Kioxia（原東芝存儲），西部數(shù)據(jù)（WD）聯(lián)盟3D NAND閃存使用三星電子技術(shù)進(jìn)行批量生產(chǎn)。 東芝開發(fā)的3D NAND技術(shù) BiCS 很早之前，原東芝存儲就在國際會議VLSI研討會上首次分享了
2019-12-13 10:46:07
12470 存儲器大廠美光（Micron）昨（20）日召開法說會，執(zhí)行長Mark Durcan看好下半年NAND Flash旺季，并指出未來12個(gè)月，NAND市場產(chǎn)能供給增加的幅度有限，但需求十分強(qiáng)勁，幾乎可用貪婪的需求（insatiable demand）來形容，因此對下半年NAND市場抱持樂觀正面看法。
2013-06-21 11:07:091147 一周之前，三星公司才剛剛宣布推出了世界上首款擁有3D垂直NAND Flash技術(shù)的內(nèi)存產(chǎn)品。僅僅一個(gè)禮拜的時(shí)間，同樣是三星公司緊接著又宣布即將推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技術(shù)的SSD固態(tài)硬盤。
2013-08-15 09:11:161488 包括三星電子（Samsung Electronics）、美光（Micron）與東芝（Toshiba）為量產(chǎn)3D NAND Flash，紛投資建廠或以既有生產(chǎn)線進(jìn)行轉(zhuǎn)換，SK海力士（SK Hynix
2015-10-09 09:40:15980 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲器已經(jīng)出現(xiàn)在市場上了，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會先睹為快。
2016-07-13 10:32:437470 三星作為全球首家量產(chǎn)3D NAND Flash的廠商的風(fēng)光并沒有太久，日前東芝也研究出64層3D Flash，這樣的追趕速度讓人驚嘆。有消息顯示，英特可能暫緩擴(kuò)建大連廠，而是通過直接收購美光科技擴(kuò)大芯片領(lǐng)域?qū)嵙ΑＫ髂酨layStation VR國行版來襲，紅米Pro三個(gè)版本還有什么發(fā)布會沒說的細(xì)節(jié)？
2016-07-28 09:44:261235 目前3D NAND僅由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)。而進(jìn)入了最近兩個(gè)月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營，如今美光（Micron）也宣布研發(fā)出3D NAND 芯片，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將畫下
2016-08-11 13:58:0644661 
目前，我們還無法斷定3D NAND是否較平面NAND更具有製造成本的優(yōu)勢，但三星與美光顯然都決定把賭注押在3D NAND產(chǎn)品上。如今的問題在于，海力士（SK Hynix）與東芝（Toshiba）兩大市場競爭對手能否也拿出同樣具備競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品？
2016-09-12 13:40:252173 傳三星電子平澤廠（Pyeongtaek）將提前投產(chǎn)，SK海力士（SK Hynix）、東芝（Toshiba）、美光（Micron）產(chǎn)能也將于明年下半全面開出，屆時(shí)3D NAND可能會從供不應(yīng)求、呈現(xiàn)供給過剩的狀況。
2016-10-10 14:08:472158 
目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動(dòng)力擴(kuò)大產(chǎn)能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 據(jù)海外媒體報(bào)道，傳三星電子于2017~2018年，將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠，業(yè)界人士預(yù)估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元)，以迎接存儲器市場史上最大需求熱潮。
2017-02-07 07:50:011519 3D NAND Flash。中國已吹響進(jìn)軍3D NAND Flash沖鋒號，若能整合好跨領(lǐng)域人才和技術(shù)，中國3D NAND Flash有望彎道超車。
2017-02-07 17:34:129182 
美國內(nèi)存大廠美光（Micron）合并華亞科技后，中國臺灣地區(qū)成為美光的 DRAM 生產(chǎn)基地，內(nèi)部設(shè)定以超越三星為目標(biāo)，并全力沖刺 DRAM 和 3D NAND Flash 先進(jìn)制程腳步，去年及今年
2017-02-13 11:44:261043 據(jù)海外媒體報(bào)道，去年下半年以來NAND Flash市場供不應(yīng)求，主要關(guān)鍵在于上游原廠全力調(diào)撥2D NAND Flash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND，但3D NAND生產(chǎn)良率不如預(yù)期，2D NAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小，NAND Flash市場出現(xiàn)貨源不足問題，價(jià)格也因此明顯上漲。
2017-02-27 09:21:371739 
借由此案進(jìn)入3D NAND代工，更說服東芝在臺灣設(shè)廠生產(chǎn)，此舉目的是擊破三星電子長期來以存儲器利潤補(bǔ)貼邏輯虧損的策略，一報(bào)大客戶高通（Qualcomm）被搶之仇。
2017-03-02 07:51:24844 根據(jù)外資的報(bào)告指出，NAND Flash 的產(chǎn)能問題，2017 年三星、美光、東芝/西數(shù)、SK Hynix 都會在下半年量產(chǎn) 64 層，以及 72 層堆棧的 3D NAND Flash 的情況下，原本預(yù)計(jì)產(chǎn)能會有大幅度提升。
2017-05-24 10:39:121519 六大NAND Flash顆粒制造商之一的東芝也宣布了自家96層3D NAND產(chǎn)品的新消息：他們正式推出了旗下首款使用96層3D NAND閃存的固態(tài)硬盤產(chǎn)品XG6。在性能方面，XG6也算是追上了目前
2018-07-24 10:57:355877 11月12日消息今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款176層3D NAND閃存，刷新行業(yè)紀(jì)錄，實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。這款176層NAND產(chǎn)品采用美光第五代3D NAND技術(shù)和第二代替換柵極架構(gòu)。
2020-11-13 09:40:163599 全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示，2020年第四季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收為141億美元，季減2.9%。該季度全球前六大NAND FLASH品牌廠商分別為三星電子、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、SK海力士、美光與英特爾。
2021-03-04 11:01:508664 利潤率達(dá)20%，超越三星的18%，三星的搖錢樹獲利能力下降，恐影響其在晶圓代工等領(lǐng)域的投資能力；不僅如此，美光已經(jīng)超車三星，搶先量產(chǎn)176層的NAND flash。 ? 長期以來，南韓總統(tǒng)文在寅對美中采取兩頭討好策略，正當(dāng)美國開始組隊(duì)重建半導(dǎo)體等產(chǎn)業(yè)供
2021-05-24 14:23:471488 MAX3232EUE+T的比例從62%上升到了80%。 日本東芝第二季度NAND閃存產(chǎn)品銷售額環(huán)比下降9.5個(gè)百分點(diǎn)。相比之下，美光科技公司NAND閃存芯片的銷售在整個(gè)供貨商中獲得了強(qiáng)勁增長。同樣，美光與三星都因東芝
2012-09-24 17:03:43
主動(dòng)快門3D眼鏡（嶄新的）生化危機(jī)4 3D藍(lán)光50G原盤準(zhǔn)備好一切后，下面就來將三星SA950與3D藍(lán)光播放機(jī)連接起來，這里需要使用HDMI進(jìn)行連接，然后在顯示器3D菜單設(shè)置里將“幀連續(xù)”模式功能打開
2011-08-20 14:30:01
`CFMS2018近日成功舉辦，來自三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光、長江存儲等全球存儲業(yè)大咖，與行業(yè)人士共同探討3D NAND技術(shù)的發(fā)展未來。我們來看看他們都說了什么。三星：看好在UFS市場的絕對優(yōu)勢
2018-09-20 17:57:05
韓國三星電子日前宣布，位于中國陜西省西安市的半導(dǎo)體新工廠已正式投產(chǎn)。該工廠采用最尖端的3D技術(shù)，生產(chǎn)用于服務(wù)器等的NAND閃存（V-NAND）。三星電子希望在IT（信息技術(shù)）設(shè)備生產(chǎn)基地聚集的中國
2014-05-14 15:27:09
Insights資料顯示，2017年全球半導(dǎo)體頂尖大廠的研發(fā)投資，以英特爾的130.98億美元排名第一，成長3%，但占營收比重竟然高達(dá)21.2%；這個(gè)數(shù)字也是三星、東芝、高通、博通的總和。高通為
2018-12-25 14:31:36
三星宣布將開發(fā)手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過手機(jī)得知產(chǎn)品和服務(wù)信息，但三星并未透露產(chǎn)品何時(shí)上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
`聽說三星已搞定石墨烯電池，能量密度提升45%，充電快5倍比起OPPO的快充，你怎么看？（其實(shí)不得不服三星的技術(shù)）順便發(fā)個(gè)三星S9大合照！`
2017-11-29 16:33:10
生產(chǎn)出像素尺寸為0.2的圖像傳感器。”該分析師表示。“但在他講話后不到一周，美光就宣布能夠生產(chǎn)0.17的像素尺寸。” 實(shí)際上，美光的競爭對手三星電子是美光的最大圖像傳感器客戶之一。三星也銷售圖像傳感器。他說：“我們的消息暗示，美光在一個(gè)月以前獲得了三星的幾項(xiàng)design win。”:
2018-11-20 16:03:30
步伐。據(jù)韓媒Kinews等報(bào)導(dǎo)，三星2018年下半原計(jì)劃對DRAM及NAND Flash進(jìn)行新投資，傳出將延至2019年，取而代之的是對現(xiàn)有產(chǎn)線進(jìn)行補(bǔ)強(qiáng)投資，期望獲利維持一定水平。同時(shí)，另一家半導(dǎo)體大廠
2018-10-12 14:46:09
，由于智慧型手機(jī)大量普及，企業(yè)資本支出長，三星電子計(jì)劃將資本支出增加一倍來到18兆韓元。分析師預(yù)估，今年主要半導(dǎo)體業(yè)者記憶體的擴(kuò)產(chǎn)幅度達(dá)六成，Durcan認(rèn)為，各產(chǎn)品需求面相當(dāng)強(qiáng)勁，目前美光產(chǎn)能無法滿足
2022-01-21 08:28:38
量產(chǎn)，競爭對手三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)亦不甘示弱推出27奈米、26奈米制程技術(shù)；美光NAND Flash營銷總監(jiān)Kevin Killbuck指出，隨著內(nèi)嵌式
2022-01-22 08:05:39
NAND只需要提高堆棧層數(shù)，目前多種工藝架構(gòu)并存。從2013年三星推出了第一款24層SLC/MLC 3D V-NAND，到現(xiàn)在層數(shù)已經(jīng)邁進(jìn)200+層，并即將進(jìn)入300+層階段。目前，三星/西部數(shù)據(jù)
2024-12-17 17:34:06
專業(yè)收購三星ddr帝歐電子高價(jià)回收三星ddr，長期求購三星ddr，帶板的也收，大量收購！！！帝歐趙生***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com。求購三星（K9
2021-10-26 19:13:52
華為三星蘋果高通的差異買IP做集成不宜包裝為掌握核心科技
2021-01-28 07:21:57
回收三星ic 收購三星ic《 字庫回收，實(shí)力回收三星原裝字庫，收購三星字庫價(jià)格高！同時(shí)還回收拆機(jī)字庫，優(yōu)勢收購原裝字庫》●●帝歐 【趙先生 ***微信同步 QQ：1714434248】收購三星字庫
2021-08-20 19:11:25
時(shí)間回到2018年第一季度，三星、東芝、美光等公司的NAND芯片利潤率是40％，但是第一季度過后NAND價(jià)格就開始暴降，據(jù)統(tǒng)計(jì)去年上半年NAND閃存價(jià)格下跌了至少50％，而根據(jù)分析師表示，未來每年
2021-07-13 06:38:27
三星的K9F1G08U0A nand flash芯片，手冊說有Unique ID可以用，但是沒有說明具體怎么操作。另外在其他三星nor flash芯片手冊中有看到OTP區(qū)域，可以來保存Unique
2017-03-21 09:22:02
強(qiáng)敵三星。一直以來，NAND FLASH的晶圓芯片都是由三星、東芝/閃迪、美光、SK海力士5家大廠“壟斷”，占據(jù)整個(gè)市場的70%份額；只要他們又任何的產(chǎn)能的調(diào)整和市場策略變化，都直接影響到市場特別是
2016-07-29 15:42:37
三星電子在2010年的時(shí)候告密導(dǎo)致鴻海集團(tuán)(富士康)子公司奇美電子被罰三億歐元,郭總裁當(dāng)時(shí)痛斥三星電子為”專打小報(bào)告的小人”,同時(shí)他也表示一定會從韓國人的手裡把這個(gè)錢給賺回來,時(shí)隔多年,郭總裁收購
2016-12-18 01:18:05
NAND Flash SLC MLC技術(shù)分析什么是SLC？
SLC英文全稱(Single Level Cell——SLC)即單層式儲存 。主要由三星、海力士、美光、東芝等使用。
S
2008-07-17 10:07:272102 蘋果NAND Flash減單 三星、新帝策略轉(zhuǎn)向
由于傳出大客戶蘋果(Apple)開始減少下單，加上原本三星電子(Samsung Electronics)供應(yīng)NAND Flash數(shù)量相當(dāng)有限，12月供應(yīng)量控制亦開始
2009-11-28 15:59:33568 美光科技公司(MicronTechnology)與英特爾公司近日宣布試制成功了基于行業(yè)領(lǐng)先的50納米(nil])制程技術(shù)的NAND閃存，這兌現(xiàn)了它們對快速提升技術(shù)領(lǐng)先曲線的承諾。樣品通
2010-05-30 11:08:09890 上周東芝及西部數(shù)據(jù)宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產(chǎn)，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:261430 TrendForce旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，受惠于智能型手機(jī)需求強(qiáng)勁，及供給端2D-NAND 轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND 所導(dǎo)致的整體產(chǎn)出減少，2016年第三季NAND Flash開始漲價(jià)，使得NAND Flash原廠營收季成長19.6%，營業(yè)利益率也較上季大幅進(jìn)步。
2016-12-08 11:31:15829 
三星、SK海力士、東芝、西數(shù)、美光和英特爾在將生產(chǎn)線從2D-NAND轉(zhuǎn)至3D-NAND之后，產(chǎn)能和價(jià)格上漲問題將獲得部分緩解。三星位于韓國京畿道平澤市的新半導(dǎo)體工廠近日已基本完成，預(yù)計(jì)將在今年7月份開始正式運(yùn)營。
2017-04-13 15:21:544243 
2018年是3D NAND產(chǎn)能快速增長的一年，主要是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">Flash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等快速提高64層3D NAND生產(chǎn)比重，而且相較于2D NAND技術(shù)，64層256Gb和512Gb在市場上的廣泛應(yīng)用，使得高容量的NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下滑
2018-07-16 09:48:00918 目前全球存儲市場韓企張巨龍大量的份額，紫光集團(tuán)欲想搶占更多的市場份額必將要與三星，sk海力士，美光等巨頭進(jìn)行較量。據(jù)悉長江存儲科技正在迅速開發(fā)3D NAND快閃記憶體，叫板三星。中國新貴記憶體企業(yè)要想與之較量專利戰(zhàn)在所難免？
2017-12-19 11:48:072402 
美光（Micron Technology）不妙，和三星電子（Samsung Electronics）之間的科技差距日益拉大，毛利率將受沖擊？ Barronˋs 15 日引述野村證券報(bào)告稱，分析師
2018-06-18 14:47:006064 近日，美光與英特爾宣布NAND Flash合作伙伴關(guān)系即將終止，據(jù)悉是因?yàn)?6層3D-NAND不符合目前的市場，要形成主流起碼要到2019年。
2018-01-15 13:58:351329 三星電子(Samsung Electronics)3D NAND生產(chǎn)比重，傳已在2017年第4季突破80%，三星計(jì)劃除了部分車用產(chǎn)品外，2018年將進(jìn)一步提升3D NAND生產(chǎn)比重至90%以上，全面進(jìn)入3D NAND時(shí)代。
2018-07-06 07:02:001447 西安3D V-NAND芯片廠是三星最大的海外投資項(xiàng)目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片廠。今日報(bào)道，工業(yè)氣體供應(yīng)商空氣產(chǎn)品公司將助力三星生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片，宣布將為3D V-NAND芯片廠供氣。
2018-02-03 11:07:271538 三星電子內(nèi)存解決方案的需求，隨著內(nèi)存的增加而飆升。目前三星正迅速轉(zhuǎn)向3D NAND，尤其是TLC 3D NAND，于三星半導(dǎo)體是拉動(dòng)三星營收和利潤的關(guān)鍵，三星正在轉(zhuǎn)向一家半導(dǎo)體和系統(tǒng)公司。
2018-02-07 14:41:521318 
在市場NAND Flash快閃存儲器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國廠商長江存儲存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲器大廠美光（Micron）也宣布擴(kuò)產(chǎn)，以補(bǔ)足市場供不應(yīng)求的缺口。
2018-06-11 12:01:001319 NAND 存儲器制程轉(zhuǎn)換遭遇瓶頸，采用3D堆疊技術(shù)為主要解決方案。3D產(chǎn)能目前三星投產(chǎn)率、良率最高，其 64 層 3D-NAND 三季度已進(jìn)入量產(chǎn)階段，3D產(chǎn)出占投產(chǎn)量達(dá) 50%，其他廠商亦在Q3
2018-05-06 07:05:0010664 
在正在舉行的國際存儲研討會2018（IMW 2018）上，應(yīng)用材料公司Sean Kang介紹了未來幾年3D-NAND的發(fā)展線路圖，到了2021年，3D-NAND的堆疊層數(shù)會超過140層，而且每一層的厚度會不斷的變薄。
2018-06-18 09:46:004188 
據(jù)外媒7月10日報(bào)道，頂級NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:054460 半導(dǎo)體行業(yè)巨頭美光在新加坡的新工廠破土動(dòng)工，該工廠將致力于制造3D NAND Flash。
2018-08-01 17:40:372938 韓國業(yè)界最近指出，三星電子2019年的NAND Flash資本支出將達(dá)90億美元，預(yù)計(jì)將以韓國平澤、中國西安為主，擴(kuò)大高容量3D NAND生產(chǎn)規(guī)模，期望拉大與其它競爭對手間的差距。
2018-08-05 11:53:421631 上周，美光系與英特爾推出了64層3D QLC NAND，由于采用的QLC（4bits/cell）架構(gòu)相較于TLC（3bits/cell）容量更大，使得單顆Die容量可高達(dá)1Tb，備受市場高度關(guān)注
2018-08-22 16:25:462599 隨著Flash各家原廠紛紛升級到64層3D NAND技術(shù)量產(chǎn)256Gb或512Gb單顆Die，以及提高新工廠的產(chǎn)出量，2018年三星將全面向3D NAND普及，美光預(yù)計(jì)2018年全球NAND
2018-08-22 16:53:432050 3D NAND Flash 作為新一代的存儲產(chǎn)品，受到了業(yè)內(nèi)的高度關(guān)注！但目前3D NAND僅由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)。而進(jìn)入了最近兩個(gè)月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營，如今美光（Micron）也
2018-10-08 15:52:39780 據(jù)日媒指出，三星2019年針對存儲器的投資總體會減少，但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中，在DRAM部分，三星將大減20%資本支出；而在NAND Flash部分，三星的投資仍將持續(xù)增加。
2018-10-10 16:13:443814 2018年原廠不斷擴(kuò)大64層/72層3D NAND產(chǎn)出量，三星、東芝/西部數(shù)據(jù)、美光/英特爾等3D NAND.
2018-10-14 09:22:4111564 NAND Flash產(chǎn)業(yè)在傳統(tǒng)的Floating Gate架構(gòu)面臨瓶頸后，正式轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND Flash時(shí)代，目前三星電子（Samsung Electronics）、東芝（Toshiba）的3D
2018-12-03 09:04:572304 記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打！目前3D NAND由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)，但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營，如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將劃下句點(diǎn)。
2018-12-13 15:07:471294 先前反壟斷局針對DRAM三大業(yè)者，三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)及美光(Micron)展開反壟斷嫌疑調(diào)查，據(jù)悉最近調(diào)查已告一段落，調(diào)查與開罰的理由，也從原先的DRAM價(jià)格壟斷轉(zhuǎn)至NAND Flash捆綁銷售。
2018-12-29 09:22:514036 集邦科技旗下研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange指出，JEDEC Task group中的一些主要成員如：三星 （Samsung）、諾基亞（Nokia）、美光（Micron）、高通（Qualcomm
2019-03-05 15:11:241493 
三星上季大砍NAND Flash和DRAM報(bào)價(jià)后，NAND Flash價(jià)格接近虧損邊緣，決定本季起不再降價(jià)。
2019-05-08 08:47:554026 的減緩生產(chǎn)速度——少切點(diǎn)晶圓，慢建新產(chǎn)線。下半年開始NAND Flash價(jià)格明顯止跌，近期三星、SK海力士、美光等原廠又再次掀起了新一輪的軍備競賽，一些新的工廠開始正式納入規(guī)劃或者即將投入運(yùn)營，這將給NAND Flash產(chǎn)業(yè)帶來什么變化？又是否是中國的機(jī)遇？
2019-10-12 10:01:221136 美光宣布，已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu)，并計(jì)劃在明年投入量產(chǎn)。
2019-10-14 16:04:321180 三星電子計(jì)劃將其NAND閃存價(jià)格提高10％，原因是日本政府對半導(dǎo)體材料出口限制導(dǎo)致生產(chǎn)中斷的擔(dān)憂日益增加。美光科技等其他公司也可能效仿。
2019-11-18 15:37:411013 今天，集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)發(fā)布了第三季度的全球NAND Flash品牌廠商最新營收排名出爐，三星排名第一，鎧俠第二。
2019-11-25 15:05:492954 根據(jù)AnandTech的報(bào)道，三星計(jì)劃投資數(shù)十億美元擴(kuò)大其在中國西安的3D NAND生產(chǎn)設(shè)施。
2019-12-18 10:38:203458 根據(jù)2020年二季度Nand Flash市場排名，三星占據(jù)31%，處于領(lǐng)先地位，緊跟其后的是鎧俠，占比達(dá)17%。排名第三、第四、第五、分別是西數(shù)、美光、SK海力士。以下是DRAMeXchange
2020-11-04 14:17:5917671 據(jù)美媒Anandtech報(bào)道，美光日前宣布了其第五代3D NAND閃存，新一代產(chǎn)品擁有破紀(jì)錄的176層構(gòu)造。報(bào)道指出，新型176L閃存是自美光與英特爾的存儲器合作解散以來推出的第二代產(chǎn)品，此后美光從浮柵（ floating-gate）存儲單元設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)變?yōu)殡姾上葳澹╟harge-trap）單元。
2020-11-10 14:56:593477 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后，自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212924 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業(yè)紀(jì)錄，實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，這款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:572623 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲
2020-11-12 16:02:553696 在3D閃存技術(shù)上，作為全球閃存最大廠商的三星一直是領(lǐng)先的，堆棧層數(shù)也是最多的，不過美光日前率先推出了176層堆棧的 3D閃存，進(jìn)度比三星要快。 根據(jù)美光的說法，176層閃存其實(shí)是基于兩個(gè)88層疊
2020-11-14 10:01:202368 市場對更高密度、更大容量存儲的需求，推動(dòng)了V-NAND層數(shù)的增加，三星采用3D縮放（3D scaling）技術(shù)，減少表面積并降低高度，同時(shí)避免了縮小時(shí)通常會發(fā)生的單元間的干擾。我們的第8代V-NAND將有助于滿足快速增長的市場需求，更好地提供差異化產(chǎn)品和解決方案，有望成為未來存儲創(chuàng)新的基礎(chǔ)。
2022-11-07 10:33:551379 * 三星第8代V-NAND具有目前三星同類產(chǎn)品中最高的存儲密度，可更高效地為企業(yè)擴(kuò)展存儲空間 深圳2020年11月8日 /美通社/ --? 作為全球化的半導(dǎo)體企業(yè)，正如在2022年度閃存峰會
2022-11-08 13:37:361624 三星采用 3D 縮放（3D scaling）技術(shù)，減少表面積并降低高度，同時(shí)避免了縮小時(shí)通常會發(fā)生的單元間的干擾。通過這項(xiàng)技術(shù)，三星顯著的提升每片晶圓的存儲密度，使三星的存儲密度達(dá)到了新的高度。
2022-11-10 09:43:25847 存儲單元中，電荷的存儲層可以是浮柵或氮化硅電荷俘獲層(Charge-Trapping Layer, CTL)。三維CTL垂直溝道型NAND 閃存(3D NAND 或 V-NAND)基于無結(jié)型 (Junctionless， JL)薄膜場效應(yīng)晶體管(TFT)，具有更好的可靠性。
2023-02-03 09:16:5717470 三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計(jì)劃，預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達(dá)到280層
2023-07-04 17:03:293142 最近，三星集團(tuán)援引業(yè)界有關(guān)負(fù)責(zé)人的話表示，計(jì)劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預(yù)計(jì)將采用將nand存儲器制作成兩個(gè)獨(dú)立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術(shù)。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術(shù)。
2023-08-18 11:09:052015 業(yè)界認(rèn)為，三星電子的減產(chǎn)可能會帶來3d nand價(jià)格上漲的效果，從而可能會改變nor、slc nand的購買戰(zhàn)略。美國外國人認(rèn)為，slc nand和nore產(chǎn)品第四季度不會上調(diào)價(jià)格。
2023-09-11 11:35:042024 平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報(bào)道，三星原計(jì)劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬個(gè)dram和3萬個(gè)nand芯片，但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬個(gè)dram和1萬個(gè)nand芯片。
2023-10-08 11:45:571540 訴訟旨在解決以下問題的一個(gè)方面：美光試圖通過迫使長江存儲退出3D NAND Flash（閃存）市場來阻止競爭和創(chuàng)新。
2023-11-13 15:47:511090 部分存儲模組廠已接到三星通知，要求明年年初至少將DRAM價(jià)格上調(diào)15%以上，且該通知并未涉及NAND閃存定價(jià)，故預(yù)計(jì)后者將會持續(xù)上漲。DRAM價(jià)格在去年年底上漲2%-3%，不及3D TLC NAND約10%；
2024-01-03 10:46:211562 三星將在IEEE國際固態(tài)電路研討會上展示其GDDR7產(chǎn)品以及280層堆疊的3D QLC NAND技術(shù)。
2024-02-01 10:35:311299 三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價(jià)格過低；在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計(jì)劃與客戶就NAND閃存價(jià)格重新談判，目標(biāo)價(jià)位是漲價(jià)15%—20%。
2024-03-14 15:35:22995 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）近日宣布，三星 Galaxy S24 系列的部分設(shè)備已搭載美光低功耗 LPDDR5X 內(nèi)存和 UFS 4.0 移動(dòng)閃存存儲，為全球手機(jī)用戶帶來強(qiáng)大的人工智能（AI）體驗(yàn)。
2024-03-15 16:59:211061 在近日舉行的IEEE IMW 2024活動(dòng)上，三星DRAM部門的執(zhí)行副總裁Siwoo Lee宣布了一個(gè)重要里程碑：三星已與其他公司合作，成功研發(fā)出16層3D DRAM技術(shù)。同時(shí)，他透露，競爭對手美光也已將其3D DRAM技術(shù)擴(kuò)展至8層。
2024-05-29 14:44:071398 AI技術(shù)的蓬勃發(fā)展正以前所未有的速度推動(dòng)著存儲器產(chǎn)業(yè)的飛躍，其中，海量數(shù)據(jù)的激增對存儲容量與性能提出了更高要求，使得NAND Flash技術(shù)的重要性日益凸顯。在此背景下，全球存儲巨頭如三星和鎧俠，在深耕DRAM市場的同時(shí)，也持續(xù)加大對NAND Flash技術(shù)的投入與創(chuàng)新。
2024-07-05 15:39:371592 三星電子近期調(diào)整了其晶圓代工產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃，決定暫緩平澤P4工廠的進(jìn)一步擴(kuò)建，轉(zhuǎn)而將重心放在NAND Flash與高頻寬存儲器（HBM）的生產(chǎn)上。這一戰(zhàn)略調(diào)整反映了三星對當(dāng)前市場需求的精準(zhǔn)把握與未來技術(shù)趨勢的深刻洞察。
2024-09-19 17:23:331652 傳統(tǒng)平面NAND閃存技術(shù)的擴(kuò)展性已達(dá)到極限。為了解決這一問題，3D-NAND閃存技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，通過在垂直方向上堆疊存儲單元，大幅提升了存儲密度。本文將簡要介紹3D-NAND浮柵晶體管。
2024-11-06 18:09:084179 
近期，NAND Flash市場再次迎來重要變動(dòng)。據(jù)媒體報(bào)道，繼鎧俠、美光相繼宣布減產(chǎn)后，市場又傳出三星、SK海力士兩大韓廠也將減產(chǎn)消費(fèi)級NAND Flash的消息。這標(biāo)志著首次有韓國廠商加入減產(chǎn)行列
2025-01-07 14:04:06835 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李彎彎）2月17日，據(jù)供應(yīng)鏈消息，美光將NAND?Flash合約價(jià)格上調(diào)25%，而幾日前，西部數(shù)據(jù)也發(fā)布了NAND?Flash的漲價(jià)通知。 ? 同時(shí)三星正在面臨罷工威脅，芯片產(chǎn)
2022-02-18 07:48:163991 2030年實(shí)現(xiàn)1000層堆疊的3D NAND存儲器。 ? 3D NAND似乎已經(jīng)成為各大存儲企業(yè)競相追逐的“工業(yè)明珠”，包括三星、海力士、美光、鎧俠、長江存儲等都在這一領(lǐng)域投入大量資源，而比拼的就是堆疊層數(shù)。 ? 3D NAND 為何如此重要？ ? 隨著數(shù)字化信息的爆炸性增長，對對存儲容量的需求也在
2024-06-29 00:03:008061
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