的變化。 需求不足跌價(jià)成必然2018年NAND閃存之所以大降價(jià)，一個(gè)關(guān)鍵原因就是64層堆棧的3DNAND閃存大規(guī)模量產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)了從32層／48層堆棧到64層堆棧的飛躍，使得NAND閃存每GB成本降至8美分
2021-07-13 06:38:27
大家好我使用 stm32h743 和與 fmc 連接的 nand 閃存。我搜索以查看如何為 nand 創(chuàng)建自己的外部加載器（我找不到任何用于 nand 閃存的外部加載器）。我想我只需要使 Loader_Src.c 文件適應(yīng) nand 閃存 hal 函數(shù)和一個(gè)鏈接器來構(gòu)建 .stldr？我走對(duì)路了嗎？
2022-12-20 07:17:39
我正在嘗試啟動(dòng) IMX6ULL NAND 閃存。供您參考，我使用 buildroot 2018_11_4 成功啟動(dòng)了 IMX6ULL NAND 閃存。（uboot 4.15 和 linux 4.15
2023-04-20 07:55:17
NAND閃存技術(shù)已經(jīng)遠(yuǎn)離ML403板支持的CFI兼容性，您無法再找到與Xilinx為ML403板提供的閃存核心兼容的閃存芯片。我目前的項(xiàng)目?jī)H限于Virtex 4平臺(tái)，由于速度需求，不能使用帶有MMC
2020-06-17 09:54:32
嗨，大家好，我正在努力在ML605或VC707上構(gòu)建原型NAND閃存設(shè)備。為此，我需要設(shè)計(jì)一個(gè)NAND Flash子板并將其連接到高引腳數(shù)FMC。在設(shè)計(jì)這樣的電路板之前，我想知道最好的方法是什么？我
2019-04-15 15:58:54
采用Magma Finesim的NAND閃存仿真戰(zhàn)略
摘要: NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)器，主要用于存儲(chǔ)卡、MP3播放器、手機(jī)、固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)等產(chǎn)品中。除了存儲(chǔ)單元陣列以外，它還有大量
2010-06-10 16:25:03
26 iSuppli：全球芯片庫存保持緊縮 NAND閃存或短缺
據(jù)市場(chǎng)研究公司iSuppli的調(diào)查，全球半導(dǎo)體供應(yīng)商預(yù)計(jì)將在第一季度保持輕庫存，以便在不確定的經(jīng)濟(jì)形勢(shì)下保持盈利。
2010-01-07 09:55:01
974 
鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存
鎂光公司NAND閃存市場(chǎng)開發(fā)部門的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計(jì)劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級(jí)別，他表示鎂光今年年中將開始批
2010-03-04 11:02:511566 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358955 電視銷售低于預(yù)期 面板價(jià)格基本持平
據(jù)iSuppli公司的液晶價(jià)格追蹤服務(wù)，由于2009年末價(jià)格上漲，加之中國春節(jié)期間電視銷售情況一般，電視液晶面
2010-03-25 09:28:12637 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)
閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對(duì)NAND類型的
2010-05-20 09:26:231244 
受到諸多全球總體經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇的不確定變數(shù)干擾，2011 部份的 NAND Flash 終端應(yīng)用產(chǎn)品出貨量將不如預(yù)期，及3Q11受過剩庫存去化影響而使傳統(tǒng)備貨旺季效應(yīng)遞延等因素的綜合影響下，8月上旬
2011-08-30 08:28:23820 
據(jù)《日刊工業(yè)新聞》報(bào)道，由于移動(dòng)設(shè)備的需求持續(xù)增加，東芝(微博)最早計(jì)劃今年夏天興建一座新的NAND閃存芯片工廠。
2012-04-04 18:32:05843 今年全球NAND閃存營業(yè)收入預(yù)計(jì)增長(zhǎng)8%，從2011年的212億美元上升到229億美元。按照今年的營業(yè)收入預(yù)期，全球出貨量相當(dāng)于28823個(gè)1GB器件，而2011年是17401個(gè)。隨著智能手機(jī)、平板電腦和超
2012-04-24 09:40:51730 
據(jù)IHS iSuppli公司的NAND閃存動(dòng)態(tài)簡(jiǎn)報(bào)，盡管超級(jí)本領(lǐng)域使用的固態(tài)硬盤（SSD）不斷增加，但與NAND閃存供應(yīng)商相比，專門生產(chǎn)快速SSD的廠商卻處于劣勢(shì)。NADN閃存供應(yīng)商擁有廣闊的市場(chǎng)以及令
2012-07-06 09:39:141163 
東芝(微博)公司計(jì)劃將NAND閃存芯片的產(chǎn)量削減30%，為2009年以來首次減產(chǎn)。
2012-07-24 09:08:06968 SK海力士預(yù)計(jì)第四季度D-RAM和
NAND閃存需求不斷增長(zhǎng)。公司計(jì)劃第四季度批量生產(chǎn)10納米級(jí)D-RAM和72層
NAND閃存，明年業(yè)績(jī)?nèi)詫⑾蚝谩?/div>
2017-10-27 09:15:15754 今年Q1季度到Q2季度以來，NAND閃存價(jià)格一直在下滑，市場(chǎng)供需情況已經(jīng)變了，本來預(yù)計(jì)Q3季度會(huì)有蘋果新機(jī)拉貨導(dǎo)致的需求提升，藉此提振下NAND價(jià)格，不過現(xiàn)在來看這些廠商想的太樂觀了，Q3季度NAND閃存價(jià)格還會(huì)繼續(xù)下滑，這種情況持續(xù)下去，不排除2020年NAND市場(chǎng)大洗牌。
2018-07-17 11:58:001032 今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)，主要是顆粒廠面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢，低于預(yù)期。
2018-06-30 14:34:00585 DVEVM可以啟動(dòng)或（默認(rèn)），與非門，或通用異步接收機(jī)/發(fā)射機(jī)（UART）。NOR 閃存提供了一個(gè)字節(jié)隨機(jī)的優(yōu)點(diǎn)訪問和執(zhí)行就地技術(shù)。NAND閃存不是那么容易用它需要閃存轉(zhuǎn)換層（FTL）軟件讓它訪問；然而，由于它的價(jià)格低，速度快，壽命長(zhǎng)，許多客戶想設(shè)計(jì)NAND閃存代替或NOR閃存。
2018-04-18 15:06:579 對(duì)于許多消費(fèi)類音視頻產(chǎn)品而言，NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)方案，這在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND正被證明極具
2018-06-06 12:27:0010713 
，第一代3D NAND閃存的成本也符合預(yù)期，堆棧層數(shù)達(dá)到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了，今年底就要大規(guī)模量產(chǎn)了。
2018-08-03 16:15:031683 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供TI(ti)TLV313-Q1相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有TLV313-Q1的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，TLV313-Q1真值表，TLV313-Q1管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2018-11-02 18:34:06
今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)，主要是顆粒廠面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢，低于預(yù)期。
2018-09-16 10:38:14759 從NAND閃存中啟動(dòng)U-BOOT的設(shè)計(jì) 隨著嵌入式系統(tǒng)的日趨復(fù)雜,它對(duì)大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的需求越來越緊迫。而嵌入式設(shè)備低功耗、小體積以及低成本的要求,使硬盤無法得到廣泛的應(yīng)用。NAND閃存 設(shè)備就是
2018-09-21 20:06:011878 從Q1季度之后，NAND閃存價(jià)格就止不住下滑了，主要原因是廠商的64/72層堆棧3D NAND閃存產(chǎn)能大增，而需求卻降下來了，智能手機(jī)市場(chǎng)已經(jīng)連續(xù)多個(gè)季度下滑，蘋果新機(jī)不如預(yù)期，英特爾CPU缺貨也
2018-11-20 10:14:14886 的單位面積上，TLC閃存比MLC存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)更多，而MLC又比SLC存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)多。另一種新型的NAND閃存稱為3D NAND或V-NAND（垂直NAND）。通過在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲(chǔ)單元，這種類型的閃存可以獲得更大的密度。
2018-12-17 15:50:242506 的單位面積上，TLC閃存比MLC存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)更多，而MLC又比SLC存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)多。另一種新型的NAND閃存稱為3D NAND或V-NAND(垂直NAND)。通過在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲(chǔ)單元，這種類型的閃存可以獲得更大的密度。
2019-04-17 16:32:346335 
空調(diào)市場(chǎng)在上半年表現(xiàn)搶眼，但進(jìn)入到下半年，顯示出明顯的疲態(tài)。筆者注意到，產(chǎn)業(yè)在線最新數(shù)據(jù)顯示，空調(diào)2019冷年終端需求大大低于預(yù)期，生產(chǎn)和內(nèi)銷下滑呈現(xiàn)趨勢(shì)，行業(yè)整體去庫存效果不明顯，存在較大的價(jià)格戰(zhàn)隱憂。
2019-01-13 10:54:533136 
NAND的平均售價(jià)（美元/ GB）會(huì)降低54％，而下半年同比下降45％。 市場(chǎng)供應(yīng)和需求是影響客戶支付閃存存儲(chǔ)價(jià)格的兩個(gè)主要因素，需求增加會(huì)推動(dòng)價(jià)格上漲，促使供應(yīng)商增加產(chǎn)量。如果供過于求，則可能會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)量過剩以及價(jià)格下跌。 NAND 閃存產(chǎn)品平均售價(jià)年度變化（最右側(cè)年度價(jià)格變化
2019-03-20 15:09:01629 IDC調(diào)整了其對(duì)NAND閃存的供需預(yù)測(cè)，稱2019年和2020年的比特量（bit volume）將同比增長(zhǎng)39％和38％。并預(yù)計(jì)閃存價(jià)格的降低趨勢(shì)可能會(huì)放緩。
2019-03-24 10:05:26867 
進(jìn)入2019年第二季度，NAND閃存的價(jià)格繼續(xù)呈下跌態(tài)勢(shì)，根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心第一季度末發(fā)布的數(shù)據(jù)，受到服務(wù)器需求疲弱、智能手機(jī)換機(jī)周期延長(zhǎng)、蘋果新機(jī)銷售不如預(yù)期等終端需求不佳沖擊，2019年第一季度各類NAND閃存的合約價(jià)季度跌幅近20％，成為2018年年初以來跌幅最劇烈的一次。
2019-05-22 14:19:21730 NAND閃存與機(jī)械存儲(chǔ)設(shè)備一樣，默認(rèn)情況下是不可靠的 - 這是電子世界中不尋常的情況。它的不可靠性通過使用專用控制器來處理。另一方面，DRAM被認(rèn)為是“非常”可靠的。服務(wù)器通常具有錯(cuò)誤檢測(cè)（并且可能是校正）電路，但消費(fèi)者和商業(yè)機(jī)器很少這樣做。我將專注于DRAM。
2019-08-07 10:02:5711958 
在連跌7個(gè)季度之后，NAND閃存市場(chǎng)將在今年底迎來轉(zhuǎn)機(jī)，Q3季度閃存價(jià)格下跌幅度已經(jīng)大幅收窄，預(yù)計(jì)Q4季度會(huì)由跌轉(zhuǎn)漲，漲幅約為10%。
2019-10-14 14:46:022910 據(jù)韓媒BusinessKorea報(bào)道，市場(chǎng)研究公司預(yù)測(cè)，基于固態(tài)硬盤（SSD）密度和性能提升，明年全球NAND閃存需求將增加，5G通信、人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬現(xiàn)實(shí)將引領(lǐng)明年全球DRAM和NAND閃存市場(chǎng)的增長(zhǎng)。
2019-12-20 15:18:463856 任何了解SD卡，USB閃存驅(qū)動(dòng)器和其他基于NAND閃存的解決方案基礎(chǔ)知識(shí)的人都知道，控制這些最小化故障率的關(guān)鍵組件是NAND閃存控制器。
2020-01-22 09:46:001103 
無論消費(fèi)者還是企業(yè)機(jī)構(gòu)，大多數(shù)人在談到閃存時(shí)，首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實(shí)意義上來講，NAND閃存可以說已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞。基于塊尋址結(jié)構(gòu)和高密度，使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0316738 
通常情況下，固態(tài)硬盤（SSD）的底層NAND架構(gòu)會(huì)因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此對(duì)您的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)生不同的影響，在這篇文章中，我們會(huì)討論這些差異。
2020-08-28 11:15:461284 
2019年全球市場(chǎng)“主要商品與服務(wù)份額調(diào)查”顯示，用于保存數(shù)據(jù)的NAND型閃存的市場(chǎng)份額排名依舊是三星電子第1、鎧俠（KIOXIA，原東芝存儲(chǔ)器）第2。不過，眼下中國企業(yè)開始崛起，有可能擠身前列。
2020-09-07 16:18:551076 
我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營，今天小編就來你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:528552 據(jù)國外媒體報(bào)道，專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:493038 SSD主控大廠SMI慧榮總經(jīng)理茍嘉章日前表示，NAND閃存價(jià)格已經(jīng)回到可控范圍內(nèi)，預(yù)計(jì)Q4現(xiàn)貨價(jià)頂多下滑4-5%。
2020-11-08 09:24:491877 存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:553696 eMMC模塊因?yàn)槭且?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存技術(shù)為基礎(chǔ)而具有預(yù)定的使用壽命。它們具備有限的程序/擦除（P/E）周期，即使公司最初按照這些規(guī)范進(jìn)行設(shè)計(jì)，他們也必須預(yù)見到同一系統(tǒng)隨著時(shí)間的推移必須應(yīng)對(duì)不斷增加的工作負(fù)載挑戰(zhàn)。
2021-01-18 16:21:042658 NAND閃存是用于SSD和存儲(chǔ)卡的一種非易失性存儲(chǔ)體系結(jié)構(gòu)。它的名字來源于邏輯門（NOT-AND），用于確定數(shù)字信息如何存儲(chǔ)在閃存設(shè)備的芯片中。
2021-03-02 17:54:144995 
寫入問題確實(shí)是NAND閃存的在企業(yè)級(jí)應(yīng)用中的一個(gè)限制么？
2021-04-01 17:50:563783 該NAND閃存控制器IP支持以前所未有的速度輕松可靠地訪問片外NAND閃存器件。更新后的控制器能以各種速度支持所有ONFI規(guī)范模式。
2021-08-05 15:30:562708 在3D NAND技術(shù)賽跑中，三星長(zhǎng)期處于領(lǐng)先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:153354 
但同樣重要的組件。但是為什么需要控制器呢？簡(jiǎn)而言之，沒有它什么都行不通。 ? NAND 閃存控制器，或簡(jiǎn)稱“控制器”，專為不同的接口（如 PCIe、eMMC、SD、SATA 和 USB）而設(shè)計(jì)，具有不同的質(zhì)量和不同的用例。它們的共同點(diǎn)是管理 NAND 閃存上的數(shù)據(jù)。這種存儲(chǔ)技術(shù)在過
2022-09-05 14:42:552559 本規(guī)范定義了標(biāo)準(zhǔn)化的NAND閃存設(shè)備接口，該接口提供了以下方法：用于設(shè)計(jì)支持一系列NAND閃存設(shè)備而無需直接設(shè)計(jì)的系統(tǒng)關(guān)聯(lián)前。該解決方案還提供了系統(tǒng)無縫利用的方法在設(shè)計(jì)系統(tǒng)時(shí)可能不存在的新NAND設(shè)備。
2022-09-09 16:10:2416 在NAND閃存的應(yīng)用中，程序/擦除周期存在一個(gè)限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊將變得不可工作，需要一個(gè)備用塊來替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí)，此NAND閃存將無法再使用。
2022-10-24 14:30:112256 
圍繞基于NAND閃存的存儲(chǔ)系統(tǒng)的對(duì)話已經(jīng)變得混亂。通常，當(dāng)人們討論存儲(chǔ)時(shí)，他們只談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存，而忽略了單獨(dú)的，但同樣重要的組件，即控制器。但是為什么需要控制器呢？簡(jiǎn)單地說，沒有它，一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:322425 
在NAND閃存的應(yīng)用中，編程/擦除周期存在限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊變得不可工作，需要一個(gè)備用塊來替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí)，此NAND閃存將無法再使用。
2022-11-30 15:00:433434 
本規(guī)范定義了標(biāo)準(zhǔn)化NAND閃存設(shè)備接口，該接口提供了設(shè)計(jì)的系統(tǒng)支持一系列NAND閃存設(shè)備，無需直接設(shè)計(jì)預(yù)關(guān)聯(lián)。該解決方案還為系統(tǒng)提供了無縫利用在系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)可能不存在的新NAND器件。
2022-12-13 16:50:450 除PC需求疲弱外，NAND Flash價(jià)跌也是促使SSD價(jià)格續(xù)跌的原因。SSD搭載數(shù)個(gè)NAND Flash、因此價(jià)格易受NAND Flash價(jià)格影響。
2022-12-20 12:05:19955 ，NAND閃存總?cè)萘恳策_(dá)到了5855億GB的市場(chǎng)需求（見圖2），其中，手機(jī)和消費(fèi)級(jí)SSD仍然是主要的需求群體,緊隨其后的則是企業(yè)級(jí)SSD。 圖1 圖2 2021年至2027年，以百萬計(jì)為單位的NAND晶圓
2022-12-26 18:13:091778 
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 NAND閃存上的位密度隨著時(shí)間的推移而變化。早期的NAND設(shè)備是單層單元（SLC）閃存。這表明每個(gè)閃存單元存儲(chǔ)一個(gè)位。使用多層單元（MLC），閃存可以為每個(gè)單元存儲(chǔ)兩個(gè)或更多位，因此位密度會(huì)增加
2023-05-25 15:36:033113 
內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲(chǔ)單元是bit，用戶可以隨機(jī)訪問任何一個(gè)bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲(chǔ)單元是頁（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區(qū)，硬盤的一個(gè)扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:003694 這種存儲(chǔ)技術(shù)的成功與其不斷擴(kuò)展密度和成本的能力有關(guān)——這是 NAND 閃存技術(shù)發(fā)展的主要驅(qū)動(dòng)力。大約每?jī)赡辏?b class="flag-6" style="color: red">NAND 閃存行業(yè)就會(huì)顯著提高位存儲(chǔ)密度，以增加的 Gbit/mm2表示。
2023-06-27 10:38:343462 
對(duì) NAND 存儲(chǔ)器的需求也大幅增加。從移動(dòng)或便攜式固態(tài)硬盤到數(shù)據(jù)中心，從企業(yè)固態(tài)硬盤再到汽車配件， NAND 閃存的應(yīng)用領(lǐng)域和使用場(chǎng)景愈發(fā)多樣化，各種要求也隨之出現(xiàn)，常見的譬如更高的讀寫速度、最大化的存儲(chǔ)容量、更低的功耗和更低的成本等等
2023-07-24 14:45:031818 
據(jù)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，三星提出的512gb nand閃存晶片單價(jià)為1.60美元，比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示，由于上下nand閃存的庫存緩慢，很難說服上調(diào)價(jià)格。
2023-08-02 11:56:241963 鎧俠公司為應(yīng)對(duì)存儲(chǔ)芯片價(jià)格的持續(xù)下跌，從2022年10月開始采取了將晶片減產(chǎn)30%的措施。2023年q3的nand閃存價(jià)格將比q2上漲5%至9%，出貨量將比前一個(gè)月減少10至14%。以美元為準(zhǔn)，nand閃存價(jià)格將比前一個(gè)月上漲0至4%。
2023-11-15 10:17:031158 據(jù)最新報(bào)道，全球領(lǐng)先的NAND閃存制造商鎧俠已決定重新審視其先前的減產(chǎn)策略，并計(jì)劃在本月內(nèi)將開工率提升至90%。這一策略調(diào)整反映出市場(chǎng)需求的變化和公司對(duì)于行業(yè)發(fā)展的積極預(yù)期。
2024-03-07 10:48:351207 ONFI 由100多家制造、設(shè)計(jì)或使用 NAND 閃存的公司組成的行業(yè)工作組，其中包括主要成員如 Intel 和鎂光。該工作組旨在簡(jiǎn)化將 NAND 閃存集成到消費(fèi)電子產(chǎn)品、計(jì)算平臺(tái)以及其他需要大容量固態(tài)存儲(chǔ)的應(yīng)用程序中的過程。
2024-04-03 12:26:2411350 
已證實(shí)，西部數(shù)據(jù)已向客戶發(fā)函，宣布將對(duì)NAND閃存及硬盤產(chǎn)品價(jià)格進(jìn)行調(diào)整。西部數(shù)據(jù)就產(chǎn)品供應(yīng)困難發(fā)表聲明，稱市場(chǎng)需求遠(yuǎn)超預(yù)期，導(dǎo)致供應(yīng)緊張，加劇了電子行業(yè)供應(yīng)鏈問題。
2024-04-09 16:33:111359 當(dāng)前，3D NAND閃存在通過提高堆棧層數(shù)來增加容量上取得顯著進(jìn)展。然而，在這種趨勢(shì)下，閃存顆粒中的垂直通道蝕刻變得愈發(fā)困難且速率減緩。
2024-05-07 10:33:03912 據(jù)LSEG報(bào)告，微芯預(yù)期截至6月底首個(gè)財(cái)季凈銷售額或在12.2億至12.6億美元間，較分析師普遍預(yù)期的13.4億美元低落；調(diào)整后每股收益則在29美分至32美分區(qū)間，遠(yuǎn)遜于預(yù)期的59美分。
2024-05-07 16:29:12949 大摩分析師喬·摩爾（Joe Moore）表示，除傳統(tǒng)大型客戶外，需求尤其強(qiáng)勁，尤其是來自特斯拉等公司。預(yù)計(jì)NVIDIA本季度營收約為240億美元，第三季度營收或達(dá)260億美元，雖與公司和行業(yè)預(yù)測(cè)相近，但均低于買方預(yù)期的260億美元和270億美元至280億美元。
2024-05-22 10:11:491176 NAND閃存，又稱之為“NAND Flash”，是一種基于Flash存儲(chǔ)技術(shù)的非易失性閃存芯片。下面將從NAND閃存的定義、工作原理、特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展等幾個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)闡述。
2024-08-10 15:57:1913061 NAND閃存和NOR閃存是兩種常見的閃存存儲(chǔ)器技術(shù)，它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著的差異。以下將從技術(shù)原理、結(jié)構(gòu)、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景以及發(fā)展趨勢(shì)等方面對(duì)兩者進(jìn)行詳細(xì)比較。
2024-08-10 16:14:277987 NAND閃存的發(fā)展歷程是一段充滿創(chuàng)新與突破的歷程，它自誕生以來就不斷推動(dòng)著存儲(chǔ)技術(shù)的進(jìn)步。以下是對(duì)NAND閃存發(fā)展歷程的詳細(xì)梳理，將全面且深入地介紹其關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)和重要進(jìn)展。
2024-08-10 16:32:583368 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《從NAND閃存啟動(dòng)DaVinci EVM.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-10-16 10:15:200 近日，業(yè)界傳出消息稱，三星電子將大幅削減MLC NAND閃存的產(chǎn)能供給，并計(jì)劃在2024年底停止在現(xiàn)貨市場(chǎng)銷售該類產(chǎn)品，而到了2025年6月，MLC NAND閃存可能會(huì)正式停產(chǎn)。這一消息引起了業(yè)界
2024-11-21 14:16:121474 在現(xiàn)代電子設(shè)備中，存儲(chǔ)技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色。隨著技術(shù)的發(fā)展，存儲(chǔ)解決方案也在不斷進(jìn)步，以滿足日益增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
需求。EMMC（嵌入式多媒體卡）和
NAND閃存是兩種廣泛使用的存儲(chǔ)技術(shù)，它們?cè)?/div>
2024-12-25 09:37:204674 NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，廣泛用于固態(tài)硬盤、USB閃存盤和手機(jī)存儲(chǔ)中，具有高速讀寫和耐用性強(qiáng)的特點(diǎn)。
2025-03-12 10:21:145331 
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