來源：SEMI，謝謝

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近日，SEMI發布《300mm晶圓廠2027年展望報告(300mm Fab Outlook Report to 2027) 》指出，由于內存市場復蘇以及對高效能運算和汽車應用的強勁需求，全球用于前端設施的300mm晶圓廠設備支出預估在2025年首次突破1000億美元，到2027年將達到1370億美元的歷史新高。

全球300mm晶圓廠設備投資預計將在2025年成長20%至1165億美元，2026年將成長12%至1305億美元，將在2027年創下歷史新高。

SEMI總裁兼首席執行官Ajit Manocha表示：“未來幾年內300mm晶圓廠設備支出預估將呈現大幅成長，反映出市場確實需要這樣的生產能力，以滿足不同市場對電子產品的成長需求，以及人工智能創新帶來的新一波應用浪潮。最新的SEMI報告也特別指出，政府增加半導體制造投資對于促進全球經濟和安全的重要性。這股趨勢預計將有助于縮小各個地區間的設備支出差距。”

Regional Growth 區域展望

SEMI《300mm晶圓廠2027年展望報告》顯示，在政府激勵措施和芯片國產化政策的推動下，中國未來四年將保持每年300億美元以上的投資規模，繼續引領全球晶圓廠設備支出。

受惠于高效能運算 (HPC) 應用帶動先進制程節點推進擴張和內存市場復蘇，中國臺灣地區和韓國的芯片供貨商預期將提高相對應的設備投資。中國臺灣地區的設備支出預計將從2024年的203億美元增加到2027年的280億美元，排名第二；而韓國則將從今年的195億美元增加到2027年的263億美元，排名第三。

美洲地區的300mm晶圓廠設備投資預計將成長一倍，從2024年的120億美元提高到2027年的247億美元；而日本、歐洲和中東以及東南亞的支出預計將在2027年分別達到114億美元、112億美元和53億美元。

領域展望

晶圓代工領域支出預計今年將下降4%來到566億美元，部分原因是成熟節點（>10nm）投資預估將會放緩，為滿足市場對生成式AI、汽車和智能邊緣裝置的需求，此領域在所有領域中仍保持最高的成長率，設備支出從2023年到2027年預計將帶來7.6%年復合成長率 (CAGR) 達到791億美元。

數據傳輸帶寬對于AI服務器的運算效能至關重要，帶動高帶寬內存 (HBM) 強勁需求，導致memory技術的投資增加。memory在所有領域中排名第二，2023年到2027年的年復合成長率將達到20%。DRAM設備支出預計將在2027年提高到252億美元，年復合成長率為17.4%；而3D NAND的投資預計將在2027年達到168億美元，年復合成長率為29%。

預計到2027年，模擬 (Analog)、微型 (Micro)、光電 (Opto) 和分離 (Discrete) 器件領域的300mm晶圓廠設備投資將分別增加至55億美元、43億美元、23億美元和16億美元。

SEMI《300mm晶圓廠2027年展望報告》列出全球405座設施和生產線，包括預計將在未來四年內開始營運的75座設施。上一期報告的發布日期為2023年12月，本期刊載358項更新和26個新晶圓廠/生產線項目。

審核編輯 黃宇