格芯今天宣布其先進的硅鍺（SiGe）產品9HP目前可用于其300mm晶圓制造平臺的原型設計。這表明300mm生產線將形成規模優勢，進而促進數據中心和高速有線/無線應用的強勁增長。借助格芯的300mm專業生產技術，客戶可以充分提高光纖網絡、5G毫米波無線通信和汽車雷達等高速應用產品的生產效率和再現性能。

格芯是高性能硅鍺解決方案的行業領導者，在佛蒙特州伯靈頓工廠用200mm生產線進行生產。將9Hp（一種90nm 硅鍺工藝）遷移至紐約州東菲什基爾的格芯Fab 10工廠實現300mm晶圓生產技術，將會保持這一行業領先地位，并奠定300mm晶圓工藝基礎，有助于進一步發展產品線，確保工藝性能持續增強和微縮。

「高帶寬通信系統日益復雜，性能需求也隨之水漲船高，這些都需要更高性能的芯片解決方案，」格芯的RF業務部副總裁 Christine Dunbar表示。「格芯的9HP旨在提供出色的性能，其300mm生產工藝將能夠滿足客戶的高速有線和無線組件需求，助力未來的數據通信發展。」

格芯的9HP延續了成熟的高性能硅鍺BiCMOS技術的優勢，支持微波和毫米波頻率應用高數據速率的大幅增長，適用于下一代無線網絡和通信基礎設施，如 TB級光纖網絡、5G毫米波和衛星通信（SATCOM）以及儀器儀表和防御系統。該技術提供出色的低電流/高頻率性能，改善了異質結雙極晶體管（HBT）性能，與之前的硅鍺 8XP和8HP相比，最大振蕩頻率（Fmax）提高了35％，達到370GHz。

在紐約東菲什基爾的Fab 10工廠，正在進行基于多項目晶圓（MPW）的9HP 300mm工藝客戶原型設計，預計2019年第二季度將提供合格的工藝和設計套件。