據報道，高通再次與韓國三星聯手共同研發 8 納米芯片的制造工藝，便早已宣布完成。這一消息的宣布，我們可以看出在芯片的發展部分，英特爾落后于三星，至少英特爾尚未發布任何 10 納米的芯片。

　　三星已經提前 3 個月完成了 8 納米芯片的制造工藝。這是同樣的“低功耗+”（LPP）工藝，可以用于替換升級其當前的 10 納米芯片，而未來打算生產的 7 納米芯片，采用的則是另一種更先進的極限紫外光刻工藝（EUV）制作。

　　8 納米芯片與當前的 10 納米芯片相比，芯片的能效提高了 10%，而芯片面積卻又縮小 10%。與此同時，由于 8 納米芯片采用了與 10 納米芯片同樣的工藝，三星將能夠迅速將這款產品進行量產。

　　三星表示，使用 8 納米芯片可以大大提升當前應用程序的效能，將是“移動、加密貨幣和網絡/服務器”等應用的理想選擇。

　　值得注意的是，三星這回再次與 10 納米芯片客戶高通合作，以完善新技術。韓國方面有傳言稱，高通有意將 7 納米的生產轉移到 TSMC（臺積電），因為根據之前的報道，該公司在開發這一技術方面略領先于三星，臺積電的 7nm 芯片已經預定今年下半年進行試產，明年第 1 季量產。

　　不過，三星向外媒證實，高通已經確認使用其最新 8 納米芯片的工藝，但沒有提供任何具體細節。考慮到這一信息，高通似乎很有可能會與三星一起打造其下一代的 Snapdragon 芯片，采用可靠的 LPP 工藝，而不是尖端的 7 納米技術，因為使用 7 納米工藝會讓高通不得不轉向極限紫外光刻技術。

　　等到下一代的 Snapdragon 芯片構架思路快成型的時候，三星應該也有了自己的 7 納米的 EUV 進程，在此之后，使用相同工藝的 6 納米芯片也不會太遠。不管怎么說，三星移動擁有 Galaxy S8 和 Note 8 手機等眾多產品，基本上注定會是高通芯片的最大客戶。因此如果高通將其訂單拆分給另一家代工廠，可能之后局面會比較尷尬。

　　盡管在同一市場上競爭并不激烈，但這一消息讓英特爾進一步落后于三星，至少在芯片尺寸方面是如此。英特爾尚未發布任何 10 納米的芯片，盡管它曾表示，當它（2018年或2019年）新產品上市時，由于其功能密度的提高，它將會是三星的“數代”。然而到那時，三星可能會在極限紫外光刻工藝技術方面領先英特爾兩到三代，從而縮小這一差距。預計三星將在今天晚些時候公布其 8 和 7 納米芯片的路線圖。