集微網(wǎng)消息，據(jù)日媒報(bào)道指出，因市場(chǎng)預(yù)期DRAM價(jià)格將在2019年之后呈現(xiàn)下跌趨勢(shì)，三星恐將采取更為保守的策略。2019年，三星恐將減少在半導(dǎo)體設(shè)備上的投資額，其中DRAM的投資額預(yù)估減少20%以上，而在NAND Flash上的投資仍將持續(xù)增加。

DRAM增長(zhǎng)趨勢(shì)或?qū)⒎啪?/p>

今年1-8月，DRAM的均價(jià)不斷上揚(yáng)，對(duì)此，半導(dǎo)體調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights認(rèn)為，DRAM的平均售價(jià)（以及隨后的市場(chǎng)增長(zhǎng)）已達(dá)到頂峰，隨著DRAM市場(chǎng)的產(chǎn)能擴(kuò)充和資本支出增長(zhǎng)，2019年DRAM市場(chǎng)的上升趨勢(shì)或?qū)⑼Ｖ埂?/p>

IC Insights指出，去年DRAM產(chǎn)業(yè)的資本支出增加81%，今年持續(xù)攀升40%，預(yù)計(jì)未來(lái)會(huì)出現(xiàn)供給過剩的情況。但是與以往歷史記錄稍有不同的是，雖然DRAM產(chǎn)業(yè)的資本支出過高，但預(yù)期產(chǎn)能過剩的情況可能沒有以往嚴(yán)重。因?yàn)?，目前各大存?chǔ)器大廠都在升級(jí)20nm制程，成本的增加意味著資本投入后的增加的產(chǎn)能比前幾代制程少。

值得一提的是，隨著合肥長(zhǎng)鑫和福建晉華等兩家大陸存儲(chǔ)器廠商今年釋出產(chǎn)能，或?qū)槿騼?nèi)存市場(chǎng)帶來(lái)些許未知變數(shù)。

不過，作為全球DRAM龍頭廠商，三星電子設(shè)備解決方案部門總裁金奇南 （Kim Ki-nam）稍早接受韓國(guó)聯(lián)合通訊社采訪時(shí)表示，今年底前DRAM芯片需求不會(huì)發(fā)生重大變化，似乎對(duì)今年DRAM價(jià)格持穩(wěn)深具信心。

至于DRAM連續(xù)數(shù)季搶貨的情況是否會(huì)在明年止步，金奇南則強(qiáng)調(diào)明年DRAM需求仍持續(xù)強(qiáng)勁，也暗示對(duì)明年DRAM產(chǎn)業(yè)持續(xù)成長(zhǎng)維持樂觀態(tài)度。

三星或大幅減少DRAM投資

三星電子近日公布的第3季財(cái)報(bào)顯示，其第3季營(yíng)收達(dá)17.5兆韓元（約154.7億美元），較2017年同期大漲20%以上，創(chuàng)下單季歷史新高紀(jì)錄。由于移動(dòng)業(yè)務(wù)不斷下滑，三星第3季度的主要獲利依然來(lái)源于半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的大幅增長(zhǎng)。

根據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》 采訪業(yè)內(nèi)5位分析師的看法，其中4位都認(rèn)為三星2019年會(huì)下調(diào)半導(dǎo)體設(shè)備投資，另外1位則認(rèn)為三星會(huì)持續(xù)增加投資，其中增加的投資主要針對(duì)于晶圓代工業(yè)務(wù)，而存儲(chǔ)器的投資還是會(huì)減少。

報(bào)道進(jìn)一步指出，三星2019年針對(duì)存儲(chǔ)器的投資總體會(huì)減少，但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中，在DRAM部分，三星將大減20%資本支出；而在NAND Flash部分，三星的投資仍將持續(xù)增加。

除此之外，SK證券指出，三星2019年的半導(dǎo)體策略主要是重視DRAM的價(jià)格，以及NAND閃存的市占率。為了避免獲利率較高的DRAM陷入極端供應(yīng)過剩局面，三星將藉由抑制投資，借此舒緩2019年DRAM價(jià)格的下跌速度。