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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>制造新聞>300mm晶圓廠,締造英飛凌功率半導(dǎo)體不敗神話

300mm晶圓廠,締造英飛凌功率半導(dǎo)體不敗神話

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千人大會(huì)火爆深圳,英飛凌功率半導(dǎo)體新品引領(lǐng)5G通信和新能源應(yīng)用風(fēng)潮

7月23日,2019英飛凌電源管理研討會(huì)在深圳盛大開(kāi)幕,千人的會(huì)場(chǎng)已經(jīng)座無(wú)虛席,在功率半導(dǎo)體分論壇上英飛凌多位專家?guī)?lái)了對(duì)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)趨勢(shì)、英飛凌功率半導(dǎo)體器件最新系列和在馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、充電樁等新興領(lǐng)域應(yīng)用方案的最新解讀。
2019-07-30 11:29:207355

300nm晶圓首次用于制造功率器件,英飛凌推出超結(jié)MOSFET

英飛凌科技公司將“全球首次”使用口徑300mm的硅晶圓制造功率半導(dǎo)體。具體產(chǎn)品是有超結(jié)(Super Junction)構(gòu)造的功率MOSFET“CoolMOS系列產(chǎn)品”,由奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)。
2013-02-25 08:53:002072

格羅方德將與重慶政府合資建300mm晶圓廠

格羅方德半導(dǎo)體(GlobalFoundries)5月31日宣布簽署了一份諒解備忘錄,以推動(dòng)公司在中國(guó)市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)下一階段的增長(zhǎng)。格羅方德將與重慶市政府合資在中國(guó)建立一家300mm晶圓制造廠,以此擴(kuò)展全球制造布局。同時(shí),該公司也將積極投資擴(kuò)展設(shè)計(jì)支持能力,以便更好地服務(wù)中國(guó)客戶。
2016-06-01 09:08:221447

格羅方德半導(dǎo)體擬在重慶建立300毫米晶圓廠,擴(kuò)大在華業(yè)務(wù)

格羅方德半導(dǎo)體(GlobalFoundries)今日宣布簽署了一份諒解備忘錄,以推動(dòng)公司在中國(guó)市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)下一階段的增長(zhǎng)。格羅方德將與重慶市政府合資在中國(guó)建立一家300mm晶圓制造廠,以此擴(kuò)展全球制造布局。同時(shí),該公司也將積極投資擴(kuò)展設(shè)計(jì)支持能力,以便更好地服務(wù)中國(guó)客戶。
2016-06-01 13:48:091945

英飛凌計(jì)劃新建300毫米芯片工廠 穩(wěn)固長(zhǎng)期盈利性

德國(guó)慕尼黑和奧地利維也納訊——英飛凌科技股份公司準(zhǔn)備新建一座功率半導(dǎo)體工廠。作為功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者,英飛凌將通過(guò)此項(xiàng)投資,為其長(zhǎng)期盈利性增長(zhǎng)奠定基礎(chǔ)。英飛凌將在奧地利菲拉赫現(xiàn)有生產(chǎn)基地附近,新建一座全自動(dòng)化芯片工廠,用于制造300毫米薄晶圓。
2018-05-21 10:10:385599

瑞薩電子投資甲府工廠,300mm功率半導(dǎo)體產(chǎn)線恢復(fù)

恢復(fù)其300mm功率半導(dǎo)體生產(chǎn)線。 ? 為了實(shí)現(xiàn)脫碳社會(huì),預(yù)測(cè)未來(lái)全球范圍內(nèi)對(duì)負(fù)責(zé)電力供應(yīng)和控制的高效功率半導(dǎo)體的需求將增加,特別是電動(dòng)汽車(EV)領(lǐng)域的需求將迅速擴(kuò)大。瑞薩將通過(guò)提高IGBT等功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)能力,為實(shí)現(xiàn)脫碳社會(huì)做出貢獻(xiàn)。隨著甲府工廠開(kāi)始恢復(fù)全面量
2022-05-17 15:51:341567

功率SiC大事件! 英飛凌在馬來(lái)西亞啟動(dòng)全球最大碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠

8月8日,全球推進(jìn)低碳化的舉措拉動(dòng)了對(duì)功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)需求。順應(yīng)這一趨勢(shì),英飛凌科技股份公司宣布,其位于馬來(lái)西亞的新晶圓廠一期項(xiàng)目正式啟動(dòng)運(yùn)營(yíng),建設(shè)完成后該工廠將成為全球最大且最具競(jìng)爭(zhēng)力的200毫米
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巨資投入!英飛凌在馬來(lái)西亞啟動(dòng)全球最大碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠,預(yù)計(jì)2025年量產(chǎn)

8月8日,英飛凌科技宣布,其位于馬來(lái)西亞居林晶圓廠第三廠區(qū)的一期項(xiàng)目正式啟動(dòng)運(yùn)營(yíng)。在全球追求綠色能源,減碳大目標(biāo)下,汽車、光伏、儲(chǔ)能等多個(gè)領(lǐng)域SiC需求量持續(xù)上升,為了順應(yīng)低碳化趨勢(shì)帶動(dòng)的功率半導(dǎo)體
2024-08-16 11:43:328914

晶圓短缺 東芝準(zhǔn)備開(kāi)工建設(shè)300mm晶圓制造廠

東芝官網(wǎng)顯示,3月10日,東芝發(fā)布功率器件業(yè)務(wù)重大投資消息,表示準(zhǔn)備開(kāi)工建設(shè)300mm晶圓制造廠。據(jù)其披露,東芝將在日本石川縣加賀東芝電子公司新建一條300mm晶圓生產(chǎn)線,以提高功率半導(dǎo)體生產(chǎn)能力,該生產(chǎn)線計(jì)劃于2023年上半年開(kāi)始量產(chǎn)。不過(guò),東芝未在新聞稿中披露具體投資額。
2021-03-11 09:28:134520

英飛凌率先開(kāi)發(fā)全球首項(xiàng)300 mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù), 推動(dòng)行業(yè)變革

2024年9月11日訊,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)今天宣布,已成功開(kāi)發(fā)出全球首項(xiàng)300 mm氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體晶圓技術(shù)。英飛凌是全球首家在現(xiàn)有且
2024-09-12 11:03:261814

超硅半導(dǎo)體IPO:產(chǎn)能爬坡,300mm硅片三年貢獻(xiàn)14.2億元

(電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道)6月13日,上海超硅半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱:上海超硅)科創(chuàng)板IPO申請(qǐng)獲受理。上海超硅主要從事200mm300mm集成電路硅片、先進(jìn)裝備、先進(jìn)材料的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售
2025-06-16 09:09:486007

英飛凌宣布推出全球最薄硅功率晶圓,國(guó)產(chǎn)器件同質(zhì)化競(jìng)爭(zhēng)的情況要加劇了?

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)日前,英飛凌宣布推出全球最薄硅功率晶圓,成為首家掌握20μm超薄功率半導(dǎo)體晶圓處理和加工技術(shù)的公司。晶圓直徑為300mm,厚度20μm僅為頭發(fā)絲的四分之一,是目前最先
2024-10-31 01:12:003917

功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用

本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性,有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過(guò)程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來(lái)。 書中內(nèi)容由淺入深,從半導(dǎo)體的性質(zhì)、基本的半導(dǎo)體
2025-07-11 14:49:36

功率半導(dǎo)體基本開(kāi)關(guān)原理

功率半導(dǎo)體基本開(kāi)關(guān)原理
2011-05-03 22:07:52

功率半導(dǎo)體模塊的發(fā)展趨勢(shì)如何?

功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率MOSFET,常簡(jiǎn)寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC,常簡(jiǎn)寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54

半導(dǎo)體功率器件的分類

近年來(lái),全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國(guó)轉(zhuǎn)移。目前,我國(guó)已經(jīng)成為全球最重要的半導(dǎo)體功率器件封測(cè)基地。如IDM類(吉林華微電子、華潤(rùn)微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體
2021-07-12 07:49:57

SPC在半導(dǎo)體半導(dǎo)體晶圓廠的實(shí)際應(yīng)用

半導(dǎo)體過(guò)程控制技術(shù)來(lái)嚴(yán)格監(jiān)控工藝過(guò)程狀態(tài),而SPC就是其中最重要的一種技術(shù)。本文針對(duì)SPC做了簡(jiǎn)要概述,著重論述了根據(jù)半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝的特點(diǎn)來(lái)實(shí)現(xiàn)其在半導(dǎo)體晶圓廠的實(shí)際應(yīng)用。 關(guān)鍵詞:半導(dǎo)體;SPC;過(guò)程
2018-08-29 10:28:14

【基礎(chǔ)知識(shí)】功率半導(dǎo)體器件的簡(jiǎn)介

功率半導(dǎo)體器件概述功率半導(dǎo)體器件基本概念功率半導(dǎo)體器件(Power Semiconductor Device)又稱電力電子器件(Power Electronic Device)。1940年貝爾實(shí)驗(yàn)室
2019-02-26 17:04:37

主流的射頻半導(dǎo)體制造工藝介紹

1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類,元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體,化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍,非常適合
2019-07-29 07:16:49

什么是基于SiC和GaN的功率半導(dǎo)體器件?

直接影響轉(zhuǎn)換器的體積、功率密度和成本。  然而,所使用的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)遠(yuǎn)非理想,并且由于開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換期間電壓和電流之間的重疊而存在開(kāi)關(guān)損耗。這些損耗對(duì)轉(zhuǎn)換器工作頻率造成了實(shí)際限制。諧振拓?fù)淇梢酝ㄟ^(guò)插入額外的電抗
2023-02-21 16:01:16

低阻抗功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)有哪些關(guān)鍵特性和應(yīng)用優(yōu)勢(shì)?

什么是堆疊式共源共柵?低阻抗功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)有哪些關(guān)鍵特性?低阻抗功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)有哪些應(yīng)用優(yōu)勢(shì)?
2021-06-26 06:14:32

全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)格局:MOSFET與IGBT模塊

所在各類半導(dǎo)體功率器件中,未來(lái)增長(zhǎng)強(qiáng)勁的產(chǎn)品將是 MOSFET 與 IGBT 模塊。目前,全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)仍由歐美日企業(yè)主導(dǎo),其中英飛凌以 19%的市占率占據(jù)絕對(duì)領(lǐng)先地位。全球功率半導(dǎo)體前十名供應(yīng)商
2022-11-11 11:50:23

常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些?

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2021-11-02 07:13:30

未來(lái)5年,GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)會(huì)發(fā)生哪些變化?

`根據(jù)Yole Developpement指出,氮化鎵(GaN)組件即將在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)快速發(fā)展,從而使專業(yè)的半導(dǎo)體企業(yè)受惠;另一方面,他們也將會(huì)發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來(lái)自英飛凌(Infineon)/國(guó)際
2015-09-15 17:11:46

氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析

氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26

300mm×300mm口徑電光開(kāi)關(guān)等離子體電極實(shí)驗(yàn)研究

300mm×300mm口徑電光開(kāi)關(guān)等離子體電極實(shí)驗(yàn)研究:設(shè)計(jì)并實(shí)驗(yàn)了300mm×300mm口徑的輝光放電室,利用鈕扣陰極和自動(dòng)預(yù)電離條形陰極進(jìn)行實(shí)驗(yàn),獲得了大面積均勻的輝光放電
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半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì):300mm晶圓已經(jīng)占據(jù)統(tǒng)治地位

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2008-09-05 10:54:42773

Spansion擴(kuò)增300mm/65nm NOR生產(chǎn)

Spansion的300mm SP1晶圓廠正在量產(chǎn)其首款針對(duì)消費(fèi)及工業(yè)應(yīng)用的65nm 3V MirrorBit NOR快閃記憶體,而此舉是為了該公司下一代MirrorBit Eclipse GL 3V的推出奠定基礎(chǔ)。 盡管全球存儲(chǔ)器市
2009-01-01 06:30:12889

世界級(jí)300mm晶圓研發(fā)制造中心公開(kāi)出售

ATREG 任 Qimonda 德國(guó)德累斯頓中心的出售顧問(wèn)    德國(guó)德累斯頓2010年6月3日電 -- 高力國(guó)際 (Colliers International) 旗下部門 ATREG 已被聘為 Qimonda 德國(guó)德累斯頓先進(jìn) 300mm
2010-06-03 09:35:50860

Maxim 300mm晶圓生產(chǎn)線開(kāi)始發(fā)貨

  Maxim近期已經(jīng)通過(guò)300mm晶圓生產(chǎn)線的模擬產(chǎn)品驗(yàn)證并開(kāi)始供貨。這一重大舉措進(jìn)一步確立了Maxim在模擬/混和信號(hào)
2010-11-12 08:56:43934

英飛凌300mm薄晶圓產(chǎn)出首款功率半導(dǎo)體晶片

英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布已于奧地利菲拉赫(Villach)據(jù)點(diǎn)生產(chǎn)出首款 300mm (12寸)薄晶圓之功率半導(dǎo)體晶片(first silicon),成為全球首家進(jìn)一步成功采用此技術(shù)的公司。采用300mm薄晶圓
2011-10-14 09:51:431352

英飛凌穩(wěn)居分立功率半導(dǎo)體細(xì)分市場(chǎng)榜首

英飛凌科技連續(xù)八年位居全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)榜首,英飛凌在分立式功率半導(dǎo)體細(xì)分市場(chǎng)上擁有8.6%的市場(chǎng)份額,第一次肯定在該市場(chǎng)上具有明確的榜首地位
2011-11-03 09:36:07890

日本SUMCO公司關(guān)閉半導(dǎo)體晶圓廠

日本半導(dǎo)體大廠SUMCO宣布進(jìn)行“組織重整”,除關(guān)閉長(zhǎng)崎的12寸半導(dǎo)體晶圓廠、將產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到臺(tái)灣的轉(zhuǎn)投資廠臺(tái)勝科外,太陽(yáng)能晶圓廠則予以關(guān)閉解散。此舉對(duì)于臺(tái)勝科和將要并購(gòu)日本半
2012-02-07 08:52:091690

飛兆半導(dǎo)體英飛凌進(jìn)一步擴(kuò)展功率MOSFET兼容協(xié)議

飛兆半導(dǎo)體公司和英飛凌科技宣布進(jìn)一步擴(kuò)展封裝兼容合作伙伴關(guān)系,擴(kuò)展協(xié)議將包括5x6mm非對(duì)稱結(jié)構(gòu)功率級(jí)雙MOSFET封裝。
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電子發(fā)燒友網(wǎng)訊 :英飛凌科技公司連續(xù)九年成為功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的全球領(lǐng)導(dǎo)者。根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu) IMS Research(屬IHS公司)最新報(bào)告指出,2011 年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)總值達(dá) 176 億美元,而英
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BSE集團(tuán)收購(gòu)日本半導(dǎo)體全套晶圓廠設(shè)備

波士頓半導(dǎo)體設(shè)配公司(BSE 集團(tuán))宣布整入全套200mm CMOS制造晶圓廠設(shè)備。收購(gòu)的設(shè)備目前使用于CMOS制程,當(dāng)2013年1月開(kāi)始拆除時(shí)便可使用.
2012-12-05 09:01:212006

臺(tái)灣300毫米半導(dǎo)體晶圓廠首次進(jìn)入內(nèi)地

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,聯(lián)電正與廈門市政府合作,投資3億美元,在當(dāng)?shù)嘏d建一座300毫米晶圓廠,如果進(jìn)展順利,這將是臺(tái)灣半導(dǎo)體廠商第一次在內(nèi)地建設(shè)此類工廠。
2013-07-18 16:00:291613

意法半導(dǎo)體欲投30億美元建設(shè)兩座300mm(12英寸)Fab

據(jù)麥姆斯咨詢消息,意法半導(dǎo)體將投入超過(guò)30億美元建設(shè)兩座300mm(12英寸)Fab。如果屬實(shí),這將成為意法半導(dǎo)體“大圣歸來(lái)”之路上的驚人一瞥。到目前為止,意法半導(dǎo)體還未就此發(fā)表任何公告。
2017-10-17 14:30:059256

對(duì)于模擬、MEMS和射頻芯片需求的暴增,制造商將新建300mm晶圓廠

,直到它們被淘汰。” 一般來(lái)說(shuō),客戶樂(lè)于在廉價(jià)的200mm晶圓廠生產(chǎn)這些器件。但晶圓廠沒(méi)有足夠的200mm產(chǎn)能,而且利潤(rùn)低于300mm。 這給代工廠帶來(lái)了幾個(gè)挑戰(zhàn)。首先,供應(yīng)商必須繼續(xù)投資
2018-06-12 07:18:005340

半導(dǎo)體制造商在世界各地已關(guān)閉或改變用途了92座晶圓廠

近年,茂德在2013年關(guān)閉了兩座300mm內(nèi)存晶圓廠,瑞薩在2014年將其300mm邏輯晶圓廠出售給索尼,索尼重新利用該晶圓廠制造圖像傳感器。 2017年三星也在韓國(guó)龍仁關(guān)閉了其300mm 11號(hào)線存儲(chǔ)器工廠,并將其重新用于制造圖像傳感器。
2018-04-03 17:13:397459

如何看待英飛凌成為最大汽車半導(dǎo)體的供應(yīng)商

如何評(píng)價(jià)英飛凌半導(dǎo)體收購(gòu)意法半導(dǎo)體的傳聞或成最大汽車半導(dǎo)體供應(yīng)商?8月1號(hào)外媒傳出英飛凌半導(dǎo)體收購(gòu)意法半導(dǎo)體的傳聞。英飛凌這家源于西門子的半導(dǎo)體公司,屬于半個(gè)德國(guó)國(guó)企,而意法半導(dǎo)體又算半個(gè)法國(guó)
2018-11-22 16:31:072296

格芯宣布300mm晶圓制造平臺(tái)的原型設(shè)計(jì) 預(yù)計(jì)2019年第二季度將提供合格的工藝和設(shè)計(jì)套件

格芯今天宣布其先進(jìn)的硅鍺(SiGe)產(chǎn)品9HP目前可用于其300mm晶圓制造平臺(tái)的原型設(shè)計(jì)。這表明300mm生產(chǎn)線將形成規(guī)模優(yōu)勢(shì),進(jìn)而促進(jìn)數(shù)據(jù)中心和高速有線/無(wú)線應(yīng)用的強(qiáng)勁增長(zhǎng)。借助格芯的300mm
2018-12-02 10:36:123005

格芯推出業(yè)界首個(gè)300mm 硅鍺晶圓工藝技術(shù),以滿足數(shù)據(jù)中心和高速無(wú)線應(yīng)用需求

關(guān)鍵詞:硅鍺 , SiGe , 格芯 業(yè)界最先進(jìn)的高速硅鍺技術(shù)目前可用于TB通信和汽車?yán)走_(dá)應(yīng)用的300mm生產(chǎn)線 格芯今天宣布其先進(jìn)的硅鍺(SiGe)產(chǎn)品9HP目前可用于其300mm晶圓制造平臺(tái)
2018-12-03 07:35:01695

投資110億!年產(chǎn)480萬(wàn)片300mm大硅片項(xiàng)目落子嘉興科技城

據(jù)介紹,中晶(嘉興)半導(dǎo)體有限公司年產(chǎn)480萬(wàn)片300mm 大硅片項(xiàng)目由上海康峰投資管理有限公司投資建設(shè)。項(xiàng)目計(jì)劃總投資110億元,選址嘉興科技城產(chǎn)業(yè)加速與示范區(qū)。其中一期投資60億元,固定資產(chǎn)投資
2019-01-23 16:31:425966

羅方德正在為其位于新加坡伍德蘭的300mm晶圓廠Fab7尋找買家!

就在前不久,格羅方德宣布以2.36億美元的價(jià)格將旗下位于新加坡的200mm晶圓廠Fab3E賣給世界先進(jìn)半導(dǎo)體公司(Vanguard International Semiconductor),這個(gè)公司隸屬于臺(tái)積電集團(tuán),主要負(fù)責(zé)200mm晶圓廠業(yè)務(wù)。
2019-03-28 15:05:184024

安森美4.3億美元收購(gòu)格芯Fab10晶圓廠 將進(jìn)一步優(yōu)化格芯的全球資產(chǎn)

4月22日,格芯官網(wǎng)宣布將其位于美國(guó)紐約州East Fishkill的300mm (12英寸) Fab 10晶圓廠賣給安森美半導(dǎo)體
2019-04-23 16:29:144230

格芯紐約州300mm晶圓廠4.3億美元出售給安森美

GlobalFoundries(格芯)宣布與安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)達(dá)成最終協(xié)議,將位于美國(guó)紐約州East Fishkill的Fab 10 300mm晶圓廠賣給后者,價(jià)格為4.3億美元(約合人民幣28.9億元)。
2019-05-04 09:14:003424

格芯4.3億美元出售紐約300mm晶圓工廠

格芯宣布已就安森美半導(dǎo)體收購(gòu)格芯位于美國(guó)紐約州東菲什基爾的300mm工廠達(dá)成最終協(xié)議。
2019-04-24 13:58:012893

快訊:特斯拉發(fā)布自動(dòng)駕駛定制芯片,海寧設(shè)立20億元半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基金

該協(xié)議將使安森美在幾年內(nèi)增加其在東菲什基爾工廠的300mm產(chǎn)量,也將使格芯將其眾多技術(shù)轉(zhuǎn)移至其他三個(gè)300mm規(guī)模化核心工廠。根據(jù)協(xié)議條款的規(guī)定,格芯將生產(chǎn)用于半導(dǎo)體300mm芯片,直至2022年底。安森美首批300mm芯片的生產(chǎn)預(yù)計(jì)將于2020年啟動(dòng)。
2019-04-24 16:15:285248

格芯與安森美半導(dǎo)體達(dá)成最終協(xié)議 將300mm晶圓廠以4.3億美元賣給后者

GlobalFoundries(格芯)宣布與安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)達(dá)成最終協(xié)議,將位于美國(guó)紐約州EastFishkill的Fab 10 300mm晶圓廠賣給后者,價(jià)格為4.3億美元(約合人民幣28.9億元)。
2019-05-24 15:59:474516

300mm半導(dǎo)體硅片業(yè)務(wù)仍在產(chǎn)能爬坡階段

當(dāng)下,300mm半導(dǎo)體硅片業(yè)務(wù)仍在產(chǎn)能爬坡階段,固定成本攀升,研發(fā)投入加碼,公司短期盈利仍然承壓。
2020-10-30 15:48:293191

新昇半導(dǎo)體二期30萬(wàn)片/月產(chǎn)能將于2021年底達(dá)成

1月4日,新昇半導(dǎo)體新增30萬(wàn)片集成電路用300mm高端硅片研發(fā)與先進(jìn)制造項(xiàng)目正式開(kāi)工。
2021-01-05 14:46:273393

新昇半導(dǎo)體新增30萬(wàn)片集成電路用300mm高端硅片研發(fā)與先進(jìn)制造項(xiàng)目

項(xiàng)目包括和元智造精準(zhǔn)醫(yī)療產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目、新昇半導(dǎo)體新增30萬(wàn)片集成電路用300mm高端硅片研發(fā)與先進(jìn)制造項(xiàng)目、中建集團(tuán)第二總部及科創(chuàng)中心、智造園十期、智芯源二期、新能源汽車零部件配套產(chǎn)業(yè)基地等。
2021-01-06 15:20:435313

滬硅產(chǎn)業(yè)擬50億定增,擴(kuò)“先進(jìn)制程300mm硅片”產(chǎn)能

本次公司擬發(fā)行不超過(guò)7.44億股,募集資金總額不超50億元,其中15億將用于“集成電路制造用300mm高端硅片研發(fā)與先進(jìn)制造項(xiàng)目”,20億用于“300mm高端硅基材料研發(fā)中試項(xiàng)目”,剩余15億用于補(bǔ)充流動(dòng)性資金。
2021-01-13 13:53:012688

Nexperia計(jì)劃提高全球產(chǎn)量并增加研發(fā)支出 滿足不斷增長(zhǎng)的功率半導(dǎo)體需求

相吻合。去年,Nexperia的母公司聞泰科技承諾投資120億元人民幣(18.5億美元)在上海臨港新建一座300mm(12英寸)功率半導(dǎo)體晶圓廠。該晶圓廠將于2022年投入運(yùn)營(yíng),預(yù)計(jì)年產(chǎn)40萬(wàn)片晶圓。 Nexperia今年的計(jì)劃包括提高生產(chǎn)效率,并在其位于德國(guó)漢堡和英國(guó)曼徹斯特
2021-02-11 01:14:263032

英飛凌300毫米薄晶圓功率半導(dǎo)體高科技工廠正式啟動(dòng)運(yùn)營(yíng)

英飛凌科技股份公司今日宣布,其位于奧地利菲拉赫的300毫米薄晶圓功率半導(dǎo)體芯片工廠正式啟動(dòng)運(yùn)營(yíng)。
2021-09-17 17:37:271299

東芝建造新的300mm晶圓廠,擴(kuò)大功率半導(dǎo)體產(chǎn)能

近日,東芝宣布將在其位于日本石川縣的主要分立半導(dǎo)體生產(chǎn)基地—加賀東芝電子株式會(huì)社(Kaga Toshiba Electronics Corporation)建造一座新的300mm晶圓制造工廠,以擴(kuò)大功率半導(dǎo)體產(chǎn)能。
2022-02-22 13:16:183192

300mm晶圓廠將成為半導(dǎo)體行業(yè)主要新增生產(chǎn)線

預(yù)計(jì)美洲在 300 毫米晶圓廠產(chǎn)能中的全球份額將從 2021 年的 8% 上升到 2025 年的 9%,部分原因是美國(guó) CHIPS 法案的資金和激勵(lì)措施。
2022-10-13 10:46:501345

中國(guó)300mm前端Fab廠產(chǎn)能全球份額,2025年將增加至23%

中國(guó)300mm前端Fab廠產(chǎn)能的全球份額,預(yù)計(jì)將從2021的19%增加到2025年的23%,達(dá)到230萬(wàn)wpm。同時(shí),中國(guó)的300mm Fab廠產(chǎn)能將接近全球領(lǐng)先的韓國(guó),預(yù)計(jì)明年將超過(guò)目前排名第二的中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)。
2022-10-14 10:01:242938

中國(guó)大陸2025年300mm前端晶圓廠全球產(chǎn)能份額將增加至23%

Ajit Manocha補(bǔ)充道,目前SEMI正在追蹤67家新300mm晶圓廠、或預(yù)計(jì)從2022 ~ 2025年投建的主要新增生產(chǎn)線。
2022-10-19 15:10:401552

具有集成硅光芯片和晶圓級(jí)測(cè)試的300mm探針臺(tái)

CM300xi-SiPh 概述 具有集成硅光芯片和晶圓級(jí)測(cè)試的300mm探針臺(tái) CM300xi-SiPh 300mm探針臺(tái)是市場(chǎng)上第一個(gè)經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的硅光測(cè)量方案,安裝后即可進(jìn)行經(jīng)過(guò)工程和生產(chǎn)驗(yàn)證的優(yōu)化
2022-11-08 14:59:583683

2025年全球300毫米半導(dǎo)體晶圓廠產(chǎn)能創(chuàng)新高

SEMI發(fā)布報(bào)告指出,預(yù)計(jì)2025年全球300毫米半導(dǎo)體晶圓廠產(chǎn)能將達(dá)新高。
2022-11-09 14:40:511288

新建的300mm晶圓工廠是博世未來(lái)芯片制造的關(guān)鍵

一個(gè)300mm芯片包含上千個(gè)相同的半導(dǎo)體元件。生產(chǎn)半導(dǎo)體需要將三維的集成布局轉(zhuǎn)移到晶圓上。據(jù)博世的工程師介紹,這個(gè)流程需要重復(fù)27次,涉及約500道工序。根據(jù)所需電路系統(tǒng)的復(fù)雜性,這一過(guò)程有時(shí)甚至長(zhǎng)達(dá)數(shù)月之久。
2022-12-13 11:28:351850

SEMI報(bào)告:全球300mm晶圓廠2023年產(chǎn)能擴(kuò)張速度趨緩,2026年將創(chuàng)歷史新高

美國(guó)加州時(shí)間2023年3月27日,SEMI在《300mm晶圓廠展望報(bào)告-至2026年》(300mm Fab Outlook to 2026)中指出,全球半導(dǎo)體制造商預(yù)計(jì)2026年將增加300mm
2023-03-29 16:47:443376

東芝開(kāi)始建設(shè)300mm晶圓功率半導(dǎo)體制造工廠

Electronics Corporation)開(kāi)工新建一家300晶圓功率半導(dǎo)體制造工廠。該功率半導(dǎo)體制造工廠的建造將分兩個(gè)階段進(jìn)行,一期工程計(jì)劃于2024財(cái)年內(nèi)投產(chǎn)。東芝還將在新工廠附近建造一棟辦公樓,以滿足增員需求。 新工廠將具有抗震結(jié)構(gòu)和業(yè)務(wù)連續(xù)性計(jì)劃(BCP)
2023-06-29 17:45:021482

另有13家300mm晶圓廠將在2023年投產(chǎn)

 新的300晶圓廠將于2023年啟動(dòng),提供動(dòng)力晶體管、先進(jìn)邏輯、oem服務(wù)。將于2023年開(kāi)業(yè)的13個(gè)300mm 晶圓廠中有5個(gè)是非ic產(chǎn)品生產(chǎn),其中3個(gè)在中國(guó),2個(gè)在日本。今年新成立的300mm晶圓廠的三分之二正在進(jìn)行預(yù)定型生產(chǎn),其中4家完全致力于委托其他公司制造半導(dǎo)體
2023-07-20 09:25:501527

臺(tái)積電聯(lián)手博世、英飛凌、恩智浦投資歐洲半導(dǎo)體廠;Nvidia推出新AI芯片GH200,降低大型語(yǔ)言模型成本

大家好,歡迎收看河套IT WALK總第93期。 全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來(lái)了兩個(gè)重要時(shí)刻。臺(tái)積電、博世、英飛凌、恩智浦宣布共同投資歐洲半導(dǎo)體制造公司ESMC,計(jì)劃在德國(guó)德累斯頓建設(shè)一座300mm晶圓廠,專注
2023-08-09 19:35:011052

全球最大200毫米碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠將落戶馬來(lái)西亞

低碳化趨勢(shì)將推動(dòng)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)強(qiáng)勁增長(zhǎng),尤其是基于寬禁帶材料的功率半導(dǎo)體。全球功率系統(tǒng)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)正向構(gòu)建新的市場(chǎng)格局邁出又一決定性的一步——英飛凌將大幅擴(kuò)建居林晶圓廠
2023-08-11 17:08:361370

英飛凌如何控制基于SiC功率半導(dǎo)體器件的可靠性呢?

英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:492169

上海微系統(tǒng)所在300mm RF-SOI晶圓制造技術(shù)方面實(shí)現(xiàn)突破

近日,上海微系統(tǒng)所魏星研究員團(tuán)隊(duì)在300mm SOI晶圓制造技術(shù)方面取得突破性進(jìn)展,制備出了國(guó)內(nèi)第一片300mm 射頻(RF)SOI晶圓。
2023-10-23 09:16:452111

英飛凌與現(xiàn)代汽車、起亞汽車簽署了功率半導(dǎo)體供應(yīng)協(xié)議

英飛凌功率半導(dǎo)體對(duì)電動(dòng)汽車轉(zhuǎn)型至關(guān)重要。這種轉(zhuǎn)型將帶動(dòng)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)強(qiáng)勁增長(zhǎng),尤其是基于功能硅材料(如SiC)的半導(dǎo)體市場(chǎng)。通過(guò)在馬來(lái)西亞居林?jǐn)U建廠房,英飛凌將打造全球最大的8吋SiC功率半導(dǎo)體
2023-11-07 11:00:571237

德國(guó)反壟斷批準(zhǔn)博世、英飛凌和恩智浦入股臺(tái)積電

 該晶圓廠將采用臺(tái)積電的28/22納米平面互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)和16/12納米鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程技術(shù),預(yù)計(jì)月產(chǎn)能將達(dá)到約40,000片300mm(12英寸)晶圓。
2023-11-08 15:24:081578

現(xiàn)代汽車、起亞與英飛凌簽署功率半導(dǎo)體長(zhǎng)期供貨協(xié)議

【 2023 年 11 月 7 日 ,德國(guó)慕尼黑 訊】 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)與現(xiàn)代汽車和起亞簽署了碳化硅(SiC)和硅(Si)功率半導(dǎo)體長(zhǎng)期供貨
2023-11-09 14:07:51766

美國(guó)主要晶圓廠項(xiàng)目有哪些?

臺(tái)積電 – 最大的半導(dǎo)體晶圓代工廠,總部位于中國(guó)臺(tái)灣。臺(tái)積電目前擁有六座 300mm 晶圓廠。除其中一家位于中國(guó)南京外,其余均位于中國(guó)臺(tái)灣。
2023-12-21 15:08:031625

印度首家能夠加工300mm晶圓的商業(yè)設(shè)施誕生!

美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備制造商應(yīng)用材料公司在印度班加羅爾開(kāi)設(shè)了一個(gè)驗(yàn)證中心,標(biāo)志著印度首家能夠加工300mm晶圓的商業(yè)設(shè)施誕生。
2024-03-12 10:03:031288

創(chuàng)新高!2027年300mm晶圓廠設(shè)備支出將達(dá)1370億美元

來(lái)源:SEMI,謝謝 編輯:感知芯視界 Link 近日,SEMI發(fā)布《300mm晶圓廠2027年展望報(bào)告(300mm Fab Outlook Report to 2027) 》指出,由于內(nèi)存市場(chǎng)復(fù)蘇
2024-03-27 09:06:491104

英飛凌為麥田能源提供功率半導(dǎo)體,助力提升儲(chǔ)能應(yīng)用效率

英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)為快速成長(zhǎng)的綠色能源行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者、逆變器及儲(chǔ)能系統(tǒng)制造商——麥田能源提供功率半導(dǎo)體器件,共同推動(dòng)綠色能源發(fā)展。英飛凌將為麥田能源提供
2024-04-18 08:14:12991

英飛凌將向小米汽車供應(yīng)先進(jìn)功率半導(dǎo)體

近日,德國(guó)知名芯片制造商英飛凌宣布與新興電動(dòng)汽車制造商小米達(dá)成重要合作。根據(jù)協(xié)議,英飛凌將為小米汽車持續(xù)供應(yīng)先進(jìn)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品,直至2027年。
2024-05-07 14:56:291250

英飛凌將向小米汽車供應(yīng)先進(jìn)功率半導(dǎo)體

英飛凌與小米汽車近日簽署了一項(xiàng)重要的合作協(xié)議,根據(jù)該協(xié)議,英飛凌將在未來(lái)五年內(nèi),即2027年之前,為小米汽車提供先進(jìn)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。這一舉措將大大增強(qiáng)小米汽車在電動(dòng)汽車領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。
2024-05-14 10:04:091085

恒元光電成功研制出12英寸(直徑300mm)光學(xué)級(jí)鈮酸鋰晶體

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,近日,山東恒元半導(dǎo)體科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“恒元光電”)在濟(jì)南市“揭榜掛帥”科技計(jì)劃項(xiàng)目的支持下,成功研制出12英寸(直徑300mm)光學(xué)級(jí)鈮酸鋰晶體。
2024-05-17 09:28:382833

東芝300mm晶圓功率半導(dǎo)體工廠竣工,產(chǎn)能將增至去年的2.5倍

5 月 24 日,日本東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置部于官網(wǎng)上發(fā)文稱,其 300mm 晶圓功率半導(dǎo)體制造廠與辦公室已于日前正式完工。
2024-05-24 16:52:191317

東芝宣布其300mm晶圓功率半導(dǎo)體制造工廠和辦公樓竣工

近日,東芝電子器件與存儲(chǔ)株式會(huì)社(下簡(jiǎn)稱“東芝”)宣布其300mm晶圓功率半導(dǎo)體制造工廠和辦公樓竣工。目前將繼續(xù)進(jìn)行設(shè)備安裝,計(jì)劃在2024財(cái)年下半年開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)。
2024-05-29 18:05:571764

獲臺(tái)積電授權(quán),恩智浦、世界先進(jìn)計(jì)劃投資 78 億美元在新加坡建造300mm晶圓廠

年下半年開(kāi)始在新加坡新建一座 300mm 晶圓制造廠,并將通過(guò)臺(tái)積電授權(quán)獲得基礎(chǔ)工藝技術(shù),屆時(shí)可為 130nm 至 40nm 混合信號(hào)、電源管理和模擬產(chǎn)品提供支持,主要面向汽車、工業(yè)、消費(fèi)和移動(dòng)終端
2024-07-08 16:37:22933

世界先進(jìn)與恩智浦宣布在新加坡共建12英寸晶圓廠

Company(VSMC),以推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。該合資公司將投資78億美元,興建一座先進(jìn)的12英寸(300mm晶圓廠
2024-06-07 09:48:071347

132億元!滬硅產(chǎn)業(yè)擴(kuò)產(chǎn)300mm半導(dǎo)體硅片

來(lái)源:滬硅產(chǎn)業(yè)公告 6月12日,滬硅產(chǎn)業(yè)發(fā)布公告稱,為積極響應(yīng)國(guó)家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略,加速推進(jìn)公司長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃,搶抓半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展機(jī)遇,持續(xù)擴(kuò)大公司集成電路用300mm硅片的生產(chǎn)規(guī)模,提升公司
2024-06-14 10:13:451016

英飛凌馬來(lái)西亞居林晶圓廠建設(shè)進(jìn)展順利

近日,全球半導(dǎo)體巨頭英飛凌宣布,其位于馬來(lái)西亞居林的200mm碳化硅(SiC)功率晶圓廠第一階段建設(shè)已圓滿完成。這座晶圓廠不僅是英飛凌戰(zhàn)略布局的重要一環(huán),更是馬來(lái)西亞政府旨在提升國(guó)內(nèi)芯片產(chǎn)量的千億美元投資計(jì)劃的核心項(xiàng)目。
2024-06-15 16:09:452645

英飛凌馬來(lái)西亞居林碳化硅晶圓廠,全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新引擎

在今日科技日新月異,半導(dǎo)體技術(shù)蓬勃發(fā)展的時(shí)代背景下,德國(guó)科技巨頭英飛凌近日在半導(dǎo)體行業(yè)再次掀起了波瀾。據(jù)報(bào)道,該公司已完成位于馬來(lái)西亞居林的200mm碳化硅(SiC)功率晶圓廠的第一階段建設(shè),預(yù)示著這一全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體生產(chǎn)基地即將正式投入運(yùn)營(yíng)。
2024-06-15 16:41:591293

英飛凌于馬來(lái)西亞啟用全球最大且最高效的碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠

馬來(lái)西亞總理、吉打州州務(wù)大臣與英飛凌管理層共同出席了新晶圓廠一期項(xiàng)目的生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)啟動(dòng)儀式。 新晶圓廠將進(jìn)一步鞏固和增強(qiáng)英飛凌在全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。 強(qiáng)有力的客戶支持與承諾以及重要的設(shè)計(jì)訂單為
2024-08-09 10:22:31775

英飛凌于馬來(lái)西亞啟用全球最大且最高效的碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠

●馬來(lái)西亞總理、吉打州州務(wù)大臣與英飛凌管理層共同出席了新工廠一期項(xiàng)目的生產(chǎn)啟動(dòng)儀式。●新晶圓廠將進(jìn)一步鞏固和增強(qiáng)英飛凌在全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。●強(qiáng)有力的客戶支持與承諾以及重要的設(shè)計(jì)訂單為持續(xù)
2024-08-10 08:14:46852

英飛凌率先開(kāi)發(fā)全球首項(xiàng)300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù),推動(dòng)行業(yè)變革

科技股份公司今天宣布,已成功開(kāi)發(fā)出全球首項(xiàng)300mm氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體晶圓技術(shù)。英飛凌是全球首家在現(xiàn)有且可擴(kuò)展的大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中掌握這一突破性技術(shù)的企業(yè)。這項(xiàng)
2024-09-13 08:04:20947

SEMI報(bào)告:未來(lái)三年全球半導(dǎo)體行業(yè)計(jì)劃在300mm晶圓廠設(shè)備上投資4000億美元

2025年到2027年,全球300mm晶圓廠設(shè)備支出預(yù)計(jì)將達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的4000億美元。強(qiáng)勁的支出是由半導(dǎo)體晶圓廠的區(qū)域化以及數(shù)據(jù)中心和邊緣設(shè)備對(duì)人工智能(AI)芯片日益增長(zhǎng)的需求推動(dòng)的。 2024年
2024-09-29 15:20:231281

英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓,突破技術(shù)極限并提高能效

已獲認(rèn)可并向客戶發(fā)布。繼宣布推出全球首款300mm氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體晶圓和在馬來(lái)西亞居林建成全球最大的200mm碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體晶圓廠之后,英飛凌
2024-10-31 08:04:38826

英飛凌削減投資,推遲居林晶圓廠擴(kuò)建

近日,半導(dǎo)體市場(chǎng)低迷的態(tài)勢(shì)對(duì)英飛凌科技產(chǎn)生了影響,公司決定推遲其位于馬來(lái)西亞居林的“超級(jí)晶圓廠”第二階段建設(shè),并將該項(xiàng)目的投資削減10%。
2024-11-14 14:23:37900

RFTOP WR28 300mm可扭軟波導(dǎo)實(shí)測(cè)對(duì)比

近日高品質(zhì)微波毫米波器件供應(yīng)商RFTOP(頻優(yōu)微波)采用國(guó)內(nèi)外三款矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀,對(duì)WR28 300mm可扭軟波導(dǎo)RWGFT28-300進(jìn)行實(shí)測(cè)對(duì)比。此次被測(cè)可扭軟波導(dǎo)的測(cè)試頻段為26.5GHz-40GHz,
2024-11-20 16:14:571520

英飛凌全新一代氮化鎵產(chǎn)品重磅發(fā)布,電壓覆蓋700V!

呈現(xiàn)出爆發(fā)式增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。英飛凌長(zhǎng)期深耕氮化鎵領(lǐng)域,再次推動(dòng)了氮化鎵革命,率先成功開(kāi)發(fā)出了全球首個(gè)300mm氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體晶圓技術(shù),是全球首家在現(xiàn)有且可擴(kuò)展的
2024-12-06 01:02:431400

英飛凌將在泰國(guó)新建半導(dǎo)體工廠

德國(guó)半導(dǎo)體巨頭英飛凌科技(Infineon Technologies)近日宣布了一項(xiàng)重要決策,將在泰國(guó)設(shè)立一座全新的半導(dǎo)體工廠。這座工廠將專注于功率半導(dǎo)體的組裝工作,屬于“后工序”生產(chǎn)環(huán)節(jié)。
2025-01-22 15:48:001026

芯向未來(lái) ,2025 英飛凌消費(fèi)、計(jì)算與通訊創(chuàng)新大會(huì)成功舉辦

國(guó)內(nèi)展示了英飛凌兩款突破性技術(shù)——300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體晶圓和20μm超薄硅功率晶圓,彰顯了英飛凌在技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,并解讀最新產(chǎn)品與解決方案,為行業(yè)注入新動(dòng)能,助力企業(yè)在低碳數(shù)字變革的浪潮中把握先機(jī)。 2025?英飛凌消費(fèi)、計(jì)算與通訊創(chuàng)新大會(huì)
2025-03-17 16:08:17529

英飛凌榮獲全球半導(dǎo)體聯(lián)盟(GSA)頒發(fā)的“EMEA杰出半導(dǎo)體企業(yè)”大獎(jiǎng)

【2025年12月10****日, 德國(guó)慕尼黑訊】 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)榮獲由全球半導(dǎo)體聯(lián)盟(以下簡(jiǎn)稱
2025-12-10 15:36:28414

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