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電子發燒友網>存儲技術>長江存儲備戰2年,發布324G 3D NAND芯片,明年可量產

長江存儲備戰2年,發布324G 3D NAND芯片,明年可量產

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長江存儲正式裝機:3D NAND量產還有多遠?

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長江儲存量產NAND Flash芯片 打響中國在存儲芯片領域的第一槍

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看看長江存儲新型架構為3D NAND帶來哪些性能?

作為3D NAND閃存產業的新晉者,紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司(長江存儲)今年將首次參加閃存峰會(Flash Memory Summit),并發表備受期待的主題演講,闡述其即將發布的突破性技術XtackingTM。
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長江存儲推全新3D NAND架構 挑戰三星存儲

長江存儲科技公司表示,盡管仍采用3D分層,但速度卻可提升三倍。
2018-08-09 09:33:164029

中國首批32層3D NAND閃存芯片即將量產

昨日長江存儲正式公開了其突破性技術——XtackingTM。據悉,該技術將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能,更高的存儲密度,以及更短的產品上市周期。
2018-08-10 09:14:395421

長江存儲64層3D NAND芯片專利研發完成,預計明年完成生產線建置

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長江存儲發布突破性技術,將大大提升3D NAND的性能

作為NAND行業的新晉者,長江存儲科技有限責任公司(以下簡稱:長江存儲)昨日公開發布其突破性技術——Xtacking?。該技術將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能,更高的存儲密度,以及更短的產品上市周期。
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長江存儲3D NAND閃存堆棧結構Xtacking,獲得了“最佳展示獎”

日本PC Watch網站日前刊發了長江存儲CEO楊士寧博士在FMS會議上的演講,我們之前也做過簡單的報道,這次他們的介紹更加詳細,我們可以一窺長江存儲3D NAND閃存現在到底進行到那一步了。
2018-08-15 10:50:166345

長江存儲趕超將為NAND Flash市場帶來新變量

Cell )NAND將邁入百家爭鳴時代,帶動消費性固態硬盤(SSD)容量快速升級至TB等級,加上長江存儲發布新一代3D NAND架構Xtacking,試圖超車追趕國際大廠,全球NAND Flash產量持續增加,戰火愈益激烈,2019NAND Flash市場恐將大幅震蕩。
2018-08-29 17:46:267373

旺宏預計2019量產3D NAND,并進軍SSD市場

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半導體行業3D NAND Flash

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聯蕓科技對外發布支持96層鎂光B27A的 3D TLC NAND閃存顆粒

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長江存儲預計在2019全速量產 2020會趕超國際領先的閃存公司

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傳索尼明年量產3D攝像頭芯片

早前,筆者外出時曾了解到索尼正在開發3D傳感器芯片,具體的量產時間尚不得知,而日前關于索尼3D傳感器芯片的相關消息終于浮出了水面。
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紫光實現大容量企業級3D NAND芯片封測的規模量產 讓國產存儲更進一步

昨日,紫光集團旗下紫光宏茂微電子(上海)有限公司發布信息,宣布公司成功實現大容量企業級3D NAND芯片封測的規模量產。他們表示,這次公告標志著內資封測產業在3D NAND先進封裝測試技術實現從無到有的重大突破,也為紫光集團完整存儲器產業鏈布局落下關鍵一步棋。
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宏茂微電子實現3D NAND芯片封測規模量產

2019新年伊始,紫光“官宣”旗下紫光宏茂微電子成功實現大容量企業級3D NAND芯片封測的規模量產。
2019-01-11 09:56:315732

紫光宏茂微電子宣布公司成功實現大容量企業級3D NAND芯片封測的規模量產

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2019-01-15 14:01:109311

長江存儲計劃量產64層3D NAND閃存芯片 閃存市場將迎來一波沖擊

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基于Xtacking架構的64層3D NAND存儲

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 國產存儲芯片終于“抬起了頭”。   在被美日韓掌控的存儲芯片市場上,終于有中國公司可以殺進去跟國際大廠正面競爭了。據報道,今年一季度,紫光旗下的長江存儲(YMTC)開始投產 64 層堆棧 3D 閃存,容量 256Gb,TLC 芯片,初期的月產能僅有 5000 片。
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存儲行業隨著物聯網時代的來臨也迎來了一波新的發展機遇,近日,根據最新消息顯示,美系存儲巨頭,美光的第四代3D NAND芯片完成首批流片,新一代產品基于美光全新研發的替代柵極架構,將于明年開始小范圍量產。
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1 月 16 日訊,據悉,長江存儲科技有限責任公司 副董事長楊道虹表示,2019 ,國家存儲器基地項目基于自主知識產權研發生產的 64 層三維閃存產品已實現量產。
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據證券時報消息,長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進的128層3D NAND技術的研發進度。楊士寧表示,128層3D NAND技術研發進度短期確實會有所波及。但目前長江存儲已實現全員復工,從中長期來看,這次疫情并不會影響總體進度。128層技術會按計劃在2020推出。
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2020-04-13 09:29:416830

業內首款128層QLC規格的3D NAND閃存有哪些特點?

20204月13日,長江存儲科技有限責任公司(以下簡稱“長江存儲”)宣布其128層QLC 3D NAND 閃存(型號:X2-6070)研發成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。
2020-04-13 14:41:523480

長江存儲128層NAND flash存儲芯片 中國存儲芯片國際領先

據媒體報道指國產存儲芯片企業長江存儲已開發出128層的NAND flash存儲芯片,這是當前國際存儲芯片企業正在投產的NAND flash技術,意味著中國的存儲芯片技術已達到國際領先水平。
2020-04-14 08:55:4514823

長江儲存宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產品已研發成功

長江儲存在官網宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產品研發成功,型號為X2-6070,并且目前該芯片已經在多家控制器廠商的SSD等終端儲存產品上通過驗證。
2020-04-19 10:14:063603

長江存儲的技術創新,128層3D NAND閃存芯片問世

長江存儲科技有限責任公司(以下簡稱“長江存儲”)在官網宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2-6070研發成功,已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。
2020-05-04 10:39:003612

群聯全系列控制芯片支持長江存儲3D NAND

閃存控制芯片及儲存解決方案整合服務領導廠商 群聯電子 (PHISON; TPEx:8299) 與長江存儲自2016開始接洽合作,從最早期的32層 3D NAND導入驗證群聯eMMC控制芯片PS8226,至近期的64層3D NAND,群聯全系列的NAND控制芯片均有支持且已進入量產階段。
2020-05-07 14:48:091627

長江存儲128層NAND閃存研發成功,跳過了96層

長江存儲科技有限責任公司宣布,128層QLC?3D?NAND閃存研發成功,這標志著國產存儲廠商向世界最先進技術水準又邁進了一步。
2020-05-07 14:59:225527

長江存儲首發128層QLC閃存

長江存儲科技有限責任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存(型號:X2-6070)研發成功。同時發布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規格閃存芯片(型號:X2-9060),用以滿足不同應用場景的需求。
2020-07-06 16:49:421991

官宣!致鈦科技將發布SSD新品,配備長江存儲3D閃存

9月9日下午,致鈦科技正式宣布,9月10日14時將舉行線上發布會,屆時會正式推出致鈦品牌的SSD新品,使用的是長江存儲自己生產的3D閃存。
2020-09-10 10:02:331227

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長江存儲Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長江存儲最新研發成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲3D NAND技術迅速提升
2020-09-11 11:12:162690

慧榮科技宣布全系列主控 芯片全面支持長 江 存 儲Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長江存儲最新研發成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲3D NAND技術迅速提升
2020-09-11 11:12:342586

長江存儲將提高NAND閃存芯片的出貨量

據國外媒體報道,專注于3D NAND閃存設計制造的長江存儲,將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:493038

美光發布176層3D NAND閃存

存儲器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術達到創紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術以及架構,可以大幅度提升數據中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:553696

未來的3D NAND將如何發展?

NAND 非易失性閃存存儲器作為存儲行業的突破性革新已有多年發展歷史,隨著 2D NAND 容量達到極限,以及晶體管越來越小,NAND 的編程時間變長,擦寫次數變少,能夠將內存顆粒堆疊起來的 3D
2020-11-20 16:07:133095

未來的3D NAND將如何發展?如何正確判斷一款3D NAND的總體效率?

。 3D NAND 路線圖:三星最早入局,長江存儲跨級追趕 Choe 介紹了 2014-2023 的世界領先存儲公司的閃存路線圖,包括三星、鎧俠(原東
2020-11-20 17:15:444306

長江存儲的首款消費級固態品牌,基于3D NAND顆粒打造

大咖來答疑欄目給出了相關技術答復,讓大家更加的了解致鈦品牌固態。 背景介紹: 長江存儲于2014,開始3D NAND flash的研發,技術團隊從最初開始研發相關技術到現在已經有六的時間,并在,2016注冊公司,短短的時間內就做到了從閃存顆粒,到X
2020-11-24 09:56:484526

長江存儲科普SSD、3D NAND的發展史

作為國產存儲行業的佼佼者,長江存儲近兩憑借在3D NAND閃存領域的突飛猛進,引發普遍關注,尤其是獨創了全新的Xtacking閃存架構,最近還打造了首個消費級SSD品牌“致鈦”。
2020-11-24 10:12:315270

不要過于關注3D NAND閃存層數

? ? NAND非易失性閃存存儲器作為存儲行業的突破性革新已有多年發展歷史,隨著2D NAND容量達到極限,以及晶體管越來越小,NAND的編程時間變長,擦寫次數變少,能夠將內存顆粒堆疊起來的3D
2020-12-09 10:35:493617

3D NAND技術堆疊將走向何方?

3D NAND;長江存儲于今年4月份宣布推出128層堆棧的3D NAND閃存。轉眼來到2020末,美光和SK海力士相繼發布了176層3D NAND。這也是唯二進入176層的存儲廠商。不得不說,存儲之戰沒有最烈,只有更烈。
2020-12-09 14:55:374583

旌存KS3400P控制器已通過長江存儲驗證,或明年實現量產

202012月25日,廈門旌存半導體技術有限公司研制的旌存KS3400P SSD控制器完成了與長江存儲3D TLC NAND的適配,順利通過了兼容性、穩定性、可靠性等多重驗證,預計明年實現量產
2020-12-28 16:35:302585

全球六大廠商壟斷競爭,長江存儲有望打破壟斷

NAND Flash作為全球最為重要的存儲芯片之一,目前被全球六大廠商進行壟斷競爭,中國NAND Flash廠商長江存儲(YMTC)已在2020第一季將128層3D NAND樣品送交存儲控制器廠商,目標第三季進入投片量產,未來中國的長江存儲有望打破國外在NAND FLASH的壟斷競爭格局。
2021-01-11 14:18:334603

回顧長江存儲3D NAND技術的發展進程

日前,有媒體報道稱,消息人士透露,長江存儲計劃到2021下半年將存儲芯片的月產量提高一倍至10萬片晶圓,并準備最早將于2021年年中試產第一批192層3D NAND閃存芯片,不過為確保量產芯片質量,該計劃有可能會被推遲至今年下半年。
2021-01-13 13:59:275875

盤點2020存儲行業十大事件

20204月13日,長江存儲宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發成功,這也是業內首款128層QLC規格的3D NAND閃存。同年8月14日,長江存儲128層QLC 3D NAND閃存芯片在紫光集團展臺上正式亮相展出。
2021-02-05 15:17:362729

長江存儲推出UC023閃存芯片 專為5G時代打造

  昨日消息,國內專注于3D NAND閃存及存儲器解決方案的半導體集成電路企業長江存儲宣布推出UFS 3.1通用閃存-UC023。
2022-04-20 11:47:522797

長江正式打破三星壟斷,192層3D NAND閃存實現年底量產

長江存儲一直是我國優秀的存儲芯片企業,從成立之初就保持著高速穩定的發展狀態,用短短3的時間,接連推出了32層NAND閃存,以及64層堆棧3D NAND閃存,成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。
2022-06-17 10:56:218286

「復享光學」3D NAND多層薄膜量測的新思路

據知名半導體和微電子情報提供商TechInsights報道,長江存儲的232層3D NAND閃存X3-9070已經實現量產,領先于三星、美光、SK海力士等廠商,這也是__中國品牌在半導體領域首次領先于國際競爭者。__
2022-12-05 17:07:381876

對比韓企存儲技術,長江存儲發展如何

據外媒報道,長江存儲去年7月生產了232層3D NAND閃存樣機,同年11月開始投入量產。
2023-02-28 10:51:252395

什么是3D NAND閃存?

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227

三星將于2024量產超300層3D NAND芯片

 最近,三星集團援引業界有關負責人的話表示,計劃到2024批量生產300段以上的第9代3d nand。預計將采用將nand存儲器制作成兩個獨立的程序之后,將其一起組裝的dual stack技術。三星將于2020從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術。
2023-08-18 11:09:052015

起訴美光!長江存儲反擊

訴訟旨在解決以下問題的一個方面:美光試圖通過迫使長江存儲退出3D NAND Flash(閃存)市場來阻止競爭和創新。
2023-11-13 15:47:511090

長江存儲起訴美光 涉及專利侵權

在起訴書中,長江存儲聲稱自己目前是全球3D NAND技術的領導者,并得到了行業和第三方機構的廣泛認可。長江存儲的技術創新改善了3D NAND的速度、性能、密度、可靠性和產量,推動了多種電子設備的創新。
2023-11-13 16:03:051470

長江存儲起訴美光!

長江存儲在以上起訴書中稱,長江存儲不再是新秀(upstart),而已成為全球3D NAND市場的重要參與者。長江存儲表示,去年11月,分析和跟蹤閃存市場的TechInsights公司得出結論:長江存儲3D NAND閃存領域的領導者,超過了美光。
2023-11-13 16:53:041658

8項專利被侵權!美光與長江存儲陷入專利之爭

長江存儲與美光芯片戰升級。3D NAND閃存制造商長江存儲,已于9日在美國加州北區地方法院對美國記憶芯片龍頭美光科技提告,指控美光侵犯了長江存儲8項與3D NAND相關的美國專利。
2023-11-13 17:24:511517

有了2D NAND,為什么要升級到3D呢?

2D NAND3D NAND都是非易失性存儲技術(NVM Non-VolatileMemory),屬于Memory(存儲器)的一種。
2024-03-17 15:31:392376

首次亮相!長江存儲128 層3D NAND 現身CITE 2020

在CITE 2020上,紫光集團帶來了大量產品,其中包括長江存儲的128層QLC三維閃存和新華三半導體高端路由器芯片EasyCore等。作為業內首款128層QLC規格的3D NAND閃存,長江存儲X2-6070擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822

預期提前,鎧俠再次加速,3D NAND準備沖擊1000層

2030實現1000層堆疊的3D NAND存儲器。 ? 3D NAND似乎已經成為各大存儲企業競相追逐的“工業明珠”,包括三星、海力士、美光、鎧俠、長江存儲等都在這一領域投入大量資源,而比拼的就是堆疊層數。 ? 3D NAND 為何如此重要? ? 隨著數字化信息的爆炸性增長,對對存儲容量的需求也在
2024-06-29 00:03:008061

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