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電子發燒友網>制造/封裝>半導體技術>半導體新聞>美光將利用IBM 3D制程制造首顆商用內存芯片

美光將利用IBM 3D制程制造首顆商用內存芯片

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2021-01-04 15:46:143251

全球首創LPDDR5內存+UFS閃存,性能爆增

繼今年3次公開之后,今天宣布,全新的“uMCP5”已經做好了大規模量產的準備。uMCP5在全球首次通過MCP多芯片封裝的方式,LPDDR5內存、UFS閃存整合在一芯片內,可大大提升智能手機的存儲密度,節省內部空間、成本、功耗。
2020-10-22 09:46:403637

科技量產全球款基于LPDDR5 DRAM的多芯片封裝產品

uMCP5。uMCP5高性能、高密度及低功耗的內存和存儲集成在一個緊湊的封裝中,使智能手機能夠應對數據密集型5G工作負載,顯著提升速度和功效。 量產全球款基于LPDDR5 DRAM的多芯片封裝
2020-10-27 15:17:473518

奧比中創始人黃源浩詳解3D視覺應用

潛心研發帶來的深厚技術積淀,為奧比中的發展奠定了堅實的基礎。奧比中自2015年成功研發國內3D感知芯片開始,不斷突破國際技術壟斷,成為擁有從芯片、算法,到系統、框架、上層應用支持的全棧式AI 3D感知技術方案提供商。
2020-10-28 09:49:467313

?IBM全球款2nm芯片制程 IBM 2納米芯片制造技術要點

IBM Research在其紐約奧爾巴尼技術中心宣布其突破性的2nm技術的消息。 據IBM官方表示,核心指標方面,IBM稱該2nm芯片的晶體管密度(MTr/mm2,每平方毫米多少百萬晶體管)為
2021-05-19 17:38:155143

發布第五代3D NAND閃存

媒Anandtech報道,日前宣布了其第五代3D NAND閃存,新一代產品擁有破紀錄的176層構造。報道指出,新型176L閃存是自與英特爾的存儲器合作解散以來推出的第二代產品,此后從浮柵( floating-gate)存儲單元設計轉變為電荷陷阱(charge-trap)單元。
2020-11-10 14:56:593477

宣布了其第五代3D NAND閃存技術

剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術,達到了創紀錄的176層堆疊。這也是、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后,自己獨立研發的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212920

奧比中憑自主研發,成為全球領先的AI 3D傳感技術提供商

奧比中成立于2013年1月,是一家以AI 3D傳感技術為核心的科技創新型企業。在奧比中最初成立時,我國在消費級3D傳感領域還是一片空白,無論芯片還是關鍵部件都未能完成自主研發。為了盡快實現3D
2020-11-12 09:24:093284

科技宣布已批量出貨全球款 176 層 3D NAND 閃存

IT之家11月12日消息 今日,科技宣布已批量出貨全球款 176 層 3D NAND 閃存,刷新行業紀錄,實現閃存產品密度和性能上的提升。 IT之家了解到,這款 176 層 NAND 產品采用
2020-11-12 13:04:572623

發布176層3D NAND閃存

存儲器廠商宣布,其第五代3D NAND閃存技術達到創紀錄的176層堆疊。預計通過全新推出的176層3D NAND閃存技術以及架構,可以大幅度提升數據中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:553696

全新的3D打印功能材料,實現了百納米至微米級別電子3D打印

周南嘉團隊3D多材料打印技術引入芯片級高端制造領域,利用3D打印技術進行三維高精度光電封裝、制造高頻無源器件,例如可將天線尺寸縮小到十微米至百微米級別。
2020-11-18 15:18:043183

光有望 3D XPoint(Optane)引入 AMD 等平臺

迎來適用于 AMD 平臺的 Optane 或 3D XPoint 類產品。 作為 XPoint 內存的共同開發者,(Micron)宣布致力于推出自己的 3D XPoint 技術以及相應的存儲
2020-11-29 11:40:082396

第一款3D Xpoint閃存SSD銷量差

通過轉讓IM工廠股份給閃存業務打包出售給SK海力士等,Intel正重新梳理旗下業務,至少就閃存、SSD來看,現在只剩下傲騰了。 不過,傲騰的3D Xpoint芯片仍要靠猶他州的IM工廠生產
2020-11-29 11:54:412026

光有望3D XPoint引入AMD等平臺

迎來適用于 AMD 平臺的 Optane 或 3D XPoint 類產品。 ▲ 英特爾傲騰 905P,圖源英特爾 作為 XPoint 內存的共同開發者,(Micron)宣布致力于推出自己的 3D XPoint 技術以及相應的存儲解決方案,該解決方案可在多種平臺上使用。公司首席財務官戴維 辛斯納(Dav
2020-11-30 10:32:001997

推出 1α DRAM 制程技術:內存密度提升了 40% 節能 15%

均有重大突破。 ? 光表示,對比上一代的 1z DRAM 制程,1α 技術內存密度提升了 40%。 計劃于今年 1α 節點全面導入其 DRAM 產品線,從而更好地支持廣泛的 DRAM 應用領域——為包括移動設備和智能車輛在內的各種應用提供更強的性能。 的 1α 技術節點使內存解決方
2021-01-27 13:56:032777

全球2nm芯片是中國制造的嗎 2nm芯片何時量產

全球2nm芯片并不是中國制造的,它是由IBM研制出來的,硅晶圓由IBM研究院在其位于美國紐約州奧爾巴尼半導體研究機構設計和生產。
2022-06-22 10:14:254334

IBM發布全球款2nm芯片

IBM宣布已推出全球2nm制程芯片,至今為止一種最小、最強大的芯片,標志著IBM芯片制造工藝領域取得的巨大飛躍。
2022-06-24 17:45:462058

美國科技企業IBM發布全球首個2nm制程芯片

全球2nm芯片問世時間是2021年5月份,美國科技企業IBM發布全球首個2nm制程芯片制造技術。
2022-06-27 09:34:191954

LPDDR5成為全球款獲得ISO 26262標準ASIL D認證的內存

解決方案,以應對智能邊緣復雜的內存與存儲需求。開始向客戶送樣全球最高容量的 microSD 卡產品 i400,其密度達到業界前所未有的 1.5TB。該產品采用的全球款 176 層 3D NAND 技術,專為工業級視頻安防應用而設計。
2022-06-27 15:38:352052

IBM發布全球首個2納米芯片制造技術

2021年5月,IBM發布全球首個2納米芯片制造技術,2nm工藝芯片用EUV光刻機進行刻蝕在指甲大小的芯片上,集成了500億晶圓體,IBM通過與AMD、三星率先推出測試芯片,處于全球領先地位。
2022-07-04 09:21:413248

IBM首發2nm芯片 采用GAA技術

去年5月,IBM成功制造出世界上首2nm制程的半導體芯片
2022-07-05 13:22:581681

3D IC制造技術已成主流,異構3D IC還有待進步

多年來,3D IC技術已從初始階段發展成為一種成熟的主流制造技術。EDA行業引入了許多工具和技術來幫助設計采用3D IC路徑的產品。最近,復雜的SoC實現開始利用3D IC技術來平衡性能和成本目標。
2022-09-16 10:06:411879

發布基于1-alpha技術制造的LPDDR5X芯片

推出了最新的DRAM芯片,其采用了1-beta制造技術,大幅提高了芯片的能效和內存密度。稱計劃在明年開始量產這種芯片
2022-11-03 10:49:011189

3D-NAND 閃存探索超過300層

全行業正在努力 3D 引入 DRAM。采用 3D X-DRAM 僅涉及利用當前成熟的 3D NAND 工藝,這與學術論文提出和內存行業研究的許多 DRAM 遷移到 3D 的替代方案不同。
2023-05-30 11:13:46993

甬江實驗室一個3D數字制造創新中心揭牌!主任系清鋒首席科學家朱

3D數字制造創新中心主任。3D數字制造創新中心主任朱、副主任盧伊絲、研究員趙威獲頒聘書據朱光說:“我們研發的LEAP超快光固化3D打印技術,打印速度比傳統3
2022-08-18 14:33:251785

8項專利被侵權!與長江存儲陷入專利之爭

長江存儲與芯片戰升級。3D NAND閃存制造商長江存儲,已于9日在美國加州北區地方法院對美國記憶芯片龍頭科技提告,指控侵犯了長江存儲8項與3D NAND相關的美國專利。
2023-11-13 17:24:511517

3D異構集成與 COTS (商用現成品)小芯片的發展問題

3D 異構集成與 COTS (商用現成品)小芯片的發展問題
2023-11-27 16:37:161656

科技出貨全球款基于1γ制程節點的LPDDR5X內存 突破性封裝技術

開始 出貨全球款采用1γ(1-gamma)制程節點的LPDDR5X內存認證樣品 。該產品專為加速旗艦智能手機上的AI應用而設計。LPDDR5X內存具備業界領先的速率,達到每秒10.7 Gb(Gbps),同時功耗可降低高達20%1,為智能手機帶來更快、更流暢的移動體驗和更強的續航
2025-06-06 11:49:061454

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