臺灣積體電路制造公司（簡稱為臺積電（TSMC））最近宣布了其第四個28nm工藝進入了量產 - 28HPC Plus（即28HPC +）。臺積電（TSMC）的前兩項28nm工藝（聚氮氧化硅28LP和高
2017-11-01 06:04:00
26210 
16日，三星電子宣布在基于EUV的高級節點方面取得了重大進展，包括7nm批量生產和6nm客戶流片，以及成功完成5nm FinFET工藝的開發。 三星電子宣布其5納米（nm）FinFET工藝技術的開發
2019-04-18 15:48:477184 作為業界少數幾家加入FinFET俱樂部的公司，中芯國際已經開始使用其14 nm FinFET制造技術批量生產芯片。該公司設法開發了依賴于此類晶體管的制造工藝。有點遺憾的是，中芯國際的FinFET
2019-11-19 10:40:267769 新思科技公司（Synopsys）在過去五年多與行業領導者合作共同開發了對FinFET技術的支持，通過提供經生產驗證的設計工具與IP來推進對FinFET技術的采用。
2013-02-19 10:42:541190 ，20nm的平面型電晶體制程將會全面投入生產，而16納米/14納米 FinFET量產還需要一到兩年時間。還有許多關于FinFET成本和良率的未知變數。但是隨著時間的推移，尤其是伴隨著新一代行動消費
2013-03-28 09:26:472997 Cadence系統芯片開發工具已經通過臺積電（TSMC） 16納米 FinFET制程的設計參考手冊第0.1版與 SPICE 模型工具認證,客戶現在可以享用Cadence益華電腦流程為先進制程所提供的速度、功耗與面積優勢。
2013-06-06 09:26:451651 在Synopsys 的協助下，臺灣聯電（UMC）首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術的測試用芯片日前完成了流片。聯電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動14nm 制程FinFET產品的制造，而這
2013-06-28 09:57:581339 昨日臺積電官方宣布，16nm FinFET Plus（簡稱16FF+）工藝已經開始風險性試產。16FF+是標準的16nm FinFET的增強版本，同樣有立體晶體管技術在內，號稱可比20nm SoC平面工藝性能提升最多40％，或者同頻功耗降低最多50％。
2014-11-14 09:31:582650 All Programmable 技術和器件的全球領先企業賽靈思公司（Xilinx， Inc. （NASDAQ:XLNX））今天宣布其與臺積公司（ TSMC）已經就7nm工藝和3D IC技術開展合作，共同打造其下一代All Programmable FPGA、MPSoC和3D IC。
2015-05-29 09:09:492086 TSMC在FinFET工藝量產上落后于Intel、三星，不過他們在10nm及之后的工藝上很自信，2020年就會量產5nm工藝，還會用上EUV光刻工藝。
2016-07-18 10:47:091380 2016年各大晶圓廠的主流工藝都是14/16nm FinFET工藝，Intel、TSMC及三星明年還要推10nm工藝，由于Intel也要進軍10nm代工了，這三家免不了一場大戰。但是另一家代工廠
2016-08-17 16:59:403049 今日，三星電子正式宣布已經開始大規模生產基于10nm FinFET技術的SoC，這是業界內首家提供10nm工藝代工廠商。新工藝下的SoC性能可以提供27%，功耗將降低40%。
2016-10-17 14:07:011208 全球第一大芯片自動化設計解決方案提供商及全球第一大芯片接口IP供應商、信息安全和軟件質量的全球領導者Synopsys（NASDAQ：SNPS）宣布，Synopsys IC Validator工具已獲得GLOBALFOUNDRIES（GF）認證，將用于GF 14LPP工藝技術的物理驗證Signoff。
2018-05-23 17:51:227708 Cadence 112G-ELR SerDes IP 系列產品的新成員。在后摩爾時代的趨勢下，FinFET 晶體管的體積在 TSMC 3nm 工藝下進一步縮小，進一步采用系統級封裝設計（SiP）。通過
2023-05-19 16:25:121405 
、90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm、10nm...有人說5nm是半導體工藝的極限尺寸，也有人說1nm是半導體工藝的極限尺寸；iPhone6s的 A9處理器更出現了三星14nm
2017-01-06 14:46:20
IC認證發證機構(一) IC：由獲得IC場地注冊代碼的實驗室發證(二) IC ID： 由FCB / TCB機構審核發證
2016-12-23 10:35:41
IC認證介紹？IC 是加拿大工業部Industry Canada的簡稱,作為***機構，負責電子電器產品進入加拿大市場的認證事務。其負責產品大致為廣播電視設備、信息技術設備、無線電設備、電信設備、工科醫設備等。IC認證主要有兩種方式：IC 自我宣告; IC ID 認證證書
2016-12-23 10:29:49
IC設計：Synopsys2018 版本 EDA 工具免費分享1. 下載的文件列表包含一下文件；加群Q：139869702ReadMe：文件就是現在你正在閱讀的文件，主要是詳細的說明軟件的使用和包含
2020-11-30 18:56:05
Synopsys安裝包及破解LicenseVerdi，DC，VCS，DFT Compiler，ICC，ICC2，PrimeTime，Library Compiler，S FPGA，PrimePower，Formality，Hspice，SpyGlass....
2020-02-07 23:57:49
各位大神，小弟現在在做運用Synopsys 工具的仿真?，F在希望通過仿真模擬獲得網表中所有node的值（包括wire和output）。目前使用的軟件有design compiler， TetraMax 和VCS。 請問有沒有辦法可以實現？謝謝。
2017-09-07 02:48:47
想問一下，TSMC350nm的工藝庫是不是不太適合做LC-VCO啊，庫里就一個電容能選的，也沒有電感可以選。（因為課程提供的工藝庫就只有這個350nm的，想做LC-VCO感覺又不太適合，好像只能做ring-VCO了）請問350nm有RF工藝嘛，或者您有什么其他的工藝推薦？
2021-06-24 08:06:46
TSMC 65nm HSPICE 蒙特卡羅分析，仿真出現錯誤，有人做過嗎 .prot .lib 'D:\crn65lp_v1d5.l' mc.lib 'D:\crn65lp_v1d5.l
2013-06-21 16:10:47
COMP ck=235PACKAGE EFA_Synopsys_2 snpslmd 2009.5 10E0A051DB52390448F9 COMP ck=221PACKAGE
2009-01-21 13:10:00
工藝認證的 FinFET 和可識別多重圖形的設計Signoff 時序、寄生參數提取和功耗分析消除設計迭代從綜合到后期布線的高級區域恢復算法，以獲得最大利用率
2020-11-14 07:58:53
。該平臺通過使用Design Compiler? Graphical 和Design Compiler? NXT綜合、IC Compiler? II 布局布線和Fusion Compiler
2020-10-22 09:40:08
轉自http://www.eet-china.com/ART_8800697889_480201_NT_08124b24.HTM臺積電借16nm FinFET Plus及InFO WLP 通吃英特爾
2014-05-07 15:30:16
增加SRAM單元數量。表1：鰭片的高度、寬度與間距差異：i8 vs. S8另一方面是材料的選擇，從圖4c、4d的EDS圖像顯示，兩種10nm的FinFET成分組成是大同小異的，而且也沒有出現跟以往
2018-06-14 14:25:19
求TSMC90nm的工藝庫，請問可以分享一下嗎？
2021-06-22 06:21:52
求一份tsmc 7nm standard cell library求一份28nm或者40nm 的數字庫
2021-06-25 06:39:25
求助大神們，需要TSMC90nm RF庫用于學習
2021-06-22 06:28:17
反對。TSMC以前曾有些模棱兩可，推進了16 nm finFET半節點計劃。而影響最大的是，NVIDIA CEO Jen-Hsun Huang公開質疑整個20 nm節點的經濟可行性，他認為，每個晶體管
2014-09-01 17:26:49
近日，SIA發了個聳人聽聞的新聞，說intel放棄了10nm工藝的研發，當然這肯定是假消息就是了，今天intel也出面辟謠。不過相信很多人也會覺得奇怪，那邊TSMC 7...
2021-07-26 08:10:47
之前只用過tsmc 65nm的，在設置電感時候是有indcutor finder的工具的，28nm下沒有了嗎？只能自己掃描參數一個一個試？28nm下是沒有MIM電容了嗎？相關的模擬射頻器件（比如
2021-06-24 06:18:43
大家都在談論FinFET——可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人，都認為20 nm節點以后，FinFET將成為SoC的未來。但是對于要使用這些SoC的系統開發人員而言，其未來會怎樣呢?
2019-09-27 06:59:21
, part of the Synopsys suiteof synthesis tools. FPGA Compiler II / FPGA Express reads an RTLVerilog HDL model of a discrete electro
2009-07-23 09:59:06
21 , part of the Synopsys suiteof synthesis tools. FPGA Compiler II / FPGA Express reads an RTLVerilog HDL model of a discrete electro
2009-07-23 10:01:2979 設計編譯器(Design Compiler)和設計分析器(Design Analyzer) Design Compiler(DC) 是Synopsys邏輯綜合工具的命令行接口，在
2009-11-19 13:32:1658 Altera宣布Altera 40-nm Arria II GX FPGA通過PCI-SIG的PCIe Express 2.0規范測試
Altera公司宣布，其40-nm Arria II GX FPGA符合
2009-07-30 08:13:09898 Synopsys和中芯國際合作推出65-nm到40-nm的SoC設計解決方案經過驗證的聯合解決方案確保晶晨半導體達到以高性能產品搶占市場的目標
2010-11-16 10:36:121153 下一代的實體設計系統IC Compiler，為Synopsys Galaxy Design Platform 2005的核心，其設計概念就在解決這些浮現的挑戰，提供從RTL到芯片的一貫解決方案
2011-04-19 11:14:511312 雖然TSMC對于旗下28nm工藝依然保持著較為保守的態度，但是根據近期非官方的報道，由于來自官戶的需求不斷提升，TSMC將會對28nm晶元進行提價。
2011-09-16 09:30:031525 
珠海全志科技與TSMC今（26）日共同宣布，成功推出采用TSMC55納米工藝生產的A10系列系統整合芯片（SoC）平臺，藉由搭配珠海全志科技全新的Android 4.0.3 軟件開發工具包（Software Devel
2012-03-27 08:52:403026 TSMC28nm的產能，目前仍舊無法滿足Qualcomm、AMD以及NVIDIA三家客戶，似乎已經是不爭的實施。
2012-05-15 08:37:20971 Mentor Graphics公司日前宣布Calibre LFD（光刻友好設計）光刻檢查工具已獲得TSMC的20nm IC制造工藝認證。 Calibre LFD可對熱點進行識別，還可對設計工藝空間是否充足進行檢查。光學臨近校正法
2012-09-29 10:30:462224 電子發燒友網核心提示 :Mentor Graphics公司日前宣布Calibre LFD（光刻友好設計）光刻檢查工具已獲得TSMC的20nm IC制造工藝認證。 Calibre LFD可對熱點進行識別，還可對設計工藝空間是否充足進
2012-10-08 16:00:141264 FinFET制程的設計規則手冊（DRM）第0.5版的認證，同時從即刻起可以提供一套TSMC 16-nm可互通制程設計套件（iPDK）。憑借其對iPDK標準強大的支持，Synopsys的Laker定制解決方案為用戶提供了從180-nm到16-nm的多種TSMC工藝技術的全面對接。
2013-09-23 14:45:301376 2013年12月3號，北京——Altera公司（Nasdaq： ALTR）今天發布了Arria 10版Quartus II軟件，這是業界第一款支持20 nm FPGA和SoC的開發工具?；?b class="flag-6" style="color: red">TSMC
2013-12-03 10:48:472106 美國加利福尼亞州山景城，2015年3月-- 新思科技公司（Synopsys， Inc.，納斯達克股票市場代碼：SNPS）日前宣布：其 Galaxy? Design Platform 設計平臺支撐
2015-04-01 16:42:271394 俄勒岡州威爾遜維爾，2015 年 4 月 6 日—Mentor Graphics公司（納斯達克代碼：MENT ）今天宣布，TSMC和Mentor Graphics已經達到在10nm EDA認證合作的第一個里程碑
2015-04-20 14:18:062001 Mentor Graphics公司（納斯達克代碼：MENT）今天宣布，Calibre? nmPlatform 已通過TSMC 10nm FinFET V0.9 工藝認證。此外，Mentor
2015-09-21 15:37:101664 2016年3月22日，中國上?！请娮樱绹?Cadence 公司，NASDAQ： CDNS）今日宣布，用于10納米 FinFET工藝的數字、定制／模擬和簽核工具通過臺積電（TSMC）V1.0設計參考手冊（DRM）及SPICE認證。
2016-03-22 13:54:541453 Mentor Graphics公司（納斯達克代碼：MENT）今天宣布，借由完成 TSMC 10 納米 FinFET V1.0 認證，進一步增強和優化Calibre? 平臺和 Analog
2016-03-24 11:13:191110 Custom Compiler?將定制設計任務時間由數天縮短至數小時，消弭了FinFET的生產力差距。
2016-04-13 15:23:313474 2016年半導體的主流工藝是14/16nm FinFET工藝，主要有Intel、TSMC及三星/GlobalFoundries（格羅方德）三大陣營，下一個節點是10nm，三方都會在明年量產，不過
2016-05-30 11:53:531179 TSMC、三星不僅要爭搶10nm工藝，再下一代的7nm工藝更為重要，因為10nm節點被認為是低功耗型過渡工藝，7nm才是真正的高性能工藝，意義更重大?，F在ARM宣布已將Artisan物理IP內核授權給賽靈思（Xilinx）公司，制造工藝則是TSMC公司的7nm。
2017-01-13 12:57:112182 
企業賽靈思公司（Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX)）今天宣布其與臺積公司（ TSMC）已經就7nm工藝和3D IC技術開展合作，共同打造其下一代All Programmable
2017-02-09 03:48:04400 2015年，基于FinFET 工藝的IC產品將大量面市，除了英特爾的X86處理器和一些ASIC處理器外，FPGA也正式步入FinFET 3D晶體管時代，2月23日，羊年大年初五，賽靈思率先發布基于16nm FinFET 3D晶體管的FPGA新品，再次創下業界第一，開啟了FinFET FPGA的新時代。
2019-10-06 11:57:003785 Technology （12FFC） 和最新版本 7nm FinFET Plus 工藝的認證。Nitro-SoCTM 布局和布線系統也通過了認證，可以支持 TSMC 的 12FFC 工藝技術。
2017-10-11 11:13:423455 如今Synopsys全面支持各種制程節點，包括14nm和16nm FinFET，而在10nm和7nm工藝上的工作也正在進行之中。利用從這些制程節點的測試芯片中獲得的知識，STAR存儲器系統的各項創新
2017-11-16 20:56:162276 
，面積小的優點，臺灣積體電路制造股份有限公司（TSMC）等主要半導體代工已經開始計劃推出自己的FinFET晶體管［4］，為未來的移動處理器等提供更快，更省電的處理器。從2012年起，FinFET已經開始向20納米節點和14納米節點推進。
2018-07-18 13:49:00123257 
TSMC最新版5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工藝的認證。Mentor 同時宣布，已更新了 Calibre nmPlatform 工具，可支持TSMC的晶圓堆疊封裝 (WoW)技術
2018-05-17 15:19:004492 7-nm FinFET Plus工藝的極紫外光刻技術，IC Compiler II 進行了專門的優化，進一步節省芯片面積。 采用TSMC的Wafer-on-Wafer（WoW）技術，平臺內全面支持多裸晶
2018-05-17 06:59:005639 Synopsys Synopsys近日宣布， Synopsys 設計平臺獲得TSMC最新版且最先進的5nm工藝技術認證，可用于客戶先期設計。通過與TSMC的早期密切協作，IC CompilerII
2018-06-01 09:35:004915 Synopsys宣布，Synopsys Design Platform已通過全球領先半導體技術企業三星電子的工藝認證，支持三星代工部門的8nm LPP（低功耗+）工藝。Synopsys Design
2018-06-06 11:00:002057 采用新思科技Sentaurus、Process Explorer、StarRC、SiliconSmart、PrimeTime和IC Compiler II，DTCO方法學降低了先進半導體工藝開發的成本，并加快了上市速度。
2018-09-21 11:53:528916 基于7nm工藝技術的控制器和PHY IP具有豐富的產品組合，包括LPDDR4X、MIPI CSI-2、D-PHY、PCI Express 4.0以及安全IP。
IP解決方案支持TSMC 7nm工藝技術所需的先進汽車設計規則，滿足可靠性和15年汽車運行要求。
2018-10-18 14:57:217323 IC Compiler II和Design Compiler Graphical提供了統一流程，實現最低功耗、最佳性能和最優面積。
StarRC、PrimeTime和PrimeTime PX支持全流程設計實現并提供時序和功耗分析的signoff支持。
2018-10-23 14:29:146019 新思科技（Synopsys）推出支持TSMC 7nm FinFET工藝技術的汽車級DesignWare Controller和PHY IP。DesignWare LPDDR4x、MIPI CSI-2
2018-11-13 16:20:232042 關鍵詞：5nm , Compiler , PrimeTime 新思科技（Synopsys）宣布其數字和定制設計平臺通過了TSMC最先進的5nm EUV工藝技術認證。該認證是多年廣泛合作的結果，旨在
2018-10-27 22:16:01685 關鍵詞： Design Compiler , Synthesis Design Compiler NXT將運行時間縮短2倍，QoR提高5％，并支持5nm及更先進的工藝節點 新思科技（Synopsys
2018-11-14 17:50:01710 新思科技近日宣布采用先進Fusion技術的創新型IC Compiler? II布局布線解決方案已在瞻博網絡(Juniper Networks)部署，為瞻博網絡實現了更好的功耗和面積結果。此外，在IC Compiler II布局布線解決方案內執行時，工程變更指令(ECO)周轉時間可縮短40%以上。
2019-06-14 08:42:213827 最新版IC Compiler II通過新一代分布式并行、智能場景管理、高效基礎設施擴展和固有核心引擎算法，提供快2倍的吞吐量
2019-08-13 16:23:533211 本文檔的主要內容詳細介紹的是ASIC邏輯綜合及Synopsys Design Compiler 的使用資料說明包括了：1、邏輯綜合基本概念 a） Synopsys綜合工具及相關工具 b） 邏輯綜合
2019-10-23 08:00:005 （功耗、性能和面積）優勢，同時加快產品上市時間 ● 新思科技進一步強化關鍵產品，以支持TSMC N3制造的進階要求 新思科技（Synopsys）近日宣布，其數字和定制設計平臺已獲得TSMC 3nm制造技術驗證。此次驗證基于TSMC的最新設計參考手冊（DRM）和工藝設計工具包（
2020-10-14 10:47:572542 重點 ● TSMC認證基于新思科技3DIC Compiler統一平臺的CoWoS和InFO設計流程 ● 3DIC Compiler可提高先進封裝設計生產率 ● 集成Ansys芯片封裝協同分析解決方案
2020-10-14 11:11:212814 重點 ● 雙方在技術賦能方面的緊密合作使GLOBALFOUNDRIES 12LP、12LP+ （12nm FinFET） 以及22FDX （22nm FD-SOI） 平臺釋放最佳PPA潛能
2020-10-23 16:17:092863 IP 數據表: 1.8V Standard Cell for TSMC 28nm HPC+
2023-03-14 19:21:550 IP 數據表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:22:153 IP_數據表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:25:461 IP_數據表(I-2):Combo PHY for TSMC 28nm HPM
2023-03-16 19:26:220 IP_數據表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM
2023-03-16 19:31:220 IP_數據表(I-6):SATA PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:31:530 IP_數據表(Z-3):GPIO for TSMC 16nm FF+
2023-03-16 19:34:181 IP_數據表(I-10):USB2.0 Transceiver for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:34:541 推出一項將加速計算引入計算光刻技術領域的突破性成果。 在當前生產工藝接近物理極限的情況下，這項突破使 ASML、TSMC 和 Synopsys 等半導體行業領導者能夠加快新一代芯片的設計和制造。 全球
2023-03-23 06:45:02973 IP 數據表: 1.8V Standard Cell for TSMC 28nm HPC+
2023-07-05 19:47:133 IP 數據表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:47:260 IP_數據表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:11:570 IP_數據表(I-2):Combo PHY for TSMC 28nm HPM
2023-07-06 20:12:261 IP_數據表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM
2023-07-06 20:17:411 IP_數據表(I-6):SATA PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:18:070 IP_數據表(Z-3):GPIO for TSMC 16nm FF+
2023-07-06 20:20:311 IP_數據表(I-10):USB2.0 Transceiver for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:21:030 NVIDIA 于今日宣布，為加快下一代先進半導體芯片的制造速度并克服物理限制，TSMC 和 Synopsys 將在生產中使用 NVIDIA 計算光刻平臺。
2024-03-20 09:52:001012
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