4月11日，青禾晶元官方宣布，公司近日通過技術創新，在SiC鍵合襯底的研發上取得重要進展，在國內率先成功制備了8英寸SiC鍵合襯底。

對比6英寸SiC晶圓，8英寸SiC晶圓可用面積幾乎增加一倍，芯片產出可增加80-90％，SiC晶圓升級到8英寸將會給汽車和工業客戶帶來重大收益。因此，SiC晶圓走向8英寸是業界公認的發展趨勢。

SiC長晶受限于生長良率低、周期長等瓶頸導致成本無法有效降低。先進SiC鍵合襯底技術可以將高、低質量SiC襯底進行鍵合集成，有效利用低質量長晶襯底，與長晶技術一同推進SiC材料成本顯著降低，實現高效地將過剩的傳統生產力轉化為新質生產力。

青禾晶元表示，通過技術創新，進一步鞏固了青禾晶元在該領域的引領地位，有望加速8英寸SiC襯底量產進程，為產業界客戶提供更具競爭力的價格。

青禾晶元集團是國際上少數掌握全套先進半導體襯底鍵合集成技術的半導體公司之一，致力于將國際前沿的半導體材料融合技術產業化，獲得了多家知名產業方和社會資本的廣泛認可。

青禾晶元半導體成立于2020年7月，公司采用具有自主知識產權的先進技術，可實現半導體材料生長、異質融合與先進封裝，有效的解決先進半導體材料或器件良率低、成本高、性能受限等痛點問題。

公司致力于成為領先的晶圓異質集成技術與方案的提供商，面向第三代半導體、先進封裝、功率模塊集成等應用領域，專注于新型半導體材料的研發生產制造和先進技術研究。公司核心團隊包含教授級專家、海外高層次人才、市場戰略專家、資深生產專家和管理專家等。從2020年至今相繼投資設立了專注于滿足市場需求的鍵合復合襯底生產線、技術研發中心等平臺。

青禾晶元的Emerald-SiC產品是基于公司創新的先進晶圓鍵合與剝離轉移技術實現的高/低質量SiC復合襯底材料,可以有效降低現有SiC襯底材料的成本,并在一定程度上提高器件性能。Emerald-SiC的推廣與普及將進一步打開SiC器件的應用場景,助力SiC行業的高質量發展。

青禾晶元的Obsidian-POI產品是基于公司創新的先進晶圓鍵合與剝離轉移技術實現的壓電復合襯底材料，可以有效提升聲表面波器件性能,可以廣泛應用于5G手機與基站等應用場景。公司的創新鍵合技術和產品可實現晶圓、芯片的室溫或低溫鍵合,降低熱應力影響。

以鍵合技術為核心，依托其它半導體加工領域的核心技術如離子注入、表面處理、清洗、檢測、修復等，公司面向晶圓級材料異質集成、三維堆疊、先進封裝、超精密加工等領域提供技術服務和整體解決方案，可實現多種材料和芯片的異質異構融合。

審核編輯：劉清