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電子發燒友網>安全設備/系統>格芯推出業界首個300mm 硅鍺晶圓工藝技術,以滿足數據中心和高速無線應用需求

格芯推出業界首個300mm 硅鍺晶圓工藝技術,以滿足數據中心和高速無線應用需求

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臺積電擔憂大陸封城影響半導體需求 科微0.153μmCIS工藝量產

科微0.153μm, CIS工藝量產 中國際年報出爐 ,臺積電擔憂大陸封城影響半導體需求.
2022-03-31 16:55:583050

英韌科技推PCIe 5.0控制器 滿足數據中心存儲及計算需求

英韌科技推出PCIe 5.0控制器——Tacoma IG5669,順序讀取速度高達14GB/s,支持容量32TB,充分發揮PCIe 5.0技術帶來的性能提升,滿足數據中心快速增長的數據存儲及計算需求
2022-05-27 09:23:082195

具有集成光芯片和級測試的300mm探針臺

CM300xi-SiPh 概述 具有集成光芯片和級測試的300mm探針臺 CM300xi-SiPh 300mm探針臺是市場上第一個經過驗證的光測量方案,安裝后即可進行經過工程和生產驗證的優化
2022-11-08 14:59:583683

新建的300mm工廠是博世未來芯片制造的關鍵

一個300mm芯片包含上千個相同的半導體元件。生產半導體需要將三維的集成布局轉移到上。據博世的工程師介紹,這個流程需要重復27次,涉及約500道工序。根據所需電路系統的復雜性,這一過程有時甚至長達數月之久。
2022-12-13 11:28:351850

Mojo Vision開發300mm藍色基氮化鎵Micro LED陣列

Mojo Vision 表示,Micro LED技術為顯示器提供了關鍵性能表現、效率和外形優勢,這對于擴展現實 (XR)、可穿戴設備、汽車、消費電子和高速通信等應用至關重要。公司目前已克服了多個的供應鏈和資格問題,例如彎曲和污染等,使基氮化鎵獲準進入300mm工廠。
2023-05-25 09:40:241237

泛林集團推出全球首個邊緣沉積解決方案提高芯片良率

近日,泛林集團推出了Coronus DX產品,這是業界首個邊緣沉積解決方案,旨在更好地應對下一代邏輯、3D NAND和先進封裝應用中的關鍵制造挑戰。隨著半導體芯片關鍵尺寸的不斷縮小,其制造變得
2023-06-29 10:08:271400

泛林集團推出全球首個邊緣沉積解決方案提高芯片良率

近日,泛林集團 (Nasdaq: LRCX) 推出了Coronus DX產品,這是業界首個邊緣沉積解決方案,旨在更好地應對下一代邏輯、3D NAND和先進封裝應用中的關鍵制造挑戰。隨著半導體芯片
2023-07-05 00:39:291080

業界首家!華為電力模塊3.0獲頒“數據中心電力模塊預制化產品認證”證書

【中國,北京,2023年8月10日】在中國電子節能技術協會數據中心節能技術分會(簡稱GDCT)主辦的第十三屆數據中心市場年會期間,華為數字能源榮獲上海添唯認證技術有限公司(簡稱添唯)頒發的業界首個
2023-08-10 17:15:031752

上海微系統所在300mm RF-SOI制造技術方面實現突破

近日,上海微系統所魏星研究員團隊在300mm SOI制造技術方面取得突破性進展,制備出了國內第一片300mm 射頻(RF)SOI
2023-10-23 09:16:452112

日本Socionext發布了業界首款32核數據中心級芯片

日本定制芯片開發商 Socionext 發布了業界首款 32 核數據中心級芯片,該芯片將采用臺積電 2nm 級制造工藝制造。
2023-10-30 18:21:371620

國內第一片300mm射頻(RF)SOI的關鍵技術

多晶層用作電荷俘獲層是RF-SOI中提高器件射頻性能的關鍵技術,晶粒大小、取向、界分布、多晶電阻率等參數與電荷俘獲性能有密切的關系;此外,由于多晶/的復合結構,使得應力極難控制。
2023-11-21 15:22:102534

新思科技推出業界首個1.6T高速以太網解決方案

新思科技(Synopsys)近日在數據中心領域取得了重大突破,推出業界首個1.6T高速以太網解決方案,為日益增長的人工智能(AI)計算需求提供了強有力的網絡支持。這一創新解決方案相較于傳統的800G速率IP網絡,在性能上有了顯著提升,其延遲最多可減少40%,空間占用也可節約50%。
2024-03-08 11:06:281276

印度首家能夠加工300mm的商業設施誕生!

美國半導體設備制造商應用材料公司在印度班加羅爾開設了一個驗證中心,標志著印度首家能夠加工300mm的商業設施誕生。
2024-03-12 10:03:031288

楷登電子Cadence推出業界首個全面的AI驅動數字孿生解決方案

中國上海,2024 年 3 月 22 日——楷登電子(美國 Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)推出業界首個全面的 AI 驅動數字孿生解決方案,旨在促進數據中心的可持續發展及現代化的設計,標志著在優化數據中心能效和運營能力方面取得了重大飛躍。
2024-03-22 11:38:051506

半導體工藝片的制備過程

先看一些的基本信息,和工藝路線。 主要尺寸有4吋,6吋硅片,目前對8吋,12吋硅片的應用在不斷擴大。這些直徑分別為100mm、150mm、200mm300mm。硅片直徑的增大可降低單個芯片的制造成本。
2024-04-15 12:45:082660

東芝300mm功率半導體工廠竣工,產能將增至去年的2.5倍

5 月 24 日,日本東芝電子元件及存儲裝置部于官網上發文稱,其 300mm 功率半導體制造廠與辦公室已于日前正式完工。
2024-05-24 16:52:191318

東芝宣布其300mm功率半導體制造工廠和辦公樓竣工

近日,東芝電子器件與存儲株式會社(下簡稱“東芝”)宣布其300mm功率半導體制造工廠和辦公樓竣工。目前將繼續進行設備安裝,計劃在2024財年下半年開始大規模生產。
2024-05-29 18:05:571765

數據中心液冷需求技術及實際應用

了,也更熱了。有什么辦法,給服務器“物理降溫”嗎? ? 根據國家對數據中心的節能要求,全國范圍內新建數據中心要求PUE(Power Usage Effectiveness,電源利用效率)<1.2,而傳統的風冷制冷方式已經無法滿足數據中心的散熱需求,更加高效
2024-06-19 11:12:223494

碳化硅的區別是什么

。而是傳統的半導體材料,具有成熟的制造工藝和廣泛的應用領域。 制造工藝: 碳化硅的制造工藝相對復雜,需要高溫、高壓和長時間的生長過程。而的制造工藝相對成熟,可以實現大規模生產。此外,碳化硅的生長速度
2024-08-08 10:13:174711

英飛凌率先開發全球首項300mm氮化鎵功率半導體技術,推動行業變革

科技股份公司今天宣布,已成功開發出全球首項300mm氮化鎵(GaN)功率半導體技術。英飛凌是全球首家在現有且可擴展的大規模生產環境中掌握這一突破性技術的企業。這項
2024-09-13 08:04:20947

的制備流程

本文從硅片制備流程為切入點,以方便了解和選擇合適的的制備工藝流程比較復雜,加工工序多而長,所以必須嚴格控制每道工序的加工質量,才能獲得滿足工藝技術要求、質量合格的硅單晶片(),否則就會對器件的性能產生顯著影響。
2024-10-21 15:22:272000

英飛凌推出全球最薄功率,突破技術極限并提高能效

已獲認可并向客戶發布。繼宣布推出全球首款300mm氮化鎵(GaN)功率半導體和在馬來西亞居林建成全球最大的200mm碳化硅(SiC)功率半導體晶圓廠之后,英飛凌
2024-10-31 08:04:38826

12寸的制造工藝是什么

12寸(直徑300mm)的制造工藝是一個高度復雜且精密的過程,涉及材料科學、半導體物理和先進設備技術的結合。以下是其核心工藝流程及關鍵技術要點: 一、單晶生長與圓成型 高純度多晶提純 原料
2025-11-17 11:50:20340

羅方德收購新加坡代工廠AMF

創新、及加強技術領域布局戰略中的關鍵一步。此次收購將拓展羅方德在新加坡的技術業務組合、生產能力以及研發實力,與現有技術能力形成互補,并憑借更廣泛的數據中心和通信技術開拓新的市場機遇。
2025-11-19 10:54:53434

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