國產之光希科半導體：引領SiC外延片量產新時代

希科半導體科技(蘇州)有限公司碳化硅外延片新聞發布暨投產啟動儀式圓滿成功

中國蘇州，2022年11月23日——希科半導體科技（蘇州）有限公司于蘇州納米科技城召開碳化硅（SiC）外延片投產新聞發布會。會上公司創始人、總經理呂立平宣布，公司采用國產CVD設備和國產襯底生產的6英寸SiC外延片，已于近期通過兩大權威機構的雙重檢測，性能指標完全媲美國際大廠，為我國碳化硅行業創下了一個毫無爭議的新紀錄。

蘇州工業園區黨工委委員、管委會副主任倪乾，蘇州納米科技發展有限公司董事長、總裁張淑梅，中國電子材料協會副理事長袁桐，南京大學教授、固體微結構物理國家重點實驗室主任陳延峰，中國冶金自動化院教授級高工高達，希科的天使投資方、云懿投資創始人夏玉山，以及十余家投資機構代表、客戶和供應商代表，應邀出席了當天的發布會，共同見證了中國碳化硅產業界這一歷史時刻。

發布會現場照片

發布會投產儀式

核心材料和裝備近年來已成為我國半導體產業“卡脖子”最嚴重的兩個環節，如何實現關鍵技術突破，完成國產化替代，成為我國高科技產業升級必須面臨的重要課題。可喜的是，隨著國家的高度重視和大力扶持，在業界各方的共同努力下，國產化替代技術正在不斷涌現。此次希科半導體在SiC外延工藝研發上取得的突破性進展，就是采用了純國產設備和完全自主的先進工藝，顯示了國內企業振興我國半導體產業的信心和決心，也讓與會的專家和領導倍感振奮。

呂立平總經理介紹，在過去的一年里，希科半導體從國產水平外延爐調試成功，到完成國產量測設備調試、并實現與進口量測設備的對標校準，填補了行業空白；近日公司又進一步完成了國產垂直外延爐調試，并完成了國產襯底原料與進口襯底同等外延工藝下的對比測試。至此，希科半導體實現了工藝設備、量測設備、關鍵原料的三位一體國產化，完全、干凈、徹底的解決了國外產品的卡脖子問題。這一系列成果填補了我國碳化硅行業的空白。

希科半導體呂立平總經理在會議中致辭

蘇州工業園區黨工委委員、管委會副主任倪乾表示，希科半導體碳化硅外延片正式投產必將為園區第三代半導體產業注入更加強勁的發展動力。當前，園區正以建設世界一流高科技園區為目標，以建設蘇州實驗室、國家第三代半導體技術創新中心等重大創新載體為抓手，全面學習貫徹黨的二十大精神，堅持科技是第一生產力、人才是第一資源、創新是第一動力，全力打造國際一流的第三代半導體產業創新集群。長期以來，園區高度重視半導體產業發展，積極探索并出臺相應政策支撐產業做大做強，繼續加大在半導體產業方面的支持力度。園區將持續營造一流的創新創業生態，不斷提升政策體系、人才供給、產業生態，更高水平促進創新鏈、產業鏈、資金鏈、人才鏈、服務鏈深度融合，做好企業有求必應的“店小二”，全面支持包括希科半導體在內的優秀企業加速成長。

園區黨工委委員、管委會副主任倪乾在會議中致辭

疫情下遠道而來的中國電子材料協會副理事長袁桐表示，當前我國半導體產業經歷了巨大的挑戰，從國內看是疫情下經濟面臨著下行壓力，從國際看美國芯片法案對我國半導體企業的制裁進一步擴大化。但是，在國家支持發展半導體產業的大框架和大背景下，整個行業仍然迎難而上，取得了前所未有的發展。數以萬億計的資本投入、也為行業注入了巨大活力，吸引了全球半導體行業的英才，這也使得我國從半導體工藝設備，到材料、設計、晶圓制造等各個關鍵產業鏈環節，都涌現出了初步具有全球競爭力的企業，國產化率顯著提高，在許多關鍵設備、關鍵材料和先進工藝方面打破了國外壟斷。她說，當下行業已經進入了最有利于半導體優質企業跨越式發展的新階段，她很高興看到年輕的希科半導體在成立僅僅一年多時間就展現了驚人的發展勢能，也欣喜地看到在蘇州產業園及周邊聚集了中國規模最大、品類最全的半導體材料下游產業集群。她代表中國電子材料協會，以及中國電器工業協會電力電子分會的肖向鋒副理事長，祝福希科半導體順利投產，期待希科為中國半導體產業發展做出新的貢獻。

中國電子材料協會副理事長袁桐會議中致辭

早在今年9月底，希科半導體就以獨有的產業化工藝生產出6英寸外延片，經兩家行業權威機構的雙重檢測，結果顯示完全可以媲美國際上的頭部友商。隨著希科半導體本次規模化投產，將改變目前碳化硅外延這一碳化硅芯片的核心原材料一直依賴進口設備和進口襯底的現狀，不但品質更優、成本更低，而且能夠保障供應、按需擴產，將為我國新能源產業發展和雙碳戰略的實施做出應有的貢獻。

據了解，SiC外延是從碳化硅長晶到芯片生產的各工藝環節中承前啟后的關鍵一環。所謂SiC外延片，是指在碳化硅襯底上生長一層更高晶格品質的單晶薄膜（外延層），在實際應用中一個個碳化硅芯片都是采用光刻、掩膜、摻雜等半導體制程工藝在這個外延層上得以實現，而碳化硅晶片本身是作為襯底實現支撐作用。因此碳化硅外延片的質量對下一步芯片晶圓劃片封裝后的碳化硅器件性能的影響，是最為直接和巨大的。而外延的質量又受到外延工藝、設備和襯底品質的影響，處在整個產業的中間環節，其技術和工藝進步對碳化硅整體產業的發展起到非常關鍵的作用。長期以來，SiC外延生產設備被歐美日發達國家壟斷，近年來國內業界開始在國產設備和生產工藝上積極投入研發，以解決這一“卡脖子”問題。

希科半導體呂立平總經理帶領嘉賓參觀產線

與會的中國冶金自動化院教授級高級工程師高達稱，希科半導體的產業化技術突破是對業界的一大貢獻，認為希科實現“關鍵工藝機臺全部國產化”和“量測機臺全部本土替代”將為碳化硅產業提供新的推動力。他說，本次希科半導體在先進工藝研發和產業化、國產化方面的一系列突破，對公司自身的發展和行業整體擺脫對國外技術和設備的依賴都打下了扎實的基礎。

中國冶金自動化院教授級高級工程師高達在會議中致辭

希科半導體的天使投資方、云懿投資創始人夏玉山在發言中難掩激動之情。云懿投資從2017年涉足第三代半導體投資，分別入股了瞻芯電子、山東天岳（688234），以及本次發布會的主角希科半導體，其中山東天岳在今年順利成為碳化硅行業的第一家上市公司，瞻芯電子也成長為業界公認的碳化硅芯片頭部企業。他表示，從當初入股希科半導體到如今投入量產，希科以呂立平總經理為代表的團隊非常高效和務實，發展過程中的各項決策包括全面國產化的決策，云懿投資都參與其中，可以說是與創業團隊互相成就，這種如同團隊一分子般共同創業的感受非常難得。

會上夏玉山先生還透露了希科未來的融資計劃，并歡迎看中碳化硅產業前景的眾多投資機構積極參與，共同支持希科完成近期年產能達到十萬片、成為行業前三的目標。

希科半導體的天使投資方、云懿投資創始人夏玉山發言

希科半導體公司成立于2021年8月，坐落于蘇州工業園區納米城三區第三代半導體產業園，也是蘇州納米城引入的重點企業和標桿項目。公司自成立以來專注于碳化硅外延片的關鍵工藝研發，核心團隊擁有十余年的研發、量產經驗，以及世界級大廠的管理經驗，并已儲備了多項自主知識產權。其中公司創始人、總經理呂立平是國內最早從事SiC技術和工藝研發及產業化的領軍型人才，擁有多項發明專利和實用新型專利。

發布會上，呂立平總經理對冒著疫情管控蒞臨發布會的諸位領導及各方嘉賓表達了衷心感謝。他表示，希科半導體公司能夠在成立后的短短一年多時間里取得跨越式高速進展，是站在中國芯片行業大發展的時代背景上實現的，離不開產業界和各級政府主管部門的大力支持，其中最直接和最重要的就是來自蘇州工業園區及蘇州納米城發展有限公司各位領導的支持。

希科半導體所在地園區納米城III區

近年來，隨著新能源和雙碳產業的崛起，碳化硅行業正面臨著井噴式的市場機遇，蘇州納米城各級領導憑借著對半導體產業的整體前瞻性領悟，大力支持碳化硅、MEMS等先進半導體產業鏈，搭建了完善的產業基礎和配套設施，目前這里和周邊已經成為了我國芯片產業上下游最大的聚集地。蘇州納米城地理位置優越，交通便利，加上整體規劃科學合理，教育、醫療、商貿等生活配套非常到位，吸引著越來多的半導體高端技術人才和創業者。