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電子發燒友網>制造/封裝>半導體技術>工藝/制造>三星開始大規模生產10nm FinFET SoC

三星開始大規模生產10nm FinFET SoC

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曝高通10nm處理器將由三星代工生產

導語:聯發科和華為均已確定下一代處理器將采用10nm工藝制程,高通也緊追其后遞交10nm芯片樣品給客戶,據悉,高通10nm訂單均交給三星代工生產
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10nm良率噩耗!三星S8、驍龍835抱頭痛哭

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眾所周知,2016年11月份,三星已經開始10LPE制造技術應用到其生產SOC中。
2018-07-20 16:52:329746

三星第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM量產,有助于滿足全球不斷飆升需求

12月20日,三星宣布已開始量產第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM,并持續擴大整體10nm級DRAM的生產,有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求,繼續加強三星市場競爭力。
2018-07-31 14:55:251102

三星10nm級DDR4 SoDIMM內存,容量達到32GB單條

三星宣布推出基于10nm級(指10~18nm)的DDR4 SO-DIMM內存模組,用于高性能筆記本產品。新的內存模組容量達到32GB單條,頻率2666MHz,結構上是由16個16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:015722

三星成功開發業界首款10nm級8Gb LPDDR5 DRAM,主要應用于移動設備

三星宣布成功開發業界首款10nm級8Gb LPDDR5 DRAM。自從2014年8Gb LPDRD4投入量產以來,三星開始向LPDDR5標準過渡。LPDDR5 DRAM芯片主要應用于移動設備如手機、平板、二合一電腦等,5G和AI將是其主要應用領域。
2018-08-08 15:22:281625

英特爾10nm芯片再次跳票,最早也要等到2019年

你以為在小范圍生產后,英特爾的 10nm Cannon Lake 就一定會如約在 2018 年末開始大規模量產嗎?對不起,英特爾現在告訴你計劃有變,10nm 芯片的大批量產日期已經再度延后,原本預期在 2016 年就應該出來的產品,現在至少也要等到 2019 年了。
2018-08-13 10:10:003316

三星10nm級16Gb LPDDR4X DRAM開始量產,主要用于汽車

4月25日,三星電子宣布已開始批量生產汽車用10nm級16Gb LPDDR4X DRAM。這款最新的LPDDR4X產品具備高性能,同時還顯著提高需要在極端環境下工作的汽車應用的耐熱性水平。這款
2018-08-23 15:48:262837

三星推出基于10nm工藝的3GPP Release 15的5G基帶芯片

三星電子發布了其第一款5G基帶處理器Exynos Modem 5100,據稱這是世界上首款完全兼容3GPP Release 15的5G基帶芯片。這款基于10nm工藝的基帶芯片能夠在單芯片上支持5G及傳統移動服務(全網通)。
2018-08-29 16:27:374671

Intel重申10nm工藝進展良好 10nm處理器預計在2019年底的假期季節上市

三星宣布7LPP工藝進入量產,并表示基于EUV光刻技術的7LPP工藝對比現有的10nm FinFET工藝,可以提高20%性能、降低50%功耗、提升40%面積能效。三星電子的代工銷售和營銷團隊執行副
2018-10-19 16:10:553194

三星7nm LPP工藝進入量產,Intel重申10nm工藝進展良好

在Samsung Tech Day上,三星宣布7LPP工藝進入量產,并表示基于EUV光刻技術的7LPP工藝對比現有的10nm FinFET工藝,可以提高20%性能、降低50%功耗、提升40%面積能效。
2018-10-22 10:05:404449

淺析英特爾10nm難產的深層原因

近日,SIA發了個聳人聽聞的新聞,說intel放棄了10nm工藝的研發,當然這肯定是假消息就是了,今天intel也出面辟謠。不過相信很多人也會覺得奇怪,那邊TSMC 7nm都量產了,三星也宣布風險試產了還上了EUV,為什么intel的10nm如此舉步維艱?
2018-10-25 09:34:447359

10nm以下先進制程 臺積電和三星采取怎樣的策略

晶圓代工領域10nm已成分水嶺,隨著英特爾的10nm制程久攻不下,聯電和格芯相繼擱置7nm及以下先進制程的研發后,10nm以下的代工廠中只有三星在繼續與臺積電拼刺刀。
2018-11-16 10:37:374463

三星采用第二代10nm工藝級別的DRAM芯片量產

三星電子今天宣布,開始量產業界首款、采用第二代10nm工藝(1y-nm)級別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:551196

三星Exynos9810解讀 與驍龍845哪個更好

1月4日,三星正式發布了Exynos 9810頂級移動處理器,基于三星第二代10nm FinFET LPP工藝打造,與高通驍龍845使用相同的制造工藝。僅在制程層面,相較第一代LPE (Low Power Early),新工藝就可讓芯片性能提升10%,功耗降低15%。
2019-01-24 11:19:0410659

三星大規模生產磁性隨機存儲器MRAM,或將改變半導體產業格局?

據韓國媒體報道,近日,三星宣布已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產線上,開始大規模生產和商業運輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。
2019-03-16 10:24:271146

Intel新低功耗SoC處理器曝光 采用10nm工藝及Tremont架構

Intel雖然承諾將在今年底大規模量產10nm工藝產品,但從目前跡象看,初期還是集中在筆記本和低功耗領域,比如針對輕薄本的Ice Lake、首次采用3D Foveros封裝的Lakefield,服務器平臺更是要到2021年才會用上10nm
2019-03-15 11:18:092973

三星宣布開發出業內首款基于第10nm級工藝的DRAM內存芯片

3月21日,三星電子宣布開發出業內首款基于第10nm級工藝的DRAM內存芯片,將服務于高端應用場景,這距離三星量產1y nm 8Gb DDR4內存芯片僅過去16個月。
2019-03-21 16:43:083840

三星突破DRAM的擴展極限 成功研發10nm級DDR4內存

,動態隨機存取存儲器)。自開始批量生產第二代10nm級(1y-nm)8Gb DDR4以來僅僅16個月,三星不再使用Extreme Ultra-Violet(EUV)處理的情況下開發1z-nm 8Gb DDR4,說明三星突破了DRAM的擴展極限。
2019-03-21 17:30:542123

三星電子將開發首款基于第10nm級工藝DRAM內存芯片,下半年量產

三星電子宣布開發出業內首款基于第10nm級工藝的DRAM內存芯片,將服務于高端應用場景,這距離三星量產1y nm 8Gb DDR4內存芯片僅過去16個月。
2019-03-24 11:36:164320

三星大規模量產下一代內存芯片MRAM,更凸顯互補優勢

據報道,近日,三星宣布已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產線上,開始大規模生產和商業運輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。
2019-03-25 14:42:513762

三星10nm工藝DDR4內存下半年量產

關鍵詞:DRAM , DDR4 三星電子宣布開發出業內首款基于第10nm級工藝的DRAM內存芯片,將服務于高端應用場景,這距離三星量產1y nm 8Gb DDR4內存芯片僅過去16個月。量產時間
2019-03-29 07:52:01592

三星突破次世代存儲器將大規模生產28nm工藝EMRAM

三星宣布已經開始大規模生產首款商用EMRAM產品,該產品基于28nm FD-SOI工藝技術,并計劃在今年擴大高密度新興的非易失存儲器解決方案,包括1Gb EMRAM芯片。
2019-09-16 16:18:591577

三星首次開發出第10nm級DRAM高級存儲器

三星電子有限公司(Samsung Electronics)在其官網上發布消息,該公司正式宣布,首次開發了第10nm 制程工藝(1z-nm)8GB 超高性能和高功效的 DRAM(Dynamic Random Access Memory,動態隨機存取存儲器)。
2019-09-27 17:23:291500

三星開始批量生產6納米芯片,縮小與臺積電差距

三星于去年4月向全球客戶提供7納米產品,自開始大規模生產7納米產品以來,三星僅在八個月內就推出了6納米產品。三星的微加工工藝技術升級周期正在縮短,特別是向6納米EUV工藝的過渡有望縮小與全球第一大晶圓代工廠臺積電(TSMC)的差距。
2020-01-06 11:40:033622

三星6nm和7nm EUV開始批量生產

根據三星的計劃,到2020年底,V1生產線的累計總投資將達到60億美元,預計7nm及以下工藝節點的總產能將比2019年增長倍,目前的計劃是在第一季度開始交付其基于6nm和7nm的移動芯片。
2020-02-21 09:00:352667

三星16GB LPDDR5宣布量產,可節省超過20%的功耗

三星電子今天宣布已經開始大規模生產業內第一個16GB 的 LPDDR5移動 DRAM 封裝,基于三星第二代10nm級工藝技術,可提供業界最高的性能和最大的容量,用于下一代高端智能手機。繼2019年7
2020-02-25 13:48:202465

英偉達安培顯卡或基于三星10nm工藝

根據外媒WCCFTECH的報道,爆料消息稱英偉達的下一代GPU架構將基于三星10nm制程,而不是之前報道的臺積電7nm工藝,據稱使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技術,另外新的Tegra芯片也將使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:463370

三星3nm工藝明年量產不太可能實現

據國外媒體報道,在5nm工藝即將大規模量產的情況下,3nm工藝就成了臺積電和三星這兩大芯片代工商關注的焦點,三星電子旗下的三星晶圓代工,此前設定的目標是在2021年大規模量產3nm工藝。
2020-04-07 17:43:512632

三星3nm工藝投產延遲,新技術讓芯片功耗下降約50%

4月7日消息,在 5nm 工藝即將大規模量產的情況下,3nm 工藝就成了臺積電和三星這兩大芯片代工商關注的焦點。三星電子旗下的三星晶圓代工,此前設定的目標是在2021年大規模量產 3nm工藝。
2020-04-08 14:41:143230

三星顯然正在努力提高其5nm EUV產量

據說三星將從8月開始大規模生產5nm芯片,預計首款SoC將是Exynos 992。DigiTimes的一份報告指出,該技術龐然大物在保持令人滿意的良率方面存在問題
2020-07-23 14:53:541877

三星將EUV與10nm工藝結合推出LPDDR5內存芯片

EUV,依靠現有的DUV(深紫外光刻)是玩不轉的。 有意思的是,三星最近竟然將EUV與相對上古的10nm工藝結合,用于量產旗下首批16Gb容量的LPDDR5內存芯片。 據悉,三星的新一代內存芯片是基于第10nm級(1z)工藝打造,請注意16Gb容量的后綴,是Gb而不是GB,16Gb對應的其實是
2020-09-01 14:00:293544

三星近日已開始生產5nm LPE半導體制造節點,芯片即將面世

在第季度財報電話會議中,三星電子向所有人公布了其代工廠和節點生產開發的最新信息。在過去一年左右的時間里,三星的代工廠一直以7nm LPP(低功耗性能)作為其最小節點。據外媒TECHPOWERUP消息,三星近日已開始生產5nm LPE(低功耗早期)半導體制造節點,首批芯片即將面世。
2020-11-02 17:27:583464

三星擬2022年量產3nm,爭取追上臺積電

在半導體晶圓代工上,臺積電一家獨大,從10nm之后開始遙遙領先,然而三星的追趕一刻也沒放松,今年三星也量產了5nm EUV工藝。三星計劃在2年內追上臺積電,2022年將量產3nm工藝。
2020-11-17 16:03:322058

三星宣布開始大規模生產數據中心 SSD 生產

今天,三星宣布已經開始大規模生產其最先進的數據中心 SSD 生產線,PM9A3 E1.S。 三星表示,PM9A3 完全符合 OCP NVMe 云 SSD 規范,滿足企業工作負載的嚴格要求。 IT之家
2021-02-24 16:00:212315

三星3nm芯片量產 2nm芯片還遠嗎

三星3nm芯片量產 2nm芯片還遠嗎 全球第一款正式量產的3nm芯片即將出自三星半導體了,根據三星半導體官方的宣布,4D(GAA)架構制程技術芯片正式開始生產。 4D(GAA)架構制程是3D
2022-06-30 20:21:522069

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