北京時間10月27日消息，內存和存儲解決方案供應商Micron Technology（美光科技）宣布量產業界首款基于低功耗DDR5（LPDDR5）DRAM的通用閃存存儲（UFS）多芯片封裝產品 uMCP5。美光uMCP5將高性能、高密度及低功耗的內存和存儲集成在一個緊湊的封裝中，使智能手機能夠應對數據密集型5G工作負載，顯著提升速度和功效。

美光量產全球首款基于LPDDR5 DRAM的多芯片封裝產品

據了解，該款多芯片封裝產品搭載美光LPDDR5內存、高可靠性NAND以及UFS3.1控制器，實現了此前只在使用獨立內存和存儲芯片的昂貴旗艦手機上才有的高級功能。uMCP5的出現使諸如圖像識別、高級人工智能（AI）、多攝像頭支持、增強現實（AR）和高分辨率顯示等最新技術能在中高端手機上予以普及，從而惠及更多的消費者。

美光高級副總裁兼移動產品事業部總經理Raj Talluri表示：“要將5G的潛力從宣傳層面變為現實，需要智能手機能夠應對通過網絡和下一代應用程序傳輸的海量數據。我們的uMCP5在單個封裝中結合了最快的內存和存儲，為顛覆性的5G技術帶來了更多可能，幫助消費者從容應對數據挑戰。”

美光uMCP5為5G生態系統帶來出類拔萃的速度和效率

本次發布是美光于今年三月宣布uMCP5出樣的延續，為移動市場設定了新標準，成為首款使用最新一代UFS NAND存儲和低功耗DRAM的多芯片封裝產品。如今的智能手機需要存儲和處理海量數據，這使基于LPDDR4的中端芯片組的內存帶寬變得捉襟見肘，帶來的后果是視頻分辨率降低、出現影響體驗的延遲，以及部分功能受限。

借助LPDDR5，美光將內存帶寬從3733Mb/秒大幅提高至6400Mb/秒，即使在處理大數據量時，也可為移動用戶提供無縫、即時的體驗。

高通公司（Qualcomm）產品管理副總裁Ziad Asghar表示：“5G為智能手機提供了前所未有的速度與云連接。我們很高興看到uMCP5面世，為新一代手機帶來符合5G速度的內存，并保證了一流的游戲體驗、差異化的攝像頭、AI功能，以及更快的文件傳輸。”

uMCP5專為下一代5G設備而設計，能輕松快速地處理和存儲大量數據，且無需在性能和功耗之間進行妥協。高性能的內存和存儲使uMCP5能夠充分支持5G下載速度，并同時運行更多應用程序。

美光uMCP5的主要特性包括：

· 續航時間大幅延長：在uMCP4的成功基礎上，美光將LPDDR5內存用于uMCP5，實現了5G網絡的完全利用；與LPDDR4相比，功耗降低了近20%。此外，美光的UFS 3.1功耗比其前代產品UFS 2.1減少40％。對于智能手機用戶而言，即使在使用耗電的多媒體應用程序或數據密集型功能（如 AI、AR、圖像識別、游戲、沉浸式娛樂等）時，也能有更長的續航時間。

· 下載速度快：與美光此前基于UFS 2.1的解決方案相比，美光uMCP5釋放了5G性能的全部潛力，持續下載速度可以加快20％。

· 耐用度提升：美光uMCP5 NAND的耐用度提升了約 66％，可以允許5000次擦寫，成倍增加了設備的可擦寫次數和數據量，而不會降低設備性能。即使對于重度手機用戶而言，也能有效延長智能手機的使用壽命。

· 業界領先的帶寬：采用uMCP5的設備最高將支持6400Mb/s的DRAM帶寬，與上一代LPDDR4x的4266Mb/s帶寬相比，增加了50％。這使移動用戶可以同時運行多個應用程序而不會影響體驗。增加的帶寬也使智能手機中的AI計算攝影獲得了更高質量的圖像處理，為用戶帶來專業的攝影能力。美光是業界首家支持全速LPDDR5的供應商。

· 最新閃存性能：美光uMCP5還采用了最快的UFS 3.1存儲接口，與其上一代UFS 2.1產品相比，順序讀取性能提高了一倍，寫入速度加快了20％。

· 節省空間的緊湊設計：美光利用其多芯片封裝專業知識以及所掌握的制造和封裝技術，以最緊湊的尺寸設計uMCP5，從而實現了更纖薄、更靈活的智能手機設計。與獨立版本的LPDDR5和UFS解決方案相比，美光uMCP5多芯片封裝可節約55％的印刷電路板空間。節省的空間使手機制造商能夠最大限度地提升電池容量或增加其他功能，例如攝像頭、手勢元件或傳感器。美光可提供高達12GB LPDDR5和512GB NAND的多個容量配置選擇。

美光uMCP5的供應情況

uMCP5現在已經可以批量生產，有四種不同的密度配置：128+8 GB，128+12 GB，256+8 GB 和 256+12 GB。
責任編輯：PSY