2015年Intel、三星、TSMC都已量產16/14nm FinFET工藝，下一個節點是明年的10nm，而10nm之后的半導體制造工藝公認越來越復雜，難度越來越高，甚至可能讓摩爾定律失效，需要廠商拿出更多投資研發新技術新材料。

　　TSMC在FinFET工藝量產上落后于Intel、三星，不過他們在10nm及之后的工藝上很自信，2020年就會量產5nm工藝，還會用上EUV光刻工藝。

　　TSMC日前舉行股東會議，雖然董事長張忠謀并沒有出席，不過兩大聯席CEO劉德音、魏哲家及CFO何麗梅都出席了會議，公布了TSMC公司Q2季度運營及技術發展情況，該公司調高了今年的資本支出到95-105億美元，高于Intel公司的90-100億美元，顯示對未來發展的看好。

　　至于工藝進展，劉德音公布了TSMC的2020路線圖，認為EUV光刻工藝在2020年時能有效降低量產5nm工藝的成本，TSMC計劃在5nm節點上應用EUV工藝以提高密度、簡化工藝并降低成本。

　　目前TSMC公司已經在7nm節點研發上使用了EUV工藝，實現了EUV掃描機、光罩及印刷的工藝集成。TSMC表示目前他們有4臺ASML公司的NX:3400光刻機在運行，2017年Q1季度還會再購買2臺。

　　之前有報道稱三星也購買了ASML公司的量產型EUV光刻機，目的是在2017年加速7nm工藝量產。

　　EUV是新一代半導體工藝突破的關鍵，但進展一直比較緩慢，至少比三星、TSMC兩家的嘴炮慢得多——早前TSMC宣稱在2016年的10nm節點就能用上EUV工藝，之后又說7nm節點量產EUV工藝，但現實情況并沒有這么樂觀，現在他們的說法也是2020年的5nm節點，跟Intel的預計差不多了。

　　5nm還很遙遠，10nm及7nm還比較現實，TSMC表示他們的10nm工藝已經有三個客戶完成流片，雖然沒公布客戶名稱，但用得起10nm工藝的芯片也就是蘋果A10、聯發科X30（被海思、展訊刺激的聯發科在X30上爆發了）以及海思新一代麒麟處理器，流片的估計就是這三家了。

　　TSMC表示今年底之前還會有更多客戶的10nm芯片流片，該工藝將在2017年Q1季度量產。

　　至于7nm，TSMC表示他們已經提前256Mb SRAM芯片，進展順利，CEO表示相信TSMC的7nm工藝在PPA密度、功耗及性能方面要比對手更出色，已經有高性能客戶預計在2017年上半年流片，正式量產則是在2018年。