免再次受到“禁令”的影響，而三星擴大在中國西安NAND Flash生產的投資，將可更好的加強合作，快速應對需求變化。

另外，據中國信通院數據，2019年11月中國5G手機出貨量突破500萬部大關，2019年全年亦可破千萬銷量。更重要的是，華為、OPPO、VIVO等推出的5G手機新品所搭載的容量，LPDDR基本從8GB起跳，Flash幾乎從128GB起跳，再加上數據中心、服務器等需求強勁，將對NAND Flash的需求不斷增加。

日韓貿易戰持續，對于三星而言，中國是避風港？

2019年7月初，日本對韓國實施半導體關鍵原材料出口限制，要求相關項目必須逐一取得許可，一度導致8月日本對韓國氟化氫出口為零，日韓貿易摩擦不斷升級。據日本經濟產業省最新消息稱，日本現已放寬了部分半導體材料對韓出口管制，日方將允許特定企業間的交易適用有效期為三年。

雖然日本對韓國出口的限制放寬，但潛在的風險依然存在。因為主要涉及的是半導體領域的關鍵材料，所以韓國企業包括三星、SK海力士等紛紛加大原材料的本土化生產，以及轉向中國企業尋求替代方案。無論是對于三星自身而言，還是對于中國經濟以及中國企業而言，三星擴大在中國的投資，都起到了互利的作用。

對于目前NAND Flash市場的影響，由于數據中心需求強勁，以及海外市場需求穩定，原廠選擇性的供貨，部分市場或多或少的出現了供應緊張的情況，NAND Flash價格也在持續漲價，但三星建廠的投資計劃短時間內還不足以影響市場供需關系，后續行情發展仍需密切關注原廠供貨情況，不過大部分業內人士對2020年存儲產業發展持樂觀態度。