16日，三星電子宣布在基于EUV的高級節(jié)點(diǎn)方面取得了重大進(jìn)展，包括7nm批量生產(chǎn)和6nm客戶流片，以及成功完成5nm FinFET工藝的開發(fā)。 三星電子宣布其5納米（nm）FinFET工藝技術(shù)的開發(fā)
2019-04-18 15:48:47
7185 海軍博士和梁孟松博士表示，FinFET的研發(fā)工作繼續(xù)加速。該公司的14納米工藝目前正處于風(fēng)險生產(chǎn)階段，預(yù)計將在年底前實現(xiàn)盈利。 此外，該公司還開始與12nm工藝的客戶合作，提供了第一代FinFET技術(shù)的增強(qiáng)版本。并抓住5G / IoT /汽車和其他行業(yè)趨勢的機(jī)會實現(xiàn)突破
2019-08-20 09:25:017452 作為業(yè)界少數(shù)幾家加入FinFET俱樂部的公司，中芯國際已經(jīng)開始使用其14 nm FinFET制造技術(shù)批量生產(chǎn)芯片。該公司設(shè)法開發(fā)了依賴于此類晶體管的制造工藝。有點(diǎn)遺憾的是，中芯國際的FinFET
2019-11-19 10:40:267769 新思科技公司（Synopsys）在過去五年多與行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者合作共同開發(fā)了對FinFET技術(shù)的支持，通過提供經(jīng)生產(chǎn)驗證的設(shè)計工具與IP來推進(jìn)對FinFET技術(shù)的采用。
2013-02-19 10:42:541190 那么20納米的平面型晶體管還有市場價值么？這是一個很好的問題，就在此時，在2013年初，20nm的平面型晶體管技術(shù)將會全面投入生產(chǎn)而16納米/14納米 FinFET器件的量產(chǎn)還需要一到兩年，并且還有
2013-03-15 09:02:542671 
FinFET技術(shù)是電子業(yè)界的新一代先進(jìn)技術(shù)，是一種新型的多重閘極3D電晶體，提供更顯著的功耗和效能優(yōu)勢，遠(yuǎn)勝過傳統(tǒng)平面型電晶體。Intel已經(jīng)在22nm上使用了稱為叁閘極（tri-gate
2013-03-28 09:26:472997 在新思科技（Synopsys）于美國硅谷舉行年度使用者大會上，參與一場座談會的產(chǎn)業(yè)專家表示，鰭式電晶體（FinFET）雖有發(fā)展?jié)摿Γ灿酗L(fēng)險，而且該技術(shù)的最佳時機(jī)尚未達(dá)到。Cavium 估計FinFET將使閘極電容提升40%。
2013-04-01 10:30:141494 在Synopsys 的協(xié)助下，臺灣聯(lián)電（UMC）首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術(shù)的測試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動14nm 制程FinFET產(chǎn)品的制造，而這
2013-06-28 09:57:581339 EDA 業(yè)者正大舉在FinFET市場攻城掠地。隨著臺積電、聯(lián)電和英特爾（Intel）等半導(dǎo)體制造大廠積極投入16/14奈米FinFET制程研發(fā)，EDA工具開發(fā)商也亦步亦趨，并爭相發(fā)布相應(yīng)解決方案，以協(xié)助IC設(shè)計商克服電晶體結(jié)構(gòu)改變所帶來的新挑戰(zhàn)，卡位先進(jìn)制程市場。
2013-08-26 09:34:042374 
大家都在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">FinFET——可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜 （FDSOI）的人，都認(rèn)為20 nm節(jié)點(diǎn)以后，FinFET將成為SoC的未來。但是對于要使用這些SoC的系統(tǒng)開發(fā)人員而言，其未來會怎樣呢？
2013-12-09 13:49:542666 在近期內(nèi)，從先進(jìn)的芯片工藝路線圖中看已經(jīng)相當(dāng)清楚。芯片會基于今天的FinFET工藝技術(shù)或者另一種FD SOI工藝的平面技術(shù)，有望可縮小到10nm節(jié)點(diǎn)。但是到7nm及以下時，目前的CMOS工藝路線圖已經(jīng)不十分清晰。大量的金錢和精力都花在探索FinFET工藝，它會持續(xù)多久和為什么要替代他們？
2014-02-25 10:16:565607 在歷史上，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成長仰賴制程節(jié)點(diǎn)每一次微縮所帶來的電晶體成本下降；但下一代晶片恐怕不會再伴隨著成本下降，這將會是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近20~30年來面臨的最嚴(yán)重挑戰(zhàn)。FinFET會是半導(dǎo)體工藝演進(jìn)最佳選項？
2014-04-01 09:07:473551 
臺積電昨日宣布其將在未來一年內(nèi)調(diào)用至少100億美元的經(jīng)費(fèi)來增加在16nm FinFET芯片的工業(yè)生產(chǎn)。旨在進(jìn)一步提升其在FinFET技術(shù)上的領(lǐng)先地位。
2014-10-17 16:33:391161 當(dāng)今，英特爾在FinFET制程上仍屬于佼佼者，其他半導(dǎo)體廠商正嘗試開發(fā)3D FinFET與英特爾抗衡。IBM同樣在FinFET制程上表現(xiàn)突出，這也是英特爾的主要競爭對手。
2014-10-22 10:17:592074 昨日臺積電官方宣布，16nm FinFET Plus（簡稱16FF+）工藝已經(jīng)開始風(fēng)險性試產(chǎn)。16FF+是標(biāo)準(zhǔn)的16nm FinFET的增強(qiáng)版本，同樣有立體晶體管技術(shù)在內(nèi)，號稱可比20nm SoC平面工藝性能提升最多40％，或者同頻功耗降低最多50％。
2014-11-14 09:31:582650 在我們大多數(shù)人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導(dǎo)體廠商應(yīng)該不是選擇FinFET就是FD-SOI工藝技術(shù)。
2015-07-07 09:52:224208 打開這一年來半導(dǎo)體最熱門的新聞，大概就屬FinFET了，例如：iPhone 6s內(nèi)新一代A9應(yīng)用處理器采用新晶體管架構(gòu)很可能為鰭式晶體管（FinFET），代表FinFET開始全面攻占手機(jī)處理器，三星
2015-09-19 16:48:005118 
“不必?fù)?dān)心‘摩爾定律’走到盡頭，因為在整個半導(dǎo)體發(fā)展藍(lán)圖上還有許多好辦法?！北蛔u(yù)為“FinFET教父”的中研院院士胡正明在日前于美國舉行的“新思科技產(chǎn)品使用者研討會”上指出，新的電晶體概念能夠為芯片產(chǎn)業(yè)點(diǎn)燃持續(xù)發(fā)展數(shù)十年的動力。
2016-05-11 09:24:361764 獲得英 特爾（Intel）、三星、臺積電（TSMC）等大廠采用的FinFET制程，號稱能提供最高性能與最低功耗；但Jones指出，在約當(dāng)14納米節(jié) 點(diǎn)，F(xiàn)D-SOI每邏輯閘成本能比FinFET低16.8%，此外其設(shè)計成本也低25%左右，并降低了需要重新設(shè)計的風(fēng)險。
2016-09-14 11:39:022462 
據(jù)外媒報道，三星電子被指侵犯了與鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET）制程工藝相關(guān)的專利，面臨訴訟。韓媒稱，韓國科學(xué)技術(shù)院（KAIST）計劃對三星提起訴訟，指控后者侵犯其FinFET專利。KAIST稱，他們開發(fā)了10納米FinFET工藝，但是三星竊取了這項技術(shù)，并將其用于生產(chǎn)高通驍龍835芯片。
2016-12-05 15:35:27955 最近，中國微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究上取得重要進(jìn)展。微電子所殷華湘研究員的課題組，利用低溫低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上實現(xiàn)了全金屬化源
2017-01-06 13:59:213502 
日前，中科院微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究上取得重要進(jìn)展。微電子所殷華湘研究員的課題組利用低溫低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上實現(xiàn)了全金屬化源
2017-01-13 09:27:373582 FinFET稱為鰭式場效晶體管（FinField-EffectTransistor;FinFET）是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體（CMOS）晶體管。
2017-02-04 10:30:2218465 
12納米領(lǐng)先性能(12LP)的FinFET半導(dǎo)體制造工藝。該技術(shù)預(yù)計將提高當(dāng)前代14納米 FinFET產(chǎn)品的密度和性能，同時滿足從人工智能、虛擬現(xiàn)實到高端智能手機(jī)、網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施等最具計算密集型處理需求的應(yīng)用。 這項全新的12LP技術(shù)與當(dāng)前市場上的16 /14納米 FinFET解決方案相比，電路密度提高
2017-09-25 16:12:369306 8月30日，中芯國際發(fā)布2018年中期業(yè)績，收入同比增長11.5%至17.22億美元；毛利同比增長5.6%至4.38億美元。中芯國際在14納米FinFET技術(shù)開發(fā)上獲得重大進(jìn)展。中芯國際的第一代FinFET技術(shù)研發(fā)已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段。
2018-08-31 14:44:336228 本文介紹了FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管）制造過程中后柵極高介電常數(shù)金屬柵極工藝的具體步驟。
2025-01-20 11:02:395370 
本文介紹了當(dāng)半導(dǎo)體技術(shù)從FinFET轉(zhuǎn)向GAA（Gate-All-Around）時工藝面臨的影響。
2025-05-21 10:51:383435 
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶體管結(jié)構(gòu)的選擇如同建筑中的地基設(shè)計，直接決定了芯片的性能上限與能效邊界。當(dāng)制程節(jié)點(diǎn)推進(jìn)到22nm以下時，傳統(tǒng)平面晶體管已無法滿足需求，鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET) 以其
2025-06-25 16:49:281891 
現(xiàn)在，隨著FinFET存儲器的出現(xiàn)，需要克服更多的挑戰(zhàn)。這份白皮書涵蓋：FinFET存儲器帶來的新的設(shè)計復(fù)雜性、缺陷覆蓋和良率挑戰(zhàn)；怎樣綜合測試算法以檢測和診斷FinFET存儲器具體缺陷；如何通過內(nèi)建自測試（BIST）基礎(chǔ)架構(gòu)與高效測試和維修能力的結(jié)合來幫助保證FinFET存儲器的高良率。
2016-09-30 13:48:244086 
橫向?qū)щ姷腗OSFET，如下圖所示，這個結(jié)構(gòu)及其工作原理以前的文章介紹過：功率MOSFET的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)，其由三個電極：G柵極、D漏極和S源極組成。圖1：平面橫向?qū)щ奙OSFET灰色Gate柵極的寬度
2017-01-06 14:46:20
Finfet技術(shù)（3D晶體管）詳解
2012-08-19 10:46:17
轉(zhuǎn)自http://www.eet-china.com/ART_8800697889_480201_NT_08124b24.HTM臺積電借16nm FinFET Plus及InFO WLP 通吃英特爾
2014-05-07 15:30:16
工藝技術(shù)的演進(jìn)遵循摩爾定律，這是這些產(chǎn)品得以上市的主要促成因素。對整個行業(yè)來說，從基于大體積平面晶體管向FinFET三維晶體管的過渡是一個重要里程碑。這一過渡促使工藝技術(shù)經(jīng)過了幾代的持續(xù)演進(jìn)，并且減小
2019-07-17 06:21:02
大家都在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">FinFET——可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人，都認(rèn)為20 nm節(jié)點(diǎn)以后，FinFET將成為SoC的未來。但是對于要使用這些SoC的系統(tǒng)開發(fā)人員而言，其未來會怎樣呢?
2019-09-27 06:59:21
finfet都用什么PR工具？現(xiàn)在后端工具inn成主流了嗎？沒用過Innovus想問一下也能跑skill嗎？
2021-06-25 08:09:39
22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行BulkMOSFET的微細(xì)化會越來越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421852 GLOBALFOUNDRIES與ARM宣布簽訂一份為期多年的合約，共同推出採用GLOBALFOUNDRIES 20奈米製程與FinFET 技術(shù)的 ARM 處理器設(shè)計最佳化的系統(tǒng)單晶片 （SoC） 解決方案。
2012-08-15 09:37:141434 該14納米產(chǎn)品體系與芯片是ARM、Cadence與IBM之間在14納米及以上高級工藝節(jié)點(diǎn)上開發(fā)系統(tǒng)級芯片（SoC）多年努力的重要里程碑。使用FinFET技術(shù)以14納米標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計的SoC能夠大幅降低功耗。 這
2012-11-16 14:35:551642 雖然開發(fā)先進(jìn)微縮制程的成本與技術(shù)難度愈來愈高，但站在半導(dǎo)體制程前端的大廠們?nèi)岳^續(xù)在這條道路上努力著。Cadence日前宣布，配備運(yùn)用IBM的FinFET制程技術(shù)而設(shè)計實現(xiàn)之ARM Cortex-M0處理
2012-11-17 10:29:361193 全球晶圓代工業(yè)者正加緊展開FinFET布局。繼格羅方德宣布將于2013年量產(chǎn)14奈米FinFET后，臺灣晶圓雙雄臺積電與聯(lián)電亦陸續(xù)公布FinFET制程發(fā)展藍(lán)圖與量產(chǎn)時程表，希冀藉此一新技術(shù)，提供
2012-12-20 08:43:111856 新思科技公司日前宣布：該公司與三星在FinFET技術(shù)上的多年合作已經(jīng)實現(xiàn)了一個關(guān)鍵性的里程碑，即采用三星的14LPE工藝成功實現(xiàn)了首款測試芯片的流片
2013-01-09 12:11:311469 新思科技提供其基于FinFET技術(shù)的半導(dǎo)體設(shè)計綜合解決方案。
2013-02-18 13:20:081731 ，采用臺積公司先進(jìn)的16納米FinFET （16FinFET）工藝打造擁有最快上市、最高性能優(yōu)勢的FPGA器件。
2013-05-29 18:21:141246 全球電子設(shè)計創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計系統(tǒng)公司（NASDAQ： CDNS）今天宣布，立即推出基于臺積電16納米FinFET制程的DDR4 PHY IP（知識產(chǎn)權(quán)）。
2014-05-21 09:44:543163 全球知名電子設(shè)計創(chuàng)新領(lǐng)先公司Cadence設(shè)計系統(tǒng)公司 （NASDAQ： CDNS），今日宣布臺積電采用了Cadence?16納米FinFET單元庫特性分析解決方案。
2014-10-08 19:03:221955 美國加州圣何塞（2014年9月26日）-全球知名的電子設(shè)計創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者Cadence設(shè)計系統(tǒng)公司（NASDAQ： CDNS）今日宣布為臺積電16納米FinFET+ 制程推出一系列IP組合。
2014-10-08 19:19:221242 了90%基于FinFET設(shè)計的量產(chǎn)流片。全球超過20家行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)性企業(yè)已經(jīng)使用該平臺成功地完成了超過100次FinFET流片。
2015-04-01 16:42:271394 Mentor Graphics公司（納斯達(dá)克代碼：MENT）今天宣布，Calibre? nmPlatform 已通過TSMC 10nm FinFET V0.9 工藝認(rèn)證。此外，Mentor
2015-09-21 15:37:101664 三星于2015年第一季度發(fā)布了半導(dǎo)體芯片行業(yè)首款采用14nmLPE （Low-Power Early） 工藝量產(chǎn)的Exynos 7 Octa處理器，成為FinFET邏輯制程上的行業(yè)引領(lǐng)者。
2016-01-15 17:12:471303 TSMC已經(jīng)按照Synopsys的IC Compiler? II布局及 布線解決方案，完成了在其最先進(jìn)的10-納米（nm）級FinFET v1.0技術(shù)節(jié)點(diǎn)上運(yùn)行Synopsys數(shù)字、驗收及自定義實施工具的認(rèn)證。
2016-03-23 09:12:012105 2016年5月19日，北京訊——ARM今日發(fā)布了首款采用臺積電公司（TSMC）10納米FinFET工藝技術(shù)的多核 64位 ARM?v8-A 處理器測試芯片。仿真基準(zhǔn)檢驗結(jié)果顯示，相較于目前常用于多款頂尖智能手機(jī)計算芯片的16納米FinFET+工藝技術(shù)，此測試芯片展現(xiàn)更佳運(yùn)算能力與功耗表現(xiàn)。
2016-05-19 16:41:50926 據(jù)外媒報道，三星電子被指侵犯了與鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET）制程工藝相關(guān)的專利，面臨訴訟。韓媒稱，韓國科學(xué)技術(shù)院（KAIST）計劃對三星提起訴訟，指控后者侵犯其FinFET專利。
2016-12-05 20:08:05788 2015年，基于FinFET 工藝的IC產(chǎn)品將大量面市，除了英特爾的X86處理器和一些ASIC處理器外，F(xiàn)PGA也正式步入FinFET 3D晶體管時代，2月23日，羊年大年初五，賽靈思率先發(fā)布基于16nm FinFET 3D晶體管的FPGA新品，再次創(chuàng)下業(yè)界第一，開啟了FinFET FPGA的新時代。
2019-10-06 11:57:003785 本文介紹設(shè)計人員如何采用針對FinFET工藝的IP而克服數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器設(shè)計的挑戰(zhàn)。
2017-09-18 18:55:33
18 Mentor Calibre? nmPlatform 和 Analog FastSPICE? （AFS?） Platform 獲得 TSMC 12nm FinFET Compact
2017-10-11 11:13:423455 我們首先來了解一下什么是FinFET技術(shù)。
2017-12-26 16:44:2925574 FinFET 同樣帶來了更多限制，例如電壓閾值感知間隔、植入層規(guī)則等。這些因素將影響擺設(shè)、布局規(guī)劃和優(yōu)化引擎，還會直接影響設(shè)計的利用率和面積。多重圖案拆分收斂和時序收斂相互依存，可以增加設(shè)計收斂時間。
2018-04-04 14:23:001557 TSMC最新版5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工藝的認(rèn)證。Mentor 同時宣布，已更新了 Calibre nmPlatform 工具，可支持TSMC的晶圓堆疊封裝 (WoW)技術(shù)
2018-05-17 15:19:004492 根據(jù)美國德克薩斯州聯(lián)邦法院的裁決，三星電子侵犯了一家韓國大學(xué)關(guān)于雙柵極FinFET半導(dǎo)體工藝的技術(shù)專利，必須賠償4億美元。
2018-06-22 16:28:344459 中芯國際最新的14納米FinFET制程已接近研發(fā)完成階段，其試產(chǎn)的良率已經(jīng)可以達(dá)到95%的水準(zhǔn)，距離2019年正式量產(chǎn)的目標(biāo)似乎已經(jīng)不遠(yuǎn)
2018-07-06 15:23:524048 ANSYS宣布其ANSYS RedHawk和ANSYSR Totem獲聯(lián)華電子（UMC）的先進(jìn)14納米FinFET制程技術(shù)認(rèn)證。ANSYS和聯(lián)電透過認(rèn)證和完整套裝半導(dǎo)體設(shè)計解決方案，支援共同客戶滿足下一代行動和高效能運(yùn)算（HPC）應(yīng)用不斷成長的需求。
2018-07-17 16:46:004095 格芯方面表示，他們正在重新部署具備領(lǐng)先優(yōu)勢的FinFET發(fā)展路線圖，以服務(wù)未來幾年采用該技術(shù)的下一波客戶。公司將相應(yīng)優(yōu)化開發(fā)資源，讓14/12納米 FinFET平臺更為這些客戶所用，提供包括射頻、嵌入式存儲器和低功耗等一系列創(chuàng)新IP及功能。
2018-08-31 15:12:043646 關(guān)鍵詞：格芯 , FinFET 功能豐富的半導(dǎo)體平臺為下一代計算應(yīng)用提供具有競爭力的性能和可擴(kuò)展性 格芯今日在其年度全球技術(shù)大會(GTC)上宣布計劃在其14/12nm FinFET產(chǎn)品中引入全套
2018-10-04 00:09:01415 三個月前，晶圓代工大廠格芯突然宣布擱置7納米FinFET項目，業(yè)內(nèi)嘩然。在臺積電、三星等競爭對手正在努力搶占7nm制程市場之時，格芯為何作出此舉？放棄7nm制程后，格芯未來的路又將走向何方？這是業(yè)界關(guān)心的問題。
2018-12-03 14:30:563452 4月16日，三星官網(wǎng)發(fā)布新聞稿，宣布已經(jīng)完成5納米FinFET工藝技術(shù)開發(fā)，現(xiàn)已準(zhǔn)備好向客戶提供樣品。
2019-04-16 17:27:233799 通過這些EDA創(chuàng)新，如果你是即將采用FinFET工藝的數(shù)字設(shè)計人員且最近的節(jié)點(diǎn)是20nm，那么FinFETs只不過是一種漸進(jìn)的變化。BEOL沒有新的內(nèi)容，物理設(shè)計在很大程度上仍舊保持不變，而EDA工具負(fù)責(zé)執(zhí)行必要的分析。
2019-10-12 08:39:465104 FinFET技術(shù)是電子行業(yè)的下一代前沿技術(shù)，是一種全新的新型的多門3D晶體管。
2019-09-23 08:53:364029 Nandra補(bǔ)充說，“FinFET固有增益很高，但是跨導(dǎo)（gm）實際上很低，和頻率（ft）一樣。更先進(jìn)的幾何布局比平面器件更容易實現(xiàn)匹配，能夠很好的控制晶體管特性。結(jié)果是，您可以開發(fā)性能更好的電路。而且，還有其他的令人驚奇的地方。例如，輸出電流較小，因此，您開發(fā)的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器會更小。”
2019-09-25 14:27:2114148 
的12LP+FinFET解決方案，以擴(kuò)展高性能DRAM。12LP+FinFET解決方案將提供2.5D封裝設(shè)計服務(wù)，可加速人工智能（AI）應(yīng)用上市時間。
2019-11-06 15:59:553627 據(jù)介紹，14nm FinFET工藝使得界面態(tài)密度（Nit）提升40%以上，閃爍噪聲提高64%，數(shù)字邏輯功能芯片功耗降低34%。憑借14nm FinFET先進(jìn)工藝優(yōu)勢，144MP功耗有望降低42%。
2020-01-25 15:40:001988 
再下一個節(jié)點(diǎn)就是3nm工藝了，這個節(jié)點(diǎn)非常重要，因為摩爾定律一直在放緩，FinFET晶體管一度被認(rèn)為只能延續(xù)到5nm節(jié)點(diǎn)，3nm要換全新技術(shù)方向。
2020-02-21 19:32:553957 
如果說在2019 年年中三星宣稱將在2021年推出其“環(huán)繞式柵極（GAA）”技術(shù)取代FinFET晶體管技術(shù)，FinFET猶可淡定；而到如今，英特爾表示其5nm制程將放棄FinFET而轉(zhuǎn)向GAA，就已有一個時代翻篇的跡象了。
2020-03-16 15:36:393479 有消息表示，處理器龍頭廠商英特爾在 5 納米節(jié)點(diǎn)上將會放棄 FinFET 電晶體，轉(zhuǎn)向 GAA 環(huán)繞柵極電晶體。
2020-03-17 16:35:263418 臺積電3納米將繼續(xù)采取目前的FinFET晶體管技術(shù)，這意味著臺積電確認(rèn)了3納米工藝并非FinFET技術(shù)的瓶頸，甚至還非常有自信能夠在相同的FinFET技術(shù)下，在3納米制程里取得水準(zhǔn)以上的良率。這也代表著臺積電的微縮技術(shù)遠(yuǎn)超過其他的芯片制造商。
2020-06-12 17:31:233682 瓴盛科技首席營銷官成飛介紹，此次推出的芯片是基于世界頂尖的晶圓廠Samsung Foundry 11nm FinFET的工業(yè)制造，具備低功耗、高能效的領(lǐng)先競爭優(yōu)勢；同時基于異構(gòu)處理器設(shè)計，豐富式架構(gòu)讓軟件工程師在系統(tǒng)軟件實施層面可以做到更好的功耗優(yōu)化。
2020-09-04 16:26:362613 作者：泛林Nerissa Draeger博士 FinFET在22nm節(jié)點(diǎn)的首次商業(yè)化為晶體管——芯片“大腦”內(nèi)的微型開關(guān)——制造帶來了顛覆性變革。與此前的平面晶體管相比，與柵極三面接觸的“鰭”所形成
2021-01-25 15:25:403874 
據(jù)科創(chuàng)板日報報道稱，中芯國際的第二代FinFET已進(jìn)入小量試產(chǎn)。 科創(chuàng)板中芯國際在互動平臺表示，公司第一代FinFET14納米已于2019年四季度量產(chǎn)；第二代FinFETN+1已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段
2020-12-04 18:08:152429 中芯國際在互動平臺上回答投資者時表示，第二代FinFET 已進(jìn)入小量試產(chǎn)。 在回答投資者 近來公司 7 納米產(chǎn)品生產(chǎn)研發(fā)進(jìn)展如何？的問題時，中芯國際表示，公司第一代 FinFET 14nm 已于
2020-12-07 11:23:373352 據(jù)最新消息，我國芯片生產(chǎn)巨頭中芯國際在互動平臺公開表示，該司即將在2020年底小批量試產(chǎn)第二代FinFET N+1芯片，目前這一芯片已經(jīng)進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段。去年年底，中芯國際率先完成任務(wù)，完成了第一代FinFET 14nm芯片的量產(chǎn)工作。
2020-12-08 15:41:093572 FinFET晶體管架構(gòu)是當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)的主力軍。但是，隨著器件的持續(xù)微縮，短溝道效應(yīng)迫使業(yè)界引入新的晶體管架構(gòu)。在本文中，IMEC的3D混合微縮項目總監(jiān)Julien Ryckaert勾勒出了向2nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)發(fā)展的演進(jìn)之路。
2020-12-24 15:54:06927 ? ? FinFET晶體管架構(gòu)是當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)的主力軍。但是，隨著器件的持續(xù)微縮，短溝道效應(yīng)迫使業(yè)界引入新的晶體管架構(gòu)。在本文中，IMEC的3D混合微縮項目總監(jiān)Julien Ryckaert勾勒出了
2020-12-30 17:45:164075 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供怎樣綜合測試算法檢測診斷FinFET存儲器缺陷資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-26 08:50:5312 雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續(xù)為FinFET平臺帶來更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上，兼顧寄生電容電阻的控制和實現(xiàn)更高的晶體管性能變得更具挑戰(zhàn)。
2022-05-05 16:00:292446 
FinFET在22nm節(jié)點(diǎn)的首次商業(yè)化為晶體管——芯片“大腦”內(nèi)的微型開關(guān)——制造帶來了顛覆性變革。與此前的平面晶體管相比，與柵極三面接觸的“鰭”所形成的通道更容易控制。但是，隨著3nm和5nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)面臨的難題不斷累積，FinFET的效用已經(jīng)趨于極限。
2022-08-01 15:33:111912 鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET）是立體多柵器件的一種，其主要特征是由魚鰭形（Fin）的薄層硅構(gòu)成折疊的導(dǎo)電通道，并由雙面或三面折疊包圍的柵極控制。
2022-09-09 09:29:173821 ASIC設(shè)計服務(wù)暨IP研發(fā)銷售廠商智原科技（Faraday Technology Corporation，TWSE： 3035）今日推出支援多家晶圓廠FinFET工藝的芯片后端設(shè)計服務(wù)（design implementation service），由客戶指定制程（8納米、7納米、5納米及更先進(jìn)工藝）及生產(chǎn)的晶圓廠。
2022-10-25 11:52:171624 最小 Lg 是溝道柵極控制的函數(shù)，例如從具有不受約束的溝道厚度的單柵極平面器件轉(zhuǎn)移到具有 3 個柵極圍繞薄溝道的 FinFET，從而實現(xiàn)更短的 Lg。FinFET 的柵極控制在鰭底部最弱，優(yōu)化至關(guān)重要。
2023-01-04 15:54:513687 負(fù)載效應(yīng) (loading) 的控制對良率和器件性能有重大影響，并且它會隨著 FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管）器件工藝的持續(xù)微縮變得越來越重要[1-2]。當(dāng)晶圓的局部刻蝕速率取決于現(xiàn)有特征尺寸和局
2023-01-06 10:48:361944 臺積電官網(wǎng)宣布推出大學(xué)FinFET專案，目的在于培育未來半導(dǎo)體芯片設(shè)計人才并推動全球?qū)W術(shù)創(chuàng)新。
2023-02-08 11:21:01950 臺積電宣布推出大學(xué)FinFET專案，目的在于培育未來半導(dǎo)體芯片設(shè)計人才并推動全球?qū)W術(shù)創(chuàng)新。
2023-04-23 09:29:036010 推動半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展并使今天的芯片成為可能的關(guān)鍵技術(shù)趨勢之一是采用FinFET工藝。工程師介紹，另一種有前途的技術(shù)是環(huán)柵（GAA）晶體管。這提供了柵極和溝道之間最顯著的電容耦合。GAAfinFET
2023-07-07 09:58:3710799 
今天要介紹的數(shù)字后端基本概念是FinFET Grid，它也是一種設(shè)計格點(diǎn)。介紹該格點(diǎn)前，我們首先來了解一下什么是FinFET技術(shù)。
2023-07-12 17:31:452208 
當(dāng)做到FinFET工藝時才了解到這個名詞，在平面工藝時都沒有接觸SHE（self-heating effect）這個概念。為什么到FinFET下開始需要注意SHE的影響了呢？下面參考一些材料總結(jié)一下分享，如有不準(zhǔn)確的地方請幫指正。
2023-12-07 09:25:095114 
本文主要介紹FinFet Process Flow—啞柵極的形成。 ? 鰭片（Fin）的形成及其重要性 鰭片是FinFET器件三維結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵組成部分，它類似于魚鰭的形狀，因此得名。鰭片的高度直接決定
2025-01-14 13:55:392364 
本文介紹了FinFet Process Flow-源漏極是怎樣形成的。 在FinFET制造工藝中，當(dāng)完成偽柵極結(jié)構(gòu)后，接下來的關(guān)鍵步驟是形成源漏極（Source/Drain）。這一階段對于確保器件
2025-01-17 11:00:482773 
本文通過介紹傳統(tǒng)平面晶體管的局限性，從而引入FinFET技術(shù)的原理、工藝和優(yōu)勢。
2025-04-14 17:23:151405 
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