? ?　2016年年底，由于全球存儲顆粒供需緊張，導致存儲價格大幅上漲，不僅僅只有固態硬盤市場就連此前一直低迷的內存市場也跟著價格上漲。2017年初始，在所有的DIY硬件中，內存就率開啟了瘋狂的漲價模式。

　　分析認為價格上漲的主要原因是個人電腦以及智能手機等數碼產品對快速存儲的需求日益增加，導致閃存芯片出現了嚴重供貨失衡。

　　去年下半年曾有分析報告預測稱，三星、SK海力士、東芝、西數、美光和英特爾在將生產線從2D-NAND轉至3D-NAND之后，產能和價格上漲問題將獲得部分緩解。但是至少目前看來，相關廠商的轉產還沒有完成，而且無論是哪一方的觀點都認為，固態硬盤的上漲仍將持續一段時間。

　　閃存顆粒到底是什么？

　　閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經寫入的數據，而且是以固定的區塊為單位，而不是以單個的字節為單位。根據用途和規格不同，閃存顆粒有很多不同的變種，存儲設備中的、最為常用的NAND閃存顆粒。

　　根據NAND閃存中電子單元密度的差異，又可以分為SLC（單層次存儲單元）、MLC（雙層存儲單元）以及TLC（三層存儲單元），此三種存儲單元在壽命以及造價上有著明顯的區別。

　　SLC=Single-LevelCell，即1bit/cell，速度快壽命長，價格超貴（約MLC3倍以上的價格），約10萬次擦寫壽命。

　　MLC=Multi-LevelCell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價格一般，約3000---10000次擦寫壽命。

　　TLC=Trinary-LevelCell，即3bit/cell，也有Flash廠家叫8LC，速度相對慢壽命相對短，價格便宜，約500次擦寫壽命，是當下主流廠商首選閃存顆粒。

　　在閃存的市場上，分別以三星、東芝、閃迪、英特爾、SK海力士、美光等六家顆粒制造商為主，據統計它們六家的閃存產能幾乎占據了NAND閃存市場近9成的市場比重，幾乎所有的工藝的創造和升級，都是由這么幾家原廠所主導。

　　但是隨著晶圓物理極限的不斷迫近，固態硬盤上單體的存儲單元內部的能夠裝載的閃存顆粒已經接近極限了，更加專業的術語表述就是單die能夠裝載的顆粒數已經到達極限了，要想進一步擴大單die的可用容量，就必須在技術上進行創新，于是3D NAND技術也就應運而生了。

　　在面對2D NAND向3D NAND的更新換代中，除了三星、美光較成熟之外，其他家的3D NAND良品率并不太高，量產嚴重不足，致整體的NAND顆粒總出廠量不足，供應無法滿足市場需求。

　　三星全球最大閃存芯片工廠將開工

　　據外媒報道，三星位于韓國京畿道平澤市的新半導體工廠近日已基本完成，預計將在今年7月份開始正式運營。這家新的芯片工廠的規模很有可能是全世界最大的，占地289萬平方米。三星計劃在這家工廠里量產第四代3D NAND閃存芯片，該芯片垂直堆疊達到64層。

　　新工廠從2015年開始建造，耗資15.6萬億韓元（約合136億美元）。平面和垂直NAND閃存芯片的總產能預計將達到每月45萬片晶圓，3DNAND閃存芯片將占據一半以上。

　　三星目前是全球最大的NAND閃存芯片制造商。市場研究公司IHSMarkit發布的報告顯示，三星去年在NAND閃存芯片市場的份額從2015年的32%增長到了36.1%。（

　　全球最大！三星最新芯片工廠7月開始運營

　　韓國媒體也提到，三星已經要求他們的合作伙伴供應必要的芯片制造設備，至少要在五月底之前全部到位。新工廠的產量將較為有限，需要幾年時間才能全面運轉。三星預計將于今年開始在這一芯片制造綜合體運營，不過具體的時間表目前還是沒有的。

　　這座工廠將主要用來量產三星第四代3D NAND閃存芯片，垂直堆疊達到64層，月產能將達45萬塊晶圓，3D閃存占一半以上。

　　不過工廠需要幾年時間才能全面運轉，并達到最高產能，所以對于當前閃存和固態硬盤價格持續高漲的情況，不會有什么明顯的緩解作用。

　　三星芯片制造的中心或許會開始轉向安卓平臺

　　此前有傳言表示，丟掉蘋果A系列處理器訂單之后，三星或許會分拆芯片訂單業務。無法與臺積電競爭，這對于三星來說是一個極大的打擊。不過，隨著新工廠的逐漸開始運轉，這樣的傳聞似乎也有可能隨之消失。

　　此前，蘋果的A系列處理器芯片一直是三星和臺積電共同進行生產。不過可惜的是，三星并沒有得到蘋果的A10處理器芯片訂單。明年的A11訂單，三星恐怕還是無法拿到訂單。原本他們能夠拿到三分之一的訂單，但是現在的狀況無限趨近于臺積電得到所有的A11訂單。不過，三星芯片制造的中心或許會開始轉向安卓平臺，它們剛剛憑借最新的10nm技術拿下了高通驍龍835的訂單。