作為第三代半導體材料的代表者，氮化鎵(GaN)憑借其優異的電氣性能、高熱導率、電子飽和率和耐輻射性等特性，引領了全球功率半導體產業革新，隨著氮化鎵技術的不斷成熟和應用領域的不斷拓展，其市場規模正呈現出爆發式增長態勢。英飛凌長期深耕氮化鎵領域，再次推動了氮化鎵革命，率先成功開發出了全球首個300mm氮化鎵(GaN)功率半導體晶圓技術，是全球首家在現有且可擴展的大規模生產環境中掌握這一突破性技術的企業，進一步推動了GaN市場快速增長。

目前，英飛凌全新一代的氮化鎵產品CoolGaN G3和CoolGaN G5系列震撼來襲！采用英飛凌自主研發的高性能200mm晶圓工藝制造，將氮化鎵的應用范圍擴大到40V至700V！快一起來看看吧！

圖1.CoolGaN G3系列晶體管和CoolGaN G5系列晶體管

CoolGaN G3中壓晶體管

CoolGaN G3系列覆蓋60V、80V、100V和120V電壓等級，以及40V雙向開關（BDS）器件，主要面向電機驅動、電信、數據中心、太陽能和消費應用。

CoolGaN G5高壓晶體管

CoolGaN G5系列基于GIT(Gate Injection Transistor，柵注入晶體管)技術推出新一代650V晶體管，以及基于G5的IPS驅動產品，適用于消費、數據中心、工業和太陽能領域的應用。

產品特性

CoolGaN BDS 650V和850V：采用真正的常閉單片雙向開關，具有四種工作模式。通過使用一個BDS代替四個傳統晶體管，可提高效率、密度和可靠性，使應用能夠從中受益并大幅節約成本

CoolGaN BDS 40V：基于英飛凌肖特基柵極氮化鎵自主技術的常閉單片雙向開關，能阻斷兩個方向的電壓，并且通過單柵極共源極的設計進行了優化，以取代電池供電消費產品中用作斷開開關的背對背MOSFET

相比背對背硅FET，使用40V GaN BDS的優點包括節省50%-75%的PCB面積、降低50%以上的功率損耗，以及減少成本

目標應用和市場涵蓋移動設備USB端口、電池管理系統、逆變器和整流器等

2kV的靜電放電耐受能力，可連接到控制器電流感應以實現峰值電流控制和過流保護

電流檢測響應時間約為200ns，小于等于普通控制器的消隱時間

具有極高的兼容性

目標應用和市場涵蓋消費電子設備的充電器和適配器

圖2.CoolGaN BDS和CoolGaN Smart Sense

新產品供貨期現已公布

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與英飛凌一起，再次推動了氮化鎵革命！