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電子發燒友網>存儲技術>DRAM內存今年繼續缺貨、漲價:三星成主要推手

DRAM內存今年繼續缺貨、漲價:三星成主要推手

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2019-03-24 11:36:164320

DRAM市場正在降價、且趨勢是會繼續走低,二季度跌近10%

受日本“限制出口令”的影響,韓國內存大廠三星、SK海力士制造內存芯片所需的關鍵半導體材料供應受阻,由此之前也引發了一小波內存芯片漲價潮,但是根據DRAM Exchange最新報告稱,DRAM市場正在降價、且趨勢是會繼續走低。
2019-08-20 15:56:562485

三星遭遇最嚴重的利潤下滑 內存芯片市場投資者的指望

1 月 7 日訊,據國外媒體報道,三星電子預計將遭遇至少十年來最大的年度利潤下滑,投資者正指望內存芯片市場的預期反彈來提振三星今年的表現。
2020-01-07 15:36:39531

三星首家在DRAM生產采用EUV技術的存儲器供應商

電子DRAM芯片產品與技術執行副總裁指出,隨著以EUV技術所生產出的新型DRAM芯片量產,展示著三星對提供革命性的DRAM芯片解決方案以支援全球IT客戶需求的承諾。這項重大進展也說明了三星將如何透過即時開發高端制程技術來生產高端存儲器芯片市場的下一代產品,繼續
2020-04-03 15:47:511320

內存價格繼續下降,刺激了三星、SK海力士等廠商的出貨量

內存價格還在繼續下降,對于三星、SK海力士等廠商來說,這也刺激了相應的出貨量。 TrendForce集邦咨詢公布了2020年第季度全球DRAM內存營收情況,第季度DRAM總產值174.6億美元
2020-11-23 14:30:431837

多家芯片廠商漲價DRAM現貨價格大漲三成

多家芯片廠商漲價DRAM現貨價格大漲三成 晶圓代工廠產能吃緊,半導體產業掀起漲價風。在供給緊張之下,除了功率、觸控等芯片價格喊漲外,內存方面,TrendForce預測,固態硬盤(SSD)控制芯片
2021-01-06 10:36:493260

開始供不應求!2021年DRAM內存將全面漲價

DRAM內存從2018年進入周期性下跌,經過兩年多的低潮期之后,內存市場在2020年底開始止跌,部分產品甚至開始漲價內存漲價主要原因在于三星、美光、SK海力士、削減內存產能,預計從2021年內存
2021-02-05 18:18:518548

DRAM漲價現象給本土廠商哪些機遇?

廠商哪些機遇和啟示? 紛紛預警!? ? 圖源:集邦咨詢 眾所周知,DRAM市場牢牢把握在三星、SK海力士、美光手中,集邦咨詢的報告顯示,2020年第季度,大存儲廠商占據了全球高達94.5%的市場份額,而SK海力士和美光已相繼傳出了DRAM產品的供需緊張
2021-02-26 14:29:012387

三星開發出首款512GB內存擴展器

今日,作為先進內存技術的廠商,三星宣布開發出三星首款512GB內存擴展器 (CXL,Compute Express Link) DRAM,朝CXL的商業化邁出了重要一步,CXL將在IT系統中實現更高的內存容量且更低的延遲。
2022-05-10 10:16:082306

三星電子DDR5 DRAM內存顆粒實現HKMG工藝大規模應用

該機構表示,目前已經在芝奇(G.Skill)Trident Z5系列DDR5內存中發現了三星HKMG DDR5內存顆粒。該機構還預計HKMG將成為下一代DRAM行業的新標準。
2022-09-19 15:14:482099

深度解析三星內存處理技術(PIM)

在Hot Chips 2023上,三星展示了內存技術,內存主要成本是將數據從各種存儲和內存位置傳輸到實際的計算引擎。
2023-10-07 11:03:372453

三星與SK海力士DRAM繼續漲價

筆電DDR5 16Gb SO-DIMM 高容量存儲器模組合約價,10 月也較9 月上漲11.5%,到每單位33 美元。智能手機DRAM合約價也開始漲價。TrendForce 預計第四季行動DRAM
2023-11-03 17:23:091749

三星2025年后將首家進入3D DRAM內存時代

在Memcon 2024上,三星披露了兩款全新的3D DRAM內存技術——垂直通道晶體管和堆棧DRAM。垂直通道晶體管通過降低器件面積占用,實現性能提升;
2024-04-01 15:43:081209

SK海力士、三星電子年內啟動1c納米DRAM內存量產

三星近期在Memcon 2024行業會議中聲稱,計劃于今年底以前實現1c nm工藝的量產。另據行業消息人士透露,SK海力士已確定在第季度實現1c納米DRAM內存的商業化生產。
2024-04-09 16:53:051425

三星LPDDR5X DRAM內存創10.7Gbps速率新高

值得注意的是,此前市場上其他品牌的LPDDR5X DRAM內存最高速度僅為9.6Gbps。三星表示,新款10.7Gbps LPDDR5X內存采用12納米級制程工藝,相較前代產品性能提升超過25%,容量增加30%。
2024-04-17 16:29:161383

漲價20%!三星、 SK 海力士將停止供貨這類芯片

業界傳出,全球前二大DRAM供貨商三星、SK海力士全力沖刺高帶寬內存(HBM)與主流DDR5規格內存,下半年起將停止供應DDR3利基型DRAM,引起市場搶貨潮,導致近期DDR3價格飆漲,最高漲幅達二,且下半年報價還會再上揚。
2024-05-14 10:31:58877

三星、SK海力士對DRAM和NAND產量持保守態度

DRAM和NAND芯片的生產上,三星和SK海力士兩大巨頭依然保持謹慎態度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內存的合約價環比上漲,這一上漲主要歸因于地震影響美光內存產能,進而推動了通用內存需求的短暫上升。
2024-05-22 14:54:491035

三星電子12nm級DRAM內存良率不足五

近日,據韓國媒體報道,三星在其1b nm(即12nm級)DRAM內存生產過程中遇到了良率不足的挑戰。目前,該制程的良率仍低于業界一般目標的80%~90%,僅達到五左右。為了應對這一局面,三星已在上月成立了專門的工作組,致力于迅速提升良率。
2024-06-12 10:53:411408

今日看點丨曝三星計劃Q3對DRAM、NAND漲價15%~20%;傳蘋果將大砍一半產線員工

1. 傳三星計劃Q3 對DRAM 、NAND 漲價15%~20% ,現已通報客戶 ? 6月26日,多家媒體報道稱,三星計劃于第季度把動態隨機存儲器(DRAM)、NAND的價格上調15%~20
2024-06-27 11:02:40754

三星積極研發LLW DRAM內存,劍指蘋果下一代XR設備市場

近日,韓媒ZDNet Korea報道,三星電子正全力投入到低延遲寬I/O(LLW DRAM內存的研發中,旨在為未來蘋果Vision Pro之后的下一代頭戴式顯示器(XR設備)訂單做好充分準備。這一舉措標志著三星在高端智能設備內存領域的雄心壯志,以及其對市場格局重塑的堅定決心。
2024-07-18 15:19:241453

三星確認平澤P4工廠1c nm DRAM內存產線投資

據韓國媒體最新報道,三星電子已正式確認在平澤P4工廠投資建設先進的1c nm DRAM內存產線,并預計該產線將于明年6月正式投入運營。這一舉措標志著三星電子在半導體技術領域的又一次重要布局。
2024-08-13 14:29:101201

三星重啟1b nm DRAM設計,應對良率與性能挑戰

近日,據韓媒最新報道,三星電子在面對其12nm級DRAM內存產品的良率和性能雙重困境時,已于2024年底作出了重要決策。為了改善現狀,三星決定在優化現有1b nm工藝的基礎上,全面重新設計新版1b
2025-01-22 14:04:071411

三星電子1c nm內存開發良率里程碑推遲

據韓媒報道,三星電子已將其1c nm DRAM內存開發的良率里程碑時間推遲了半年。原本,三星計劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率提升至70%,以達到結束開發工作、順利進入量產階段的要求。然而,實際情況并未如愿。
2025-01-22 15:54:191002

三星否認重新設計1b DRAM

據DigiTimes報道,三星電子對重新設計其第五代10nm級DRAM(1b DRAM)的報道予以否認。 此前,ETNews曾有報道稱,三星電子內部為解決12nm級DRAM內存產品面臨的良率和性能
2025-01-23 10:04:151361

三星電子否認1b DRAM重新設計報道

據報道,三星電子已正式否認了有關其將重新設計第五代10nm級DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認引發了業界對三星電子內存產品策略的新一輪關注。 此前有報道指出,三星電子為應對其12nm級
2025-01-23 15:05:11923

看點:三星DDR4內存漲價20% 華為與優必選全面合作具身智能

給大家帶來一些業界資訊: 三星DDR4內存漲價20%? 存儲器價格跌勢結束,在2025年一季度和第二季度,價格開始企穩反彈。 據TrendForce報道稱,三星公司DDR4內存開始漲價,在本月初三星
2025-05-13 15:20:111207

減產有成效,Q4三星NAND Flash要漲價10%,加速存儲市場反彈

電子發燒友網報道(文/梁浩斌)近日有消息稱,三星計劃在今年第四季度將NAND Flash產品的價格提高10%以上,預計最快會從10月開始漲價。與此同時,為了加速去庫存以配合漲價三星今年以來就一直
2023-10-08 09:01:373853

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