300nm晶圓首次用于制造功率器件，英飛凌推出超結MOSFET

　　英飛凌科技公司將“全球首次”使用口徑300mm的硅晶圓制造功率半導體。具體產品是有超結（Super Junction）構造的功率MOSFET“CoolMOS系列產品”，由奧地利菲拉赫工廠生產。據介紹，該產品已于2013年2月接到了第一筆訂單。

　　英飛凌目前正在使用200mm晶圓制造功率MOSFET。換成300mm晶圓以后，一塊晶圓可生產的芯片數量將增至2.5倍。

　　在菲拉赫工廠，今后300mm技術將取代200mm成為核心技術。

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MOSFET(230966) MOSFET(230966)
晶圓(131886) 晶圓(131886)
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IR推出具有基準導通電阻的全新300V功率MOSFET

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德國慕尼黑和奧地利維也納訊——英飛凌科技股份公司準備新建一座功率半導體工廠。作為功率半導體市場的領導者，英飛凌將通過此項投資，為其長期盈利性增長奠定基礎。英飛凌將在奧地利菲拉赫現有生產基地附近，新建一座全自動化芯片工廠，用于制造300毫米薄晶圓。

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更高密度的低功率SMPS設計需要越來越多的高壓MOSFET器件。英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出CoolMOS? P7系列的新成員950 V CoolMOS P7超結MOSFET器件。

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最新一代面向汽車應用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅固的功率封裝。該系列產品采用了 300 毫米薄晶圓技術和創新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有

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英飛凌率先開發全球首項300 mm氮化鎵功率半導體技術，推動行業變革

2024年9月11日訊，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今天宣布，已成功開發出全球首項300 mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓技術。英飛凌是全球首家在現有且

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英飛凌宣布推出全球最薄硅功率晶圓，國產器件同質化競爭的情況要加劇了？

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安森美半導體全球制造高級副總裁Mark Goranson最近訪問了Mountain Top廠，其8英寸晶圓廠正慶祝制造8英寸晶圓20周年。1997年，Mountain Top點開設了一個新建的8英寸功率

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功率MOSFET數據表解析

功率MOSFET數據表包含器件特性、額定值和性能詳細信息，這對應用中MOSFET的選用至關重要。雖然每一應用都是獨一無二的，MOSFET數據表可提供有用的信息用于初始功率損失的計算，并提供器件性能

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晶圓制造工藝的流程是什么樣的？

圓比人造鉆石便宜多了，感覺還是很劃算的。硅的純化I——通過化學反應將冶金級硅提純以生成三氯硅烷硅的純化II——利用西門子方法，通過三氯硅烷和氫氣反應來生產電子級硅二、制造晶棒晶體硅經過高溫成型，采用

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晶圓制造資料分享

晶圓制造的基礎知識，適合入門。

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晶圓凸起封裝工藝技術簡介

時間長，因此不適合I/O引腳多的封裝件。另一種技術是先置放焊球，再對預成形的焊球進行回流焊處理，這種技術適用于引腳數多達300的封裝件。目前用得最多的兩種晶圓凸起工藝是電解或化學電鍍焊料，以及使用高精度壓印平臺

2011-12-01 14:33:02

晶圓封裝有哪些優缺點？

圖為一種典型的晶圓級封裝結構示意圖。晶圓上的器件通過晶圓鍵合一次完成封裝，故而可以有效減小封裝過程中對器件造成的損壞。　　　　圖1 晶圓級封裝工藝過程示意圖　　1 晶圓封裝的優點　　1）封裝加工

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晶圓生產制造

本人想了解下晶圓制造會用到哪些生產輔材或生產耗材

2017-08-24 20:40:10

晶圓的制造過程是怎樣的？

2021-06-18 07:55:24

晶圓的結構是什么樣的？

測試晶格:指晶圓表面具有電路元件及特殊裝置的晶格，在晶圓制造期間，這些測試晶格需要通過電流測試，才能被切割下來　　4 邊緣晶格：晶圓制造完成后，其邊緣會產生部分尺寸不完整的晶格，此即為邊緣晶格，這些

2011-12-01 15:30:07

晶圓級封裝的方法是什么？

晶圓級封裝技術源自于倒裝芯片。晶圓級封裝的開發主要是由集成器件制造廠家（IBM）率先啟動。1964年，美國IBM公司在其M360計算器中最先采用了FCOB焊料凸點倒裝芯片器件。

2020-03-06 09:02:23

晶圓表面各部分的名稱

（Engineering die，test die）：這些芯片與正式器件（或稱電路芯片）不同。它包括特殊的器件和電路模塊用于對晶圓生產工藝的電性測試。（4）邊緣芯片（Edge die）：在晶圓的邊緣上的一些掩膜殘缺不全

2020-02-18 13:21:38

晶元回收植球ic回收晶圓回收

,、WAFER承載料盒、晶圓提籃,芯片盒,晶圓包裝盒,晶圓包裝,晶圓切片,晶圓生產，晶圓制造，晶圓清洗，晶圓測試，晶圓切割，晶圓代工，晶圓銷售，晶圓片測試，晶圓運輸用包裝盒，晶圓切割,防靜電IC托盤(IC

2020-07-10 19:52:04

英飛凌40V和60V MOSFET

，從而在不改變封裝體積的情況下提高輸出功率。另一個普遍的希望是，能夠最終避免采用插件封裝的器件（比如TO220、TO247）。阻斷電壓為40V和60V的最新一代英飛凌MOSFET，如今可滿足設計工

2018-12-06 09:46:29

英飛凌700瓦L波段射頻功率晶體管

　　導讀：近日，英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業界最高的L波段輸出功率（700瓦），適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達系統。這種新型器件可通過減少

2018-11-29 11:38:26

IR推出系列新型HEXFET功率MOSFET

`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業界最低導通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關鍵詞】：功率損耗,導通電

2010-05-06 08:55:20

OptiMOS 3功率MOSFET系列產品為高能效產品提供更高性能

的MOSFET設計，就無法做到這一點。2006年，英飛凌為了滿足客戶的要求，推出了OptiMOS? 2 100 V MOSFET[1]。它是該電壓等級里采用電荷補償技術的第一個功率MOSFE器件。相對于傳統

2018-12-07 10:21:41

SiC MOSFET的器件演變與技術優勢

給最終客戶。此外，與100毫米晶圓相比，150毫米晶圓上的制造產生的器件數量增加了一倍以上，這極大地影響了每個裸片的成本。價格的一些跡象如圖7所示，基于Digi-Key商用SiC MOSFET的調查

2023-02-27 13:48:12

ti推出可在單一器件內提供光功率計功能的光數字傳感器opt3002

300nm 和 1000nm 之間。憑借內置的滿量程設置功能，無需手動選擇滿量程范圍即可在 1.2nW/cm2 至 10mW/cm2 范圍內進行測量。該功能允許在 23 位有效動態范圍內進行光測量。測量結果

2016-08-30 21:30:24

什么晶圓？如何制造單晶的晶圓？

納米到底有多細微？什么晶圓？如何制造單晶的晶圓？

2021-06-08 07:06:42

什么是晶圓測試？怎樣進行晶圓測試？

的晶粒時，標有記號的不合格晶粒會被洮汰，不再進行下一個制程，以免徒增制造成本。在晶圓制造完成之后，晶圓測試是一步非常重要的測試。這步測試是晶圓生產過程的成績單。在測試過程中，每一個芯片的電性能力和電路

2011-12-01 13:54:00

單晶的晶圓制造步驟是什么？

2021-06-08 06:58:26

單片機晶圓制造工藝及設備詳解

今日分享晶圓制造過程中的工藝及運用到的半導體設備。晶圓制造過程中有幾大重要的步驟：氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴散等。這幾個主要步驟都需要若干種半導體設備，滿足不同的需要。設備中應用較為廣泛

2018-10-15 15:11:22

如何為電源用高壓超結MOSFET增加晶圓級可配置性？

時，考慮了激光調整，以防止激光熱量的注入影響整個晶體管的工作。應用混合信號制造技術而不影響可制造性成本。總結在批量生產中使用激光修整已經進行了多年。在高壓超結功率MOSFET的情況下，采用這種制造技術是獨特且開創性的。它不僅為設計人員追求電路優化開辟了許多新方法，而且這種微調選項可用于大批量生產。

2023-02-27 10:02:15

如何去測量功率器件的結溫？

測量和校核開關電源、電機驅動以及一些電力電子變換器的功率器件結溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結溫，是一個不可或缺的過程，功率器件的結溫與其安全性、可靠性直接相關。測量功率器件的結溫常用二種方法：

2021-03-11 07:53:26

揭秘切割晶圓過程——晶圓就是這樣切割而成

過處理之后成為光罩這些就是最后完成的晶圓成品接下來看晶圓切割形成成品之后的晶圓還要經過切割才能成為應用于芯片制造。這里演示的就是晶圓切割放大觀看接下來是演示經過切割的晶圓的一些應用。可以應用于芯片制造、液晶顯示屏制造或者手機芯片制造等。 ``

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測量功率器件的結溫常用的方法

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2021-03-17 07:00:20

激光用于晶圓劃片的技術與工藝

激光用于晶圓劃片的技術與工藝      激光加工為無接觸加工，激光能量通過聚焦后獲得高能量密度，直接將硅片

2010-01-13 17:01:57

硅晶圓是什么？硅晶圓和晶圓有區別嗎？

`什么是硅晶圓呢，硅晶圓就是指硅半導體積體電路制作所用的硅晶片。晶圓是制造IC的基本原料。硅晶圓和晶圓有區別嗎？其實二者是一個概念。集成電路（IC）是指在一半導體基板上，利用氧化、蝕刻、擴散等方法

2011-12-02 14:30:44

蘇州天弘激光推出新一代激光晶圓劃片機

;   2010年1月3日，蘇州天弘激光股份有限公司推出了新一代激光晶圓劃片機，該激光劃片機應用于硅晶圓、玻璃披覆（玻鈍）二極管等半導體晶圓的劃片和切割，技術領先于國內

2010-01-13 17:18:57

解析LED晶圓激光刻劃技術

及LED器件，這樣就很大程度上降低了LED晶圓的產出效率。激光加工是非接觸式加工，作為傳統機械鋸片切割的替代工藝，激光劃片切口非常小，聚焦后的激光微細光斑作用的晶圓表面迅速氣化材料，在LED有源區之間制造

2011-12-01 11:48:46

超級結MOSFET

，Si-MOSFET在這個比較中，導通電阻與耐壓略遜于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率條件下，高速工作表現更佳。平面MOSFET與超級結MOSFETSi-MOSFET根據制造工藝可分為平面

2018-11-28 14:28:53

超級結MOSFET的優勢

等級，同時，在器件導通時，形成一個高摻雜N+區，作為功率MOSFET導通時的電流通路，也就是將反向阻斷電壓與導通電阻功能分開，分別設計在不同的區域，就可以實現上述的要求。基于超結

2018-10-17 16:43:26

超結理論的產生與發展及其對高壓MOSFET器件設計的影響

超結理論的產生與發展及其對高壓MOSFET器件設計的影響:對超結理論的產生背景及其發展過程進行了介紹。以應用超結理論的COOLMOSTM 器件為例，介紹了超結器件的工作原理、存在的缺

2009-12-13 19:57:27

半導體行業協會：300mm晶圓已經占據統治地位

半導體行業協會：300mm晶圓已經占據統治地位據半導體行業協會（SIA）表示，300mm晶圓的產能和實際產量首次排名第一，占芯片總產能的44%、芯片實際總產量的47%。SIA引用了W

2008-09-05 10:54:42

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英飛凌欲借新一代超結MOSFET樹立硬開關應用基準

英飛凌欲借新一代超結MOSFET樹立硬開關應用基準 英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個產品系列的優勢，可降低設

2009-06-23 21:17:44

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英飛凌推出適用于節能家電的創新功率轉換器件

英飛凌推出適用于節能家電的創新功率轉換器件 英飛凌科技股份公司近日推出適用于節能家用電器電機驅動裝置的功率轉換器件系列。全新的600V RC IGBT驅動系列（RC指

2010-01-25 08:44:19

1090

#2022慕尼黑華南電子展 #晶圓測試 #晶圓制造過程 #SSD開卡

晶圓晶圓制造

艾迪科電子發布于 2022-11-18 13:31:37

英飛凌以300mm薄晶圓產出首款功率半導體晶片

英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布已于奧地利菲拉赫(Villach)據點生產出首款 300mm (12寸)薄晶圓之功率半導體晶片(first silicon)，成為全球首家進一步成功采用此技術的公司。采用300mm薄晶圓

2011-10-14 09:51:43

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英飛凌科技推出汽車封裝無鉛功率MOSFET

英飛凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET

2011-12-08 10:42:45

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半導體功率器件MOSFET持續大漲上游硅晶圓等原料持續走高

功率半導體行情回暖，MOSFET供不應求加劇，交期不斷拉長，國內外MOSFET企業紛紛調漲，目前整體漲勢仍然未見緩和。由于汽車電子等新增需求持續爆發，半導體產業鏈出現缺貨，上游硅晶圓等原料持續走高。

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淺談晶圓制造工藝過程

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2018-04-16 11:27:00

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英飛凌將在奧地利新建一座全自動化芯片工廠用于制造300毫米薄晶圓

，用于制造300毫米薄晶圓。奧地利***Sebastian Kurz、英飛凌首席執行官Reinhard Ploss博士和英飛凌奧地利首席執行官Sabine Herlitschka博士在維也納共同為該項

2018-05-21 17:18:00

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晶圓制造流程

本文首先介紹了什么是晶圓，其次詳細的闡述了晶圓制造的14個步驟流程。

2018-08-21 17:12:46

51693

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2019-03-12 09:26:00

931

簡述晶圓制造工藝流程和原理

晶圓的制造在半導體領域，科技含量相當的高，技術工藝要求非常高。而我們國半導體事業起步較晚，在晶圓的制造上還處于建設發展階段。現在我國主要做的是晶圓的封測。我國的晶圓封測規模和市場都是全球首屈一指的，約占全球約1/4。

2019-08-12 14:13:00

48167

臺積電5nm晶圓價格對比7nm漲幅超80%

12nm技術制造的300mm晶片的價格為3,984美元。當然，因為晶體管密度大增，同是300mm（12寸）晶圓能切割出來的芯片增多

2020-10-10 17:57:07

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2020-10-12 15:47:45

2325

中國功率MOSFET主要供應商的排名

2020年受到疫情影響，8寸晶圓外延片延期交貨，產能緊缺，而下游需求旺盛，近期8寸晶圓線代工廠紛紛上調價格。功率MOSFET生產主要使用8寸晶圓，由于受到產能的限制，2020年功率器件的市場供給仍然

2020-11-05 10:44:39

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功率器件結溫和殼頂溫度有什么區別

2020-11-23 14:53:00

法國Aledia試線實現300mm硅晶圓microLED芯片的開發生產

率先推出了具有突破性意義的microLED顯示技術，并宣布已制造出全球首批300mm（12英寸）硅晶圓microLED芯片。 ? ? ? ? Aledia在過去八年里一直采用200mm（8英寸）硅晶圓

2020-12-23 10:40:47

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英飛凌300毫米薄晶圓功率半導體高科技工廠正式啟動運營

英飛凌科技股份公司今日宣布，其位于奧地利菲拉赫的300毫米薄晶圓功率半導體芯片工廠正式啟動運營。

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華虹半導體成為全球功率器件晶圓制造領域的領導者

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用于高壓GaN器件的GaN Epi晶圓制造

氮化鎵已成為事實上的第三代半導體材料。然而，以您需要的質量和所需的熱阻制造 GaN 晶圓是晶圓廠仍在努力克服的挑戰。

2022-07-29 15:26:05

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傳統功率MOSFET與超級結MOSFET的區別

超級結又稱超結，是制造功率場效應晶體管的一種技術，其名稱最早岀現于1993年。傳統高壓功率MOSFET的擊穿電壓主要由n型外延層和p型體區形成的pn結耗盡區的耐壓決定，又因p型體區摻雜濃度較高，耗盡區承壓主要在外延n-層。

2022-09-13 14:38:57

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晶圓制造與芯片制造的區別

晶圓制造和芯片制造是半導體行業中兩個非常重要的環節，它們雖然緊密相連，但是卻有一些不同之處。下面我們來詳細介紹晶圓制造和芯片制造的區別。

2023-06-03 09:30:44

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SiC MOSFET的設計和制造

首先，是一張制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。

2023-08-06 10:49:07

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首批溝槽型MOSFET器件晶圓下線

2023年8月1日，九峰山實驗室6寸碳化硅（SiC）中試線全面通線，首批溝槽型MOSFET器件晶圓下線。實驗室已具備碳化硅外延、工藝流程、測試等全流程技術服務能力。

2023-08-11 17:00:54

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上海微系統所在300mm RF-SOI晶圓制造技術方面實現突破

近日，上海微系統所魏星研究員團隊在300mm SOI晶圓制造技術方面取得突破性進展，制備出了國內第一片300mm 射頻（RF）SOI晶圓。

2023-10-23 09:16:45

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英飛凌推出首款采用OptiMOS 7技術的15 V溝槽功率MOSFET

英飛凌推出業內首款采用全新 OptiMOS 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經過系統和應用優化，主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉換。英飛凌是首家推出15

2023-12-29 12:30:49

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英飛凌與Wolfspeed擴大并延長晶圓供應協議

英飛凌科技（Infineon Technologies）與美國半導體制造商Wolfspeed近日宣布，雙方將擴大并延長現有的晶圓供應協議。這一協議的擴展將進一步加強英飛凌與Wolfspeed之間的合作關系，以滿足市場對碳化硅（SiC）晶圓產品日益增長的需求。

2024-01-24 17:19:52

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東芝300mm晶圓功率半導體工廠竣工，產能將增至去年的2.5倍

5 月 24 日，日本東芝電子元件及存儲裝置部于官網上發文稱，其 300mm 晶圓功率半導體制造廠與辦公室已于日前正式完工。

2024-05-24 16:52:19

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東芝宣布其300mm晶圓功率半導體制造工廠和辦公樓竣工

近日，東芝電子器件與存儲株式會社（下簡稱“東芝”）宣布其300mm晶圓功率半導體制造工廠和辦公樓竣工。目前將繼續進行設備安裝，計劃在2024財年下半年開始大規模生產。

2024-05-29 18:05:57

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英飛凌推出600V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列

英飛凌再次引領行業潮流，最新推出的600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，以其卓越的技術創新和卓越性價比，在全球范圍內樹立了高壓超級結MOSFET技術的新標桿。作為英飛凌新一代硅基

2024-09-03 14:50:45

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英飛凌率先開發全球首項300mm氮化鎵功率半導體技術，推動行業變革

科技股份公司今天宣布，已成功開發出全球首項300mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓技術。英飛凌是全球首家在現有且可擴展的大規模生產環境中掌握這一突破性技術的企業。這項

2024-09-13 08:04:20

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英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓

在半導體制造技術領域，英飛凌再次取得了新的里程碑。近日，該公司宣布成功推出全球最薄的硅功率晶圓，這一突破性進展展示了英飛凌在半導體材料處理方面的卓越實力。

2024-10-30 18:02:39

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英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓，突破技術極限并提高能效

已獲認可并向客戶發布。繼宣布推出全球首款300mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓和在馬來西亞居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半導體晶圓廠之后，英飛凌

2024-10-31 08:04:38

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晶圓制造及直拉法知識介紹

晶圓是集成電路、功率器件及半導體分立器件的核心原材料，超過90%的集成電路均在高純度、高品質的晶圓上制造而成。晶圓的質量及其產業鏈供應能力，直接關乎集成電路的整體性能和競爭力。今天我們將詳細介紹

2025-01-09 09:59:26

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功率器件晶圓測試及封裝成品測試介紹

???? 本文主要介紹功率器件晶圓測試及封裝成品測試。?????? ? 晶圓測試（CP）???? 如圖所示為典型的碳化硅晶圓和分立器件電學測試的系統，主要由三部分組成，左邊為電學檢測探針臺阿波羅

2025-01-14 09:29:13

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英飛凌首批采用200毫米晶圓工藝制造的SiC器件成功交付

眾所周知，幾乎所有 SiC 器件都是在 150 毫米晶圓上制造的，使用更大的晶圓存在重大挑戰。從 200 毫米晶圓出貨器件是降低 SiC 器件成本的關鍵一步，其他公司也在開發 200 毫米技術

2025-02-19 11:16:55

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芯片制造的畫布：晶圓的奧秘與使命

芯片制造的畫布芯片制造的畫布：晶圓的奧秘與使命在芯片制造的宏大舞臺上，晶圓（Wafer）扮演著至關重要的角色。它如同一張潔白的畫布，承載著無數工程師的智慧與夢想，見證著從砂礫到智能的奇跡之旅。晶

2025-03-10 17:04:25

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半導體晶圓制造流程介紹

本文介紹了半導體集成電路制造中的晶圓制備、晶圓制造和晶圓測試三個關鍵環節。

2025-04-15 17:14:37

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300nm晶圓首次用于制造功率器件，英飛凌推出超結MOSFET

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