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電子發燒友網>存儲技術>三星持續擴產3D NAND,需求上漲但價格可能會繼續下降

三星持續擴產3D NAND,需求上漲但價格可能會繼續下降

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2019-05-22 14:13:314468

三星3D相機注冊新商標 Note10或有3D TOF相機?

三星電子近日申請了Depth Vision Lens商標,據推測這或許將用于三星Galaxy Note 10 的3D ToF攝像頭。
2019-07-04 16:44:103519

三星Galaxy S11+或將采用“挖孔”設計,并支持3D人臉識別技術

三星新一代旗艦機型Galaxy S11+或許會加入ToF攝像頭,并支持3D人臉識別技術。前置攝像頭可能會延續上一代旗艦機型的“雙挖孔”方案,同時也有可能采用新的“挖孔”設計。
2019-11-13 15:44:583332

三星擴大西安3D NAND工廠設施,新投資數十億美元

根據AnandTech的報道,三星計劃投資數十億美元擴大其在中國西安的3D NAND生產設施。
2019-12-18 10:38:203458

三星正在研發160層及以上的3D閃存

據了解,136層第六代V-NAND閃存是三星今年的量產主力。韓媒報道稱三星可能會大幅改進制造工藝,從現在的單堆棧(single-stack)升級到雙堆棧(double-stack),以便制造更高層數的3D閃存。
2020-04-20 09:06:01776

三星鎧俠率先NAND閃存市場要變天?

近日,三星電子宣布了在韓國平澤廠區的計劃,除擴建采用極紫外光(EUV)的晶圓代工生產線及DRAM產能之外,還將擴大3DNAND閃存方面的產能規模。業界預估三星電子僅用于3DNAND閃存方面
2020-06-16 10:07:173960

三星宣布硅驗證3D IC封裝技術可投入使用

日前,三星電子宣布,由三星為業內最先進工藝節點專門研發的硅驗證3D IC封裝技術,eXtended-Cube,簡稱為X-cube,已經可以投入使用。
2020-08-14 17:24:393057

NAND Flash快閃存儲器供應仍有缺口,多廠商以增加產能

在市場NAND Flash快閃存儲器供應仍有缺口,導致價格繼續維持高位的情況下,包括國際大廠三星、SK海力士、東芝,以及中國廠商長江存儲存紛紛宣布以增加產能之際,7日美商存儲器大廠美光(Micron)也宣布,以補足市場供不應求的缺口。
2020-09-03 16:42:011016

三星為什么部署3D芯片封裝技術

三星計劃明年開始與臺積電在封裝先進芯片方面展開競爭,因而三星正在加速部署3D芯片封裝技術。
2020-09-20 12:09:163743

3D全息顯示時代將到來!三星打造全息屏幕原型 2D屏上現3D圖像

在屏幕顯示技術上,三星確實擁有不俗的實力,過往的技術也只是基于2D平面顯示,而在三星看來,未來是屬于3D的。三星已經朝著全息圖邁出了堅實的一步,它的原型薄板設備能以4K分辨率顯示3D圖像,并具有
2020-11-13 10:17:543302

未來的3D NAND將如何發展?如何正確判斷一款3D NAND的總體效率?

3D NAND 路線圖:三星最早入局,長江存儲跨級追趕 Choe 介紹了 2014-2023 年的世界領先存儲公司的閃存路線圖,包括三星、鎧俠(原東
2020-11-20 17:15:444306

三星可能會降低每款Galaxy S21的起售價

12 月 2 日消息 三星和許多其他手機制造商近年來逐漸提高了手機的價格,但在 2021 年可能不會出現這種情況。據 SamMobile 報道,一則來自韓國博客 Naver 的傳言顯示,與前代產品相比,三星可能會降低每款 Galaxy S21 的起售價。
2020-12-02 09:22:241852

明年SSD主控芯片的價格最高將上漲15~20%

盡管研究機構此前曾預測由于三星、SK 海力士、英特爾和長江存儲將提高產量,明年 NAND 閃存的平均價格下降 10~15%,根據集邦咨詢 (TrendForce)的研究報告顯示,NAND 閃存控制芯片(即 SSD 主控)的價格最高將會上漲 15~20%。
2020-12-28 09:11:373034

三星第8代V-NAND已開始量產

市場對更高密度、更大容量存儲的需求,推動了V-NAND層數的增加,三星采用3D縮放(3D scaling)技術,減少表面積并降低高度,同時避免了縮小時通常會發生的單元間的干擾。我們的第8代V-NAND將有助于滿足快速增長的市場需求,更好地提供差異化產品和解決方案,有望成為未來存儲創新的基礎。
2022-11-07 10:33:551379

什么是3D NAND閃存?

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227

三星:2030年3D NAND將進入1000層以上

 三星已經確定了新一代3D NAND閃存的開發計劃,預計在2024年推出第九代3D NAND,其層數可達到280層
2023-07-04 17:03:293142

三星計劃暫停平澤工廠部分NAND閃存生產

三星已經減少了主要nand閃存生產基地的晶圓投入額。這就是韓國的平澤、華城和中國的西安。業內人士認為,三星nand閃存產量可能會減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業績中,由于市場持續低迷,三星電子正式公布了存儲器減產計劃。
2023-08-16 10:23:581255

三星將于2024年量產超300層3D NAND芯片

 最近,三星集團援引業界有關負責人的話表示,計劃到2024年批量生產300段以上的第9代3d nand。預計將采用將nand存儲器制作成兩個獨立的程序之后,將其一起組裝的dual stack技術。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術。
2023-08-18 11:09:052015

NOR Flash價格持續走低,三星NAND減產有望利好

業界認為,三星電子的減產可能會帶來3d nand價格上漲的效果,從而可能會改變nor、slc nand的購買戰略。美國外國人認為,slc nand和nore產品第四季度不會上調價格
2023-09-11 11:35:042024

三星再次減產,刺激DDR4價格上漲

三星公司計劃在下半年再次削減DRAM制程的產能,而今年以來這一減產主要針對DDR4。業界普遍預期,三星的目標是在今年年底之前將庫存水平降至合理水平。這一減產舉措可能會導致DDR4市場價格上漲,而目前
2023-09-15 17:42:081808

三星與美光擬提DRAM價格,以求盈利回暖

部分存儲模組廠已接到三星通知,要求明年年初至少將DRAM價格上調15%以上,且該通知并未涉及NAND閃存定價,故預計后者將會持續上漲。DRAM價格在去年年底上漲2%-3%,不及3D TLC NAND約10%;
2024-01-03 10:46:211562

DRAM價格上漲因存儲巨頭減產,供需緊張料持續至年底

據報道,近期三星宣布自明年第一季度起,DRAM價格上漲至少15%;盡管NAND閃存漲價跡象尚不明顯,預測同樣存在跟進上漲可能。據IT之家引用集邦觀點預計,DRAM價格漲勢將持續至2024年末。
2024-01-03 14:31:031462

DRAM漲價啟動!Q1漲幅高達20%

有存儲模組廠收到三星2024年第一季度將DRAM價格提高至少15%的通知。三星并未提及NAND閃存定價,預計NAND價格繼續上漲。2023年12月DRAM價格上漲2%-3%,大幅提升DRAM價格低于當月3D TLC NAND約10%的漲幅。
2024-01-08 16:43:541358

NAND Flash市場動態:需求擴大與價格漲勢

 在2024年第一季度,NAND Flash及其相關產品的價格預計將呈現上漲趨勢。盡管面臨傳統淡季需求下降的情況,采購活動仍在持續擴大,以建立安全庫存水位。
2024-01-11 16:42:391800

三星將推出GDDR7產品及280層堆疊的3D QLC NAND技術

三星將在IEEE國際固態電路研討會上展示其GDDR7產品以及280層堆疊的3D QLC NAND技術。
2024-02-01 10:35:311299

三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20%

三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認為NAND Flash價格過低;在減產和獲利優先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND閃存價格重新談判,目標價位是漲價15%—20%。
2024-03-14 15:35:22995

三星即將量產290層V-NAND閃存

據韓國業界消息,三星最早將于本月開始量產當前業界密度最高的290層第九代V-NAND3D NAND)閃存芯片。
2024-04-17 15:06:591502

MLC NAND產能或遭削減?三星否認停產傳聞

停產該產品。 然而,三星對此傳聞表示否認,并強調市場傳言不實,稱公司未來將持續生產MLC NAND。盡管如此,供應鏈業者仍指出,隨著三星年底的人事大改組,線規劃可能會有所調整。 MLC NAND,全稱為Multi-Level Cell,是一種通過大量電壓等級來儲存數據的閃存技術。與SL
2024-11-20 16:13:301462

三星MLC NAND閃存或面臨停產傳聞

近日,業界傳出消息稱,三星電子將大幅削減MLC NAND閃存的產能供給,并計劃在2024年底停止在現貨市場銷售該類產品,而到了2025年6月,MLC NAND閃存可能會正式停產。這一消息引起了業界
2024-11-21 14:16:121474

三星或受內存芯片價格下跌影響

有望回升,這一趨勢可能會受到其他地區芯片制造商供應增加的影響。這意味著,三星電子在內存芯片市場的競爭壓力可能會進一步加劇。 基于上述分析,Park將三星的市凈率預期下調了18%。他認為,該股近期缺乏上漲動力,投資者對三星電子的未來表現持謹慎態
2024-11-27 11:22:071225

預期提前,鎧俠再次加速,3D NAND準備沖擊1000層

2030年實現1000層堆疊的3D NAND存儲器。 ? 3D NAND似乎已經成為各大存儲企業競相追逐的“工業明珠”,包括三星、海力士、美光、鎧俠、長江存儲等都在這一領域投入大量資源,而比拼的就是堆疊層數。 ? 3D NAND 為何如此重要? ? 隨著數字化信息的爆炸性增長,對對存儲容量的需求也在
2024-06-29 00:03:008061

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